Universidad Tecnológica de Panamá

Facultad de Ingeniería Eléctrica

Electrónica

Profesor
Ing. Alejandro Mena

Tema
Operación del Transistor
 OPERACIÓN DEL TRANSISTOR

Durante el periodo 1904 - 1947, el tubo de vacío fue sin duda el dispositivo
electrónico de interés y desarrollo. En 1904, el diodo de tubo de vacío fue introducido
por J.A. Fleming. En 1906, lee De Fonest agregó un tercer elemento, denominado
rejilla de control, al tubo de vacío, lo que originó el primer amplificador: el tríodo, a
principio de la década de los treinta el tetrodo de cuatro elementos y el pentodo de
cinco elementos se distinguieron en la industria de tubos electrónicos. El 23 de
diciembre de 1947 la industria electrónica atestiguo el interés y desarrollo del
transistor a través de Walter Brattain y John Bradeen demostraron el efecto
amplificador del primer transistor en los Bell Telephone Laboratories (El termino
“transistor” es la contracción en ingles de transfer resistor “resistencia de
transferencia”).
 VENTAJAS DEL TRANSISTOR SOBRE EN TUBO
ELECTRÓNICO

A. Es más pequeño y ligero.

B. No tiene requerimientos de filamentos o pérdidas térmicas.
C. Ofrece una construcción de mayor resistencia y resulta más eficiente porque
el propio dispositivo absorbe menos potencia instantánea y está listo para
utilizarse sin requerir un periodo de calentamiento; además crea posibles
voltajes de operación más bajos.
 1. ¿QUÉ ES UN TRANSISTOR?

Un transistor es un dispositivo semiconductor el cual puede utilizarse como

amplificador, oscilador, interruptor y regulador de voltaje. El transistor es una
fuente de corriente. Está hecho de materiales como el germanio y silicio.
2. SÍMBOLO DEL TRANSISTOR
3. LOS TRANSISTORES SEGÚN SU POTENCIA SE
CLASIFICAN EN:

• Baja potencia.
• Media potencia.
• Alta potencia.
4. UN TRANSISTOR ES LA CONEXIÓN DE DOS DIODOS EN
SERIE.
OPERACIÓN DEL TRANSISTOR
POLARIZACIÓN DIRECTA
 POLARIZACIÓN DIRECTA

Cuando existen voltajes de 0.7V entre la juntura Emisor-Base se crea una corriente de
emisor IE debido a que los portadores mayoritarios (electrones), se difundirán hacia la
región (p) del material semiconductor. Debido a que la base tiene menos conductividad
y presenta alta resistencia más que las regiones del emisor y colector. Y la región de
la base es más delgada un número más pequeño de portadores mayoritarios seguirán
esta región (p) y en consecuencia la gran mayoría de estos portadores mayoritarios se
difundirán hacia la región del colector (N), la magnitud de la corriente de base es por
lo general del orden microamperios y las corrientes del emisor y colector en el orden
de miliamperios.
OPERACIÓN DEL TRANSISTOR
POLARIZACIÓN INVERSA
 POLARIZACIÓN INVERSA

La juntura Base-Emisor se encuentra polarizada inversamente y la mayoría de

los protones o cargas positivas que se encuentran en la base del transistor se
difundirán para el terminal negativo, de la fuente VBB. No corriente de base IB,
tampoco corriente de emisor menos de colector. En esta polarización, los
electrones del emisor se difundirán hacia el terminal positivo de la fuente VBB,
solo existirá voltaje de colector a emisor (VCE) que será igual a la fuente (Vcc).
 5. EL TERMINO BIPOLAR EN UN TRANSISTOR, SIGNIFICA EL HECHO DE QUE
LOS ELECTRONES Y HUECOS PARTICIPAN EN EL PROCESO DE INYECCIÓN DE
CORRIENTE EN EL MATERIAL POLARIZADO OPUESTO.
6. PRUEBA DE UN TRANSISTOR DE BAJA POTENCIA Y
MEDIA POTENCIA

• Base – Emisor = R.baja

• Base – Colector = R.baja
• Colector – Emisor = R.∞

Importante: hay que identificar la base por tanteo.

7. PRUEBA DE UN TRANSISTOR DE ALTA POTENCIA

• Base – Emisor= R. baja en las dos direcciones

• Base – Colector= R. baja en una sola dirección
• Colector – Emisor= R. baja en una dirección del diodo
8. UBICACIÓN DE LOS TERMINALES DEL
TRANSISTOR DE ALTA POTENCIA
 PRIMERA CONFIGURACIÓN
BASE COMÚN (PNP)

El segundo subíndice indica la configuración del transistor

El transistor no puede conducir de Base a colector porque la base está contaminada de huecos y electrones.
Tomando el sentido convencional de la corriente. Conduce
1) Emisor – Base
2) Emisor – Colector
 PRIMERA CONFIGURACIÓN
BASE COMÚN (NPN)

El transistor conduce
1) Base – Emisor
2) Colector – Emisor
CURVA CARACTERÍSTICA DE BASE COMÚN
 SEGUNDA CONFIGURACIÓN
EMISOR COMÚN (PNP)

El transistor conduce
1) Emisor – Base
2) Emisor – Colector
SEGUNDA CONFIGURACIÓN
EMISOR COMÚN (NPN)

El transistor conduce
1) Base – Emisor
2) Colector – Emisor
CURVA CARACTRTISTICA DE EMISOR COMÚN
 TERCERA CONFIGURACIÓN
COLECTOR COMÚN (PNP)

Esta configuración se utiliza para acoplamiento de impedancia

El transistor conduce
1) Emisor – Base
2) Emisor – Colector
 TERCERA CONFIGURACIÓN
COLECTOR COMÚN (NPN)

