UNIVERSIDAD CATÓLICA DEL CIBAO

(UCATECI)

Asignatura:
Electrónica General

Tema:
Introducción a la electrónica general y
Física básica de los semiconductores.

Presentado por:
Yarinet Martínez

Matrícula:
2018-0981

Facilitador:
William M. Reyes

Fecha:
18 de mayo del 2022
 Introducción

Según (Electropolis, 2017), La electrónica es la rama de la física y especialización de

la ingeniería, que estudia y emplea sistemas cuyo funcionamiento se basa en la

conducción y el control del flujo de los electrones u otras partículas cargadas

eléctricamente.

Después de esta pequeña definición de lo que es la electrónica y su campo de estudio

damos inicio al tema general; Introducción a la electrónica general y Física básica de los

semiconductores.

En el presente informe estaremos introduciendo brevemente acerca de lo que son los

semiconductores intrínsecos, los que son más comunes, se explicara que son los

electrones y huecos y cómo funcionan estos en un semiconductor intrínseco.

Por otro lado, podremos estudiar las impurezas, su definición y sus tipos (donadoras

y aceptoras), en esta parte de igual forma, se describirán las características de cada una

para poder llegar a tener el dominio de estos términos.

Finalmente, se expondrá lo investigado acerca los semiconductores tipo n y los

semiconductores tipo p para poder lograr entender las diferencias y conocer de manera

individual a cada uno.

Estos temas de introducción a la electrónica general nos van a servir de apoyo para

poder entender el modulo uno que corresponde a esta asignatura.

Semiconductores intrínsecos

Concentración de electrones y huecos en un semiconductor intrínseco.

Un material semiconductor hecho sólo de un único tipo de átomo, se denomina

semiconductor intrínseco.

Los más empleados históricamente son el germanio (Ge) y el silicio (Si); siendo

éste último el más empleado (por ser mucho más abundante y poder trabajar a

temperaturas mayores que el germanio).

Cada átomo de un semiconductor tiene 4 electrones en su órbita externa

(electrones de valencia), que comparte con los átomos adyacentes formando 4 enlaces

covalentes. De esta manera cada átomo posee 8 electrones en su capa más externa.,

formando una red cristalina, en la que la unión entre los electrones y sus átomos es muy

fuerte. Por consiguiente, en dicha red, los electrones no se desplazan fácilmente, y el

material en circunstancias normales se comporta como un aislante.

Sin embargo, al aumentar la temperatura, los electrones ganan energía, por lo

que algunos pueden separarse del enlace e intervenir en la conducción eléctrica. De esta

manera, la resistividad de un semiconductor disminuye con la temperatura (su

conductividad aumenta). A temperatura ambiente, algunos electrones de valencia

absorben suficiente energía calorífica para librarse del enlace covalente y moverse a

través de la red cristalina, convirtiéndose en electrones libres. Si a estos electrones, se

les somete al potencial eléctrico, como por ejemplo de una pila, se dirigen al polo positivo.
Cuando un electrón libre abandona el átomo de un cristal de silicio, deja en la red

cristalina un hueco, cuyo efecto es similar al que provocaría una carga positiva.

Los electrones y los huecos reciben el nombre de portadores. La conducción

eléctrica a través de un semiconductor es el resultado del movimiento de electrones (de

carga negativa) y de los huecos (cargas positivas) en direcciones opuestas al conectarse

a un generador. Si se somete el cristal a una diferencia de potencial se producen dos

corrientes eléctricas: una debida al movimiento de los electrones libres de la estructura

cristalina, y otra debida al desplazamiento de los electrones en la banda de valencia, que

tenderán a saltar a los huecos próximos, originando una corriente de huecos. Los

electrones libres se dirigen hacia el polo positivo de la pila (cátodo), mientras que los

huecos pueden considerarse como portadores de carga positiva y se dirigen hacia el polo

negativo de la pila, llamado ánodo (hay que considerar que por el conductor exterior sólo

circulan los electrones que dan lugar a la corriente eléctrica; los huecos sólo existen en

el seno del cristal semiconductor).

La concentración de portadores intrínseca es el número de electrones en la banda

de conducción o el número de agujeros en la banda de valencia en el material intrínseco.

