"Año del Bicentenario del Perú: 200 años de Independencia"

UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍA

FACULTAD DE INGENIERÍA MECÁNICA

INFORME FINAL DEL LABORATORIO N°3

“Amplificador básico con transistor FET de unión o
JFET”

Integrantes:
• ANICETO USTO, Leonardo 20194070D
• NUÑEZ PAREDES, Dylan 20190003K
• PORTOCARRERO HOYOS, Ronald 20194013K
• VALENCIA SALCEDO, Noé 20190122J

Docente: ING. HUAMANI HUAMANI, Edilberto Segundo

Curso: Análisis y Diseño de Circuitos Electrónicos (ML831-A)

Sección: “A”
Periodo Académico 2021-II
Fecha de entrega: martes 23 de noviembre del 2021
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 ÍNDICE

OBJETIVOS ................................................................................................................................ 3
EQUIPOS Y MATERIALES ...................................................................................................... 4
EQUIPOS: ................................................................................................................................ 4
DISPOSITIVOS ACTIVOS Y PASIVOS: ............................................................................... 4
ELEMENTOS AUXILIARES: ................................................................................................ 4
SOFTWARE ............................................................................................................................. 4
ANÁLISIS EN DC - PUNTO DE OPERACIÓN .................................................................... 5
ANÁLISIS EN AC..................................................................................................................... 10
CUESTIONARIO ...................................................................................................................... 17
CONCLUSIONES..................................................................................................................... 18
RECOMENDACIONES ........................................................................................................... 19
REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS ..................................................................................... 20

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 OBJETIVOS

El presente informe de laboratorio, como complemento de la parte teórica del curso posee los
siguientes objetivos para el desarrollo del aprendizaje del mismo:

• Construir y operar un circuito AMPLIFICADOR BÁSICO con un Transistor FET de

Unión o JFET. Reconocer en la práctica la configuración de SURTIDOR COMÚN.

• Fortalecer el conocimiento, utilidad y función del Transistor de Efecto de Campo, su

trabajo en DC y en AC.

• Operar el circuito amplificador básico para determinar el correspondiente punto de

operación del transistor, sus componentes: corriente de drenador ID, y voltaje entre
drenador (D) y fuente o surtidor (S). Reconocer la ganancia de corriente del JFET a partir
de valores medidos.

• Operar el circuito amplificador básico con pequeña señal, determinar la ganancia de

tensión a partir de valores medidos. Reconocer la máxima excursión simétrica y las
razones por las cuales hay distorsión en la tensión de salida.

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 EQUIPOS Y MATERIALES

EQUIPOS:

01 Fuente de Poder DC 01 Multímetro Digital

01 Osciloscopio
01 Generador de Señales

DISPOSITIVOS ACTIVOS Y PASIVOS:

01 Transistor 2N 5457 canal N

01 Juego de tres (3) Resistores de ½ W cada uno: 10 MΩ; 2 de 1 KΩ; 1 de 1 KΩ
01 Potenciómetro: P1 = 10 KΩ
01 Juego de tres (3) Condensadores de 25 V y 10 uF

ELEMENTOS AUXILIARES:

03 Protoboard o panel de conexiones

01 Juego de 4 cables con terminal de cocodrilo
01 Juego de 16 cables de conexiones para protoboard
01 Juego de cables coaxiales
01 Alicate de punta plana

SOFTWARE

Proteus en su versión 8.12

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 ANÁLISIS EN DC - PUNTO DE OPERACIÓN

Actividad 3.1: Arme el circuito que se muestra a continuación

Use los siguientes datos:

Rg = 10MΩ
Rd = 1KΩ
Rs = 1KΩ
P1 = 10KΩ
JFET = 2N5457 (Canal N)

Simulación en Proteus:

Observación: El transistor 2N5457 no existe en las librerías de Proteus, por lo que se utilizó
2N5459 en su lugar.
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 1
Actividad 3.2. Ubique el JFET en la zona de saturación, es decir, opere con VDS = VDD =
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2.56 V. Para esto debe manipular el potenciómetro hasta que logre su objetivo

Observación: Se tuvo que utilizar un potenciómetro de 20𝐾Ω para poder encontrar un valor más
preciso para el voltaje 𝑉𝐷𝑆 . Es posible que si hubiéramos utilizado un transistor 2N5457 como
dice la guía, no hubiera sido necesario cambiar el tipo de potenciómetro.

