BENEMÉRITA UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE PUEBLA

FACULTAD DE CIENCIAS DE LA COMPUTACIÓN

Practica Circuitos Eléctronicos Grafica voltaje conector-emisor y corriente de un transistor BJT BC548

Profesor: Trinidad García

Alumnos: Luis Gerardo Sánchez Alejandro Uziel Martínez Herrera Jorge Luis Miñón Morales Manuel Maldonado Mendoza Otoño 2009

tipo P. respectivamente. El colector rodea la región del emisor. mientras que el colector está ligeramente dopado. Estas regiones son. . muchas veces el valor de inverso es menor a 0. El transistor de unión bipolar. La falta de simetría es principalmente debido a las tasas de dopaje entre el emisor y el colector. permitiendo que pueda ser aplicada una gran tensión de reversa en la unión colector-base antes de que esta colapse. y tipo N. intercambiar el colector con el emisor hacen que los valores de y en modo inverso en modo se sean mucho más pequeños que los que se podrían obtener en modo activo. la región de la base y la región del colector. tipo P. realice las medidas correspondientes en las condiciones necesarios para conocer el comportamiento mas importantes del transistor por medio del medio de referencia de corriente y voltaje.Objetivo: Tener los conocimientos teoricos y practicos sobre el funcionamiento del transistor. base (B) o colector (C). y tipo N en un transistor NPN. tipo N y tipo P en un PNP. Esto significa que intercambiando el colector y el emisor hacen que el transistor deje de funcionar en modo activo y comience a funcionar en modo inverso. El emisor está altamente dopado.5. Cada región del semiconductor está conectada a un terminal. Para una gran ganancia de corriente. según corresponda. y por eso. lo que hace que el valor resultante de acerque mucho hacia la unidad. denominado emisor (E). haciendo casi imposible para los electrones inyectados en la región de la base escapar de ser colectados. a diferencia de otros transistores. Marco Teórico: Un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la región del emisor. La unión colector-base está polarizada en inversa durante la operación normal. Debido a que la estructura interna del transistor está usualmente optimizada para funcionar en modo activo. La base está físicamente localizada entre el emisor y el colector y está compuesta de material semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad. la mayoría de los portadores inyectados en la unión base-emisor deben provenir del emisor. no es usualmente un dispositivo simétrico.Desarrollando asi las habilidades para contruir circuitos con Transistores. La razón por la cual el emisor está altamente dopado es para aumentar la eficiencia de inyección de portadores del emisor: la tasa de portadores inyectados por el emisor en relación con aquellos inyectados por la base. otorgarle al transistor un gran .

43 2.1 34.7 34. Se realizaron tres mediciones diferentes de Vcc.1 34.42 2. Los resultados de cada una de las configuraciones se presentan en las siguientes tres tablas: Análisis de Resultados: Voltaje de Vbb 3 3 3 3 3 Voltaje de ColectorEmisor(mV) 34.8 y 10 V.Procedimiento y Desarrollo: Las acciones a realizar serán las siguientes: y La fuente Vcc se mantuvo en un voltaje constante de 5V mientras la fuente Vbb se vario de 1V hasta 12V.4 34.6. en cada una de las iteraciones se hicieron mediciones de la corriente del conector y el voltaje conector emisor. en cada una de estas la información obtenida es voltaje de colector-emisor y corrientes del colector. los valores son los siguientes: 3.1 Voltaje de Vcc 2 4 6 8 10 Corriente del colector(mA) 2.42 . esta última medida en mA.4.5 y 7 V.46 2. La Vbb se estuvo variando en 5 intervalos distintos: 2.44 2.

la fuente.2 113. Además se puede ver que los resultados arrojados por el lado de la parte teórica y por la parte practica son casi idénticos.2 98.03 8.4 124.55 11.94 9.7 Voltaje de Vcc 2 4 6 8 Corriente del colector(mA) 7.06 Voltaje de Vbb 5 5 5 5 Voltaje de ColectorVoltaje de Vbb Voltaje de Vcc Emisor(mV) 7 148. Nashelsky . tomando en cuenta que la variación depende de varios factores como el alambre utilizado. El análisis y estudio de este circuito es realmente sencilla por lo que no implica mayores dificultades a la hora de armarlo.3 7 155 7 147 7 138 2 4 6 8 Corriente del colector(mA) 10. Bibliografía Electronica teoría de circuitos y dispositivos electrónicos Boylestad.5 8.2 9.86 7.76 Voltaje de Vbb 7 7 7 7 Conclusiones y Aportaciones: Este circuito con transistor aquí presentado es útil para conocer el funcionamiento básico de un BJT tipo NPN.Voltaje de Vbb 5 5 5 5 Voltaje de ColectorEmisor(mV) 105. etc.

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