EL TRANSISTOR SIN POLARIZACIÓN

..
Un transistor tiene tres zonas de dopaje, como se muestra en la imagen. La zona
inferior se denomina emisor, la zona central es la base y la zona superior es el
colector. El transistor de la imagen es un dispositivo NPN porque hay una zona P
entre dos zonas N. Recordemos que los portadores mayoritarios son electrones
libres en los materiales tipo N y huecos en los materiales tipo P.
Los transistores también se construyen como dispositivos PNP. Un transistor PNP
tiene una zona N entre dos zonas P. Para evitar confusiones entre los transistores
NPN y PNP, nuestro tema se centrara en el transistor NPN.

NIVELES DE DOPAJE
En la figura el emisor está fuertemente dopado. Por otro lado, la base está
ligeramente dopada. El nivel de dopaje del colector es intermedio, entre los dos
anteriores. Físicamente el colector es la zona más grande de las tres.

DIODOS DE EMISOR Y DE COLECTOR

El transistor de la figura tiene dos uniones: una entre el emisor y la base y otra
entre la base y el colector. Por tanto, un transistor es similar a dos diodos
contrapuestos. El diodo inferior se denomina el diodo emisor-base, o simplemente
el diodo emisor. El diodo superior se denomina diodo colector- base, o diodo
colector.
 Colector-Base (Diodo Colector)

Emisor-Base (Diodo Emisor)

ANTES Y DESPUÉS DE LA DIFUSIÓN

La figura muestra las zonas del transistor antes
de que ocurra la difusión. Como se vio en el
capítulo 2, los electrones libres de la zona N se
difunden a través de la unión y se recombinan
con los huecos del lado P. Imagínese los
electrones libres de cada zona N atravesando la
unión y recombinándose con los huecos. El
resultado son las dos zonas de deplexión,
mostradas en la siguiente figura. En cada una de
estas zonas la barrera de potencial es
aproximadamente de 0,7 V a 25 °C para un
transistor de silicio (y 0,3 V a 25 °C para un
transistor de germanio): Como en capítulos
anteriores, nos centraremos en los dispositivos
de silicio, ya que se utilizan mucho más que los dispositivos de germanio.

EL TRANSISTOR POLARIZADO
Un transistor sin polarización es similar a dos diodos contrapuestos. Cada diodo
tiene una barrera de potencial de 0,7 V, aproximadamente. Si se conectan fuentes
de tensión extremas para polarizar al transistor, se obtienen corrientes a través de
las diferentes partes del transistor.
ELECTRONES DEL EMISOR

En la siguiente figura se muestra un transistor polarizado. Los signos menos

representan electrones libres. El emisor está fuertemente dopado; su función
consiste en emitir o inyectar electrones libres a la base. La base ligeramente
dopada también tiene un propósito bien definido: dejar pasar hacia el colector la
mayor parte de los electrones inyectados por el emisor. El colector se llama así
porque colecta o recoge la mayoría de los electrones provenientes de la base.
La figura es la forma más
habitual de polarizar un
transistor. La fuente de la
izquierda VBB en la figura
polariza directamente el diodo
emisor, mientras que la fuente
de la derecha VCC polariza
inversamente el diodo de
colector. Aunque son posibles
otros métodos de polarización,
polarizar en directa el diodo emisor y en inversa el diodo colector produce los
resultados más útiles.

ELECTRONES DE LA BASE
En el instante en que la
polarización directa se aplica
al diodo emisor de la figura
anterior, los electrones del
emisor todavía no han entrado
en la zona de la base. Si VBB
es mayor que la barrera de
potencial emisor-base de la
imagen anterior, circula una
elevada corriente de
electrones del emisor hacia la base, como se ve en la siguiente imagen.
Teóricamente estos electrones libres pueden circular en cualquiera de las dos
direcciones siguientes: por una parte, pueden circular hacia la izquierda saliendo
de la base, pasando a través de RB en su camino hacia el terminal positivo de la
fuente. Por otra parte, los electrones libres pueden circular hacia el colector.
¿Cuál es la trayectoria que siguen la mayor parte de los electrones libres? La
mayoría de ellos seguirán el camino hacia el colector por dos razones; la primera
es el débil dopaje de la base. Por esta causa, los electrones libres tienen una larga
vida en la zona de la base; por tanto, tienen tiempo suficiente para llegar al
colector. La segunda razón es que la base es muy estrecha, lo cual también
permite a los electrones llegar con mayor facilidad al colector. Por estas dos
razones, casi todos los electrones inyectados por el emisor pasan a través de la
base al colector.
Solo unos pocos electrones libres se recombinaran con huecos en la base
ligeramente dopada en la siguiente imagen se muestra. Después, como los
electrones de valencia, circularan a través de la resistencia de base hacia el lado
positivo de la fuente VBB.

