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ELECTRONICA I
LABORATORIO N°1
DIODOS Y CIRCUITOS RECTIFICADORES .
Objetivos:
1. Identificarlos circuitos con diodos como bloques circuitales de fuentes de alimentación y otras
aplicaciones.
2. Interpretar las características operativas y parámetros de funcionamiento de los diodos
semiconductores y de Zener.
3. Capacitarse en el manejo del osciloscopio en modo X-Y para graficar curvas V-I de dispositivos
de 2 terminales.
4. Apreciar los efectos de la temperatura sobre el comportamiento operacional del dispositivo.
5. Especificar los elementos circuitales de valor adecuado para asegurar la operación de los
diodos.
6. Ensayar los tipos más comunes de circuitos rectificadores y determinar las ventajas e
inconvenientes de cada uno.
7. Apreciar el efecto de las celdas de filtrado en el zumbido de salida y las consecuencias de las
variaciones de la carga.
8. Reconocer valores, formas y períodos de las tensiones en circuitos rectificadores, reguladores
y recortadores.
Componentes:
c) Herramientas de taller e insumos: Soldadores tipo lápiz con punta cerámica de 40 W, lupas
articuladas con autoiluminación, alicates, pinzas, alambre estañado 0.3 mm, cable aislado 0.5
mm., estaño 60%, aerosol limpiacontactos, papel cuadriculado o milimetrado para croquis de
formas de onda, pendrives u otro medio de almacenamiento informático para guardar
mediciones.
Transformadores separadores para aislación galvánica: 220V. – 220 V., (150 VA aprox.)
Multímetro Analógico (Kaise SK-142 ó similar)
Multímetro Digital de alta impedancia de 4 1/2 Dígitos (Fluke 8080A
similar).
Osciloscopio de 2 canales o más, ≥60 MHz. (Tektronix TDS2024B o
similar).
Fuente de alimentación de CC regulada y variable de laboratorio.
Marco teórico:
Diodo
El diodo semiconductor real constituye la aplicación más simple de las junturas semiconductoras
P-N. Se llama juntura a la zona de contacto entre un material semiconductor puro dopado con
impurezas aceptoras (tipo P) y otro dopado con impurezas donadoras (tipo N). Los electrones
son los portadores mayoritarios de carga en una zona dopada tipo N y los huecos o lagunas en
una zona dopada tipo P. La juntura semiconductora más simple se llama Homojuntura, se
establece entre dos zonas del mismo material por ejemplo silicio, cada una dopada con distintas
impurezas (Ej. n-Si/p-Si). En cambio, se denomina Hetero juntura a la unión de semiconductores
diferentes, por ejemplo, n-CdS/p-Cu S (Sulfuro de Cadmio y Oxido de Cobre).
2
Idealmente le diodo se comporta como un interruptor cerrado cuando está polarizado
directamente, y abierto cunado está polarizado inversamente.
En la realidad, el diodo presenta una pequeña caída de tensión entre sus bornes cuando esta
polarizado directamente, y circula una pequeña corriente cuando esta polarizado inversamente.
Su curva esta descripta por la ecuación de Shockley.
Donde:
Se considera que el diodo empieza a conducir una vez superada la tensión de codo. Si la tensión
inversa supera la tensión de Zener (Vz), se produce un incremento abrupto de la corriente hasta
que el dispositivo se quema.
La aplicación más común del diodo es en circuitos rectificadores. Los rectificadores son circuitos
electrónicos que se encargan de transformar la tensión alterna en una tensión unidireccional,
valiéndose de la principal propiedad del diodo de dejar conducir la corriente en un solo sentido.
El rectificador monofásico de media onda es el tipo más simple, pero no es el más utilizado en
aplicaciones industriales, debido a que se aprovecha solo medio ciclo de la tensión alterna, por
lo cual presenta bajo rendimiento y alto factor de ripple.
Sin embargo, este rectificador es útil para comprender los principios de operación de este tipo
de circuitos. El diodo dejará circular corriente solo en el semiciclo positivo. Si se considera al
diodo como ideal, en el semiciclo positivo toda la tensión caerá en la carga, mientras que en el
semiciclo negativo lo hará en el diodo.
Rectificador bifásico de media onda
Este circuito opera con dos fases desplazadas 180°, por lo
que cuando un diodo se encuentra en conducción el otro
permanece bloqueado. Esto permite la rectificación de la
onda completa. Requiere de un transformador cuyo
secundario posea punto medio.
Mediante esta configuración se logra una rectificación de onda completa con un transformador
común. En el semiciclo positivo conducirán los diodos D1 y D3, y en el semiciclo negativo los
diodos D2 y D4.
Los rectificadores de media onda pueden estar constituidos por tantas fases como se requiera,
siendo el hexafásico el de más fases utilizadas, por cuestiones de costo/beneficio. Esto se debe
a que la mejora obtenida en rendimiento y factor de Ripple, al utilizar rectificadores de más fases,
es muy reducida.
