TRANSISTOR BIPOLAR (BJT)

1) Estructura, generalidades y modos de operación.

El transistor bipolar o transistor de unión (BJT, Bipolar Junction Transistor) es un dispositivo
semiconductor utilizado como elemento activo en circuitos discretos y también en estructuras
integradas diversas. Está constituido por dos uniones PN contiguas, dando lugar a dos tipos de
transistores, NPN y PNP.

La técnica utilizada en la fabricación de transistores bipolares es la de difusión planar epitaxial

(figura 1), a partir de un sustrato de material semiconductor altamente dopado (en este caso, tipo
N). Por crecimiento del sustrato se produce una capa tipo N (COLECTOR) y sobre esta, mediante
los correspondientes procesos de difusión de impurezas aceptoras y donadoras, sendas capas P y N,
que constituyen los terminales de BASE y EMISOR, respectivamente. Se ha construido, así, un
transistor NPN (base tipo P y emisor y colector tipo N), mientras que utilizando un sustrato P e
invirtiendo los procesos de difusión de impurezas resulta un transistor PNP (base tipo N y emisor y
colector tipo P).

Por tanto, con respecto a la base, como región intermedia común, las regiones de emisor y colector
constituyen sendas uniones PN, tal como se representa esquemáticamente en la figura 1 para un
transistor NPN. Debe observarse que el transistor no se comportará de forma simétrica respecto de
los terminales de emisor y colector, puesto que el emisor está mucho más impurificado que la base
y esta más que el colector, con lo cual, emisor y colector no son intercambiables.

En la misma figura, se muestra también la representación simbólica de los transistores NPN y PNP,
donde la flecha de emisor indica el sentido real de corriente en ese terminal. En una estructura
electrónica, las corrientes se definen, normalmente, entrando por los nudos terminales, de modo que
el signo positivo o negativo de sus valores denota sentidos reales entrando o saliendo,
respectivamente, del terminal correspondiente. De este modo, la suma de las corrientes de emisor,
base y colector de un transistor será nula, consecuentemente con la primera ley de Kirchoff.

Figura 1

Dependiendo del tipo de polaridad de las dos uniones PN (directa o inversa), resultan los cuatro
modos de funcionamiento posibles del transistor que aparecen reflejados en la siguiente tabla. Dada
la oposición de polaridad, los resultados correspondientes a un transistor NPN, en cada uno de los
modos de operación, serán directamente extrapolables a un PNP sin más que cambiar los signos de
las tensiones en las uniones y, por tanto, de las corrientes en los terminales.

Depósito Legal Z-1748-2005, ISBN: 84-96214-54-0

Fundamentos de Electrónica – Grado de Ingeniería Electrónica y Automática

MODOS DE FUNCIONAMIENTO Tipo NPN Tipo PNP

MODO ACTIVO. Unión EB en directa y CB en inversa: VEB<0, VCB>0 VEB>0, VCB<0
MODO DE SATURACIÓN. Uniones EB y CB en directa: VEB<0, VCB<0 VEB>0, VCB>0
MODO DE CORTE. Uniones EB y CB en inversa: VEB>0, VCB>0 VEB<0, VCB<0
MODO INVERSO. Unión EB en inversa y CB en directa: VEB>0, VCB<0 VEB<0, VCB>0

2) Estudio de cada uno de los modos de operación.

Este estudio, para un transistor NPN, se aborda de forma directa a partir del análisis cualitativo
llevado a cabo en la unión PN, para ambos modos de polarización, y de las conclusiones obtenidas.

A) Modo activo.

a1) Planteamiento básico. Este es el modo típico de funcionamiento del transistor en aplicaciones
lineales y opera con la unión emisor-base en polarización directa y la unión colector-base en
polarización inversa, de modo que para un transistor NPN, VEB<0, VCB>0.

a2) Mecanismos de generación de corriente (figura 2, donde se representan flujos de portadores).

Puesto que la unión emisor-base se encuentra directamente polarizada, la corriente generada en la
misma está asociada a la difusión de electrones del emisor a la base y de huecos de la base al
emisor, a través de la muy estrecha capa de carga espacial, L1. Sin embargo, dado que el emisor está
mucho más impurificado que la base, de esos dos procesos de difusión predominará claramente el
de inyección de electrones en la base, por lo que este proceso constituye la componente
prácticamente total de la corriente asociada a dicha unión.

En cuanto a la corriente generada en la unión colector-base, inversamente polarizada, está asociada

a la deriva de portadores del lado en que son minoritarios al lado en que son mayoritarios, es decir,
de electrones de la base al colector y de huecos del colector a la base, a través de la ancha capa de
carga espacial, L2. Esta corriente será del todo despreciable al tener su origen en una unión PN en
inversa. Por otra parte, en la construcción tecnológica del transistor la región de base se hace muy
estrecha, por lo que los electrones inyectados por el emisor se difunden a lo largo de la misma
prácticamente sin recombinarse y al alcanzar la capa de carga espacial de la unión colector-base son
inyectados por el campo eléctrico en la capa (dirigido de N a P) hacia la región de colector.

