Interpretación del modelo y resultados de
simulación del diodo semiconductor
Santiago Rios Guiral
Santiago Mazo.
Ingeniería electrónica
Universidad de Antioquia
Medellín, Colombia
santiago.riosg@udea.edu.co
santiago.mazo@udea.edu.co
​ l presente informe tiene como objetivo
Abstracto -. E
presentar y explicar los conceptos fundamentales
necesarios para la comprensión y simulación del diodo
semiconductor, se presenta la explicación de estos
conceptos físicos fundamentales que rigen el
comportamiento de los átomos presentes en la estructura
cristalina de sustancias usadas para hacer
semiconductores, se procede a dar explicación de las
nociones fundamentales que hacen falta para hacer la
simulación en los diferentes softwares, se muestran los
resultados obtenidos, y se añaden conclusiones de la
simulaciones hechas en los diferentes programas.
I. INTRODUCCIÓN
Los materiales semiconductores son usados en la
actualidad para la construcción de dispositivos
electrónicos como diodos y transistores, dispositivos
ampliamente usados para la fabricación de múltiples
aparatos electrónicos, como celdas solares, pantallas,
circuitos integrados, procesadores, entre otros. Estos son
los responsables del inmenso avance que ha tenido la
electrónica en el último medio siglo, por lo tanto, su
estudio y comprensión se hace de vital importancia para
esta época si se desea incursionar en el desarrollo de
nuevas tecnologías.
Los materiales semiconductores tienen la peculiar
característica de poder ser buenos conductores o buenos
aislantes dependiendo de las condiciones externas a las
que sea sometido este material, esta propiedad se da
gracias a la configuración que tienen los átomos en el
estado sólido de algunos materiales, como el silicio y el
germanio, los cuales son el material más usado para la
fabricación de diodos; debido a esto se hace necesario el
estudio de la mecánica cuántica, esta es la física que
ayuda a modelar y describir estas interacciones nucleares
y desde aquí se parte para describir con total precisión,
primero la estructura atómica de los materiales
semiconductores, es decir, como se juntan unos átomos
con otros para formar estructuras más grandes llamadas
estructuras cristalinas, luego a estas estructuras se les
añade algunas impurezas con el objetivo de tener cargas
libres, positivas o negativas.
Cuando se junta una estructura con una impureza de
cargas positivas, con otra estructura de impurezas
negativas, se crea lo que se llama unión P-N, la cual se
explicará con un mejor detalle más adelante, el estudio
del comportamiento de los átomos en esta región de
unión o de juntura, se hace con la ayuda de la noción
fundamental de la conservación de la carga, la cual es la
idea básica que sirve para realizar las diferentes
simulaciones, el problema fundamental en esta etapa de
simulaciones es la descripción de cómo hacen los
electrones libres para cruzar esta región de juntura, ya
que este cruce de electrones se convierte en corriente, la
cual es una variable fundamental en todo dispositivo
electrónico.
II. MARCO TEÓRICO
Número Atómico: ​El número atómico de algún
elemento es el número de protones presentes en el
núcleo del átomo de dicho elemento, en su estado
natural, un átomo tiene carga neutra, por lo tanto, igual
número de electrones y protones.
Este número atómico nos permite conocer cuántos
electrones tiene el átomo en su estado de energía más
alto, los electrones en este estado de energía también
llamado capa de valencia son más fáciles de remover del
átomo y volverlos electrones libres; con ayuda de la
ecuación: N e = 2n2 ; se conoce cuántos electrones habrá
en cada nivel de energía.
Por ejemplo para el silicio, cuyo número atómico es 14,
se tendrá, en su estado natural, 14 electrones, de los
cuales 2 están en el primer nivel de energía, 8 en el
segundo, y los 4 restantes en el último nivel de energía.
Sólido Cristalino: ​Consiste en un gran número de
átomos ordenados en una forma regular, creando
estructuras periódicas [1], para átomos de un mismo
material, en los cuales su electronegatividad no permite
formar enlaces iónicos, los átomos en la molécula están
unidos por medio de enlaces covalentes; estos tipos de
enlaces se crean según la ley del octeto, la cual explica
que los átomos tienen su estado más estable cuando
tienen 8 electrones en su última capa de valencia. Para
los átomos de silicio, que tienen en su última capa de
