UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA

FACULTAD DE INGENIERIA MECÁNICA

PARÁMETROS Y AUTOPOLARIZACIÓN DEL FET

CURSO: Análisis y diseño de circuitos electrónicos

CÓDIGO - SECCIÓN: ML 831 – B

DOCENTE: Ing. Arévalo Macedo, Robinson

ESTUDIANTES: Giraldo Vera, Cesar

Jara Cieza, Luis
Luo Lin, Eduardo
Rios Villacis, Angel
Soto Conde, Nick

FECHA DE ENTREGA: 3 de junio de 2019

2019 – 1
 ÍNDICE

Objetivos……………………………………………………1

Fundamento Teórico………………………………………..2

Materiales…………………………………………………...7

Procedimiento…………………………………….………....8

Cuestionario…………………...…………………….…..….10

Conclusiones y observaciones………………………....…...12

Bibliografía……………………………………………..…..13

Hoja de datos…………………………………...…………..14
1) Objetivos
 Obtener los parámetros y la curva de transconductancia del JEFT.
 Comprobar experimentalmente el circuito de autopolarización de un JEFT.
 Comparar los valores obtenidos experimentalmente con los proporcionados por el
fabricante en el datasheet.

1
2) Fundamento teórico
2.1) Transistor de Efecto de Campo de Unión (JFET)
Este tipo de transistor se diferencia del BJT, el cual es un transistor bipolar controlado
mediante corriente, es controlado mediante un campo magnético que depende de un voltaje
controlado, además de ser unipolar; es decir, el JFET es activado mediante voltaje.

Fig. 2.1 Transistor JFET

Al aplicar un tensión VGS=0, y VDS>0, origina una corriente en sentido del drenador al
surtidor (canal N). Cuando se le aplica un tensión negativa entre la puerta y el surtidor la
corriente inicial que pasa de drenador a surtidor se ve reducida, esto se debe que la zona de
agotamiento (deplexión, canal P) se ensancha haciendo que la región de conducción se
reduzca hasta el punto en que no habra corriente entre drenador y surtidor, a esta tensión se
le llama voltaje Umbral o de Estrangulamiento. Para el canal P se le puede hacer una analogía
pero en vez de una tensión VGS negativa, se le pone una positiva haciendo crecer la zona de
agotamiento (Canal N).

Ecuación de Transferencia

𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − ) ……………. (2.1)
𝑉𝑃

 𝐼𝐷 : 𝐶𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑒𝑛 𝑒𝑙 𝑑𝑟𝑒𝑛𝑎𝑑𝑜𝑟
 𝐼𝐷𝑆𝑆 : 𝐶𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑠𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎𝑐𝑖ó𝑛 𝑑𝑟𝑒𝑛𝑎𝑑𝑜𝑟 − 𝑠𝑢𝑟𝑡𝑖𝑑𝑜𝑟
 𝑉𝑃 : 𝑇𝑒𝑛𝑠𝑖ó𝑛 𝑢𝑛𝑏𝑟𝑎𝑙
 𝑉𝐺𝑆 : 𝑇𝑒𝑛𝑠𝑖ó𝑛 𝑝𝑢𝑒𝑟𝑡𝑎 − 𝑠𝑢𝑟𝑡𝑖𝑑𝑜𝑟

2
 ID (𝑚𝐴)
IDSS
CANAL N CANAL P

-VP VP VGS (𝑉)

Fig. 2.2 Curvas de transferencias de un JFET (Canal N y P)

Como se puede observar según el gráfico mientras aumenta el voltaje entre la puerta y el
surtidor ya sea canal N o P, la corriente que pasa por el surtidor disminuye.

Curva característica:
VDD

Fig. 2.3 Circuito de polarización del JFET

Del circuito de la fig. 2.3:

𝑉𝐷𝑆 𝑉𝐷𝐷
I𝐷 = − + …………….. (2.2)
𝑅𝑆 +𝑅𝐷 𝑅𝑆 +𝑅𝐷

Recta de carga:
En fig. 2.4 se obtiene el punto de trabajo usando el método gráfico, a partir de este punto se
analizará el transistor cuando se le conecte una señal.

3
 ID (𝑚𝐴)

𝑉𝐷𝐷
𝑅𝑆 +𝑅𝐷
S

VGS VDS (𝑉)

Fig. 2.3 Recta de carga del JFET

Análisis para señal:

Una vez hallado el punto de trabajo, debemos hacer el análisis para la señal de entrada que
sacará provecho del transistor.