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Actividad 3.4. Use ahora el voltímetro como multímetro DC y halle
Vd = 0.81 V
Vs = 0.81 V

Observación: En la guía indicaba que primero se debían medir las resistencias reales de los
resistores, sin embargo, al estar trabajando con simulaciones, los elementos y materiales que
estamos utilizando son ideales. Las resistencias con las que trabaja el circuito, son las mismas que
se muestran al momento de configurarlas, es decir, no existen márgenes de error o intervalos.

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Actividad 3.5. Luego hállese el valor de 𝐼𝐷𝑆𝑆 (𝑉𝐺𝑆 = 0) directamente usando el multímetro
𝑉𝐺𝑆 = −0.6 𝑉
𝐼𝐷𝑆𝑆 = 0.677 𝑚𝐴

Observación: El valor más cercano a 0 para el valor de 𝑉𝐺𝑆 que se puede obtener moviendo el
potenciómetro es de −0.6𝑉. Tal y como se muestra en la simulación, el valor del potenciómetro
está en 0Ω, valores más elevados, disminuyen el valor de 𝑉𝐺𝑆 y hacen que se aleje más de un
hipotético 𝑉𝐺𝑆 = 0.

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Actividad 3.6. Con todo lo observado dibuje las curvas de transferencia correspondientes
A continuación, se mostrarán gráficas características obtenidas por el Datasheet del transistor
2N5459.
Gráfica 𝑽𝑫𝑺 𝒗𝒔 𝑰𝑫

Gráfica 𝑽𝑮𝑺 𝒗𝒔 𝑰𝑫𝑺𝑺

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 ANÁLISIS EN AC

Actividad 3.7. Arme el circuito que se muestra a continuación

Simulación en Proteus:

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Actividad 3.8. Trabaje con Vi = 10 mV (1 Khz) aumentando su amplitud hasta obtener (en la
pantalla del osciloscopio) un Vo-max sin distorsión. Dibuje a continuación los gráficos
correspondientes:

El valor de Vi que produce la distorsión es 380mV

Observación:
La señal generada por el generador de ondas no es una señal perfectamente sinusoidal, puesto
que, los valores máximo y mínimo no son iguales en valor absoluto. La gráfica que se muestra
para Vi, es una señal parecida a una función seno, pero que está más ‘alargada’ en la parte inferior.
Esto hace que el valor de Vo también cambie y no se vea como una señal perfectamente
sinusoidal.

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Actividad 3.9. Proceda a graficar por separado
Gráfica de Vi:

Vp-p= 380mV; Escala: 1V: 50mV

Gráfica de Vo:

Vp-p=3.2 V; Escala: 1V: 0.5mV

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Actividad 3.10. Con los valores obtenidos de Vi y Vo proceda a calcular el valor de la ganancia
lineal y la ganancia en decibelios del amplificador
Datos:
Vi = 380mV = 0.38 V; V0 = 3.2 V
La ganancia está dada por la proporción entre 𝑉0 y 𝑉𝑖 . Entonces se tiene que la ganancia es
V0 3.2
G= = = 8.42105
Vi 0.38
En escala logarítmica
20 log(G) = 20 log(8.42105) = 18.5073

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Actividad 3.11. Desconecte por un momento el generador de señales, luego ajuste el
potenciómetro hasta obtener un Vds = 3.5 V

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Actividad 3.12. Trabaje con Vi = 10 mV (1 Khz) igual que en el paso 3.8. Aumentando su
amplitud hasta obtener (en la pantalla del osciloscopio) un Vo-max sin distorsión. Dibuje a
continuación los gráficos correspondientes.