Figura 2

2 Depósito Legal Z-1748-2005, ISBN: 84-96214-54-0

 Tema 5. Transistor bipolar (BJT)

a3) Resultados sobre las corrientes. Puesto que la práctica totalidad de la corriente generada en la
unión emisor-base, directamente polarizada, alcanza el colector, y dado que la corriente generada en
la unión colector-base resulta despreciable al tener un carácter inverso, se deduce que las corrientes
de emisor y colector serán prácticamente coincidentes (algo mayor la primera que la segunda, IE>IC,
por el pequeño efecto de recombinación en la base) y con sentidos reales de salida y entrada,
respectivamente, tal como se indica en la figura 2. En definitiva, la corriente longitudinal por el
transistor está asociada al flujo de electrones inyectados por el emisor y que alcanza el colector.

En consecuencia, la verificación de la primera ley de Kirchoff determina que la corriente de base,

diferencia entre las de emisor y colector, IB=IE-IC, sea muy inferior a estas, donde esa corriente de
base, con sentido de entrada, corresponde a una inyección de huecos que compense, por una parte,
la diferencia de flujos de esos portadores de base a emisor y de colector a base (figura 2) y, por otra,
los que se recombinan en la base con una parte de los electrones inyectados en esta por el emisor.

a4) Formalización de resultados de las corrientes. De acuerdo con el análisis previo, la corriente
de emisor, IE, corresponde a la generada en la unión emisor-base directamente polarizada, mientras
que la corriente de colector, IC, está asociada a la inyectada por el emisor, αIE (α<1), y a una muy
pequeña componente inversa, ICO, generada en la unión colector-base inversamente polarizada, de
modo que, de acuerdo con los sentidos reales de la figura 2, resulta:
 qVKTBE  qVBE

I E  I ES  e 
 1  I ES e KT ; I C  I E  I CO  I E  I E
 

En esta expresión, el parámetro α representa el factor de la corriente generada en la unión

emisor-base que llega al colector y su valor es muy próximo a la unidad (normalmente, superior
a 0,99), evidenciando la eficiencia de inyección del emisor en el colector, tanto mayor cuanto más
estrecha sea la base. El parámetro ICO representa la corriente inversa de colector con el emisor en
circuito abierto (IE=0), de modo que su valor resulta del todo despreciable (del orden de nA en Si),
aunque, como corriente inversa, se incrementa fuertemente con la temperatura.

Por lo que respecta a la corriente de base, e introduciendo el parámetro β=α/(1-α), cuyos valores
típicos serán muy elevados dado que el factor de inyección α es muy próximo a la unidad, se
expresará de la siguiente forma:

I C  I CO 1 I CO IC  1 I I
I B  I E  IC   IC  IC    I CO  C  I CO  C
      

Una representación funcional de las corrientes en modo activo, con sus sentidos reales, para los
transistores NPN y PNP se indica en la figura 3.

Figura 3

Depósito Legal Z-1748-2005, ISBN: 84-96214-54-0 3

Fundamentos de Electrónica – Grado de Ingeniería Electrónica y Automática

Las expresiones de las corrientes terminales, consecuentes con el análisis cualitativo previo, indican
que, en modo activo, las corrientes de emisor y colector son prácticamente coincidentes mientras
que la de base, dado el muy elevado valor del factor β, constituye una pequeña fracción de las
primeras, pudiendo despreciarse en muchos casos. No obstante, pequeñas variaciones de la
corriente de base, al resultar multiplicadas por β, causan variaciones drásticas en la corriente de
emisor y colector y, en este sentido, se puede hablar del transistor bipolar como dispositivo
controlado por la corriente de base.

a5) Resultados sobre las tensiones. Dada la polarización directa de la unión emisor-base, VEB<0, e
inversa de la unión colector-base, VCB>0, se tiene el siguiente resultado sobre la muy significativa
tensión colector-emisor:
VCE  VCB  V BE  V BE  0.7V

En consecuencia, la tensión colector-emisor en modo activo resulta superior a la de la unión PN

base-emisor directamente polarizada.

B) Modo de saturación.

b1) Planteamiento básico. Este es el modo típico de funcionamiento del transistor en uno de los
dos estados extremos (saturación y corte), en correspondencia con aplicaciones no lineales, y opera
con las dos uniones en polarización directa, de modo que para un transistor NPN, VEB<0, VCB<0.

b2) Mecanismos de generación de corriente (figura 4, donde se representan flujos de portadores).

Dado que la unión emisor-base está directamente polarizada, la corriente generada está asociada a
la difusión de electrones del emisor a la base y de huecos de la base al emisor, aunque
predominando totalmente la primera debido a que el emisor se encuentra mucho más impurificado
que la base. Puesto que la unión colector-base también se polariza en directo, la corriente generada
está asociada a la difusión de electrones del colector a la base y de huecos de la base al colector,
pero predominando esta última dada la mayor impurificación de la base.

Suponiendo que no se producen procesos de recombinación en la base, dada su pequeña anchura, el

flujo de electrones generado en cada una de las dos uniones llegará a la otra, tal como se indica en
la figura 4.