valencia 4 electrones, cada átomo se juntará con otros
cuatros átomos quedando así con 8 electrones en la
denominada órbita molecular.
Semiconductor Intrínseco: Los semiconductores son
un tipo de material que cuentan con la característica de
poder comportarse como conductores o como aislantes,
dependiendo de condiciones externas.
Esta característica se puede encontrar en el silicio puro,
gracias a su configuración cristalina, en la cual se deduce
que cada átomo está unido a otros 4 átomos, estando así
sin ningún electrón libre, es decir, comportándose como
un aislante, ya que, al no tener electrones libres, no será
posible que circule una corriente por dicho material. Sin
embargo, si una muestra de silicio es excitada con
energía externa, energía térmica, por ejemplo, los
electrones que forman los enlaces ganaran energía y
podrán convertirse en cargas libres, dejando un hueco en
el enlace, atrayendo así a otro electrón libre que ande por
ahí, si hay suficientes huecos cercanos, será posible que
por estos huecos pasen electrones libres y exista una
corriente eléctrica.
El semiconductor intrínseco, sin embargo, es aquel que
no da lugar a huecos o cargas libres, esto se encuentra
con el silicio puro.
Semiconductor Extrínseco: ​A la estructura cristalina
molecular del silicio puro, se le pueden añadir
impurezas, es decir cambiar átomos de silicio en la
estructura, por átomos de alguna otra sustancia. Cuando
se añade un átomo trivalente, como el aluminio o el galio
a la estructura del silicio, se añade con esto un hueco al
enlace covalente, dejando el espacio para ser ocupado
por un electrón en la banda de conducción; Cuando por
otra parte se añade un átomo pentavalente, como el
fósforo o el arsénico, a la estructura atómica del silicio,
se está añadiendo con esto un electrón en la banda de
conducción, dado que los cuatro enlaces covalentes de
cada átomo ya están completos.
Cuando a los materiales semiconductores se les añaden
este tipo de impurezas en su estructura cristalina, se
conoce como semiconductor extrínseco.
Semiconductor tipo P y tipo N: ​Semiconductor tipo P,
se le conoce a aquel semiconductor que ha sido dopado
con átomos trivalentes, ya que los huecos en los enlaces
quedan con una carga positiva; similarmente cuando el
material semiconductor es dopado con átomos
pentavalentes, se conoce como semiconductor tipo N,
porque lo portadores de carga, tienen carga negativa.
Juntura P-N: ​Cuando se une un semiconductor tipo P,
con otro semiconductor tipo N, ocurre un efecto curioso
en la zona donde estos dos semiconductores se unen,
conocido como el ​efecto diodo​; las cargas portadores
negativas del material tipo N, empiezan a ocupar los
huecos de carga positiva en el material tipo P, dejando
así, los átomos del material tipo N con una carga neta
positiva, porque han perdido un electrón, y los átomos
del material tipo P quedarán con una carga neta negativa,
ya que tienen un electrón de más, esta diferencia de
cargas, creará una diferencia de potencial y un campo
eléctrico en un zona conocida como la ​zona de
deplexión​, esta será más grande o pequeña dependiendo
de la concentración de impurezas en el silicio; debido a
este campo eléctrico se creará una barrera de potencial
entre los electrones en la banda de conducción del
material tipo N, y lo huecos del material tipo P, esta
barrera hace que no todos los portadores de carga de
ambos materiales se terminan juntando.
Figura 1. Unión PN
Este campo eléctrico permite tener ciertos efectos
aplicando determinadas condiciones externas al material.
Cuando se conecta un voltaje, con una batería o una
fuente de alimentación, en la terminal del material tipo banda de conducción y Ev la energía de la banda de
P, este campo eléctrico de la zona de deplexión decrece, valencia.
y a medida que se aumenta el voltaje externo este campo
eléctrico disminuye más, hasta que los electrones del
material tipo N pueden pasar hacia los huecos del
material tipo P, y de esta manera permitir la circulación
de corriente a través de la juntura; Si por el contrario se
aplica el voltaje externo por el lado del material tipo N,
el campo eléctrico de la zona de deplexión aumentará,
evitando de esta forma la circulación de corriente
eléctrica, porque los electrones en la banda de
conducción del material tipo N les quedará más difícil
atravesar la barrera de potencial.