Este número de portadores depende de la banda prohibida del material y de la

temperatura del material. Una gran banda prohibida hará que sea más difícil para un

portador para ser térmicamente excitado a través de la banda prohibida, y por lo tanto la

concentración de portadores intrínseca es menor en los materiales de banda prohibida

superiores. Alternativamente, el aumento de la temperatura hace que sea más probable

que un electrón excitado esté en la banda de conducción, lo que aumentará la

concentración de portadores intrínsecos. Esto se traduce directamente en eficiencia de

la célula solar.

Impurezas donadoras y aceptoras.

Impurezas aceptoras:

A las impurezas formadas por átomos con tres electrones de valencia se las llama

impurezas aceptadoras, ya que aceptan electrones, y son de este tipo, por ejemplo, el

boro, el galio y el indio. Las impurezas aceptoras (de tipo p) capturan electrones desde

la banda de valencia, facilitando la formación de huecos.

Esta se introduce en la red cristalina de ciertos semiconductores para que acepten elec

trones en exceso.

Impurezas donadoras:

Los átomos con cinco electrones de valencia que se añaden a los

semiconductores puros se les llama impurezas donadoras, ya que aportan electrones

libres al semiconductor. Son impurezas donadoras, entre otras, el antimonio, el fósforo y

el arsénico. Los semiconductores dopados con este tipo de impurezas son

semiconductores de tipo N, por tener exceso de carga negativa.

Semiconductores tipo n y tipo p

Son los semiconductores que están dopados, esto es que tienen impurezas. Hay

2 tipos dependiendo de que tipo de impurezas tengan:

Semiconductor tipo n

Es el que está impurificado con impurezas "Donadoras", que son impurezas

pentavalentes. Como los electrones superan a los huecos en un semiconductor tipo n,

reciben el nombre de "portadores mayoritarios", mientras que a los huecos se les

denomina "portadores minoritarios".

Al aplicar una tensión al semiconductor de la figura, los electrones libres dentro

del semiconductor se mueven hacia la izquierda y los huecos lo hacen hacia la derecha.

Cuando un hueco llega al extremo derecho del cristal, uno de los electrones del circuito

externo entra al semiconductor y se recombina con el hueco.

Semiconductor tipo p

Es el que está impurificado con impurezas "Aceptoras", que son impurezas

trivalentes. Como el número de huecos supera el número de electrones libres, los huecos

son los portadores mayoritarios y los electrones libres son los minoritarios.

Al aplicarse una tensión, los electrones libres se mueven hacia la izquierda y los

huecos lo hacen hacia la derecha.

 Conclusión

En conclusión, a manera de resumen de lo que fue este informe de introducción a

la electrónica, podemos decir:

Que los semiconductores intrínsecos son aquellos que están libres de impurezas

y que están hechos de un único tipo de átomo. En ellos se concentran los portadores

intrínsecos que son el número de electrones en la banda de conducción o el número de

agujeros en la banda de valencia en el material intrínseco.

Por otro lado, estuvimos estudiando las impurezas, tanto aceptoras como

donadoras. Las aceptoras son aquellas que se encargan de capturar electrones desde

la banda de valencia, facilitando de esta forma, la creación de huecos. Mientras que las

donadoras se integran a los semiconductores puros, ya que aportan electrones libres al

semiconductor.

Por último, y no menos importante, se habló acerca de los semiconductores tipo

n y tipo p. Estos son aquellos que, si tienen impurezas. El tipo n esta impurificado con

impurezas donadoras mientras que el tipo p esta impurificado con impurezas aceptoras.

Gracias a los temas estudiados en esta investigación podremos tener una base

para esta primera parte en la asignatura y obtendremos un avance en la misma.

Bibliografía

Aranzabal. (s.f.). Obtenido de

http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema2/Paginas/Pagina6.htm

Electropolis. (08 de Septiembre de 2017). Obtenido de https://www.electropolis.es/blog/la-electronica-

para-que-nos-sirve/

Gran Diccionario de la Lengua Española. (2016). Obtenido de

https://es.thefreedictionary.com/aceptoras

Landín. (06 de abril de 2014). Pelandintecno. Obtenido de

http://pelandintecno.blogspot.com/2014/04/semiconductores-intrinsecos-y.html

Naturaleza educativa. (s.f.). Obtenido de https://natureduca.com/tecnologia-tecnica-informatica-

electronica-digital-03.php

Pveducation. (s.f.). Obtenido de https://www.pveducation.org/es/fotovoltaica/dispositivos-

semiconductores/concentraci%C3%B3n-de-portadores-intr%C3%ADnsecos