INGENIERIA ELECTRÓNICA

LABORATORIO DE ELECTRONICA ANALOGICA II.

Alumnos: Cristian Uriguen.

Carlos Vizhñay.

Ciclo: Quinto – Grupo 2

Practica #2
Tema: Circuito Generador de Corriente Constante.

OBJETIVOS:
 Diseñar, calcular y comprobar el funcionamiento de un circuito de corriente constante con
transistor FET y BJT.
 Diseñar, calcular y comprobar el funcionamiento, utilizando generadores de corriente
constante de un circuito que me de la siguiente forma de onda.

MARCO TEÓRICO:

Fuentes de corriente
Las fuentes de corriente son utilizadas en circuitos electrónicos integrados como elementos de
polarización y como cargas activas en etapas amplificadoras. Estas fuentes en polarización resultan
insensibles a variaciones de las tensiones de polarización y de la temperatura. Además son más
económicas que los elementos resistivos, especialmente cuando las corrientes son bajas.

Las fuentes de corriente como cargas activas proporcionan resistencias incrementales de alto valor
resultando etapas amplificadoras con elevada ganancia operando incluso con bajos niveles de
tensiones de polarización. Así, la ganancia típica en tensión de una etapa en emisor común es
AV≈–hfeRC/hie. Para obtener una gran ganancia, debe utilizarse una RC muy grande que resulta
una solución inviable en un circuito integrado por dos motivos:

-Una resistencia de difusión alta ocupa un área prohibitiva

-Una RC grande tiene una caída de tensión muy elevada que complicaría la polarización del
amplificador.

Las fuentes de corriente eliminan ambos inconvenientes y permiten lograr ganancias del orden de
10.000 en una simple etapa con carga de corriente.
 TIPOS DE FUENTES DE CORRIENTE

ESPEJO DE CORRIENTE BIPOLAR

La forma más simple de una fuente de corriente es la basada en un espejo de corriente. El espejo de
corriente está constituido por la unión de dos transistores idénticos que tienen la misma tensión
VBE tal como se ve en la figura a. El transistor Q1 está operando en modo diodo es decir el
colector y la base están cortocircuitadas y por ello en numerosas ocasiones se puede ver
representado según el esquema b. Ambos circuitos se comportan como una fuente de corriente de
valor Ío.

Espejo de corriente; b) Representación simplificada de un espejo de corriente.

Para el análisis de la fuente de corriente es necesario ocupar la siguiente ecuación:

En un espejo de corriente las tensiones VBE de Q1 y Q2 son iguales y, al ser transistores idénticos,
IS1=IS2. Por consiguiente, la ecuación anterior indica que ambas intensidades de colector deben ser
iguales IC1=IC2=Ío. De aquí proviene el nombre de espejo de corriente. La corriente de colector de
ambos transistores es la misma, de forma que si varia la corriente de uno de ellos tiene “reflejo” en
el otro. Obteniendo de este análisis:

Como la corriente de colector es idéntica en ambos transistores y dado que operan en la región
lineal (IC=ßIB), se puede despejar IC1 de la ecuación anterior obteniendo:

𝐼𝑟𝑒𝑓
𝐼𝐶1 = 𝐼𝐶2 = 𝐼𝑜 =
2
1+
𝛽
Siendo:

Una fuente de corriente ideal debe suministrar una corriente constante con independencia de la
tensión de salida. Sin embargo, en las fuentes de corrientes reales su corriente de salida varía con
la tensión de salida. Esta dependencia está relacionada con la resistencia de salida del transistor. La
figura anterior se representa la curva de operación de Q2 con VBE2=Cte. fijada por la corriente del
transistor Q1 en el espejo de corriente de la primera figura, suponiendo al transistor ideal (recta
horizontal con resistencia de salida ∞) y real (su resistencia de salida esta especificada por endiente
de la recta de valor 1/Ro).
Si se considera un transistor ideal sin resistencia de salida, la intensidad Ío es independiente de la
VCE, es decir, de la tensión de salida. Por el contrario, un transistor tiene una resistencia de salida
de forma que la IC2=Ío es variable con la VCE. En cualquier caso, este transistor deja de
comportarse como elemento lineal cuando entra en la región de saturación, siendo este el límite de
operación de cualquier fuente de corriente.

FUENTES DE CORRIENTE SIMPLES FET.