ELECTRONES DEL COLECTOR

Casi todos los electrones libres van hacia el colector, como se ve en la figura.
Estando ya en el colector, son atraídos por la fuente de tensión VCC. Como
consecuencia de ello, los electrones libres circulan a través del colector y a través
de RC hasta que alcanzan el terminal positivo de la fuente de tensión del colector.
Resumiendo lo que sucede, se tiene lo siguiente: en la Figura, VBB polariza
directamente el diodo emisor, obligando a los electrones libres del emisor a entrar
en la base. La estrecha y apenas dopada base hace que casi todos ellos tengan el
tiempo suficiente para difundirse en el colector. Estos electrones circulan a través
del colector, a través de RC y hacia el terminal positivo de la fuente de tensión VCC.
PRACTICA 1
A continuación mostraremos una imagen de una simulación realizada en multisim,
esta práctica consta de polarizar un transistor NPN directamente y medir sus
corrientes que pasan por el colector la base y el emisor, midiendo también los
voltajes que existe entre la base-emisor y el colector-emisor
Este es el transistor 2N2222, este transistor es muy común encontrarlos en
diferentes tipos de circuitos eléctricos.

Podemos darnos cuenta que este transistor hace que el voltaje que circula entre
las terminales colector-emisor depende de la corriente que existe entre la base.

Entre menor sea la corriente que llega a la base mayor será el voltaje que existe
entre las terminales del colector-emisor.

Y viceversa si la corriente que circula por hasta la base el mayor, menor será el
voltaje que existe entre estas terminales del colector-emisor.
A continuación mostraremos la hoja de datos del transistor 2N2222 que nos
muestra todas las características que este transistor tiene
CORRIENTES EN UN TRANSISTOR
La Figura muestra el símbolo de un transistor. Si se hace uso de la comente
convencional, se utiliza la Figura (a); si se prefiere la comente de electrones, se
emplea la Figura (b). En la Figura hay tres comentes distintas en el transistor: la
comente de emisor IE la comente de base IB y la comente de colector lC.

¿COME SE COMPORTAN LAS CORRIENTES?

Como el emisor es la fuente de electrones. Su corriente es la mayor tres. Casi
todos los electrones del emisor circulan hacia el colector por tanto, la corriente de
colector es aproximadamente a la corriente de emisor. La corriente de base es
muy pequeña comparativamente, a menudo menor que el 1 por 100 de la corriente
del colector.

RELACIÓN DE CORRIENTES
Recuérdese la ley de las corrientes de Kirchhoff. Establece que la suma de todas
las comentes que entran a un nudo o unión es igual a la suma de todas las
comentes que salen de ese nudo o unión. Al aplicarse a un transistor, la ley de
Kirchhoff proporciona esta importante relación entre las tres comentes del
transistor:
-IE = IC + IB

Esta ecuación indica que la corriente de emisor es la suma de la comente de

colector y la corriente de base. Teniendo en cuenta que la comente de base es
mucho menor que la comente de colector, es habitual hacer la siguiente
aproximación: la corriente de colector es igual a la corriente de emisor:
IC ≈ IE

Y la corriente de base es mucho más pequeña que la comente de colector:

IB << IC
ALFA
La alfa de continua (simbolizada αCD) se define como la corriente continua de
colector dividida por la corriente continua de emisor.

Como la corriente de colector es casi igual que la corriente de emisor, αCD es

literalmente menor que 1. Por ejemplo, en un transistor de baja potencia, αCD es
mayor que 0.99. Incluso en un transistor de alta potencia, αCD, es típicamente
mayor que 0.95.

BETA
La beta dc (simbolizada βCD) de un transistor se define como la relación entre la
comente continua del colector y la corriente continua de la base:

La beta de continua se conoce también como la ganancia de corriente porque una

pequeña corriente de base produce una corriente mucho mayor de colector.
La ganancia de corriente es una gran ventaja de un transistor y ha llevado a todo
tipo de aplicaciones. Para transistores de baja potencia (por debajo de 1 W), la
ganancia de corriente es típicamente de 100 a 300. Los transistores de alta
potencia (por encima de 1 W) normalmente tienen ganancias de comente entre 20
y 100.

PRACTICA 2

Con el transistor 2N2222 realizamos una foto celda, para llevar a cabo esta
práctica ocupamos el siguiente material.

1. Transistor 2N2222
2. Relevador de 5 Volts

3. Fotorresistencia

4. Fuente de alimentación de 5 volts CD.

 5. Soquet y foco de 127 volts CA.

6. Placa fenólica de 10 x 5

A continuación se mostrara el circuito que se realizó con algunas modificaciones

que se mencionaran. Pero en general el circuito a realizar es el siguiente.
Este circuito consta de hacer que el relevador se active con la oscuridad, para
activarlo la resistencia luz oscuridad (fotorresistencia) corta o deja pasar la
corriente por el relevador dejando pasar la corriente a través del foco.
A continuación se muestra una imagen del circuito ya armado en la placa.
 Se imprime y se plancha el circuito en la placa fenólica

 Se introduce la placa recién planchada en acido férrico , y se mantiene en

constante movimiento para poder limpiar el cobre.
 Se limpia los canales del circuito que no están correctamente marcados