Diodo Zener
Es un tipo especial de diodo, que tiene la particularidad de estar diseñado para trabajar en la
zona de Zener. Se fabrica con tenciones de Zener calibradas de entre 2 y 200V y puede manejar
potencias de hasta 5W. Es usado mayormente como regulador de tensión.
Símbolo
Curva V-I
I. Diodos Semiconductores
Distribución de actividades
Alumno A: Selección de componentes
Alumno B: Armado de circuito
Alumno C: Mediciones estáticas
Alumno D: Mediciones dinámicas
b) Ajustar la base de tiempo del osciloscopio en modo XY (sin barrido). Ajustar escala del
amplificador horizontal a 0,1 V/div. y del vertical a 2 V/div. (lo que indicará 2 mA/ div. para la
corriente que pase a través de la resistencia de 1 KΩ.). Desplazar el cero del eje Y al borde
inferior y el cero del eje X al borde izquierdo de la pantalla. La curva que aparecerá es la
característica V-I del diodo.
e) Enlistar las mediciones en una tabla y explicar las diferencias halladas entre los distintos
tipos de dispositivos.
c)Enfriar con el fluido en aerosol la cápsula del diodo y anotar el desplazamiento en la tensión
ánodo-cátodo. Medir la máxima Vd para Id = 20 mA.
Distribución de actividades
Alumno B: Selección de componentes
Alumno C: Armado de circuito
Alumno D: Mediciones estáticas
Alumno A: Mediciones dinámicas
Experimento 3
a) Armar el circuito de la figura, similar al del experimento 1 pero utilizando diodos Zener de
7, 5 V (BZX97-C7V5 o similares) y R = 1 KΩ. La alimentación de CA (Vs) provendrá del
secundario de baja tensión de un transformador de alimentación (12 V o similar). Verificar la
polaridad de los diodos (cátodo indicado por un anillo o marca en la cápsula del dispositivo).
Conectar el osciloscopio con la base de tiempo en modo XY (sin barrido), y ambos
amplificadores, horizontal y vertical en el rango de 1 V/ div. Ajustar la posición de los ejes X e Y
para ver la zona de ruptura inversa.
c) Repetir el experimento utilizando en el circuito los diodos BZX 97-C5V6, BZX 97-C4V7,
1N 755A o equivalentes. Si se usa osciloscopio con memoria digital, guardar los archivos de
mediciones en pendrive o bien croquisar la medición desde la pantalla cuidando respetar los
valores medidos. Marcar la posición de la tensión de codo de Zener (Vz), y el valor de la
corriente Iz para tensiones de Zener levemente mayores a temperatura ambiente. Luego,
registrar los valores antes y después del desplazamiento de temperatura (punto b).
Experimento 4
a) Armar el circuito de abajo utilizando BZX 79- C7V5 y Ri = 330 Ω. Conectar a una fuente
de continua filtrada de laboratorio. Utilizar 2 valores de RL: 1,2 KΩ y 680 Ω. Medir la tensión
sobre la carga para VS =15 VDC y luego para VS =10 VDC.
b) Repetir las mediciones del punto anterior para Ri = 220 Ω, Ri = 150 Ω y Ri = 100 Ω. Ahora
dejando Ri = 220 Ω, registrar los valores de VL para RL = 1.2KΩ y VS = 15 V al conectar la
fuente y una vez que ésta se ha estabilizado. Comprobar si V L cambia mucho o no, y
explicar el motivo de los resultados obtenidos.
c) Calcular la regulación de línea y de carga para cada una de las 8 combinaciones de valores
de las resistencias Ri y RL y para cada uno de los valores de tensión de entrada (VS = 15
VDC y VS = 10 VDC.).
Experimento 5
b) Armar un recortador asimétrico con BZX 79-C4V7 y BZX 79-C7V5 y repetir las mediciones
del punto a) excepto la de asimetría.
Experimento 6
Medir con osciloscopio las tensiones de recorte en la misma forma que el experimento 5.
Observar la forma de onda durante el recorte y describir las diferencias halladas respecto al
circuito con Zener.
b) Repetir las mediciones del punto anterior, pero conectando dos series de 2 diodos 1N 4007
en antiparalelo (4 diodos en total).
Distribución de actividades
Alumno C: Selección de componentes
Alumno D: Armado de circuito
Alumno A: Mediciones estáticas
Alumno B: Mediciones dinámicas
Experimento 7
D1 D2
220 V RL
50 Hz (+) (-)
0Deg UL
D4 D3
c)Cambiar el modo de acoplamiento del canal 1 a la posición AC, previamente ajustando el cero
del eje X con la llave en masa (GND). Observar y medir con máxima sensibilidad vertical la
forma de la tensión poliarmónica de zumbido. Tomar nota de los valores y de la forma de onda,
teniendo en cuenta que ahora el cero está en el valor de CC de salida medido previamente con
el tester digital. Calcular finalmente el error porcentual que se cometería si se aproximara el
valor medio de la tensión de salida al valor medio de la sumatoria de las tensiones de pico y
mínima de la forma de onda de zumbido a la salida.
