LABORATORIO 6: CURVAS CARACTERISTICAS DEL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO

(FET)

1.-OBJETIVOS:

-Evaluar la característica de transferencia, del transistor FET de canal N

-Evaluar la característica de salida, del transistor FET de canal N

-A partir de la definición del punto Q, determinar los componentes de polarización del

FET

2.-FUNDAMENTO TEORICO:

P-channel

N-channel

Símbolos esquemáticos para los JFETs canal-

n y canal-p. G=Puerta(Gate),
D=Drenador(Drain) y S=Fuente(Source).

El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en inglés) es en realidad una

familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de
un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias
controladas por diferencia de potencial.

La mayoria de los FET están hechos usando las técnicas de procesado de semiconductores
habituales, empleando la oblea monocristalina semiconductora como la región activa o
canal. La región activa de los TFT (thin-film transistor, o transistores de película fina) es
una película que se deposita sobre un sustrato (usualmente vidrio, puesto que la principal
aplicación de los TFT es como pantallas de cristal líquido o LCD).

Los transistores de efecto de campo o FET más conocidos son los JFET (Junction Field
Effect Transistor), MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET) y MISFET (Metal-
Insulator-Semiconductor FET).

Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La
puerta es la terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de campo se
comporta como un interruptor controlado por tensión, donde el voltaje aplicado a la puerta
permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente.
El funcionamiento del transistor de efecto de campo es distinto al del BJT. En los
MOSFET, la puerta no absorbe corriente en absoluto, frente a los BJT, donde la corriente
que atraviesa la base, pese a ser pequeña en comparación con la que circula por las otras
terminales, no siempre puede ser despreciada. Los MOSFET, además, presentan un
comportamiento capacitivo muy acusado que hay que tener en cuenta para el análisis y
diseño de circuitos.

Así como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o
FET son también de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicación de una
tensión positiva en la puerta pone al transistor en estado de conducción o no conducción,
respectivamente. Los transistores de efecto de campo MOS son usados extensísimamente
en electrónica digital, y son el componente fundamental de los circuitos integrados o chips
digitales.

Historia

El transistor de efecto de campo fue patentado por Julius Edgar Lilienfeld en 1925 y por
Oskar Heil en 1934, pero los dispositivos semiconductores fueron desarrollados en la
práctica mucho después, en 1947 en los Laboratorios Bell, cuando el efecto transistor pudo
ser observado y explicado. El equipo detrás de estos experimentos fue galardonado con el
Premio Nobel de Física. Desde 1953 se propuso su fabricación por Van Nostrand (5 años
después de los BJT). Aunque su fabricación no fue posible hasta mediados de los años 80's.

Tipo de transistores de efecto campo

Comparativa de las gráficas de funcionamiento (curva de entrada o característica I-V y
curva de salida) de los diferentes tipos de transistores de efecto de campo

El canal de un FET es dopado para producir tanto un semiconductor tipo N o uno tipo P. El
drenador y la fuente deben estar dopados de manera contraria al canal en el caso de FETs
de modo mejorado, o dopados de manera similar al canal en el caso de FETs en modo
agotamiento. Los transistores de efecto de campo también son distinguidos por el método
de aislamiento entre el canal y la puerta.

Podemos clasificar los transistores de efecto campo según el método de aislamiento entre el
canal y la puerta:

 El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) usa un aislante

(normalmente SiO2).
 El JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una unión p-n
 El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) substituye la unión PN
del JFET con una barrera Schottky.
 En el HEMT (High Electron Mobility Transistor), también denominado HFET
(heterostructure FET), la banda de material dopada con "huecos" forma el aislante
entre la puerta y el cuerpo del transistor.
 Los MODFET (Modulation-Doped Field Effect Transistor)
 Los IGBT (Insulated-gate bipolar transistor) es un dispositivo para control de
potencia. Son comunmente usados cuando el rango de voltaje drenaje-fuente está
entre los 200 a 3000V. Aun así los Power MOSFET todavía son los dispositivos
más utilizados en el rango de tensiones drenaje-fuente de 1 a 200V.
 Los FREDFET es un FET especializado diseñado para otorgar una recuperación
ultra rápida del transistor.
 Los DNAFET es un tipo especializado de FET que actúa como biosensor, usando
una puerta fabricada de moléculas de ADN de una cadena para detectar cadenas de
ADN iguales

. La característica de los TFT que los distingue, es que hacen uso del silicio amorfo o del
silicio policristalino.

Características

 Tiene una resistencia de entrada extremadamente alta (casi 100MΩ).

 No tiene un voltaje de unión cuando se utiliza como conmutador (interruptor).
 Hasta cierto punto es inmune a la radiación.
 Es menos ruidoso.
 Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad térmica.

3.- MATERIAL Y HERRAMIENTAS

En cada grupo(formado por 3 estudiantes), mínimamente se requiere:

*3 multímetros

*2 fuentes de voltajes ajustables en el rango de 0 a 2 Vdc

*4 chicotillos para la salida de la fuente de alimentación

* Cautín o pistola para soldar

*1 protoboard pequeño

*1 resistor de 10 ohmios

*2 transistores FET: 2N3819

*1 potenciómetro de 5k

4.- PREPARACION PREVIA A LA CLASE DE LABORATORIO

4.1 EN CUANTO AL MATERIAL:

Se preparo todo.