 Se taladra las partes de la placa para poder soldar los materiales del
circuito.
 Se conecta el circuito con todos los materiales incluyendo el soquet, el foco
y la fuente de alimentación de 5 volts.
DOS DERIVACIONES
La ecuación siguiente se puede despejar de dos formas equivalentes. La primera,
cuando se conocen los valores de βDC e IB es posible calcular la corriente de
colector mediante esta ecuación:

La segunda, cuando se conocen los valores de βDC e IC se puede calcular la

corriente de la base así:

EJEMPLO:
Un transistor tiene una corriente de colector de 10mA y una corriente de base de
40µA. ¿Cuál es la ganancia de corriente del transistor?

SOLUCIÓN: Dividir la corriente de colector entre entre la corriente de base para

obtener.
βDC = 10mA/40µA =250
EJEMPLO:
Un transistor tiene una ganancia de corriente de 175. Si la corriente de base es de
0.1mA. ¿Cuál es valor de la corriente de colector?

SOLUCIÓN: multiplica la ganancia de la corriente por la corriente de base para

obtener.
IC = (175) (0.1mA) = 17.5 mA

LA CONEXIÓN EN EC
Existen tres formas útiles de conectar un transistor: en EC (emisor común), en CC
(colector común), o en BC (base común). Las conexiones CC y BC se explican en
capítulos posteriores. En este capítulo nos centraremos en la conexión EC porque
es la más utilizada.

EMISOR COMÚN
En la imagen (a), el lado común o masa de cada fuente de tensión está conectado
al emisor. Debido a esto, el circuito se conoce como configuración en emisor
común (en EC). Obsérvese que el circuito tiene dos mallas. La malla de la
izquierda es el circuito de base y la de la derecha es el circuito de colector.
En la malla de base, la fuente VBB polariza en directa al diodo emisor con RB como
resistencia limitadora de corriente. Usando diferentes valores de VBB o RB se
puede controlar la corriente de base. Como se verá más adelante, la corriente de
base controla la comente de colector, lo que significa que una pequeña corriente
(base) gobierna una gran comente (colector). En el circuito del colector hay una
fuente de tensión de valor VCC que polariza en inversa al diodo colector a través de
RC. La fuente de tensión Vcc debe polarizar inversamente el diodo de colector o, de
lo contrario, el transistor no funcionaría adecuadamente. Dicho de otra forma, el
colector debe ser positivo en la imagen (a) para recolectar la mayoría de los
electrones libres inyectados en la base.
En la imagen (a), el flujo de corriente de base en la malla de la izquierda produce
una tensión en la resistencia de base, RB, con la polaridad mostrada.
Similarmente, el flujo de comente de colector en la malla de la derecha produce
una tensión en la resistencia del colector, RC, con la polaridad mostrada.

SUBÍNDICES DOBLES
En los circuitos de transistores se usa notación de doble subíndice. Cuando los
subíndices son iguales. La tensión representa una fuente (VBB y VCC). Cuando los
subíndices son diferentes representan las tensiones entre dos puntos (VBE y VCE)
Por ejemplo, los subíndices de VBB son los mismos, lo que significa que VBB es la
fuente de tensión de la base. Similarmente, VCC es la fuente de tensión de
colector. Por otro lado, VBE es la tensión entre los puntos B y E, entre la base y el
emisor. De la misma manera, VCE es la tensión entre los puntos C y E entre el
colector y el emisor.

SUBÍNDICES SIMPLES
Los subíndices simples se usan para las tensiones de los nodos, es decir,
tensiones entre el punto del subíndice y masa. Por ejemplo, si redibujamos la
imagen (a) con masas, obtenemos la imagen anterior (b). La tensi6n VC es la
tensión entre la base y masa, la tensión VC es la tensión entre el colector y masa,
y la tensi6n VE es la tensión entre el emisor y masa. (En este circuito VE es cero).
Puede calcular una tensión con subíndice doble de distinto subíndice restando sus
tensiones con subíndice simple. Aquí tenemos tres ejemplos:

VCE = VC – VE

VCB = VC – VB

VBE = VB – VE

Así es como se calculan las tensiones de subíndice doble para cualquier circuito
de transistor: cómo VE es cero en una conexión EC imagen (
b), las tensiones se simplifican a:

CURVA CARACTERÍSTICA DE ENTRADA

¿Qué aspecto se imagina el lector que tendrá la curva de IB en función de VBE? Es

como la curva de un diodo normal, como se ve en la imagen (a). ¿Y por qué no?
Estamos hablando acerca de la corriente de base y la tensión del diodo de emisor,
por lo que cabría esperar una curva similar a la característica de comente en
función de la tensi6n de un diodo, lo que significa que podemos usar cualquiera de
las tres aproximaciones de un diodo analizadas con anterioridad.
Aplicando la ley de Ohm a la resistencia de base de la imagen (a) obtenemos esta
derivación:

Si se utiliza un diodo ideal, VBE = 0. Con la segunda aproximación, VBE = 0,7 V,

como se muestra en la imagen (a).
La mayoría de las veces la segunda aproximación será el mejor compromiso entre
la sencillez de cálculos al usar un diodo ideal y la precisi6n al usar aproximaciones
superiores. Todo lo que se necesita recordar para la segunda aproximación es que
VBE = 0,7 V, como se muestra en la imagen (a).
 La corriente que pasa a través de la resistencia de base vale.