* Con electrolíticos de 50 uF/25 V, 100 uF/25 V y 200uF 25V con la misma carga.
* Con RL = 10 KΩ. y electrolíticos de 50 uF/25 V, 100 uF/25 V y 200uF 25V.
Experimento 8
Experimento 9
Experimento 10
Tomar valores para Rs y calcular con las curvas de Shade los electrolíticos para un zumbido de
salida no mayor del 2%. Con el tester digital medir las tensiones secundarias eficaces y la tensión
de CC de salida, comparando los valores medidos con los teóricos, luego aumentar el valor de
C1 y C2 y volver a medir. Para la forma de onda de corriente, usar resistencias de censado de
0,1 Ω en serie con los diodos, midiendo de a uno por vez y desconectando totalmente el canal
vertical restante.
D1
1N4007GP
C1
RL
C2
D2
1N4007GP
Diagrama circuital.
Mediciones:
La salida Ud se conectó con la entrada X (canal A) y la salida Uid con la entrada Y (canal B) del
osciloscopio. Como el valor de ambas Resistencias eran iguales a 1kΩ, las lecturas en V sobre
Uid indicaron el valor de Id en mA. Por medio del osciloscopio, ajustando la base de tiempo en
modo XY (sin barrido) se observó la curva característica V-I del diodo, como se indica a
continuación:
Como la escala del amplificador horizontal está en 500mV/div y la escala vertical también. En la
gráfica (V-I) del osciloscopio se puede observar que la tensión umbral o de codo del diodo D1 es
de aproximadamente 0,4 V y a partir de este valor la curva característica se torna prácticamente
vertical. También, a modo de ejemplo, se observa que para un valor de tensión de 0,6 V el valor
de intensidad de corriente Id (del diodo D2) igual a 500 mA.
Experimento 2-comportamiento térmico:
Partiendo del circuito descripto en el apartado anterior, se acercó a la capsula del diodo D1 la
punta cerámica de un soldador de estaño a temperatura de trabajo (con un rango de 180 0 230
°C). Debido al aumento de la temperatura la curva característica se desplazo hacia la izquierda
reduciendo la tensión de codo del diodo, esto es debido a que estos semiconductores son
altamente sensibles a los cambios de temperaturas, en el caso de los diodos de silicio esta
tensión disminuye a razón de 2,5mV/ °C, lo cual tiene un marcado efecto. Por eso es importante
tener conocimientos de las características de estos dispositivos y bajo qué condiciones estarán
operando.
Diagrama circuital
Mediciones:
La salida Vz se conectó con la entrada X (canal A) y la salida VR con la entrada Y (canal B) del
osciloscopio. Como el valor de ambas Resistencias eran iguales a 1kΩ, las lecturas en V sobre
VR indicaron el valor de Id en mA. Por medio del osciloscopio, ajustando la base de tiempo en
modo XY (sin barrido), y el amplificador horizontal con escala de 2V/div y el vertical 1V/div
(equivalente a 1mA/div), se puede observar que la tensión umbral o de codo del diodo Dz1 es de
aproximadamente 0,8 V y a partir de este valor la curva característica se torna prácticamente
vertical. También observando la grafica se puede obtener la tensión inversa de Zener (Vz), dando
por resultado un valor de 7,8 V. La curva característica V-I del diodo en el osciloscopio operando
a temperatura ambiente se indica a continuación:
Ilustración 7:Calentamiento de la capsula del diodo Zener y curva característica del diodo.
Experimento 7: Rectificador Puente de Graetz.
Diagrama circuital:
Mediciones:
En este experimento para un valor pico a poco de 16,6 V se midió, por un lado, el valor de tensión
continua sobre la carga (solo una resistencia RL) por medio de un tester digital arrojando un valor
de 10,56 V y por medio del osciloscopio se observo la forma de onda sobre la carga y parámetros
como la frecuencia tensión pico-pico y tensión eficaz. A continuación, se muestra la gráfica:
Ilustración 10: Forma de onda sobre la carga RL.
1. Para la primera medición sin filtrado (sin capacitores en paralelo con la resistencia RL), se
observa que el valor eficaz es de11.4 V.
2. La frecuencia de la señal de salida es el doble a la de entrada, lo cual es correcto debido
a que cuando la onda de entrada realiza un ciclo completo, en la carga se generan dos
semiondas positivas.
Posteriormente se reemplazo al capacitor por otro con mayor capacitancia, cuyo valor fue de 100
µF/16V. El resultado de la señal a la salida del rectificador fue el siguiente:
Diagrama circuital:
Se puede apreciar que, sin filtrar, es decir, sin capacitores en paralelo con la carga, esta ya tiene
una tensión continua bastante pura.
Sin embargo, si se quisiera una tensión 100% pura, bastaría con agregar un capacitor en paralelo
con una determinada capacidad.