Electrónica Analógica

Prof. Ing. Diego Rojas

2022
 Contenido del curso

→ Unidad 1: Fundamentos de los semiconductores. → Semana 1

→ Unidad 2: Diodos. → Semana 2

→ Unidad 3: Transistores. → Semana 3

→ Unidad 4: Transistores de efecto de campo (FET) → Semana 4

 Contenido del curso

→ Unidad 1: Fundamentos de los semiconductores.

→ Unidad 2: Diodos.

→ Unidad 3: Transistores.

→ Unidad 4: Transistores de efecto de campo (FET)

Porque estudiar los semiconductores?

Para comprender cómo funcionan los diodos, los transistores

y los circuitos integrados es necesario estudiar primero los
semiconductores: materiales que no son ni conductores ni
aislantes. Los semiconductores contienen algunos electrones
libres, pero lo que les hace especiales es la presencia de
huecos. En esta unidad se estudian los
semiconductores, los huecos y otros temas relacionados.
 Unidad 1 - Fundamentos de los
semiconductores.
→ Dispositivos de estado sólido. → Unión P y N.

→ Modelos. → Polarización de la unión P y N.

→ Estructura de los semiconductores.

→ Semiconductor intrínseco.

→ Semiconductor extrínseco.

→ Material tipo P y tipo N.

 Unidad 1 - Fundamentos de los
semiconductores.
→ Dispositivos de estado sólido. → Unión P y N.

→ Modelos. → Polarización de la unión P y N.

→ Estructura de los semiconductores.

→ Semiconductor intrínseco.

→ Semiconductor extrínseco.

→ Material tipo P y tipo N.

 Que es un dispositivo de estado solido?
• Es un dispositivo en el cual el transporte de las cargas électricas (corriente
eléctrica) se produce en un material sólido en lugar de un gas o en el vacío.
• De acuerdo a la facilidad de transportar la carga eléctrica, los solidos se
dividen en:

Conductores Se los va a estudiar o

Semiconductores analizar por medio de
un modelo…
Aislantes
 Unidad 1 - Fundamentos de los
semiconductores.
→ Dispositivos de estado sólido. → Unión P y N.

→ Polarización de la unión P y N.
→ Modelos.
→ Estructura de los semiconductores.

→ Semiconductor intrínseco.

→ Semiconductor extrínseco.

→ Material tipo P y tipo N.

 Que es un modelo?

Organización de ideas
“Esto nos permite comprender el
comportamiento o naturaleza de
Imagen mental determinados fenómenos físicos que
ocurren en un material”

Representación matemática
 Modelos a estudiar
Enlace covalente

Bandas de energía
Modelos Portadores de carga

Analítico o matemático

Analógico o circuito equivalente

 Modelo de enlace covalente
Es un modelo que permite tratar el comportamiento físico interno de los sólidos
cristalinos considerando el comportamiento de los electrones de valencia.
 Modelo de bandas de energía
Es un modelo que permite realizar un análisis del comportamiento físico interno
de los portadores de carga en un semiconductor y su distribución en niveles de
energía teniendo en cuenta las características físicas del solido cristalino.

Banda de conducción

Banda prohibida

Banda de valencia
 Modelos de portadores
Entidades que transportan carga eléctrica de un lugar a otro en el interior de un
material, y dan lugar al establecimiento de flujo (carga/unidad de tiempo) o
corrientes eléctricas.

El tipo de portador mas conocido es el electrón, partícula

subatómica responsable del transporte de carga en los
cables metálicos.

En los semiconductores aparece un segundo tipo de portador de carga: el hueco.

Conceptualmente es la ausencia de un electrón y se modeliza como un portador de

carga positiva, con cierta masa y de movimiento en dirección opuesta al electrón.
 Modelo analítico o metemático
Es una formulación matemática de los procesos físicos que ocurren en el
semiconductor tomando como base ciertas hipótesis.