IB = (VBB – VBE)/RS = 1.3 V/100kΩ = 13µA

Con una ganancia de corriente de 200, la corriente de colector es:

IC = βDC IB = (200) (13µA) =2.6mA

CURVA CARACTERÍSTICA DE SALIDA

En la imagen (a), ya sabemos cómo calcular la corriente de base. Como VBB
polariza en directa el diodo emisor, todo lo que necesitamos hacer es calcular la
corriente a través de la resistencia de base RB. Ahora, fijemos nuestra atención en
la malla del colector.
En la imagen (a) se pueden variar VBB y VCC para establecer diferentes tensiones y
corrientes en el transistor. Midiendo IC y VCE, se obtienen los datos para una curva
de IC, en función de VCE. Por ejemplo, supóngase que se cambia VBB para obtener
IB = 10 µA. Entonces se puede variar Vcc, y medir los valores resultantes de IC y
VCE. Trazando los datos, se dibuja la curva que se muestra en la Figura (b). (Nota:
Esta curva es para un 2N3904, un transistor de baja potencia muy usado. Con
otros transistores, los números pueden variar pero la forma de la curva es similar.)
Cuando VCE es cero, el diodo de colector no tiene polarización inversa. Este es la
razón por la que la curva muestra una corriente de colector cero. Cuando VCE
crece desde cero, la corriente de colector se eleva rápidamente en la Figura (b).
Cuando VCE es de pocas decenas de voltios, la corriente de colector se hace casi
constante e igual a 1 mA.

En la Figura (b), la zona de comente constante se relaciona con la anterior

explicación sobre el funcionamiento del transistor. Después de que el diodo de
colector se polariza en inversa, recoge todos los electrones que alcanzan la zona
de deplexión. Incrementos mayores de VCE no pueden aumentar la corriente del
colector. ¿Por qué? Porque el colector solo puede recoger aquellos electrones
libres que el emisor inyecta en la base. El número de estos electrones inyectados
depende solo del circuito de base, no del circuito de colector. Por eso la Figura (b)
muestra una zona constante en la comente de colector entre V, menor de 1 V y
una VCE mayor de 40 V. Si VCE es superior a 40 V, el diodo de colector entra, en la
zona de ruptura y se pierde el funcionamiento normal del transistor. Este no está
diseñado para funcionar en la zona de ruptura. Por esta razon, una de las
limitaciones que hay que buscar en las hojas de caractensticas del transistor es la
tensi6n. De ruptura de colector-emisor VCE(MAX). El transistor entra en la zona de,
ruptura, se destruirá.
HOJAS DE DATOS
A continuación se muestran unas hojas de datos de algunos transistores, estos
transistores son muy utilizados en circuitos de bajo voltaje, corriente y potencia.
También son los transistores con los que realizaron algunas simulaciones.
Si se miden Ic y VCE para IB = 20 µA, se puede trazar la segunda curva de la
figura. Esta curva es similar a la primera, excepto que la corriente de colector es
de 2 mA en la zona activa. De nuevo, la corriente de colector es prácticamente
constante en la zona activa. Cuando se trazan varias curvas sobre los mismos
ejes para diferentes corrientes de base, se obtiene una familia de curvas de
colector como las de la Figura. Otra forma de obtener esta familia de curvas es
utilizar un trazador de curvas (instrumento de prueba que muestra IC en función de
VCE. para un transistor). En la zona activa de la Figura, cada comente de colector
es 100 veces mayor que la comente de base que le corresponde. Por ejemplo, la
curva superior tiene una corriente de colector de 7 mA y una, corriente de base de
70 µA, lo que representa una ganancia de corriente igual a:

Si se verifica cualquier otra curva se obtiene aproximadamente el mismo

resultado: una ganancia de corriente igual a 100. Con otros transistores, la
ganancia de corriente puede ser diferente de 100, pero la forma de las curvas es
la misma. Todos los transistores tienen una zona activa, una zona de saturación y
una zona de ruptura. La zona activa es la más importante, ya que la amplificación
de señales es posible en la zona activa.
PRACTICA 3

A continuación simularemos la conexión de un transistor 2N2222, este transistor

está conectado directamente, cuando aumentamos el voltaje de la base de bebido
a la resistencia que se encuentra en ella también amentara la corriente de la base,
Sabemos que la corriente de la base abre paso a la corriente del colector
entonces entre menor sea la corriente de la base mayor será la corriente que pasa
por el colector, pero a su vez menor será el voltaje y viceversa.
Si la corriente de la base es mayor la corriente el colector es menor pero el voltaje
de colector emisor será mayor.
Para determinar la base del conector basta con aplicar la ley de Ohm I=V/R

