El transistor JFET, principio de funcionamiento

Walter Andrés Calderón Luna

José Sebastián Guamán Garzón

Universidad de Cuenca, Cuenca, Ecuador

walter.calderon@ucuenca.edu.ec

Abstract. The following document explains the operation of the N-channel JFET
transistor experimentally, in such a way that the transistor variables are deduced
under certain parameters to demonstrate its operation. Once the variables are de-
termined, a self-polarization circuit is made to keep a working point constant.
Through curves and simulations, the established working point is observed, each
component used has mathematical foundations through analysis with Kirchhoff's
laws.

Keywords: Transistor, JFET, semiconductor, polarización, canal N.

1 Introducción

Los transistores de unión de efecto de campo (JFET), también denominados transisto-

res de unión de campo, desempeñan un papel crucial en el ámbito de la electrónica
como dispositivos semiconductores utilizados para amplificación y conmutación. La
esencia de su funcionamiento reside en la formación de una unión P-N en un material
semiconductor, lo que permite regular el flujo de corriente mediante la aplicación de
una tensión de polarización[1].
Dentro de la variedad de aplicaciones que ofrecen, los transistores JFET destacan
como amplificadores de señal de bajo ruido, interruptores electrónicos, reguladores de
voltaje y componentes esenciales en circuitos de retroalimentación. Su característica
distintiva de alta impedancia de entrada los hace particularmente adecuados para ma-
nipular señales débiles, garantizando una alta calidad de audio y precisión en aplica-
ciones de instrumentación.
La práctica experimental se centró en un transistor de canal N, seleccionado para
llevar a cabo experimentos destinados a determinar variables cruciales, como Idss y
Vp. Estos parámetros proporcionan una comprensión directa del comportamiento del
transistor en condiciones prácticas, prescindiendo de simulaciones.
Se implementó un circuito de autopolarización como parte integral de la práctica,
con el objetivo de verificar un punto de trabajo predefinido.
2

La autopolarización es una técnica que permite controlar y amplificar la corriente a

través de la manipulación de la tensión de polarización, siendo esencial para garanti-
zar el rendimiento óptimo del transistor en aplicaciones específicas del mundo real.

2 Marco Teórico

2.1 Transistor JFET

Los transistores de unión de campo (JFET, por sus siglas en inglés) son dispositivos
semiconductores que emplean un campo eléctrico para regular el tamaño del canal de
conducción en el circuito de salida, prescindiendo de la necesidad de un contacto
directo entre la corriente controlada y la tensión controladora [2]. En consonancia con
los transistores bipolares de unión (BJT), los JFET se clasifican en dos tipos principa-
les: de canal N y de canal P, como se ilustra en la figura 1.

Fig. 1. Tipos de transistores JFET

En contraste con los transistores bipolares, los transistores de unión de campo (JFET)
operan de manera que la conducción de corriente depende únicamente de un tipo de
portador, ya sea electrones en los JFET de canal N o huecos en los JFET de canal P,
como se muestra en la figura 2. Este enfoque unipolar en la conducción de corriente
es característico de los JFET y contrasta con los transistores bipolares, que emplean
tanto portadores de carga negativa (electrones) como positiva (huecos) para la con-
ducción de corriente. Este comportamiento unipolar simplifica la comprensión y el
diseño de los circuitos que emplean JFET, ya que la conducción está determinada por
un único tipo de carga portadora en función del tipo de JFET utilizado.
 3

Fig. 2. Estructura interna del JFET

2.2 Circuito de autopolarización

En un circuito de autopolarización del JFET, se implementa una configuración que
prescinde de la necesidad de utilizar dos fuentes de tensión para polarizar el transistor.
Este método simplifica el diseño del circuito al establecer automáticamente el voltaje
de puerta a fuente (Vgs) a través del voltaje en una resistencia conectada al terminal
de source (fuente) del JFET, como se representa en la figura 3

.
Fig. 3. Circuito de autopolarización del JFET.

La curva de transferencia en un transistor JFET se obtiene mediante el método gráfi-

co, utilizando generalmente cuatro puntos característicos que describen su comporta-
miento. La figura 4 ilustra este proceso
4

Fig. 4. Curva de transferencia del JFET.

En un análisis gráfico de la curva de transferencia y la recta de carga en un circuito

con transistor JFET, la intersección de la recta de carga con la curva de transferencia
se conoce como el punto de trabajo del transistor en la polarización definida. La figu-
ra 5 ilustra este concepto.

Fig. 4. Punto de trabajo del JFET.

A continuación, se explica más detalladamente:

 5

• Recta de Carga: Esta es una línea que representa todas las posibles com-
binaciones de voltaje de drenaje (Vds) y corriente de drenaje (Id) que
pueden existir en el circuito.
• Curva de Transferencia: Es la curva que describe la relación entre el
voltaje de puerta a fuente (Vgs) y la corriente de drenaje (Id) en un tran-
sistor JFET.
• Punto de Trabajo: La intersección de la recta de carga con la curva de
transferencia indica el punto de trabajo del transistor. En este punto, se es-
tablecen los valores específicos de Vgs e Id que el transistor experimenta-
rá durante la operación normal.