Modelo analógico o circuito equivalente

Es un modelo muy abarcativo. El dispositivo se representa como una “caja negra”
con terminales de entrada y de salida. Sin importar lo que hay adentro se realiza
una vinculación entre los terminales y se lo representa por un ciruito eléctrico o
modelo equivalente analógico.
 Unidad 1 - Fundamentos de los
semiconductores.
→ Dispositivos de estado sólido. → Unión P y N.

→ Modelos. → Polarización de la unión P y N.

→ Estructura de los semiconductores.

→ Semiconductor intrínseco.

→ Semiconductor extrínseco.

→ Material tipo P y tipo N.

 Sólidos semiconductores
Son aislantes a temperaturas bajas y conductores (similar a metal) a temperaturas altas (mayores a 𝑇 = 300𝑜 𝐾)

La conductividad (facilidad para transportar carga eléctrica) se encuentra entre los metales y los aislantes.

Pertenecen al Grupo IV de la tabla periódica.

Si: Silicio Ge: Germanio

 Sólidos semiconductores
También se forman compuestos semiconductores al combinarse elementos del Grupo III con los
elementos del Grupo V.

→ AlP: Fosfuro de aluminio

→ AlAs: Arseniuro de aluminio
→ GaP: Fosfuro de Galio
→ GaAs: Arsenuiro de Galio
→ InP: Fosfuro de Indio
 Enlaces entre los átomos
Existen tres tipos de enlaces o formas en que se unen los átomos:
--Metálico-- --Iónico-- --Covalente--

Enlace metálico
Los electrones de valencia de todos los
átomos forman una nube electrónica
capaz de desplazarse entre los vacíos de la
estructura.

En el enlace metálico, en lugar de ceder electrones, los átomos de los componentes los pierden quedando
como portadores de cargas libres.
 Enlace iónico
Los átomos en los extremos de la tabla periódica tienden a ganar o perder electrones de valencia formando
iones.
Elementos del Grupo I pierden su electrón transformándose en un ión positivo. Los elementos del Grupo
VII tienden a ganar un electrón transformándose en un ión negativo. Los iones de cargas opuestas
experimentan una fuerza de atracción dada por la ley de couloumb formando un enlace iónico.

Fuerza de atracción
por la ley de
couloumb

Ión positivo GI G VII Ión negativo

 Enlace covalente
En el enlace covalente, los
electrones externos (electrones
de valencia) son compartidos
con los átomos vecinos.

Cada átomo de Silicio comparte

electrones de valencia con
cuatro átomos de Silicio
vecinos.
 Modelo de bandas de energía
En átomos aislados, alejados unos de otros y sin interacción, los electrones externos se distribuyen
energéticamente según valores discretos determinados por las soluciones de la ecuación de Schrödinger.

En un sólido cristalino, las interacciones entre los átomo de la red producen una distribución energética más
complicada.

Hay niveles de energía que se agrupan en bandas de energía permitidas (bandas permitidas) separados por
intervalos de energía prohibidos (bandas prohibidas).

Este comportamiento, división de bandas de energía y formación de bandas permitidas y prohibidas

constituye la teoría de bandas en los sólidos cristalinos.
 Modelo de bandas de energía

Representación esquemática para el

Banda de conducción modelo de bandas de energía de un
solido cristalino.

Banda prohibida A 𝑇 = 0𝑜 K la banda de conducción

está vacía y la de banda de valencia está
llena. No hay conducción, el
Banda de valencia semiconductor se comporta como
aislante.
Representación esquemática del modelo de
bandas de energía
Metales
En un metal, la gran concentración de átomos
que existe en el sólido produce la superposición
de las bandas de conducción y de valencia. Los
electrones siempre encuentran estados sin
ocupar al moverse a través de la red provocando
la conducción de corriente.
Representación esquemática del modelo de
bandas de energía
Aislantes
En la Estructura de Bandas de Energía se
muestra que la Banda Prohibida, o región que
no contiene estados cuánticos; es muy ancha.
Por ejemplo 𝐸𝐺 = 6𝑒𝑉 para el diamante
(carbono.)