VBB VCC IC IB VCE B0D

1 10 0.096 mA 0.333 μA 9.8 V
2 10 0.309 mA 1.1 μA 9.3 V
3 10 0.528 mA 2.2 μA 8.9 V
4 10 0.746 mA 3.1 μA 8.5 V
5 10 0.963 mA 3.5 μA 8.1 V
6 10 1.17 mA 4.4 μA 7.6 V
7 10 1.4 mA 5.32 μA 7.2 V
8 10 1.2 mA 6.2 μA 7.4 V
9 10 1.4 mA 7.1 μA 7.1 V
9.5 10 1.5 mA 8.8 μA 6.9 V
10 10 1.5 mA 8.8 μA 6.8 V
 11 10 2.2 mA 0.011 μA 5.5 V
12 10 2.4 mA 0.011 μA 5.1 V
13 10 2.6 mA 0.011 μA 4.7 V
14 10 2.8 mA 0.012 μA 4.2 V
15 10 3.05 mA 0.014 μA 3.89 V

EJEMPLO
El transistor de la figura 6-11a tiene 𝛽𝑑𝑐 = 300 calcule 𝐼ᴃ , 𝐼𝑐 , 𝑉𝑐𝜀 𝑦 𝑃𝐷
Solución
La figura 6-11b muestra el mismo circuito con masas .La corriente de la base es igual a:
𝑉ᴃᴃ − 𝑉ᴃ𝜀 10𝑉 − 0.7𝑉
𝐼ᴃ = = = 9.3𝜇𝐴
𝑅ᴃ 1𝑀ῼ

La corriente de colector es:

𝐼𝑐 = 𝛽𝑑𝑐 𝐼ᴃ = (300)(9.3𝜇𝐴) = 2.79𝑚𝐴
La tensión colector emisor vale:
𝑉𝑐𝜀 = 𝑉𝑐𝑐 − 𝐼𝑐𝑅𝑐 = 10𝑣 − (2.79𝑚𝐴)(2𝐾ῼ) = 4.42𝑣

La potencia disipada en el colector es:

𝑃𝐷 = 𝑉𝑐𝜖 𝐼𝑐 = (4.42𝑉)(2.79𝑚𝐴) = 12.3𝑚𝑊
CUANDO LA FUENTE DE TENSION DEL COLECTOR Y DE LA BASE SON IGUALES,
COMO EN LA FIGURA 6-11b NORMALMENTE VEREMOS EL CIRCUITO
SIMPLIFICADO COMO EN LA FIGURA 6-11C.
EJEMPLO 6-6
SIMULACION calcular la ganancia de corriente del 2N4424
SOLUCION
Primero, se obtiene la ganancia de corriente
10𝑉 − 𝑜. 7𝑉
𝐼ᴃ = = 28.2𝜇𝐴
330𝑘ῼ

Después, se necesita la corriente de colector. Como el multímetro indica una tensión

colector emisor de 5.45V.
La tensión a traves de la resistencia del colector es
𝑉 = 10𝑉 − 5.45𝑉 = 4.55𝑉
Como la corriente del colector fluye hacia la resistencia de colector podemos utilizar la ley
de Ohm para calcular la corriente de colector
4.55𝑉
𝐼𝑐 = = 9.68𝑚𝐴
470ῼ
Ahora podemos calcular la ganancia de corriente
9.68𝑚𝐴
𝛽𝑑𝑐 = = 343
28.2𝜇𝐴
El 2N4424 es un ejemplo de transistor con una alta ganancia de corriente. El margen
típico de βdc para transistores de pequeña señal es de 100 a 300.
APROXIMACIONES DE LOS TRANSISTORES

APROXIMACIÓN IDEAL
La Figura 6-13b muestra la aproximación ideal de un transistor. Nos imaginamos el diodo
emisor como un diodo ideal. En este caso, Vᴃε es igual a cero. Esto nos permite calcular
la corriente de base fácil y rápidamente. Este circuito equivalente es a menudo útil para
detección de averías, cuando lo único que necesitamos es una aproximación estimada de
la corriente de base. Como se muestra .en la Figura 6-13b, el lado de colector del
transistor actúa como una fuente de corriente que bombea una corriente de colector de
βdc Iᴃ a través de la resistencia de colector. Por tanto, después de calcular la corriente de
base, se puede multiplicar por la ganancia de corriente para obtener la corriente de
colector.

LA SEGUNDA APROXIMACIÓN
La Figura 6- 13c muestra la segunda aproximación de un transistor. Ésta se usa más
habitualmente porque puede mejorar el análisis significativamente cuando la tensión de la
fuente de base es pequeña.
Esta vez usamos la segunda aproximación de un diodo para calcular la corriente de base.
Para transistores de silicio, esto significa que Vᴃε = 0,7 V. (Para transistores de germanio,
Vᴃε = 0,3 V.) Con la segunda aproximación, las corrientes de base y de colector será
ligeramente menores que los valores ideales.