El transistor conduce
1) Base – Emisor
2) Colector – Emisor
CURVA CARACTERISTICA DE COLECTOR COMÚN
FORMACIÓN DE LA GANANCIA DE CORRIENTE EN UN
TRANSISTOR BETA B
1
Tomando el sentido convencional de positivo al
terminal negativo y recordando la ley de
corriente de Kirchhoff, establece que la suma de
todas las corrientes que entran a un nodo o unión
es igual a la suma de todas las corrientes que
salen de ese nodo o unión.
La corriente que entra al nodo es positiva y la
corriente que sale del nodo es negativa del lado
izquierdo de la ecuación.
• El transistor conduce
1) Base – Emisor
2) Colector – Emisor
 FORMACIÓN DE LA GANANCIA DE CORRIENTE EN UN
TRANSISTOR BETA B
2
IE + IB + IC = 0
IE Entra al nodo; IB Entra al nodo; IC Entra al nodo
-IE= IB + IC; El signo (-) indica que el emisor es el terminal común del circuito
Esta ecuación indica que la corriente de emisor es la suma de la corriente de colector y
la corriente de base.
Tomando en consideración que los electrones salen del emisor y llegan al colector
IE ≈ IC
La IB es mucho menor que la corriente de colector y emisor generalmente la IB es 1%
de la corriente de colector IC.
FORMACIÓN DE LA GANANCIA DE CORRIENTE EN UN
TRANSISTOR BETA B
3
Tomando el sentido convencional de la corriente
El transistor PNP conduce de:
1) Base – Emisor
2) Colector – Emisor
Se ha tomado el sentido de la corriente de negativo a positivo
para los dos transistores.
IE – IB – IC = 0
IE Entra al nodo; IB Sale del nodo; IC Sale del nodo
IE= IB + IC
Esta ecuación indica que la corriente de emisor es la suma de la
corriente de colector y la corriente de base.
IE= IB + IC
 FORMACIÓN DE LA GANANCIA DE CORRIENTE EN UN
TRANSISTOR BETA B
4
• Una de las cosas que hacen que el transistor sea útil es que la corriente de colector es mucho
mayor que la corriente de base. La ganancia de corriente B CC de un transistor se define como
la corriente de colector dividida entre la corriente de base. Esta relación expresa:
𝐼𝐶
• 𝐵𝐶𝐶 =
𝐼𝐵
Esto se considera si IE ≈ IC

• Para transistores de baja potencia, la ganancia de corriente generalmente oscila entre 100 y
300.
• IC= (BCC)(IB) Calculo de la corriente de colector
𝐼𝐶
• 𝐼𝐵 =
𝐵𝐶𝐶
Calculo de la corriente de base
EJEMPLO #1

Dada la siguiente figura el transistor

tiene una corriente de corriente de
colector de 10 mA y una corriente de
base de 40µA ¿Cuál es la ganancia
de corriente del transistor?

𝐼𝐶 10𝑥10−3
𝐵𝐶𝐶 = = −6
= 250
𝐼𝐵 40𝑥10
9. CONFIGURACIÓN INTERNA DEL TRANSISTOR DE ALTA
POTENCIA DESCRITO ARRIBA
 10. EXISTE TRES CONDICIONES PARA LA CONDUCCIÓN
COMO AMPLIFICADOR DE UN TRANSISTOR
(CARACTERÍSTICAS).

a. La juntura base – emisor (debe estar polarizado directamente)

b. La juntura base – colector (debe estar polarizado inversamente)
c. El voltaje entre colector – emisor (debe ser menor que el voltaje de ruptura
VCE).
11. POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR
12. REGIONES EN LA QUE PUEDE OPERAR UN
TRANSISTOR
1
a) Región de corte: En esta región
juntura Base – Emisor no está en
operación por lo tanto el transistor no
conduce. En este punto la corriente de
colector es pequeña y VCC = VCE. En
esta región la juntura Base – Emisor
esta abierta. Ya que la corriente de
base es aproximadamente cero.
 REGIÓN DE CORTE

VCC= VRC + VCE IB = 0

VCC= ICQRC + VCE ICQ= 0
VCC= VCE IE= 0
VCEMax= VCC
Un transistor opera en esta región para
circuito o circuitos de computadoras.
12. REGIONES EN LA QUE PUEDE OPERAR UN
TRANSISTOR
2
b) Región Activa: Es donde el transistor
debe operar en condiciones normales
y debe cumplirse los siguientes
requisitos de polarización.
1. La juntura de base – emisor debe
estar polarizada directamente.
2. La juntura de base – colector debe
estar polarizada inversamente.
12. REGIONES EN LA QUE PUEDE OPERAR UN
TRANSISTOR
3
c) Región de Saturación: En esta región
la juntura colector – emisor está en
corto circuito por lo tanto el voltaje de
colector – emisor es aproximadamente
cero. Y la corriente ICMax = VCC/ RC
esta es corriente máxima permisible
que puede alcanzar el transistor. El
transistor se utiliza en esta región para
equipos de computadora y circuitos
digitales.
 REGIÓN DE SATURACIÓN

VCC= VRC + VCE

VCC= ICRC + VCE; Donde VCE= 0
VCC= ICRC
𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶𝑀𝐴𝑋 =
𝑅𝐶
 12. REGIONES EN LA QUE PUEDE OPERAR UN
TRANSISTOR
4

d) Región de ruptura: el transistor esta dañado por exceso de corriente, el

transistor no debe operar en esta región.
13. GRÁFICA DE LAS REGIONES DE UN TRANSISTOR