3 Desarrollo de la práctica

3.1 Referirse a las hojas de especificaciones del transistor JFET de canal N

empleado y recopilar la información acerca de los valores máximos de
operación del dispositivo.

Fig. 1. Información obtenida del datasheet del JFEP 2SK30A.

3.2 Determinar experimentalmente los valores IDSS y Vp, (Intensidad de

saturación y voltaje de estrechamiento), para el transistor JFET. Describa
el procedimiento desarrollado para tal efecto, incluya esquema,
mediciones y cálculos que considere necesarios.
Para encontrar la IDSS del JFET cortocircuitamos VGS, e incrementamos el voltaje
VDS hasta que la corriente por el drenaje se estabilice. Con 𝑉𝐷𝑆 = 10𝑉:
𝐼𝐷𝑆𝑆 = 3.67𝑚𝐴
6

Fig. 2. Circuito utilizado para obtener IDSS.

Para encontrar VP, mantenemos VDC y reforzamos la polarización negativa con

una fuente en VGS hasta que IDSS sea de cero. Cuando IDSS = 0A
𝑉𝑃 = −0.6𝑉

Fig. 3. Circuito utilizado para obtener VP.

 7

3.3 Empleando los valores IDSS y Vp, obtenidos en el punto anterior,

grafique la curva de transferencia del dispositivo (ID vs VGS). Emplee el
método aproximado de los cuatro puntos generales).
VGS(V) ID(mA)
0 3.67
-0.18 1.83
-0.3 0.91
-0.6 9

Fig. 4. Tabla de los cuatro puntos generales.

VGS VS ID
4

3,5

2,5

1,5

0,5

0
-0,7 -0,6 -0,5 -0,4 -0,3 -0,2 -0,1 0

Fig. 5. Curva de transferencia del dispositivo JFET.

3.4 De acuerdo a la curva de transferencia obtenida en el punto anterior,

defina arbitrariamente un punto de trabajo para el transistor: Q(VGSQ ,
IDQ). A continuación: Diseñar, calcular y armar un circuito de auto
polarización para las condiciones de Q(VGSQ , IDQ), establecidas.
Realizar mediciones del punto de trabajo y comparar los valores con las
condiciones previamente definidas.
Punto de trabajo: Q (-0.21V, 1.5mA)
8

Fig. 6. Circuito de auto polarización a resolver.

𝑉𝐺𝑆 −0.21
𝑉𝐺𝑆 = −𝐼𝐷 𝑅𝑆 → 𝑅𝑆 = − = = 140Ω
𝐼𝐷 1.5𝑚
𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝐷𝑆 − 𝑉𝐺𝑆 15 − 10 − 0.21
𝑅𝐷 = = = 3193Ω
𝐼𝐷 1.5𝑚

Fig. 7. Circuito para armar.

 9

Fig. 8. Circuito armado en laboratorio.

Fig. 9. Medición del punto de trabajo.

Podemos observar que las mediciones obtenidas en la práctica difieren de las cal-
culadas, esto puede ser por factores como que las resistencias no son exactas a las
calculadas, aún así son mediciones bastante aproximadas, lo que nos demuestra que el
JFET tiende a comportarse como lo analizado en la teoría.
10

4 Conclusiones

En conclusión, la práctica de laboratorio centrada en la comprobación del punto de

trabajo de un circuito de autopolarización con transistor JFET ha proporcionado una
comprensión invaluable sobre el comportamiento y la estabilidad de este componente
electrónico. A lo largo del experimento, se ha demostrado la importancia de esta-
blecer un punto de trabajo óptimo para garantizar un rendimiento eficiente del transis-
tor.
La manipulación de las variables críticas, como la resistencia de polarización, permit-
ió observar cómo afectan directamente al punto de trabajo y, por ende, a la operación
del JFET. La identificación de la región de saturación y corte en las curvas carac-
terísticas ha ofrecido una visión detallada de las zonas operativas del transistor, con-
tribuyendo a la comprensión de su comportamiento en diferentes condiciones.

References
1. Sadiku, M. N. O. (2013). Fundamentals of Electric Circuits. McGraw-Hill Education.
2. Boylestad R (2009) Electrónica: teoría de circuitos y dispositivos electrónicos, 10th ed
3. Wikipedia contributors. (s/f). Astable. Wikipedia, The Free Encyclopedia.
https://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Astable&oldid=147512516
4. Monzon, E. (2019, junio 22). Explicacion de un oscilador astable , distintos tipos.
DitecnoMakers. https://ditecnomakers.com/explicacion-de-un-oscilador-astable-distintos-
tipos/
5. María, I., Schiavon, I., Raúl, I., & Martín, L. (s/f). Ing. María Isabel Schiavon, Ing. Raúl
Lisandro Martín. Edu.ar. Recuperado el 13 de diciembre de 2023, de
https://www.fceia.unr.edu.ar/eca1/files/teorias/Monoestables.pdf