Por tanto, dado que el electrón no puede

adquirir energía del exterior, la conducción no
es posible, y este material se comporta como un
aislante.
Representación esquemática del modelo de
bandas de energía
Semiconductor
Se denomina así, a la sustancia cuya anchura de
la región o banda prohibida es relativamente
pequeña. Ejemplo 𝐸𝐺 = 1𝑒𝑉 para el grafito. De
esta forma, existe la probabilidad de que los
electrones, con estados de energía en la banda
de valencia, adquieran energía por ejemplo por
efecto térmico, y efectúen un salto 𝐸𝐺 hasta
ocupar estados energético vacíos en el fondo de
la banda de conducción, y son libres de moverse
en el material. En estas condiciones el
semiconductor conduce corriente eléctrica.
 Tipos de portadores en un semiconductor
Sea un cristal semiconductor puro de Silicio. Si el cristal está perfectamente enlazado y no hay uniones rotas
en el modelo de enlace, esto es equivalente a un modelo de bandas de energía con una Banda de Valencia
completamente llena y una Banda de Conducción vacía. No hay portadores.
Modelo de enlace Modelo de bandas

Banda de conducción

Banda de valencia
Cuando se rompe un enlace Silicio-Silicio, el electrón asociado al mismo queda libre, y puede desplazarse
dentro de la red cristalina transformándose en un portador de carga.

Electrones en la banda
de conducción
Banda de conducción

Banda de valencia

Huecos en la banda de
valencia
Enlace roto = hueco
La excitación de un electrón de la banda de valencia crea portadores. La
energía mínima para romper un enlace es la energía de la banda
prohíbida 𝐸𝐺 .
Al liberarse el electrón se crea un vació en la estructura de enlace, denominado “hueco”.
Se modeliza como un portador de carga positiva que se mueve en sentido contrario al electrón.

Electrones en la banda
de conducción
Banda de conducción

Banda de valencia

Huecos en la banda de
valencia
En un semiconductor puro aparecen dos portadores: electrones (libres en la banda de conducción) y
huecos (libres en la banda de valencia)
 Concepto de hueco como portador de carga
Mecanismo del enlace roto → desplazamiento del enlace roto en lugar del electrón.

Enlace roto → carga eléctrica móvil positiva denominada hueco.

En un semiconductor puro la corriente eléctrica se considera formada por dos tipos de portadores: electrones de
conducción y hueco de la banda de valencia.

hueco electrón
Se modeliza a los huecos como
entidades físicas, de carga positiva e
igual en magnitud a la carga del
electrón, cuyo movimiento
constituye un flujo de carga.
 Unidad 1 - Fundamentos de los
semiconductores.
→ Dispositivos de estado sólido. → Unión P y N.

→ Modelos. → Polarización de la unión P y N.

→ Estructura de los semiconductores.

→ Semiconductor intrínseco.
→ Semiconductor extrínseco.

→ Material tipo P y tipo N.

 Semiconductor intrínseco
Un semiconductor en estado puro se denomina intrínseco.

En un semiconductor intrínseco la concentración de electrones 𝒏 es igual a la concentración de huecos 𝒑.

Por cada electrón en la banda de conducción hay un hueco en la banda de valencia: para electrón−hueco.

Semiconductor intrínseco: 𝒏 = 𝒑 = 𝒏𝒊
Donde 𝑛𝑖: concentración intrínseca de portadores libres.

En equilibrio térmico el producto 𝒏. 𝒑 es una constante.

𝒏. 𝒑 = 𝒏𝒊𝟐 = 𝒄𝒐𝒏𝒔𝒕𝒂𝒏𝒕𝒆 (ley de acción de masas)
 Unidad 1 - Fundamentos de los
semiconductores.
→ Dispositivos de estado sólido. → Unión P y N.

