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Laboratorio

TRANSISTORES BJT Y FET

1. LISTA DE MATERIALES

 Dos transistores BJT de uso general NPN uno de Germanio y otro de Silicio
respectivamente, recomendable BC548 BC557 .
 Un transistor JFET de canal N.
 Un transistor IGFET de canal P.
 Dos potenciómetros, uno de 100 [K] y otro de 1 [K].
 Resistencias de 100 [K]; 8.2 [K]; 2.2 [K]; 1 [K]; 330 [] y 100 []
todos de 0.5 [W].

2. LISTA DE INSTRUMENTOS A UTILIZAR

 Fuente de alimentación variable DC.

 Multímetro.
 Osciloscopio.
 Generador de Funciones.
 Una fuente simétrica fija de +/- 15 [V].

3. OBJETIVOS DE LA PRÁCTICA A REALIZAR

Página 1 de Laboratorio II
 3.1 OBJETIVO GENERAL

Analizar la estructura interna de los transistores, comprobando el estado interno de los

mismos, tipo de transistor así como identificación de sus terminales y estudiar las
características V-I del transistor y determinar el punto de trabajo estático del transistor.

3.2 OBJETIVOS ESPECIFÍCOS

Los objetivos específicos que a continuación se señalan son para cada experimento:

a) Aprender a identificar el tipo de transistor con la ayuda solo de un multímetro.

b) Mostrar cómo se prueban transistores BJT y JFET con la sección óhmetro del
multímetro.
c) Estudiar las características de técnicas según las hojas de especificaciones de los
fabricantes de los transistores BJT, JFET, IGFET usados en los circuitos.
d) Determinas las características de salida de un transistor.
e) Determinar las curvas características e componentes activos, mediante el método
punto a punto, en la configuración Emisor Común y Fuente Común y trazar la
recta de carga en continúa verificando su concepto.
f) Aprender a obtener en base a los datos obtenidos en anteriores puntos los
parámetros de un transistor.
g) Aprender a obtener la curva característica de un transistor empleando un
osciloscopio por el método de barrido por frecuencia.
h) Aplicar el funcionamiento de un transistor como regulador de Tensión.
i) Aplicar los conocimientos adquiridos por el estudiante durante la experimentación
y plasmarlos en la proposición de un ejemplo a desarrollar en laboratorio.

4. REALIZACIÓN DEL PRE - INFORME.

a) IDENTIFICANDO TRANSISTORES

En base a lo investigado en el pre informe realice lo siguiente:

 Tenga a mano un transistor cualquiera en base a un multímetro mida todas las

combinaciones posibles de los tres pines y elabore su conclusión de que transistor
es, sin la necesidad de una hoja de datos.
 En base al anterior punto tome un transistor conocido y compruebe los pasos que
realizó verificando la veracidad del método.

Página 2 de Laboratorio II
  Realice lo mismo para un PNP o NPN según sea el caso.

b) PROBANDO TRANSISTORES CON MULTÍMETRO

Con el Multímetro para medir resistencias realice los pasos aprendidos en el anterior inciso
y llene la tabla 1.

Tr: Tr: Tr: Tr:

Pines PNP Ω/KΩ NPN Ω/KΩ Pines Canal P Ω/KΩ Canal N Ω/KΩ
+B-E +G-S
-B+E -G+S
+C-B +D-G
-C+B -D+G
+C-E +D-S
-C+E -D+S
Tabla 1
Comente en las conclusiones los valores obtenidos.

c) Características TÉCNICAS DE LOS TRANSISTORES

Elabore una tablita tipo fichero con los datos obtenidos en el pre informe y téngalo
presente para cada laboratorio de los transistores más empleados y aplique en laboratorio
para el cuidado de los mismos en cada circuito armado.

Bjt NPN

LOS VALORES NOMINALES MÁXIMOS:

Transistor:
Voltaje colector – emisor (VCEO).
Voltaje colector – base (VCBO).
Voltaje emisor – base (VEBO).
Corriente de colector – continua (IC).
Disipación total del dispositivo a TA = 25°C (PD).

CARACTERÍSTICAS DE SEÑAL PEQUEÑA:

Producto ganancia de corriente – ancho de banda (fT).

Página 3 de Laboratorio II
 Capacitancia de salida (Cobo).
Capacitancia de entrada (Cibo).
Impedancia de entrada (hie).
Razón de retroalimentación de voltaje (hre).
Ganancia de corriente de señal pequeña (hfe).
Admitancia de salida (hoe).

Bjt PNP

LOS VALORES NOMINALES MÁXIMOS:

Voltaje colector – emisor (VCEO).

Voltaje colector – base (VCBO).
Voltaje emisor – base (VEBO).
Corriente de colector – continua (IC).
Disipación total del dispositivo a TA = 25°C (PD).