Fig. 2.5 Modelo del JFET para señal

𝐼𝐷
𝑔𝑚 = 𝑔𝑚𝑜 √ …………(2.3)
𝐼𝐷𝑆𝑆

Donde:

 𝑔𝑚 : Conductancia del JFET

 𝑔𝑚𝑜 : Conductancia del JFET 𝑐𝑢𝑎𝑛𝑑𝑜 VGS = 0

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2.2) Transistor de Efecto Metal-Oxido Semiconductor (MOSFET)
Este transistor se encuentra en dos tipos, decrementales e incrementales; los NMOS (canal
N) operan con tensiones de puerta y drenador positivas respecto a la del surtidor; por el
contrario los PMOS (canal P) se operan con tensiones negativas entre drenador-surtidor y
puerta-surtidor. Los terminales de sustrato están conectados a los terminales de la fuente.
Por el contrario del JFET, el MOSFET necesita un voltaje VGS = V𝑡 mínimo para establecer
un canal, llamado Voltaje Umbral.
Cuando VGS = V𝑡 , la corriente es muy pequeña, para un VGS > V𝑡 la corriente 𝐼𝐷 aumenta casi
linealmente para valores pequeños de VGS .

Fig. 2.5 Transistor MOSFET

Curva característica de un MOSFET

Fig. 2.6 Curva de transferencia y curva característica de un MOSFET

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Observando los gráficos, especialmente el de la derecha podemos notamos que ID sufre un
ligero incremento conforme VDS aumenta y la pendiente característica es positiva y finita.
Al incrementar VDS más allá de VBD provoca una ruptura de avalancha en el canal e ID
aumenta rápidamente, se debe evitar este modo de operación ya que la disipación excesiva
de potencia podría ocasionar que el transistor se deteriore.

Zonas de Trabajo
Zona Óhmica: Para VD ≤ VGS − V𝑡

𝐼𝐷 = 𝐾𝑃 [2(VGS − V𝑡 )VGS − VD 2 ]……………. (2.4)

Zona de Saturación: Para VD ≤ VGS − V𝑡

𝐼𝐷 = 𝐾𝑃 (VGS − V𝑡 )2 ……………. (2.5)

Zona de Corte: Para VGS < V𝑡 , 𝑒𝑛𝑡𝑜𝑛𝑐𝑒𝑠 𝐼𝐷 = 0. El MOSFET está apagado.

Análisis para señal:

Fig. 2.7 Modelo del MOSFET para señal

|𝑉𝑀 |
𝑟𝑑 = ……………. (2.6)
𝐼𝐷

𝑔𝑚 = 2𝐾𝑃 (VGS − V𝑡 ) ……………. (2.7)

Donde:

𝑔𝑚 : Transconductancia del MOSFET

𝑉𝑀 : Voltaje de modulación del canal
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3) Materiales
 1 JFET 2N5457.
 Resistores de 220 Ω, 1 𝑀Ω, 2.2 𝑘Ω, 10 𝑘Ω, 1 𝑘Ω y 22 𝑘Ω.
 Capacitores de 1 𝜇𝐹/25 𝑉, 10𝜇𝐹/25 𝑉 y 0.01 𝜇𝐹/50 𝑉.
 1 multímetro.
 1 fuente de voltaje de 0 a 20 V.
 1 Protoboard.
 1 generador de ondas.
 1 osciloscopio.
 Cables de conexión y jumpers.

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4) Procedimiento
4.1) Armar el circuito de la figura y variar el valor de 𝑉1 de acuerdo a la tabla 1. Observar
el momento en el que la corriente 𝐼𝐷 sea constante. En ese momento, 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 . Graficar la
curva correspondiente 𝑉𝐷𝑆 vs 𝐼𝐷 .

Figura 4.1 Primer circuito

𝑉𝐷𝐷 = 𝑉1 1.5 𝑉 2𝑉 2.5 𝑉 2.8 𝑉 3𝑉 4𝑉 5𝑉 6𝑉 10 𝑉

𝐼𝐷 (𝑚𝐴) 2.11 2.45 2.6 2.63 2.66 2.73 2.76 2.78 2.84
𝑉𝐷𝑆 (𝑉) 0.99 1.4 1.85 2.2 2.4 3.36 4.43 5.37 9.42
Tabla 1. Datos obtenidos experimentalmente con el primer circuito (2𝑁5457)

4.2) Armar el circuito de la figura 4.3 y variar el valor de 𝑉𝐺𝐺 = 𝑉3 hasta que 𝐼𝐷 = 0. En ese
momento, la lectura de 𝑉𝐺𝑆 es 𝑉𝐺𝐷(𝑂𝐹𝐹) . Graficar la curva correspondiente 𝑉𝐺𝑆 vs 𝐼𝐷

