TRANSISTORES BJT

(TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR)

INTRODUCCION
• BJT (Bipolar Junction Transistor)
• Los transistores de unión bipolares, son dispositivos de estado sólido
de tres terminales, núcleo de circuitos de conmutación y procesado de
señal.
• El transistor se ha convertido en el dispositivo más empleado en
electrónica, a la vez que se han ido incrementando sus capacidades de
manejar potencias y frecuencias elevadas, con gran fiabilidad. (No
existe desgaste por partes móviles).
• Los transistores son dispositivos activos con características altamente
no lineales.
FUNCIONAMIENTO TRANSISTOR BJT

El colector esta formado de

material tipo N y esta dopado de
electrones

La base es una zona muy estrecha

y esta dopada de huecos por ser
de material tipo P

El emisor esta formado de

electrones mas que el colector
pero son del mismo tamaño
En la Unión PN base-colector, hay una
zona de deplexión, al haber una zona de
deplexión hay una barrera de potencial.
Si el material es de silicio, esa barrera
de potencial es de 0,7 voltios y si fuera
germanio es de 0,3 voltios
Lo mismo ocurre con la parte inferior, la
región P de la base con la región N del
emisor
También ahí existe la zona de deplexión
con su barrera de potencial
Existe también la fabricación
de diodos PNP
Se observa que el tamaño del
colector, el tamaño del emisor
y el tamaño de la base son muy
semejantes a los de un BJT NPN
Tienen también sus zonas de
deplexión y sus barreras de
potencial
En este caso la región P del colector esta
dopada en su mayoría de huecos
La región N de la base esta dopada de
electrones, la cual es muy estrecha
La región P del emisor esta dopada de
huecos en su mayoría, cabe mencionar
que se nota la cantidad de huecos del
emisor, no es mucho mayor a la cantidad
de huecos del colector
Si en un BJT NPN existen 2 uniones
PN, nos imaginamos que hay un
diodo entre la base y el colector y un
diodo entre la base y el emisor .

Cuando se estudia los diodos

sabemos que una zona P siempre iba
a ser el ánodo y una región de la
parte negativa iba a ser el cátodo del
diodo
 Cátodo

Por esa razón, el diodo que se forma entre

la base y el colector tiene esta forma, es
decir la fecha del diodo apunta hacia arriba
ánodo

El diodo que se forma entre la región P y la

región N, tiene la siguiente forma, debido
Cátodo que el catodo esta en la parte inferior y el
anodo sigue estando en la BASE
En el caso de la región PNP, se observa como
van los diodos
La región P que aporta la carga positiva va al
ánodo del diodo
La parte N que es la parte negativa va al cátodo
del diodo entre la base y el colector
 Estos diodos no son imaginarios y tiene
nombre para poder identificarlos

Diodo
colector
Diodo
emisor
Simbología del transistor
La simbología del transistor es la mostrada
En el caso del NPN, el emisor tiene una
fechita que apunta hacia afuera del
transistor eso indica que tiene un diodo que
también indica que esta apuntando hacia
afuera, esta apuntando hacia el emisor
Son esas referencia nos podemos dar cuenta
que se trata de un transistor PNP
En el caso del transistor PNP el
diodo base emisor esta
apuntando hacia dentro, hacia
la base
 FUNCIONAMIENTO BJT
En la base se conecta otra Para conocer su funcionamiento y para que
fuente de voltaje VBB y una este pueda trabajar se tiene que polarizar
resistencia delimitadora de de la siguiente manera:
corriente Rb. colector . El colector se conecta a una fuente llamada
Tienen esa nomenclatura VCC y a una resistencia delimitadora de
por estar conectadas a la corriente llamada Rc.
base Tienen esa nomenclatura debido que están
base conectadas al COLECTOR

emisor

El emisor se conecta a los polos negativos

de ambas fuentes, es decir a tierra
En el caso del colector,
vemos que el diodo
colector, su catodo esta
conectado al polo positivo
de la fuente VCC, lo cual
indica que el diodo esta
polarizado en inversa
No de debe de perder de vista los 2 diodos
interconectados al interior
Fijarse como se encuentra conectado el diodo
del emisor en base a la fuente VBB, pues el
cátodo de ese diodo esta conectado al cátodo
del negativo de la fuente, mientras que el
ánodo esta conectado al positivo de la fuente,
lo cual quiere decir que el diodo del emisor
esta polarizado en directo
Cuando la fuente de voltaje VBB supera la barrera
de potencial de 0,7 V, para el caso de un transistor
de sicilio el diodo del emisor se encuentra
polarizado en directa, pero observen que la zona
P, la cual esta débilmente dopada de huecos tiene
2 propósitos fundamentales:
Unos cuantos electrones libre del
emisor atraviesan la zona de
deplexión, estos entran a la base y se
recombinan con los pocos huecos que
hay, fluirán atraves de la resistencia Rb,
como electrones de valencia, hasta el
terminal positivo de la fuente VBB.
 Corriente
producida

Como estos electrones son unos

cuantos debido a lo débil que se
encuentra dopada la región P de la
base, la corriente producida, la
dirección de los electrones, el flujo de
los electrones es opuesta a la
dirección de la corriente convencional