Aunque lo anteriormente descrito es el comportamiento

del diodo ideal, en la realidad se obtiene que hay unos
electrones que cruzan la barrera de potencial y se tiene
una corriente en a orden de los nanoamperios.
Diodo​​: El diodo semiconductor como tal es una juntura
pn donde la región tipo p es el ánodo y la región tipo n
es el cátodo y donde hay dos tipos de corrientes: por
huecos y por electrones, que al sumarse dan la corriente
total del semiconductor. Los electrones libres se
encuentran en la banda de conducción y los huecos se
hallan en la banda o capa de valencia, sin embargo, para
poder tener tales corrientes se necesita de un proceso
llamado dopaje.
El dopaje consiste en agregar a una red de átomos
(silicio, por ejemplo) algunos átomos que modifiquen las
características eléctricas del material. Entre los
elementos que se agregan se pueden clasificar como
donadores o aceptores. Los donadores son aquellos que
al agregarse dejan libre un electrón, que aportará a la
generación de un corriente, mientras los aceptadores
dejan un vacío que puede ser ocupado por un electrón.
Figura 2. Distribución del dopaje
En base a esta distribución de concentración, hay dos
procesos fundamentales que permiten su manipulación:
Generación y Recombinación. La generación es el
proceso por el cual se generan electrones libres y/o
huecos, en cambio la recombinación es el proceso de
unir estos dos. Normalmente se logra mediante una
excitación externa, sin embargo cuando no hay, Ambos
procesos generan y unen con la misma proporción,
generando electrones por la misma energía térmica del
material y uniendo huecos con electrones libres por el
movimiento aleatorio de los electrones que caen estos,
esto con base en mantener al material en un equilibrio
térmico. En el caso contrario cuando hay una excitación
externa estos procesos no son necesariamente iguales ya
que dicha excitación agrega concentraciones ya sea de
huecos o de electrones y estos tienen un tiempo de vida
que es el tiempo que están presente libremente en la
juntura.