→ Modelos. → Polarización de la unión P y N.

→ Estructura de los semiconductores.

→ Semiconductor intrínseco.

→ Semiconductor extrínseco.
→ Material tipo P y tipo N.
 Semiconductor extrínseco
Un semiconductor puro (intrínseco) al que se le agregan átomos de impurezas adecuadas (dopado del
semiconductor) se denomina semiconductor extrínseco.

Las impurezas crean niveles de energía permitidos dentro de la banda prohibida.

Hay mayor probabilidad que los portadores (electrones y huecos) se transformen en portadores de conducción a
temperaturas más bajas que las que son necesarias en la excitación intrínseca.

Tipo N
Semiconducrores
extrínsecos
Tipo P
 Unidad 1 - Fundamentos de los
semiconductores.
→ Dispositivos de estado sólido. → Unión P y N.

→ Modelos. → Polarización de la unión P y N.

→ Estructura de los semiconductores.

→ Semiconductor intrínseco.

→ Semiconductor extrínseco.

→ Material tipo P y tipo N.

 Semiconductor tipo N
Un seminconductor extrínseco de tipo N
se forma reemplazando algunos átomos
de Silicio por otros del grupo V de la tabla
periódica.

Los elementos del grupo V tienen 5 electrones de valencia.

Se denominan impurezas donadoras.
4 electrones de valencia se unen con átomos de Silicio
vecinos.
El quinto electrón fácilmente se convierte en un electrón de
conducción.
Semiconductor tipo N

El quinto electrón con poca

excitación puede transformarse en
un electrón de conducción.

El átomo de Arsenico se convierte

en un ión positivo (𝑨𝒔+ )
 Semiconductor tipo N
Se modifica el diagrama de bandas de energía.

En la banda prohibida aparece un nivel de energía permitido 𝐸𝑑 (nivel donor) cercano

a la banda de conducción.
Tipo N Además, de los electrones provenientes de
la generación de pares electrón-hueco,
Banda de conducción habrá un electrón por cada atómo de
impureza donadora: 𝒏 > 𝒑
Ec

As+ As+ As+ As+ Ed Nivel de energía permitido

En un semiconductor tipo N los portodares

Ev
mayoritarios son electrones.
Banda de valencia
 Semiconductor tipo P
Un seminconductor extrínseco de tipo P
se forma reemplazando algunos átomos
de Silicio por otros del grupo III de la
tabla periódica.

Los elementos del grupo III tienen 3 electrones de valencia.

Se denominan impurezas aceptoras.
3 electrones de valencia se unen con átomos de Silicio
vecinos y queda un enlace sin unir. Cualquier electrón
cercano cubre el enlace faltante generando un hueco.
Semiconductor tipo P

El enlace sin completar es

equivalente a un hueco (estado
vacío)

El electrón que completa el enlace

deja otro lugar de energía vacante,
otro hueco.
 Semiconductor tipo P
Se modifica el diagrama de bandas de energía.

En la banda prohibida aparece un nivel de energía permitido 𝐸𝑎 (nivel aceptor) cercano

a la banda de valencia.
Tipo P Además, de los huecos provenientes de la
generación de pares electrón-hueco, habrá
Banda de conducción un hueco por cada atómo de impureza
aceptora: 𝒑 > 𝒏.
Ec
Por efecto de energía térmica pasan
electrones desde la banda de Valencia hacia
B B B B Ea 𝐸𝑎 , dejando huecos en la banda de valencia.
Ev
Banda de valencia En un semiconductor tipo P los portadores
mayoritarios son los huecos.
 En resumen
Los semiconductors son sólidos cristalinos que se comportan como aislantes a 0𝑜 𝐾 y como conductores a
300𝑜 𝐾.