POLARIZACIÓN POR DIVISOR DE TENSION

La Figura 8- 1 muestra el circuito de polarización más extensamente utilizado. Obsérvese
que el circuito de la base tiene un divisor de voltaje (R1 y R2) y, por eso, el circuito se
llama polarización por división de tensión.
ANÁLISIS SIMPLIFICADO

Para la detección de averías y los análisis preliminares, se usará el siguiente método: en

todos los circuitos de polarización. Por división de tensión bien diseñados, la corriente de
base es mucho menor que la corriente que atraviesa el divisor de tensión. Como la
corriente de base tiene un efecto despreciable en el divisor de tensión, podemos abrir
mentalmente la conexión entre el divisor de tensión y la base para conseguir el circuito
equivalente de la Figura 8- 1 b. En este circuito, la tensión de salida del divisor es la
siguiente:
𝑅2
𝑉ᴃᴃ = 𝑉𝑐𝑐
𝑅1 + 𝑅2
Idealmente ésta es la fuente de tensión en la base como se muestra en la figura 8-1c
Como puede apreciarse, la polarización por división de tensión es realmente una
polarización de emisor enmascarada, es decir, la Figura 8-lc es equivalente al circuito de
la Figura 8-la, de ahí que la polarización por división de tensión mantenga un valor fijo de
corriente de emisor, dando lugar a la independencia del punto Q frente a la ganancia de
corriente.
Conclusión
Después de calcular Vᴃᴃ el resto del análisis es el mismo que el visto anteriormente de
polarización de emisor en el Capítulo 7. Este es un resumen de las ecuaciones que puede
utilizar para el análisis de una polarización por divisor de tensión:
 𝑅2
𝑉ᴃᴃ = 𝑉𝑐𝑐
𝑅2 + 𝑅1

𝑉𝜀 = 𝑉ᴃᴃ − 𝑉ᴃ𝜀

𝑉𝜀
𝐼𝜀 =
𝑅𝜀

𝐼𝑐 ≈ 𝐼𝜀

𝑉𝑐 = 𝑉𝑐𝑐 − 𝐼𝑐𝑅𝑐

𝑉𝑐𝜀 = 𝑉𝑐 − 𝑉𝜀
Estas ecuaciones están basadas en las leyes de Ohm y Kirchhoff. Los pasos del análisis
son:
1. Calcular la tensión en la base Vᴃᴃ a través del divisor de tensión. Por división de
tensión.
2. Restar 0,7 V para conseguir la tensión de emisor (0,3 para el germanio).
3. Dividir por la resistencia de emisor para obtener la corriente de emisor.
4. Suponer que la comente de colector es aproximadamente igual a la corriente de
emisor.
5. Hallar la tensión de colector a tierra restando la tensión a través de la resistencia de
colector a la tensión de alimentación del colector.
6. Calcular la tensión emisor-colector restándole la tensión de emisor a la de colector.
EJEMPLO 8-1
¿Cuál es la tensión entre el colector emisor en el circuito 8-2?
Solución
La tensión en la base producida por el divisor de tensión es
2,2𝐾ῼ
𝑉ᴃᴃ = 10𝐾ῼ+2,2𝐾ῼ 10𝑉 = 1.8𝑉

Restando 0.7v obtenemos

𝑉𝜀 = 1,8𝑣 − 0,7𝑣 = 1.1𝑣
La corriente de emisor vale
 1.1𝑣
𝐼𝜀 = = 1.1𝑚𝐴
1𝑘ῼ

Ya que la corriente de colector es aproximadamente igual a la de emisor, podemos

calcular la tensión de colector a tierra como:
𝑉𝑐 = 10𝑣 − (1,1𝑚𝐴)(3.6𝐾ῼ) = 6,04𝑉

La tensión colector emisor vale

𝑉𝑐𝜀 = 6.04𝑣 − 1.1𝑣 = 4.94𝑣
En este problema aparece una cuestión importante: el cálculo de este análisis preliminar
no depende de cambios en el transistor, el colector de corriente o la temperatura. Por
tanto, el punto Q de este circuito se mantiene estable.
SIMULACION

𝐼𝑐𝑚𝑎𝑥 = 2.17𝑚𝐴
𝑉𝑐𝜀 = 𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝑅𝑐 − 𝑉𝜀 10𝑣 − 3.9 − 1.4 = 4.9𝑣
𝑉𝑝 𝑠𝑎𝑙 1.26𝑉
𝐺𝑎𝑛𝑎𝑛𝑐𝑖𝑎 = 𝑉𝑝 𝑒𝑛𝑡 𝐺= 0.5𝑉
= 2.52 ∅ = 180° 2𝑁3904

1.25𝑉
𝐺= 0.5
= 2.5 ∅ = 180° 2𝑁2222

NOTA LA GANACIA NO CAMBIA AUNQUE SON DIFERENTES TRANSISTORES.