Por lo tanto es de gran utilidad conocer y estimar la III. SIMULACIÓN

concentración de electrones o huecos en un
semiconductor, lo cual es logrado con la distribución de
probabilidad Fermi-Dirac.
A continuación se muestra tal distribución para un
material tipo N y para uno tipo P. En la gráfica, EFi es la
energía de Fermi cuando el material no está dopado, en
cambio que EF es la nueva energía de Fermi una vez se
dopa. Nótese que la energía de Fermi es menor para un
material tipo P que para uno tipo N. ​Además, se
estableces que ​Nd es la concentración de donadores, Na
es la concentración de aceptores, Ec la energía de la
COMSOL: ​COMSOL Multiphysics es un software
completamente integrado, fácil y sencillo de manejar, el
cual permite el análisis modelamiento y simulación de
diferentes fenómenos físicos aplicados a ingeniería,
como por ejemplo el diodo semiconductor, el cual, a
partir de métodos aproximados como lo es el método de
los elementos finitos, da solución a las ecuaciones que
rigen dichos fenómenos.
Simulación COMSOL Multiphysics: ​Para lograr el
objetivo de realizar la simulación del diodo
semiconductor en cualquier software, es necesario
describir el modelo con ecuaciones, para la descripción
del diodo se hace uso de las ecuaciones de Maxwell,
suponiendo que no existe un campo magnético, se hace
uso específicamente de la ecuación de la conservación
de la carga, la cual se escribe de la siguiente forma,
resultando ecuaciones en derivadas parciales:
Donde ψ representa el potencial electrostático, ​q ​es la
carga elemental (1.602e​-19 ​); ​p y​ n son la concentración
de hueco y de electrones en la banda de conducción,
respectivamente; ​N e​ s la carga asociada a los donadores
que han sido ionizados.
La recombinación Shockley-Read-Hall (R​SRH )​ el cual
es un proceso general de recombinación que usa trampas
para atrapar las cargas en la zona prohibida de la barrera
de energía entre la banda de conducción y la banda de
valencia, la recombinación consiste en el proceso por el
cual un electrón pasa de la banda de valencia a la banda
de conducción, y luego otra vez a ocupar un hueco en la
banda de valencia. Este parámetro viene dado en
términos del tiempo de vida de los portadores de carga,
la concentración intrínseca de portadores y los niveles de
energía de la barrera de potencial.
C​ondiciones de frontera se asume que los materiales
dopados están rodeados de un material aislante, por lo
cual la componente normal del campo eléctrico y la
densidad de corriente aquí deben ser cero, se asume que
la velocidad de recombinación es infinita, es decir, que
el electrón no se toma ningún tiempo para pasar de un
hueco a otro pasando por la banda de conducción y que
no hay cargas en los contactos con el aislante.
Haciendo estas idealizaciones, es posible deducir que el
voltaje aplicado en las terminales iguala la energía de
Fermi del semiconductor en el contacto, entonces el
potencial eléctrico en los contactos es el voltaje aplicado
más la diferencia de energía entre el nivel de Fermi y el
nivel de referencia usado para el potencial eléctrico. Así
se obtiene que las condiciones de frontera son:
Donde ​n​i se refiere a la concentración intrínseca de
portadores, ​k ​es la constante de Boltzmann, y ​T e​ s la
temperatura absoluta en el dispositivo.
Para lograr una alta precisión en la simulación del
dispositivo en COMSOL, el simulador hace uso de algo
denominado Weak Boundary Conditions, para lo cual se
hace uso de unos multiplicadores de Lagrange, lm2, lm3,
en el ánodo(terminal conectado al material tipo p) y en el
cátodo(terminal conectado al material tipo n), con ayuda
de lm2 y lm3 se obtienen valores más precisos para las
densidades de corrientes que con las mostradas
inicialmente, por lo tanto las densidades de corriente
serán ​q*lm2 ​y​ -q*lm3​, para los electrones y los huecos​.
En este caso, el módulo a utilizar corresponde al de
dispositivos semiconductores, donde se considera como
parámetros de importancia, las ecuaciones de
continuidad y conservación de la carga, donde el
principal objetivo recae en establecer las diferencias
entre la importancia de la corriente de difusión y
desplazamiento y su respectiva influencia en los
fenómenos del transporte de portadores de carga, como
también, una estrecha relación con el diagrama de
bandas de energía para la juntura p-n.
A continuación se presenta el procedimiento para lograr
obtener el modelo del diodo en COMSOL.
1) se crea un nuevo modelo en 2D y se determina la
geometría.
2)Se selecciona el material ha utilizar del módulo de
semiconductores, se escoge el silicio y en este están
especificadas todas los propiedades del material.
Se selecciona la física del modelo de semiconductores,
se especifican el modelo del dopaje de las regiones y se
especifican las regiones de los metales conductores para
el material tipo p (ánodo) y el material tipo n (cátodo).
4) Se introduce la malla del modelo ( triángulos libres) y Resultados de simulación en COMSOL.
se especifica su tamaño en las regiones con el fin de
establecer el procedimiento de recombinación de forma Concentración de huecos
adecuada.

5) Se escoge una simulación de barrido de potencial y se

utiliza un estudio estacionario donde se obtienen los
valores iniciales para la concentración de electrones y
huecos y el potencial en la región.

6) Se corre la simulación y se obtienen los valores de los

parámetros anteriores después del barrido.