Se modelizan por un diagrama de bandas de energía formando por una banda llena (de valencia) y una vacía
(de conducción) separadas por un salto o una banda de energía prohibida (EG).

Cuando un electrón de la banda de valencia adquiere una energía mayor o igual a EG salta a la banda de
conducción y deja un estado vacío denominado hueco.

El hueco se considera como un portador de carga positiva y que se desplaza en sentido contrario al electrón.

Los semiconductores se utilizan puros (intrínsecos) o dopados (extrínsecos). Si se agregan impurezas del
Grupo V se denomina de tipo N. Si se agregan impurezas del Grupo III es de tipo P.
 Ejercicios

1. Supongamos que una fuerza externa libera el electrón de valencia de la Figura, de un átomo de
cobre. Cual es la carga resultante del átomo de cobre? Cual es la carga resultante si un electrón
exterior entra en el orbital de valencia de la Figura?
a) Cuando se libera el electrón de valencia, la carga
−
resultante del átomo pasa a ser +1. Cuando un átomo
pierde uno de sus electrones, se convierte en un átomo
cargado positivamente y recibe el nombre de ión positivo.
+1
 Ejercicios

1. Supongamos que una fuerza externa libera el electrón de valencia de la Figura de un átomo de
cobre. Cual es la carga resultante del átomo de cobre? Cual es la carga resultante si un electrón
exterior entra en el orbital de valencia de la Figura?

− b) Cuando electrón exterior entra en el orbital de valencia,

la carga resultante del átomo pasa a ser −1. Cuando un
−
átomo gana un electrón adicional en su orbital de valencia,
+1 se convierte en un átomo cargado negativamente y recibe
el nombre de ión negativo.
 Ejercicios

2. Cual es la carga resultante del átomo de silicio de la Figura si pierde uno de sus electrones de
valencia? Y si gana un electrón adicional en el orbital de valencia?

− Si pierde un electrón, se convierte en un ión positivo con

una carga de +1. Si gana un electrón, se convierte en un
ión negativo con carga −1.
− +4 −

−
 Ejercicios

3. Si un cristal de silicio puro contiene 1 milón de electrones libres, cuantos huecos contendrá?
Qué ocurre con la cantidad de electrones libre y hueco si la temperatura ambiente aumenta?

Solución: Fíjese en la figura. Cuando por efecto de la energía

térmica se crea un electrón libre, autmaticamente también se crea
un hueco al mismo tiempo. Por tanto, un cristal de silicio puro
siempre tiene el mismo número de huecos que de electrones libres,
luego si tiene 1 millón de electrones libres, tendrá 1 millón de
huecos.

Se crea nuevos electrones libres y huecos, pero el numero es el

mismo.
 Ejercicios

4. Un semiconductor dopado tiene 10.000 millones de átomos de silicio y 15 millones de átomos

pentavalentes. Si la temperatura ambiente es de 25𝑜 C, cuantos electrones libres y huevos habrá en
el interior del semiconductor?

Soloción: Cada uno de los átomos pentavalentes contribuye con un electrón libre. Por tanto, el
semiconductor tiene 15 millones de electrones libres producidos por le proceso de dopaje. Casi no
habrá huecos, ya que los únicos huevos serán los producidos por el efecto de la energía térmica.
 Ejercicios

5. En las mismas condiciones que el problema anterior, si se añaden 5 millones de átomos

trivalentes en lugar de los átomos pentavalentes, cuantos huecos habrá en el interior del
semiconductor?
 Unidad 1 - Fundamentos de los
semiconductores.
→ Dispositivos de estado sólido.
→ Unión P y N.
→ Modelos.
→ Polarización de la unión P y N.
→ Estructura de los semiconductores.

→ Semiconductor intrínseco.

→ Semiconductor extrínseco.

→ Material tipo P y tipo N.