RECTA DE CARGA Y PUNT0 PARA EL CIRCUIT0 DE POLARIZACION POR DIVISION
DE TENSION
A causa del divisor de tensión constante de la Figura 8-6, la tensión de emisor se
mantiene constante a 1,1V. Este dato se debe tener en cuenta en la exposición que se
hace a continuación.
EL PUNTO Q
En la Sección 8-1 se calculó el punto Q. A Éste le corresponde una corriente de colector
de 1,1 mA y una tensión colector-emisor de 4,94 V. Estos valores se han dibujado para
obtener el punto Q mostrado en la Figura 8-6. Como la polarización a través de un divisor
de tensión se deriva de la polarización de emisor, el punto Q es prácticamente inmune a
los cambios en la ganancia de corriente. Una forma de moverlo sobre la recta de carga
consiste en variar la resistencia de emisor. Por ejemplo, si la resistencia de emisor vale
2,2 kῼ, la corriente de colector disminuye a:
1,1𝑉
𝐼𝜀 = = 0.5𝑚𝐴
2,2𝐾ῼ

El cambio de tensión es
𝑉𝑐 = 10𝑉 − (0.5𝑚𝐴)(3,6𝐾ῼ) = 8.2𝑉
Y
𝑉𝑐𝜀 = 8.2𝑉 − 1,1𝑉 = 7.1𝑉
Por tanto, las nuevas coordenadas del punto Q serán las de QL 0,5 mA y 7,l V. Por otra
parte, si se disminuye la resistencia de emisor a 510 ῼ, la corriente de emisor aumenta a:

1.1𝑉
𝐼𝜀 = = 2.15𝑚𝐴
510ῼ

Y la tensiones cambian a:
𝑉𝑐 = 10𝑉 − (2,15𝑚𝐴)(3.6𝐾ῼ) = 2,26𝑉

Y
𝑉𝑐𝜀 = 2,26𝑉 − 1.1𝑉 = 1.16𝑉
En esta ocasión, el punto Q se eleva por la recta de carga a una nueva posición QH, de
coordenadas 2,15 mA y 1,16 V.
JFET
Para la mayoría de las aplicaciones lineales, el dispositivo más usado es el transistor
bipolar. Pero hay algunas aplicaciones lineales en las cuales el FET (que es un transistor
unipolar) es el más apropiado, ya que tiene una alta impedancia de entrada y otras
propiedades. El FET es preferido para ocupar como interruptor ya que no tiene portadores
minoritarios y por lo tanto corta más rápido ya que no tiene carga almacenada que deba
eliminar de la unión.
Hay dos tipos de transistores unipolares: JFET y MOSFET

En la figura superior izquierda se visualiza un semiconductor tipo n. El extremo inferior se

llama fuente (source) y el superior drenador (drain). La fuente de alimentación 𝑉𝐷𝐷 obliga
a los electrones libres a circular desde la fuente hacia el drenador.
En la figura superior derecha muestra la manera normal de polarizar un JFET. La tensión
de alimentación del drenador es positiva y la de la puerta negativa. Las uniones entre
cada zona p y las zonas n tienen capas de deplexión debido a que los electrones libres se
difunden desde las zonas n en las zonas p. La recombinación de los electrones libres y
los huecos crea las zonas de deplexión mostradas por las áreas sombreadas.
Corriente de puerta
En un JFET siempre polarizamos en
inversa el diodo puerta-fuente. Debido
a la polarización inversa, la corriente
de puerta IG es aproximadamente
cero, un JFET tiene una resistencia de
entrada casi infinita. Es por esto que el
JFET es tan utilizado para
circunstancias en las que se necesita
una gran impedancia ya que tiene una
resistencia de varios megaohmios.
Los electrones que circulan desde la fuente hacia el drenador deben pasar a través del
estrecho canal situado entre las dos zonas de deplexión. Cuanto más negativa sea la
tensión de puerta, más se expande la capa de deplexión y más estrecho será el canal de
conducción. Por lo tanto entre más negativa se la tensión de la puerta la corriente entre la
fuente y el drenador disminuirá.
Símbolo eléctrico
El JFET de canal n debido a que el canal entre la fuente y el drenador está hecho de
semiconductor tipo n. enseguida se muestra su símbolo:

Existe también un JFET de canal p. El símbolo eléctrico de un JFET de canal p es similar

al del JFET de canal n, excepto en que la flecha de la puerta apunta desde el canal hacia
la puerta. La acción de un JFET de canal p es complementaria, lo que significa que todas
las tensiones y corrientes están invertidas.
Característica de salida

Se muestra un JFET con tensiones de polarización normales. En este circuito, la tensión

de puerta-fuente VGs es igual a la tensi6n de alimentación de la puerta VGG, y la tensi6n
de drenador-fuente VDs es igual , a la tensi6n de alimentaci6n de drenador VDD.
JFET canal n
Corriente de drenador máxima

Si se cortocircuita la puerta con la fuente se obtiene la corriente de drenador máxima.