CARACTERÍSTICAS DE SEÑAL PEQUEÑA:

Transistor:
Producto ganancia de corriente – ancho de banda (fT).
Capacitancia de salida (Cobo).
Capacitancia de entrada (Cibo).
Impedancia de entrada (hie).
Razón de retroalimentación de voltaje (hre).
Ganancia de corriente de señal pequeña (hfe).
Admitancia de salida (hoe).

FET

LOS VALORES NOMINALES MÁXIMOS:

Transistor:

Página 4 de Laboratorio II
 Voltaje drenaje – fuente (VDS).
Voltaje drenaje – compuerta (VDG).
Voltaje compuerta – fuente (VGS).
Corriente de drenaje (ID).
Disipación de potencia a TA = 25°C (PD).

CARACTERÍSTICAS DE SEÑAL PEQUEÑA:

Transadmitancia directa (Vfs).

Transconductancia directa (Re(yfs)).
Conductancia de salida (Re (yos)).
Conductancia de entrada (Re (yis)).
Capacitancia de entrada (Ciss).
Capacitancia de transferencia inversa (Crss).

d) CARACTERÍSTICAS DE SALIDA

Arme los tres circuitos de la figura 4 y mueva el potenciómetro de un extremo a otro, del
mismo se deben adquirir los datos suficientes como para dibujar la señal de salida según
la tabla 2, 3.

Los datos a tomarse deben ser como mínimo 15 valores para la obtención de un buen
gráfico. Todos los valores deben plasmarse en un solo grafico (Curva característica del
colector en configuración Emisor Común).

Para la obtención de este punto se deberá desarrollar la implementación de laboratorio

o la simulación tomando valores, datos que representaran puntos de la gráfica de salida
de un transistor.

Por lo que es conveniente tener un simulador en los ordenadores (PROTEUS,

MULTISIM, etc), pasando a desarrollar la obtención de datos tenemos:

Página 5 de Laboratorio II
 Transistor: BC548
VCE V ICmA ICmA IC mA ICmA ICmA ICmA ICmA
IB=10 mA IB=20 mA IB=30 mA IB=40 mA IB=50 mA IB=60 mA IB=70 mA
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10

Página 6 de Laboratorio II
 Transistor: 2N5454
VDS V IDmA IDmA ID mA IDmA IDmA IDmA IDmA IDmA
VGS=0 V VGS=-0.25V VGS=-0.5V VGS=-0.75V VGS=-1 V VGS=-1.25 V VGS=-1.5V VGS=-2V
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10

Página 7 de Laboratorio II
e) RECTA DE CARGA

Arme los circuitos de la figura mueva el potenciómetro de un extremo a otro y tome las
lecturas con sumo cuidado llenando la tabla siguiente, realice mínimamente 10 medidas
para la obtención de un buen gráfico.

Como se presenta a continuación la simulación del circuito de tal modo que la

representación del potenciómetro nos permitirá la obtención de la tabla que se describe
posteriormente, una de las características de entrada de los transistores es el motivo
por el cual se presenta la recta de carga, de tal forma que la intersección con esta nos
presenta el punto de equilibrio (quiesent) o punto de trabajo predeterminado de tal
forma que se opta por trabajar en la zona lineal del transistor.

Página 8 de Laboratorio II
 Transistor: BC548 Transistor: 2N5459 Transistor: 2N6660
VCE V IC mA VDS V ID mA VDS V IDmA
1 1 1
2 2 2
3 3 3
4 4 4
5 5 5
6 6 6
7 7 7
8 8 8
9 9 9
10 10 10

f) PARÁMETROS DE LOS TRANSISTORES

Arme los circuitos de las figuras 1 y 4

a) elabore las tablas correspondientes a cada circuito y compruebe lo obtenido en el pre
informe según lo requerido en este inciso, determine los parámetros para cada
transistor (hfe, hie, hre y hoe) en la configuración de los circuitos armados.

Con las adquisiciones de las gráficas del pre informe:

15V
+V

330
100k 10%

DC A
100k Q1 NO DATA
100k 10% NPN
NO DATA
DC V

DC A
NO DATA

Figura 1

Página 9 de Laboratorio II
 Y además de tener la siguiente gráfica de
+15V

NO DATA
DC A
1k

100k Q1

NO DATA
DC V
10k 10% NPN

Figura 4

g) CARACTERÍSTICAS DE SALIDA (VISUALIZACIÓN)

Arme el circuito de la figura 5 compruebe su funcionamiento según lo investigado en el

pre informe elabore los datos suficientes y dibuje la señal de salida.