Figura 4. Concentración de hueco​s

Concentración de electrones

Figura 3. Geometría del diodo, tomada de [2]

Simulación en Elmer: ​La simulación en el software

ELMER es lograda gracias a una herramienta de
COMSOL, que permite exportar las geometrías creadas
en COMSOL hacia otros softwares con ayuda del
correcto tipo de archivo se logra tener la geometría Figura 5. Concentración de electrones
hecho en COMSOL en ELMER.

Las configuraciones siguientes se refieren al Potencial electrico

solucionador de Elmer, donde se debe escoger el tipo de
archivo de salida; se debe escoger el tipo de ecuación
que se va a resolver y las variable de interés para esta
ecuación; también se debe escoger el tipo de material
que se va a usar en el semiconductor y su permitividad
relativa, se definen las condiciones de frontera de forma
similar a la que se hizo en COMSOL.

Luego de hacer las configuraciones necesarias Elmer

genera un archivo .sif el cual contiene todos los datos
configurados previamente, después se puede proceder a
ejecutar la simulación y visualizar los resultados por
Figura 6. Potencial Eléctrico
medio de Elmer Post.

IV. RESULTADOS Curva de voltaje vs corriente

Se presenta los resultados obtenidos en la simulación del

modelo del diodo tanto en COMSOL como en elmer.