4.2 EN CUANTO A LOS CONOCIMIENTOS PREVIOS:

Se estudio de la guía y de otra referencias como ser: internet

http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_efecto_campo, R. Boylestad

5.- REFERENCIA BIBLIOGRAFICA:

Electrónica, teoría de circuitos electrónicos, de R. Boylestad

6.- PROCEDIMIENTO EN EL LABORATORIO:

6.1 Preparado del circuito para la determinación de las curvas características del transistor

El ingeniero verifico el circuito armado y se pudo energizar.

6.2 Toma de datos para la determinación experimental de la característica de

transferencia y salida.
 Parámetro
Vds(V) Vgs=-2 V Vgs=-1.5 V Vgs=-1.0V Vgs=-0.5V Vgs= 0V
0 0 mA 0 mA 0 mA 0 mA 0 mA
0.5 0.08 mA 0.47 mA 0.64 mA 0.95 mA 1.26 mA
1.0 0.07 mA 0.56 mA 1.13 mA 1.66 mA 2.22 mA
2.0 0.11 mA 0.61 mA 1.39 mA 2.55 mA 3.62 mA
4.0 0.12 mA 0.68 mA 1.45 mA 2.61 mA 4.04 mA
6.0 0.09 mA 0.65 mA 1.53 mA 2.67 mA 4.15 mA
Tabla T1: corriente de drenador, en miliamperios (id= Vrd/ RD)

6.3 Toma de datos para la determinación experimental del voltaje de estrangulamiento

Vds(V) Vgs=Vp
4 -2.44
10 -2.39

7.- TRABAJO Y DESARROLLO, POSTERIOR A LA ADQUISICION DE DATOS

EXPERIMENTALES

7.1 Grafica de la característica de transferencia

a) A partir de la tabla T1, graficar la corriente de drenador en función del voltaje

compuerta-surtidor. Considere el voltaje Vds como parámetro.

4.5
Id(mA)
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
Vgs(V)
0
-2.5 -2 -1.5 -1 -0.5 0
b) Observe que las curvas tienden a sobreponerse, cuando el voltaje Vds a ser mayor.
Considerando lq curva correspondiente al mayor voltaje de Vds, evalué el voltaje de
estrangulamiento y la corriente de saturación cuando Vgs=0V

Idss= 4.15 uA

Vp=-2.4 V

7.2 Grafica de la característica de salida

a) A partir de la tabla T1, graficar la corriente de drenador en función del voltaje drenador
surtidor, con parámetro:” voltaje compuerta surtidor”

4.5
Id(mA)
4

3.5

2.5

1.5

0.5

0
0 2 4 6 8 Vds(V)

b) Observe que las graficas, e indique la región óhmica y la de saturación.

7.3 Parámetros del modelo del transistor FET en CA para pequeña señal

a) Considere variaciones, indicadas en la tabla T1 y T2, alrededor del punto: Vgs=-1.5V,

Vds=4V (y la corriente de drenador medida en estas condiciones), para determinar los
parámetro del modelo en CA para pequeña señal.
7.4 Circuito de polarización

a) Para el punto de operación Q, con Vgs=-1.5V, Vds =4V (y la corriente de drenador

medida en estas condiciones). Calcularlas tres resistencias de polarizaciones mostradas en
la fig: , considere una fuente de Vcc= 10. Este circuito, debe ser armado y presentado en la
siquiente practica de laboratorio.

Id=680 uA

Vgs= -1.5 V

Vds= 4 V

Vcc= 10 V

Los valores de las resistencias son:

-Vgs- RsIs=0

Rs=2.2 kΩ

Rs*Is+ Vds+ Rd*Is= Vcc

Rd=6.6 kΩ

Rg= 1MΩ

RL= 10 kΩ

b)sobre la grafica de la característica de salida, graficar la línea de carga en CD y la línea de

carga en CA. Considere que el drenador trabaja, con o sin capacitor a tierra. Asimismo
considere una carga de 220k, conectada al drenador mediante un capacitor en serie con la
indicada carga; la reactancia de este capacitor, considere Xc=0

id(mA)
4.5

3.5

2.5

1.5

1 linea d e recta de carga en CD

0.5

0
0 2 4 6 8 10 12 Vds(V)
Universidad mayor de san simón
Facultad de ciencias y tecnología
Departamento de electricidad
Carrera Lic. En Ing. electromecánica

PRACTICA: 6

Docente: ing. Jose f. tancara s

ESTUDIANTES:
Mico Chumacero Fernando
Rodriguez Foronda wilson
HORARIO:
LUNES 15:45-17:15
 Fecha 22 de diciembre de 2014

COCHABAMBA-BOLIVIA
UNIVERSIDAD MAYOR DE SAN SIMON

FACULTAD DE CIENCIAS Y TECNOLOGIA

CARRERA: ING. ELECTROMECANICA

LABORATORIO 6:

CURVAS CARACTERISTICAS DEL TRANSISTOR DE EFECTO DE

CAMPO(FET)

GRUPO: CAMACHO VERDUGUEZ GINO OMAR

CAPUMA VEIZAGA IRVING GHERSSON

ZURITA MORALES BERNARDINO

DOCENTE: ING. JOSE F. TANCARA S.

HORARIO: GRUPO 2 18:5-20:15

FECHA: 2012/06/19
COCHABAMBA-BOLIVIA