Realice variaciones en la frecuencia y vea cuales son los cambios producidos, dibuje el
grafico para ciertas frecuencias donde los cambios son bien notorios y determine los
rangos máximo y mínimo de una estabilidad de barrido.

entrada
R2 vertical
NO DATA
DC A
R1
terminal de tierra
Q1
PNP DIODO del osciloscopio

+ 1.5V -6.3/6.3V
NO DATA

1kHz
DC V

entrada horizontal

Figura 5

Página 10 de Laboratorio II
 Con la investigación del método de barrido por frecuencia, el estudiante deberá de
tener en cuenta que para la perfecta visualización de la curva sea lo mas parecido a
lo que se muestra.

h) FUENTE REGULADA

Arme el circuito propuesto en la guía y comprobar de forma práctica el funcionamiento

del circuito planteado en el inciso h) del pre informe. Luego obtener la curva de regulación
VO vs. IL para una tensión fija de VI = 20 [V], en el que se asegure que el circuito regule
y obtenga la curva de transferencia V O vs. VI para valores fijos de RL. Qué resultados se
obtiene si la tensión VI varía +/-5[V].

Comenzando con la solución del punto primeramente consideremos lo que nos pide, en
primer lugar se nos plantea el diseño de una fuente regulada de 9 [V], para una corriente
de carga que varía entre 400 y 500 [mA]. Suponiendo una entrada de 220 [V] rms a
50[Hz] en un transformador con derivación central 6:1. Emplear para los cálculos una
Rz=2[]. El transistor tiene VBE=0.7[V] y =100. Calcular CF para que la tensión de rizado
sea el 30% del máximo de señal de entrada.

D1 Q1
DIODO NPN

T1 +
6:1 + +
Ri
CF CL RL
220[V D3 Vo
r ZENER
]ms
D2
DIODO
-

Página 11 de Laboratorio II
 i) APORTE DE ALUMNO

En base a los puntos del laboratorio, prepare una función e implemente un

ejercicio, obteniendo los resultados planteados, explique claramente su
funcionamiento.
Este punto es dejado a consideración del estudiante.

SIMULACIÓN

Para todos los puntos anteriores, utilice un programa de simulación (workbench, circuit maker,
multisim, Proteus, etc.) e implemente con dicha herramienta el Laboratorio.

5. REALIZACIÓN DE LABORATORIO.

Para la presentación de laboratorio el estudiante necesariamente debe disponer de todos los

puntos armados en protoboard antes del inicio de sesión de la práctica.

a) IDENTIFICANDO TRANSISTORES

Arme los circuitos propuestos en el pre informe.

Compare los valores obtenidos con los diseñados en el pre informe y enuncie sus
conclusiones.

b) PROBANDO TRANSISTORES CON MULTÍMETRO

Arme los circuitos propuestos en el pre informe, y mida con la ayuda de un multímetro

Compare los valores obtenidos con los diseñados en el pre informe y enuncie sus
conclusiones.

c) CARACTERÍSTICAS TÉCNICAS DE LOS TRANSISTORES

Arme los circuitos propuestos en el pre informe. De forma similar al anterior inciso.

d) CARACTERÍSTICAS DE SALIDA

Arme el circuito de la figura y mida los siguientes valores a frecuencia media:

Determine si se acercó a los valores de diseño.

e) RECTA DE CARGA

Arme los circuitos y tome las medidas pertinentes que le permitan determinar las
ganancias de tensión y corriente. Compruebe que los valores diseñados en el pre informe
corresponden al obtenido en forma experimental..

Página 12 de Laboratorio II
 f) PARÁMETROS DE LOS TRANSISTORES

Arme el circuito propuesto en el pre informe y verifique su correcto funcionamiento

comparando los valores que obtenga experimentalmente con los calculados en el pre
informe. Enuncie en las conclusiones si los resultados son idénticos o varían, explique
las causas.

g) CARACTERÍSTICAS DE SALIDA (VISUALIZACIÓN)

Arme el circuito propuesto en el pre informe y demuestre su funcionamiento, obteniendo

las tablas y graficas necesarias.

h) FUENTE REGULADA

Arme el circuito propuesto en el pre informe y demuestre su funcionamiento, obteniendo

las tablas y graficas necesarias.

i) APORTE DE ALUMNO

Arme el circuito propuesto en el pre informe y demuestre su funcionamiento, obteniendo

las tablas y graficas necesarias.

6. INFORME FINAL.

Presentar los resultados obtenidos en laboratorio, con los respectivos análisis de los datos
experimentales obtenidos, interpretando cada uno de los comportamientos físicos obtenidos,
para cada una de las prácticas elaboradas realizar las respectivas observaciones con respecto a
lo aprendido y emitir conclusiones de las mismas.

Tome en cuenta los objetivos de la práctica pues son muy importantes para la elaboración final
del informe:

 Emita Las conclusiones para cada punto de Laboratorio en forma independiente.

 Realice una comparación entre la hoja simulada y el punto desarrollado en
laboratorio.
 En base a la comparación emita una conclusión completa y enúncielo en su informe.
 Todo cuanto se haya realizado en laboratorio, debe ser detallado, explicado y
presentado en el informe, adjunto con sus gráficas respectivas.

Este informe será el vivo reflejo de lo que el alumno haya ejecutado como trabajo en laboratorio.

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