Figura 7. Curva voltaje vs corriente
Resultados de simulación en elmer multifisica
Potencial electrico
Figura 8. Potencial Eléctrico
V. ANÁLISIS DE RESULTADOS
De los resultados obtenidos en la simulación en comsol
se puede analizar que:
De la figura 4 se visualiza que la concentración de
huecos disminuye en regiones cercanas al ánodo y al
cátodo después de haberse realizado el barrido de
potencial y esto se debe a que en estos se terminan
formando enlaces covalentes con los electrones libres.
Sin embargo cuando se visualizó la concentración de
huecos para un tiempo inicial igual a cero se observó que
la concentración de huecos era mayor en la región tipo p
ya que el dopaje introduce los huecos aumentando su
concentración
Similarmente de la figura 5 se observa que la
concentración de electrones es mayor en la región más
cercana al cátodo mientras que esta concentración de
electrones disminuye a medida que se acerca al ánodo.
Esta situación se debe a la distribución como se hizo el
dopaje ya que en la región tipo n el dopaje es
pentavalente y hay mayor concentración de electrones ya
sean libres o en la capa de valencia y a medida que se
acerca el análisis a la región del tipo n la concentración
disminuye debido a que los electrones están de paso
formando enlaces covalentes con los huecos
introducidos por las impurezas trivalentes. Otra de las
razones de esta distribución se debe a la polarización del
diodo ya que el flujo de electrones entra por el cátodo y
se mueven hacia al nodo y estos tendrán un tiempo de
vida que determinara su existencia en el diodo.También
se pudo observar que la concentración de electrones era
mayor en la región n cuando las condiciones iniciales
son cero.
Además de las figuras 2 y 3 se deduce que luego de
aplicar un voltaje externo entre el ánodo y el cátodo, los
electrones y los huecos se empiezan a juntar, esto se ve
ya que la concentración de huecos y de electrones es
igual.
De la figura 6 se observa la distribución del potencial
eléctrico en el diodo cuando la polarización es directa y
se ve que este es mayor en el cátodo y disminuye a
medida que se acerca al ánodo. Además, la mayor
concentración de potencial eléctrico se encuentra en la
juntura del diodo, donde se combina la región n con la
región p y se observó que el potencial crecía
momentáneamente, debido a que la unión de cargas tanto
positivas como negativas genera un campo eléctrico en
la zona de deplexión y este a su vez, da origen a una
diferencia de potencial eléctrico, lo que hace que el
mayor cambio en el potencial se vea reflejado en dicha
juntura.
De la figura 7 se observa la curva de la corriente a
medida que se aplica un barrido de voltaje sobre el
diodo. Como se observa la corriente es prácticamente
cero cuando el voltaje aplicado es menor al voltaje de la
juntura debido a que los electrones no tienen las
suficiente fuerza para pasar la barrera de potencial en la
unión de las regiones n y p. Posteriormente cuando el
voltaje aplicado sobrepasa el voltaje de unión la
corriente empieza a crecer de forma exponencial debido
a que el flujo de electrones es capaz de llegar a la región
p desde la región n.
De los resultados obtenidas en la simulación en elmer ● COMSOL permitió realizar el barrido de
multifísica se obtuvo la distribución del potencial potencial de la geometría que determinan la
eléctrico. Al igual que la distribución obtenido en la configuración de la unión pn (diodo) y se
figura 6 la mayor diferencia de potencial se observa en la ratificó las concentraciones mayoritarias de la
región de la juntura como se ve en la figura 8 y esto se
concentración de huecos en la región p y la
debe a la combinación de electrones con huecos en la
concentración de electrones en la región n.
llamada zona de deplexión.
● Tanto de los resultados de la simulación en el
mar como en COMSOL se pudo comprobar que
VI. CONCLUSIONES hay presencia de un voltaje de juntura en la
unión de la región p y la región n debido a que
● El diodo semiconductor está basado en el dopaje
se encontró una mayor diferencia de potencial
de uniones, una tipo p y una tipo con el fin de
eléctrico en la región conocida como de
lograr tanto el comportamiento de aislante como
de conductor dependiente de la excitación y la deplexión.
polarización sobre el dispositivo. ● Cuando la juntura pn se polariza directamente y
● La corriente de difusión permite a los portadores el voltaje aplicado es mayor que el voltaje de
mayoritarios el superar el potencial de la región juntura existe una presencia de flujo de
de agotamiento cuando el diodo está polarizado electrones y este se comporta como conductor,
directamente, ya que podrán moverse a una sin embargo cuando se polariza inversamente
región donde su concentración es menor y este este se comporta como un aislante.
movimiento es el principio fundamental del flujo
de corriente a través del diodo. VII. BIBLIOGRAFÍA
● La corriente de desplazamiento se debe al [1] Modern Physics, Serway, Moses, Moyer.
movimiento de portadores minoritarios de carga, [2] COMSOL Multiphysics, Model Library, Version
los cuales tienen una menor proporción. Su 3.5a
importancia se da cuando se polariza [3] K. Kano, ​Semiconductor devices, 1​ st​ ​ed. USA:
inversamente ya que se desprecia la corriente de Prentice Hall Inc,1994
difusión dado que se tiene un potencial muy alto [4] Fuerza electromotriz [En línea] Disponible en:
para atravesar la barrera que impide el https://es.wikipedia.org/wiki/Fuerza_electromotriz
[5] “Union pn” [En línea] Disponible en:
movimiento de portadores mayoritarios​.
https://es.wikipedia.org/wiki/Uni%C3%B3n_PN
● El proceso de dopaje busca introducir átomos
[6] ​[4] D. A. Nemann. ​Semiconductor Physics and
diferentes al semiconductor (silicio) con el fin de
Devises: basic principal, 4th ed. USA: McGrow
crear enlaces covalentes trivalentes y
Hill Companies, Inc. 2012
pentavalentes con el fin de que exista una
[7] “Semiconductores” [En línea] Disponible en:
recombinación de huecos y electrones y se de un
https://www.youtube.com/playlist?list=PLvs4GyV
flujo de electrones (corriente eléctrica).
YMn61K4WdJLTtU7iPnINdHUHHM
● El diodo semiconductor es como tal una unión
pn donde el ánodo corresponde a una placa
óhmica en la región p y el cátodo a una placa
óhmica en la región tipo n.
● Los modelos del módulo de semiconductores en
COMSOL están basados en las ecuaciones de
continuidad, las distribuciones de los átomos,las
concentraciones de dopaje, la estructuración de
la geometría y la malla, las condiciones de
frontera y las propiedades del material.