 Portadores en un material Tipo P
Electrones generados por Banda de conducción
generación térmica

Ec

Impurezas
Ea − Aceptoras
− − − − −

Ev 𝑁𝐴− Ionizandas

Hueco generados por Huecos generados por la

generación térmica Banda de valencia Ionización de las
impurezas
 Unión PN: característica básicas
Una unión PN se forma de la unión de un semiconductor de tipo P con un semiconductor de tipo N.

Semiconductor Semiconductor
de tipo P de tipo N

+ − + + − −
+ + − +
+ −
+ + + − + −
+ + +
+ − − −
+ −
− + + − − + −
Muchos huecos, pocos electrones Muchos electrones, pocos huecos
Unión metalurgica
Comportamiento físico al formarse la unión PN
Al poner en contacto los materiales, sin tensión aplicada, se produce en la zona de unión metalúrgica una
difusión de portadores mayoritarios, huecos de la región P a la región N y electrones de la región N a la
región P. Región de
Semiconductor Carga especial Semiconductor
de tipo P o zona de deplexión de tipo N

− + − − +
+ − + −
+ +
+ + + − − −
+ + −
+
+ + − +
+ + − −
+ −
− + + − − + −
Difusión de electrones
Difusión de huecos
Comportamiento físico al formarse la unión PN
Región de
Semiconductor Carga especial Semiconductor
de tipo P O zona de deplexión de tipo N

− + − +
+ − + − −
+ +
+ + − + − −
+ + −
+
+ + +
+ − + − −
+ −
− + − + − + −
Difusión de electrones
Difusión de huecos
− +
Ión fijo negativo Ión fijo positivo
 Unión PN en circuito abierto
Región de
Difusión de electrones
Carga especial
Difusión de huecos
O zona de deplexión

Región P − + Región N
+ −
− +
+ −
− +
−+ −
+

Iones fijos Iones fijos

negativos Campo eléctrico 𝐸 positivos

Potencial de contacto 𝑉𝑏𝑖

 Unión PN en circuito abierto
Los huecos al pasar al lado N dejan
Región P − + Región N impurezas aceptoras ionizadas que forman
una carga fija negativa 𝑁𝐴−.
− +
− + Los electrones al pasar al lado Pdejan
impurezas donadoras ionizadas que forman
− +
una carga fija positiva 𝑁𝐷+.

Iones fijos Iones fijos Se forma una region sin portadores móviles
negativos Campo eléctrico 𝐸 positivos denominada region de carga especial o de
vaciamiento.
Potencial de contacto 𝑉𝑏𝑖
La diferencia de carga neta induce un campo electrico 𝐸 en la región cercana a la unión, dirigido desde la región N
a la región P.

Se origina una diferencia de potencial, denominada potencial de barrera o de contacto 𝑉𝑏𝑖 .

 Unión PN en circuito abierto

Región P − + Región N El campo electrico 𝐸 se opone a la

difusión de los huecos del lado P al lado N
− +
y electrones del lado N al lado P.
− +
+ El campo electrico inducido 𝐸 produce
−
una fuerza de arrastre sobre los portadores
opuestas a la fuerza de difusión.
Iones fijos Iones fijos
negativos Campo eléctrico 𝐸 positivos En el equilibrio las dos fuerzas deben ser
iguales debido a que, sin polarización
Potencial de contacto 𝑉𝑏𝑖 externa, la corriente neta es nula.

− +
Arrastre de huecos minoritarios Arrastre de electrones minoritarios
 Estructura básica de una unión PN
Unión metalúrgica
Región tipo P Región tipo N

Ánodo Cátodo
P N
(NA) (ND)

Impurezas aceptoras Impurezas donadoras

Región de carga espacial

Si se coloca los terminales de ánodo (región P) y cátodo (región N) se forma un dispositivo electrónico
denominado diodo de unión PN.

Ánodo Cátodo
 Unidad 1 - Fundamentos de los
semiconductores.
→ Dispositivos de estado sólido. → Unión P y N.