La Figura muestra la gráfica de corriente de drenador ID frente a tensión drenador-fuente

VDs para esta situación de cortocircuito en la puerta. La corriente de drenador se
incrementa rápidamente al principio y luego se estabiliza y se hace casi horizontal cuando
VDs es mayor que Vp.
La zona activa del JFET se localiza entre una tensión mínima Vp y una tensión máxima
VDS(max). La tensión mínima Vp se denomina tensión de estrangulamiento, y la tensión
máxima VDs(max) se llama tensión de ruptura. Entre el estrangulamiento y la ruptura, el
JFET actúa aproximadamente como una fuente de corriente con un valor de IDss con
VGS = 0.
La zona óhmica

La tensión de estrangulamiento separa las dos zonas principales de funcionamiento del

JFET. La parte casi horizontal es la zona activa. La parte casi vertical de la curva de
salida se llama zona óhmica en esta zona actúa como
resistencia donde:

Características de transferencia
La característica de transferencia de un JFET es una gráfica que representa ID frente a
VG.
Se advierte que la curva no es lineal porque la corriente aumenta rápidamente cuando
VGs se aproxima a cero.
La ecuación para esta gráfica es:
Debido a la parte que esd elevada a1 cuadrado en esta ecuación, los JFET son también
conocidos como dispositivos de ley cuadrática.

En otras palabras, cuando la tensión en la puerta es la mitad de la tensión de corte, la

corriente de drenador es un cuarto del máximo.
Tabla característica de transferencia

VGS VDS ID
0v 13.309V 3.347mA
-.5v 16.147V 1.926ma
-1V 18.233V .881mA
-1.5V 19.524V .238mA
-2V 19.994V 0.003553mA
-2.5V 19.996V 0.003553mA
-3V 19.996V 0.003553mA
-3.5V 19.996V 0.003553mA
-4V 19.996V 0.003553mA
-4.5V 19.996V 0.003553mA
-5V 19.996V 0.003553mA
POLARIZACIÓN EN LA ZONA ÓHMICA
Cuando polarizamos el JFET en la zona óhmica es equivalente a una resistencia. Cuando
lo polarizamos en la zona activa es equivalente a una fuente de corriente.

Esta es la polarización de puerta, cuando se aplica una tensión negativa en la puerta

atraves de la resistencia de polarización se crea una corriente drenadora que es menor a
Idss y cuando esta corriente circula por RD produce una tension de drenador:

La polarización de puerta es la peor forma de polarizar un JFET en la zona activa debido

a que el punto Q es demasiado inestable.
SATURACIÓN FUERTE
La polarización de puerta es ideal para la zona óhmica ya que no importa la estabilidad
del punto Q.

El límite superior de la recta de carga para corriente continua tiene una corriente de
saturación de drenador de:

Para estar seguros de que está en la zona óhmica es usar vgs=0 y:

Ejemplo 13-5
¿Cuál es la tensión de drenador de la figura?

Como vp=4v, vgs(off)=-4v antes del punto A, la tension de entrada es de -10v y el JFET
está en corte:
Vp=10V
Entre el punto A y B la tensión de entrada es de 0 v, el límite superior de la recta de carga
para la corriente continua tiene una corriente de saturación de:
10
𝐼𝐷(𝑠𝑎𝑡) = = 1𝑚𝐴
10𝐾
La resistencia ohmica vale:
4
𝑅(𝐷𝑆) = = 400𝛺
10𝑚
Por lo tanto:
400
𝑉𝑝 = 10 = .385𝑉
10𝑘 + 400
Canal n corte saturación

EJEMPLO 13-6
Dibujar la recta de carga para corriente continua y el punto Q de la figura a).
SOLUCION
El divisor de tensión produce una
tensión en la puerta de 10V
idealmente, la tensión en la
resistencia de fuentes es:
Vs=10V
La corriente de drenador vale:
10𝑉
ID=2𝐾Ω = 5𝑚𝐴

Y la tensión de drenador:
VD=30V-(5mA)(1KΩ)=25V
La tensión drenador fuente vale:
VDS=25V-10V=15V
La corriente continua de saturación es:
30𝑉
ID(sat) = 3𝐾Ω = 10𝑚𝐴
EJEMPLO 13-7
Dibujar la recta de carga para corriente continua y el punto Q de la figura a).

Solución
Idealmente, aparecen 15V en la resistencia de fuente, produciendo una corriente de
drenador de:
15𝑉
ID = 3𝐾Ω = 5𝑚𝐴

La tensión de drenador es:

VD=15V-(5mA)(1KΩ)= 10V
Amplificadores operacionales
Aunque existen algunos amplificadores operacionales para alta potencia, la mayoría son
dispositivos de baja potencia con una limitación de potencia máxima menor de un vatio.
Los amplificadores operacionales son uno de los componentes activos más básicos en los
sistemas analógicos.