BENEMÉRITA UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE PUEBLA

FACULTAD DE CIENCIAS DE LA COMPUTACIÓN

Practica Circuitos Eléctronicos Grafica voltaje conector-emisor y corriente de un transistor BJT BC548

Profesor: Trinidad García

Alumnos: Luis Gerardo Sánchez Alejandro Uziel Martínez Herrera Jorge Luis Miñón Morales Manuel Maldonado Mendoza Otoño 2009

5. El emisor está altamente dopado. . haciendo casi imposible para los electrones inyectados en la región de la base escapar de ser colectados. la mayoría de los portadores inyectados en la unión base-emisor deben provenir del emisor. tipo N y tipo P en un PNP. tipo P. Esto significa que intercambiando el colector y el emisor hacen que el transistor deje de funcionar en modo activo y comience a funcionar en modo inverso. El colector rodea la región del emisor. Cada región del semiconductor está conectada a un terminal. respectivamente. a diferencia de otros transistores. muchas veces el valor de inverso es menor a 0.Objetivo: Tener los conocimientos teoricos y practicos sobre el funcionamiento del transistor. Para una gran ganancia de corriente. según corresponda. denominado emisor (E). mientras que el colector está ligeramente dopado. Marco Teórico: Un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la región del emisor. Estas regiones son. y por eso. La falta de simetría es principalmente debido a las tasas de dopaje entre el emisor y el colector. realice las medidas correspondientes en las condiciones necesarios para conocer el comportamiento mas importantes del transistor por medio del medio de referencia de corriente y voltaje. no es usualmente un dispositivo simétrico.Desarrollando asi las habilidades para contruir circuitos con Transistores. La razón por la cual el emisor está altamente dopado es para aumentar la eficiencia de inyección de portadores del emisor: la tasa de portadores inyectados por el emisor en relación con aquellos inyectados por la base. permitiendo que pueda ser aplicada una gran tensión de reversa en la unión colector-base antes de que esta colapse. otorgarle al transistor un gran . Debido a que la estructura interna del transistor está usualmente optimizada para funcionar en modo activo. intercambiar el colector con el emisor hacen que los valores de y en modo inverso en modo se sean mucho más pequeños que los que se podrían obtener en modo activo. La base está físicamente localizada entre el emisor y el colector y está compuesta de material semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad. base (B) o colector (C). lo que hace que el valor resultante de acerque mucho hacia la unidad. La unión colector-base está polarizada en inversa durante la operación normal. la región de la base y la región del colector. y tipo N en un transistor NPN. El transistor de unión bipolar. y tipo N. tipo P.

42 2.6.4 34.Procedimiento y Desarrollo: Las acciones a realizar serán las siguientes: y La fuente Vcc se mantuvo en un voltaje constante de 5V mientras la fuente Vbb se vario de 1V hasta 12V. en cada una de las iteraciones se hicieron mediciones de la corriente del conector y el voltaje conector emisor.7 34.5 y 7 V. esta última medida en mA. Se realizaron tres mediciones diferentes de Vcc.44 2. los valores son los siguientes: 3. en cada una de estas la información obtenida es voltaje de colector-emisor y corrientes del colector. Los resultados de cada una de las configuraciones se presentan en las siguientes tres tablas: Análisis de Resultados: Voltaje de Vbb 3 3 3 3 3 Voltaje de ColectorEmisor(mV) 34. La Vbb se estuvo variando en 5 intervalos distintos: 2.42 .4.1 34.1 34.8 y 10 V.1 Voltaje de Vcc 2 4 6 8 10 Corriente del colector(mA) 2.43 2.46 2.

Además se puede ver que los resultados arrojados por el lado de la parte teórica y por la parte practica son casi idénticos. tomando en cuenta que la variación depende de varios factores como el alambre utilizado.Voltaje de Vbb 5 5 5 5 Voltaje de ColectorEmisor(mV) 105.94 9.03 8.5 8. etc.55 11.2 113. Bibliografía Electronica teoría de circuitos y dispositivos electrónicos Boylestad. la fuente.2 9.4 124. Nashelsky . El análisis y estudio de este circuito es realmente sencilla por lo que no implica mayores dificultades a la hora de armarlo.7 Voltaje de Vcc 2 4 6 8 Corriente del colector(mA) 7.3 7 155 7 147 7 138 2 4 6 8 Corriente del colector(mA) 10.06 Voltaje de Vbb 5 5 5 5 Voltaje de ColectorVoltaje de Vbb Voltaje de Vcc Emisor(mV) 7 148.2 98.86 7.76 Voltaje de Vbb 7 7 7 7 Conclusiones y Aportaciones: Este circuito con transistor aquí presentado es útil para conocer el funcionamiento básico de un BJT tipo NPN.