Figura 4.2 Segundo circuito

𝑉𝐷𝐷 = 𝑉1 0𝑉 1𝑉 2𝑉 3𝑉 4𝑉 5𝑉 6𝑉 7𝑉 8𝑉 9𝑉
𝐼𝐷 (𝑚𝐴) 2.3 2.3 2.3 2.2 2.2 2.1 1.8 0.8 0.8 0.7
𝑉𝐺𝑆 (𝑉) 0.005 0.965 1.95 2.99 4 5.15 5.98 7.05 8.05 9.09

Tabla 2. Datos obtenidos experimentalmente con el segundo circuito (2𝑁5457)

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 𝐼𝐷 (𝜇𝐴) 68 56 38 34 18 9 1 0 0
𝑉𝐺𝑆 (𝑉) 0.0 −0.3 −0.6 −0.7 −1.0 −1.2 −1.5 −1.7 −2.0

Tabla 3. Datos obtenidos experimentalmente con el segundo circuito (2𝑁5457)

4.3) Armar el circuito de autopolarización de la figura 4.6 y anotar los datos obtenidos.

Figura 4.3 Tercer circuito

𝐼𝐷𝑆𝑆 (𝜇𝐴) 930

𝑉𝐺𝑆 (𝑉) 2.06
𝑉𝐷𝑆𝑄 (𝑉) 10.58
𝐼𝐷 (𝜇𝐴) 1245

Tabla 4. Datos obtenidos del tercer circuito

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5) Cuestionario

5.1) Circuito 1

𝑉𝐷𝑆 vs ID
3

2.5

2
ID (mA)

1.5

0.5

0
0 2 4 6 8 10
𝑉𝐷𝑆 (𝑉)

Figura 5.1 Gráfico 𝑉𝐷𝑆 vs 𝐼𝐷

5.2) Circuito 2

𝑉GS vs ID
2.5

1.5
ID (mA)

0.5

0
0 2 4 6 8 10
𝑉GS (𝑉)

Figura 5.2 Gráfico 𝑉𝐺𝑆 vs 𝐼𝐷

10
 𝑉G𝑆 vs ID
80
70

60
50
ID (μA)
40
30
20
10
0
-2.5 -2 -1.5 -1 -0.5 0
𝑉G𝑆 (𝑉)
Figura 5.3 Gráfico 𝑉𝐺𝑆 vs 𝐼𝐷

5.3) Circuito 3
 Valores obtenidos de IDSS, VGS(OFF). Compara estos valores con los especificados
con el fabricante.
OBTENIDOS FABRICANTE
𝐼𝐷𝑆𝑆 930 uA 1 mA
𝑣𝑃 -13,11 v -6 v

 Valores y transconductancia
Datos:
𝑉𝑝 = −13,11
𝐼𝐷𝑆𝑆 = 930 𝑢𝐴
𝑉𝐺𝑆 = 2,06 𝑣
−2𝐼𝐷𝑆𝑆 𝑉𝐺𝑆
𝑔𝑚 = (1 − ) = 1,64 𝑥 10−4
𝑉𝑝 𝑉𝑃

 Como se obtiene el punto Q de trabajo del JFET

Se realiza el análisis en corriente continua (DC), donde los condensadores se comportan

como circuito abierto; y con las especificaciones del problema se proceden a realizar las
ecuaciones de mallas considerando 𝐼𝐺 = 0.

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6) Conclusiones y recomendaciones

Conclusiones
 Los valores medidos se asemejan a los calculados y simulados, solo con algunos
errores, debido a las resistencias o a las características del FET. También debido al
multímetro y generador.
 Se comprobó que la corriente del Drain (drenador) depende del voltaje Gate - Source
(puerta – surtidor), obedeciendo casi exactamente a la ecuación de Shockley.
 Se verificó el comportamiento que tiene un FET al variar negativamente y
positivamente el voltaje Gate – Source.

Observaciones

 Se utilizó el datasheet de los FET para verificar sus características.

 Los parámetros del JFET pueden ser diferentes, aunque sean del mismo tipo, por eso
que se debe calcular los valores de VP e IDSS para cada caso.
 La curva característica a la salida del FET es muy similar a la de un BJT.

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7) Bibliografía
 Circuitos Microelectrónicos, Análisis y Diseño – Muhammad Rashid.

 Dispositivos y circuitos electrónicos – Donald A. Neamen.

 Circuitos Electrónicos – Edwin C. Lowenberg.

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8) Hoja de datos

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