Flujo de los electrones

otros electrones de la región N del
emisor entran a la base pero como ya
no tienen huecos con que
recombinarse
Se iran hacia el colector, por
lo tanto sus electrones
libres provenientes del
emisor, tienen un tiempo
de vida largo en la estrecha
región de la base, es decir
que dichos electrones
recorren una distancia muy
corta para alcanzar al
colector
El colector obedece su nombre a que
recolecta la mayor parte de los
electrones de la base que provienen del
emisor y el emisor obedece su nombre
quien emite los electrones a la base
para que estos sean colectados
Pero en el colector hay mas electrones
libres
Los electrones del colector se ven atraídos por
el terminal positivo de la fuente VCC, lo cual
indica que las cargas de signo contrario se
atraen, por eso la fuente VCC es la que se
encarga de atraer todos los electrones del
colector y entonces existe la presencia de una
nueva corriente.
A esa nueva corriente la llamamos corriente
de colector Ic.
Los electrones que fluyen en la primera
malla que forman la corriente de la base
denotada por Ib, son mucho menos que
la cantidad de electrones que fluyen por
la corriente del colector, eso hace
suponer que la corriente del colector es
mucho mayor a la corriente de la base
Notese el grueso de la líneas del sentido
de la corriente convencional
Al cambiar de esquema y poner el símbolo
del transistor no cambia en nada lo que se
visto antes.
Recordar la ley de corrientes de Kirchhoff que
dice que : la suma de todas las corrientes que
entren a un punto o a una unión es igual a la
suma de todas las corrientes que salen de ese
punto o unión.
Observamos la corriente del colector llega al
transistor, a la vez que hace lo propio la
corriente de base llegan a unirse, por lo tanto
por el emisor sale la suma de estas 2
corrientes es decir :
IE = IC + IB
La corriente de la base es muy
pequeña en comparación con la
corriente del colector
IB << IC
Si nosotros vemos el tamaño del
colector de la zona dopada y el
tamaño del emisor, podemos darnos
cuenta que es prácticamente la
misma, solo que el emisor esta mas
ligeramente dopado de electrones lo
cual podemos decir que :

IC ≈ IE
Ahora vemos un transistor PNP
En una unión PNP sucede exactamente los
mismo, pero como la región P esta dopada de
huecos en su mayoría son cargas positivas la
región N de electrones y el emisor también de
huecos.
Para poder hacer operar al transistor BJT
Para poder hacer operar al
transistor BJT PNP, pues
simplemente las fuentes se voltean
cambiando su polaridad
Al voltear la fuentes cambian su polaridad
la parte negativa de la fuente VCC con la
parte tipo P que son huecos que la
mayoría son positivos y el diodo esta
polarizado en inversa
La terminal negativa de la fuente VBB esta
polarizando al diodo emisor en directa
El sentido de las corrientes fluyen en
sentido contrario
Se sigue cumpliendo las mismas
condiciones
I E = IC + I B
Un transistor BJT NPN es igual a
un transistor PNP, la diferencia
es como se encuentran
conectados sus diodos
interiormente, debido al dopaje
de las regiones de cada
transistor
Debido que el emisor es la
fuente de los electrones por lo
tanto la corriente de emisor es
la corriente mas grande por eso
la línea es mas gruesa
La mayor parte del flujo de
electrones del emisor llega al
colector por lo que la corriente
del colector, es prácticamente
igual a la corriente del emisor,
en comparación con la corriente
de base que es pequeña.
Lo mismo ocurre con el
transistor PNP, apreciamos el
sentido de las corrientes
siempre y cuando hayamos
polarizado adecuadamente
esas fuente de voltaje, esa
seria la dirección
convencional de las
corrientes.
Las fechas de color azul seria el flujo de
los electrones

Aproximadamente menos del 1%

de los electrones del emisor se
recombinan con los huecos de la
base
GANANCIA DE CORRIENTE CD
Al hablar de ganancia se habla
que el dispositivo semiconductor
funciona como un
AMPLIFICADOR, porque la
ganancia en electrónica es
sinónimo de amplificación.
Al tener una corriente en la base,
a la salida voy a tener esa misma
corriente multiplicada por un
factor y ese factor se llama
FACTOR DE AMPLIFICACION
 En el transistor BJT NPN se le llama
ganancia β de corriente directa

Eso quiere decir que una corriente de base pequeña

va a controlar una corriente de colector mucho mas
grande
Los transistores de baja potencia generalmente >1
Watt, normalmente tienen una ganancia entre 100 y
300, es decir la β cd esta comprendida entre 100 y
300
Los los transistores de alta potencia < 1 watt
normalmente tienen una ganancia entre 20 y 100
Podemos darnos cuenta que la ganancia no
tiene unidades porque esta haciendo la
relación en Amp. Por eso simplemente es un
factor.
  hFE (Ganancia estatica de
corriente en emisor comun)

hFE es un parámetro equivalente

EL α es Un parámetro no tan usado y es
el resultado de la relación entre IC y IE
Antes se había mencionado que la IC es
prácticamente igual a IE , pues α tiene
valor < 1, se relaciona porque la
corriente que circula en la base es
producto de los electrones de valencia,
esos electrones se recombinan con los
pocos huecos que hay en la base
Diodo polarizado Al conectar la fuente
en directa existe la presencia de IB
que es muy pequeña
Revisando este modelo la
corriente que se amplifica
es la corriente de base
Al encontrar Ic no podemos dar
cuenta que el resultado es :
β veces la corriente de base
FORMAS DE CONECTAR UN
TRANSISTOR
La resistencia RB tiene conectado
la fuente VBB y del otro lado la
base del transistor
La resistencia RC se conecta la
colector y también a la fuente
VCC
Las 2 fuentes tienen en común la
tierra de donde sale el emisor
Tienen que cerrarse los circuitos
de las mallas
Las tierras están conectadas al
emisor, de ello viene el nombre
de EMISOR COMUN
Las corrientes del circuito son :
IB, IC , IE
Los voltajes que vamos a encontrar son :
Entre la base y el emisor VBE la polarización
se debe a la dirección de la corriente

Entre el colector y el emisor VCE la

polarización se debe a la dirección de la
corriente

Entre el colector y la base VCB la polarización

se debe a la dirección de la corriente de base
y al del colector con el diodo polarizado en
inversa