Los espejos de corriente basados en transistores bipolares pueden ser extendidos a transistores FET
pero con las propias particularidades de este tipo de transistores. Al ser los transistores FET
dispositivos controlados por tensión, no presentan los problemas de polarización de base de los
bipolares. Sin embargo, la relación cuadrática entre la ID y la VGS dificulta su análisis. La grafica
muestra una fuente de corriente simple basada en un espejo de corriente constituida por transistores
JFET.
Resolviendo el sistema de ecuaciones tenemos:

En la siguiente figura se muestra una fuente de corriente JFET simple. Con V GS conectado en 0 V,
la corriente de drenaje se fija en:

ID=IDSS=10 mA

El dispositivo opera como una fuente de corriente de un valor de 10 mA Mientras que el JFET real
posee una resistencia de salida, la fuente de corriente ideal sería un suministro de 10 mA

Fuente de Corriente Constante con Transistor BJT:

Los transistores bipolares pueden conectarse en un circuito que actué como una fuente de
corriente constante de distintas formas. La figura siguiente nos muestra que la corriente a
través de Ie se puede determinar de la siguiente manera:

R1
VB  (VEE )
R1  R 2
VE  VB  0,7V
VE  (VEE )
IE   IC
RE
Cálculos realizados:

Circuito astable con el 555.

𝑡𝑐 = 0.7𝑚𝑠
𝑡𝑑 = 2.3𝑚𝑠
𝑇 = 3𝑚𝑠
𝐶 = 2.2𝑢𝑓.

Tiempo de carga.

𝑡𝑐 = 𝑙𝑛|2| ∗ 𝑅 ∗ 𝐶
𝑡𝑐 0,7𝑚𝑠
𝑅1 = = = 459Ω
𝑙𝑛|2| ∗ 2.2𝑢𝑓 𝑙𝑛|2| ∗ 2.2𝑢𝑓

Tiempo de descarga.

𝑡𝑑 = 𝑙𝑛|2|𝑅2 ∗ 𝐶
𝑡𝑑 23𝑚𝑠
𝑅2 = = = 1.5𝑘Ω
𝑙𝑛|2| ∗ 𝐶 𝑙𝑛|2| ∗ 2.2𝑢𝑓

Calculo de la polarización:

𝐼𝐷𝑆𝑆 = 9𝑚𝐴 𝐼𝑑 = 9𝑚𝐴

𝐼𝑑 = 𝐼𝑐
𝐼𝑏 = 5𝑢𝐴
(12 − 0.7)𝑣
𝑅𝑏 = = 1.5𝐾Ω
5𝑢𝐴
𝑉𝑔𝑠 = (12 − 0.7) = 11.3𝑣
𝑅𝑒 = 𝑉𝑒 ∗ 𝐼𝑐
𝑅𝑒 = 101.7𝑘Ω

Condensador:
𝜏 =𝑅∗𝐶

5𝜏 = 𝑅𝐶

5 ∗ 0.003𝑚𝑠
𝐶= = 0.035𝑢𝑓
100𝑘

Materiales Utilizados:

4 resistencias (valores varios)

1 transistor JFET
1 transistor BJT
3 condensadores
1 CI NE 555
2 Diodos 1n4004
Alambre multipar (50 cm)
 Diseño del circuito e implementación:

Generador de pulsos con el 555 astable.

Forma de onda de salida en el pin 3.

Al no estar correctamente polarizados tanto el BJT y el FET pueden tener un estado de conmutación
el cual produce un error en el circuito el cual por debe de cargarse y descargarse linealmente y no
exponencialmente ya que el circuito de polarización del BJT puede estar en proceso de
conmutación produciendo de esta manera un proceso de carga exponencial provocando de esta
manera que no se consiga el objetivo establecido, provocando así la siguiente forma de onda:
Corrigiendo la parte antes mencionando y logrando polarizar correctamente el transistor y
autoporalizando el FET colocando el gate en la entrada de la base del BJT se obtiene una onda
diente de sierra que carga linealmente y descarga de igual manera.

Obteniendo de esta manera la siguiente onda con carga lineal.

Conclusiones y Recomendación:

En el generador de corriente la gráfica obtenida de los datos medidos y simulados de divide en dos
etapas, como se puede observar en la gráfica de los datos medidos la 1ra parte nos indica que la
corriente se mantiene constante con un mínimo rango de oscilación de la corriente hasta que en el
circuito llegue al valor máximo de resistencia calculado una vez que esta llegue a su valor podemos
ver que en la etapa 2 la gráfica tiende a bajar debido a que la resistencia sobrepasa su valor óhmico
para la cual fue calculada.

En esta práctica hemos podido determinar que el transistor FET es un elemento electrónico que
tiene mucha utilidad en lo que a electrónica de potencia se refiere. Este elemento a diferencia del
transistor BJT solo puede manejar corrientes de hasta 20mA por lo que su uso es limitado. Para
lograr comandar este elemento esto debemos conocer cuál es su composición, su distribución de
pines y sus diferentes formas de polarización. Además gracias a esta práctica pudimos constatar que
Al conectar un condensador al generador de corriente constante podemos ver que se carga en forma
lineal, esto es por la corriente constante que proporciona el circuito.

Bibliografía:

Boylestad Robert: Análisis Introductorio de Circuitos, 8va Edición.

Archivo PDF JFET y MOS-FET Electrónica General y Aplicada 1999.
Electrónica 2000, www.electronica2000.net/curso_elec/leccion61.htm