→ Modelos.
→ Polarización de la unión P y N.
→ Estructura de los semiconductores.

→ Semiconductor intrínseco.

→ Semiconductor extrínseco.

→ Material tipo P y tipo N.

 Polarización de la unión PN
Polarización Directa
+ + − −
− − − + + +
Ánodo + + − −
Cátodo Si 𝑉𝑠 < 𝑉𝑏𝑖 → No existe circulación de
− − − + + + corriente eléctrica.
+ + − −
− − − + + +

Si 𝑉𝑠 > 𝑉𝑏𝑖 → 𝐸xiste circulación de

𝑉𝑏𝑖 corriente eléctrica 𝐼.
+ 𝑰
𝑰=𝟎 𝑰
𝑉𝑠
−
𝑰
 Polarización de la unión PN
Polarización Inversa Ensanchamiento de la zona de deplexión
+ + − − El terminal negatico de la batería atrae a los
− − − + + +
Ánodo + + − −
Cátodo guecos y el terminal positivo atrae a los
− − − + + + electrones libres. Por tento, huecos y electrones
− −
+
−
+
− − + + + libres se alejan de la unión, ensanchándose en
consecuencia la zona de deplexión.
𝑉𝑏𝑖
− Cuanto mayor es la zona de deplexión mayor es
𝑉𝑠 la diferencia de potencia. La zona de deplexión
+
deja de crecer cuando su diferencia de potencial
es igual a la tensión inversa aplicada. Entonces,
se puede decir que la anchura de esta región es
proporcional a la tensión inversa aplicada.

En está condiciones de polarización aparece una corriente muy pequeña,

denominada corriente inversa de saturación 𝐼𝑠 cuasada por los portadores
minoritarios, y no depende de la tensión inversa aplicada.
 Ejercicios

1. Normalmente, en un diodo de 2. Manteniendo la temperatura

silicio, la corriente inversa: constante, la tensión de
a) Es muy pequeña polarización inversa de un diodo
b) Es muy grande de sicilio aumenta. La corriente
c) Es igual a cero de saturación del diodo.
d) Esta en la región de disrupción a) Aumentará
b) disminuirá
c) Permanecera constante
 Ejercicios

1. Normalmente, en un diodo de 2. Manteniendo la temperatura

silicio, la corriente inversa: constante, la tensión de
a) Es muy pequeña polarización inversa de un diodo
b) Es muy grande de sicilio aumenta. La corriente
c) Es igual a cero de saturación del diodo.
d) Esta en la región de disrupción a) Aumentará
b) disminuirá
c) Permanecera constante
 Ejercicios

3. La barrera de energía de la union 4. Cuando la tensión inversa

de un diodo PN disminuirá
cuando el diodo:
a) Este polarizado en directa
b) Se fabrique
c) Este polarizado en inversa
d) No conduzca
disminuye de 10 V a 5 V, la zona
de deplexión
a) Se hace mas pequeña
b) Se hace mas grande
c) No se ve afectada
d) Entra en disrupción
 Ejercicios

3. La barrera de energía de la union 4. Cuando la tensión inversa

de un diodo PN disminuirá
cuando el diodo:
a) Este polarizado en directa
b) Se fabrique
c) Este polarizado en inversa
d) No conduzca
disminuye de 10 V a 5 V, la zona
de deplexión
a) Se hace mas pequeña
b) Se hace mas grande
c) No se ve afectada
d) Entra en disrupción
 Ejercicios

5. Una tension inversa de 10V cae

en un diodo. Cual es la tension
existente en la zona de
deplexión?
a) 0 V
b) 0,7 V
c) 10 V
d) Ninguna de las anteriores
 Ejercicios

5. Una tension inversa de 10V cae

en un diodo. Cual es la tension
existente en la zona de
deplexión?
a) 0 V
b) 0,7 V
c) 10 V
d) Ninguna de las anteriores