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Actividad 3.13. Proceda luego a Proceda luego a graficar por separado:

𝑉in 𝑝−𝑝 = 10mV, Escala = 2 × 103 V⁄D

𝑉out 𝑝−𝑝 = 2.87 mV, Escala = 0.2V⁄D

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 CUESTIONARIO

Pregunta 1: Diga cuáles serían las causas para la distorsión en la salida

Las causas principales que provoca la distorsión en la salida, tomando como referencia los
resultados obtenidos con Proteus mediante las simulaciones, serían:
• Las diferencias que existe entre las lecturas tomadas en un circuito real y un circuito
simulado que no concibe todos los escenarios de medición. Por ejemplo, los valores de
resistencias tanto del potenciómetro como de los resistores varían según una cierta tolerancia
por diferencias en los procesos de fabricación y manufactura, errores no concebidos, desgaste
por exceso de uso, entre otros aspectos.
• La amplificación puede no estar teniendo lugar durante todo el ciclo de la señal debido a
niveles de polarización incorrectos.
• La señal de entrada puede ser demasiado grande, haciendo que los amplificadores de los
transistores estén limitados por la tensión de alimentación.
• La amplificación puede no ser una señal lineal en todo el rango de frecuencia de las
entradas.
• Cuando los valores pico de la forma de onda de frecuencia se atenúan causan distorsión
debido a un cambio en el punto Q y la amplificación puede no tener lugar a lo largo de todo el
ciclo de señal.
Pregunta 2: Diferencia de resultados entre los cálculos teóricos (valores nominales de las
resistencias) y los resultados obtenidos en la Ganancia de Tensión.
Efectivamente, se usan bastantes aproximaciones para el cálculo teórico de la corriente, puesto
que estás fórmulas utilizadas están sujetas a modelamiento matemáticos mediante el uso de
métodos numéricos y sufren de error de redondeo y propagación de error en las operaciones que
realizan; este tipo de procedimientos nos brinda resultados satisfactoriamente referenciales, sin
embargo, aún presenta cierto margen de error.
Cálculo teórico Resultados
VGS 0,72 V 0,72 V
VDS 6,98 V 6,92 V
ID 0,87 mA 0,81 mA
IG 0 mA 0 mA
Hfe 119,88 117,71
Tabla de comparaciones entre resultados teóricos y experimentales
Pregunta 3: Qué pasaría con A si se cambia RL por uno de mayor valor, digamos por uno de 3.3
KΩ.
Cuando se realiza este cambio en el circuito implementado, podemos observar que la amplitud
del voltaje de salida aumenta en 0.00386 V. Se concluye que, si el valor de la resistencia RL se
incrementa, la amplitud del voltaje de salida también se verá incrementada.

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 CONCLUSIONES

• La corriente en puerta(G) es siempre 0 ya que esta es una propiedad del propio transistor
JFET.

• Mediante los transistores JFET se puede incrementar el nivel de una determinada señal
haciendo variar el voltaje V_GS.

• Los errores son mínimos y se debe a los decimales de los amperímetros o voltímetros, ya
que el Simulador Proteus nos da un laboratorio casi ideal.

• El transistor tiene un comportamiento similar al de una fuente de corriente dependiente

del voltaje, ya que, si varía el voltaje en VGS, variará también la corriente entre sus
terminales.

• La ganancia lineal y en decibelios cuando el VDD =8 V es muy menor respecto al circuito

con el VDD =15 V

• Los resultados teóricos y experimentales resultaron con un error casi despreciable.

• La distorsión se da en la señal de la salida aproximadamente a partir de Vi igual a 440mV.

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 RECOMENDACIONES

• Leer y realizar todas las normas de seguridad dadas previamente para realizar el
presente laboratorio.

• Verificar la funcionalidad del osciloscopio y la forma correcta de conectarlo.

• Revisar que se haya armado correctamente el circuito para la experiencia.

• Realizar las mediciones tomando en cuenta todos los decimales posibles para que de esa
forma podamos tener los valores experimentales más precisos posible.

• Revisar los materiales antes de realizar la experiencia a fin de garantizar su

funcionalidad.

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 REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS

Presentaremos a continuación los textos y fuentes consultadas:

[1] Robert L. Boylestad y Louis Nashelsky. Teoría de circuitos y dispositivos electrónicos.
[2] Fuente web:
Colaboradores de Wikipedia. (2020b, diciembre 6). JFET. Wikipedia, la enciclopedia libre.
https://es.wikipedia.org/wiki/JFET
[3] Fuente web:
Circuito amplificador con JFET y sus aplicaciones: Práctica de laboratorio. (2019, 12 mayo).
Proyectos Electrónicos. https://viasatelital.com/proyectos_electronicos/jfet_aplicaciones.php
[4] Fuente web:
Electrotec | ¿Qué es el JFET? (2018, 1 marzo). ELECTROTEC. https://electrotec.pe/blog/jfet

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