Figura 4

4 Depósito Legal Z-1748-2005, ISBN: 84-96214-54-0

 Tema 5. Transistor bipolar (BJT)

b3) Resultados sobre las corrientes. Como puede observarse, a la corriente inyectada por el
emisor en el colector, responsable prácticamente única de la corriente de colector en modo activo,
se opone ahora la generada en la unión colector-base, de modo que el resultado importante es que
las corrientes generadas en las dos uniones, de magnitud significativa al tener un carácter directo, se
contraponen. No obstante, la propia operación del transistor determina que la corriente generada en
la unión emisor-base sea superior a la generada en la unión colector-base, lo que queda
fundamentado por la mayor impurificación del emisor sobre el colector. Esto supone que la
polarización directa de la unión emisor-base sea mayor que la de colector-base (VBE>VBC). En
consecuencia, aunque en saturación las corrientes de emisor y colector mantienen sus sentidos de
modo activo, sus valores disminuyen, en principio, respecto de este último. En cuanto a la corriente
de base, a la componente de inyección de huecos en el emisor, propia del modo activo, hay que
añadir ahora la de colector, mientras que a la componente de inyección de huecos que compense los
que se recombinan en la base con una parte de los electrones inyectados en esta por el emisor, típica
del modo activo, hay que incluir ahora esa misma acción respecto de los electrones procedentes del
colector. Por tanto, la corriente de base se incrementa, en principio, respecto del modo activo.

b4) Formalización de las corrientes. De acuerdo con todo lo anterior y estableciendo la

comparación con el modo activo, resulta que, aun manteniendo los sentidos reales (figura 4), la
corriente de colector disminuye y la de base se incrementa. Por ello, si la relación en modo activo se
expresa de la forma IB=IC/β, en saturación pasará a ser IB>IC/β.

b5) Resultados sobre las tensiones. Dada la polarización directa de la unión emisor-base, VEB<0, y
también de la unión colector-base, VCB<0, se tiene el siguiente resultado sobre la muy significativa
tensión colector-emisor:
VCE  VCB  V BE  V BC  V BE  V BE  0.7V

En consecuencia, la tensión colector-emisor en saturación resulta inferior a la de la unión PN

base-emisor directamente polarizada. Llegados a este punto, debe hacerse notar que en la medida en
que la unión colector-base, en principio menos polarizada en sentido directo que la emisor-base
(VBC<VBE), tienda a polarizarse al mismo nivel que esta última, lo que significa que la tensión
colector-emisor tienda a cero, y dado que las corrientes directas generadas en ambas uniones se
contraponen, el resultado es que la corriente de colector tiende a anularse:
V BC  V BE  VCE   V BC  V BE   0 ; I C  0

C) Modo de corte.
Con el de saturación, constituye uno de los dos modos extremos de funcionamiento. En este caso,
las dos uniones, emisor-base y colector-base, se encuentran inversamente polarizadas (VBE<0 y
VBC<0, para un transistor NPN), de modo que las corrientes generadas en ellas son prácticamente
nulas y, por consiguiente, las corrientes terminales de emisor, colector y base resultan totalmente
despreciables.

D) Modo inverso.
En este caso, la unión emisor-base está polarizada inversamente, mientras que la unión
colector-base lo está en directo. Se trata de la situación contraria al modo activo y corresponde a
intercambiar las funciones de emisor y colector, lo que en modo alguno es equivalente, dado que el
colector, al estar mucho menos impurificado que el emisor, tiene una posibilidad de inyección muy
inferior a la de este, con lo que el modo inverso no presenta interés práctico alguno.

Depósito Legal Z-1748-2005, ISBN: 84-96214-54-0 5

Fundamentos de Electrónica – Grado de Ingeniería Electrónica y Automática

3) Curvas características.
Las curvas características definen el comportamiento en régimen permanente de continua del
transistor, como en todo componente electrónico, y son dadas por el fabricante para cada tipo
concreto. No obstante, es posible representarlas genéricamente y realizar una interpretación
cualitativa en base al análisis efectuado anteriormente de cada uno de los modos de operación.
En este sentido, de acuerdo con el terminal elegido como referencia (emisor, base o colector),
resultan sendas representaciones cuadrupolares, una de entrada y otra de salida, aunque en realidad
todas ellas son equivalentes, en el sentido de explicar el comportamiento propio del transistor.
Así, tomando como referencia el emisor (figura 5), resultan las curvas características de las
figuras 6 y 7, para un transistor NPN.

Las curvas IB(VBE) de la unión base-emisor (figura 6) son las típicas de un diodo, observándose, en
consecuencia, el muy rápido crecimiento de la corriente de base con la tensión base-emisor en
modo activo (VBE>0). En este sentido, siempre que el transistor conduce, lo que sucede en los
modos activo y de saturación, la unión PN base-emisor, en la que se genera la corriente principal
del transistor, debe estar polarizada en sentido directo.

Las curvas IC(VCE;IB) de la figura 7, tomando como parámetro la corriente de base, IB, son las más
típicas y representativas del transistor y ponen de manifiesto su funcionamiento en los tres modos
de operación (corte, activo y saturación), consecuentemente con el análisis cualitativo de estos
efectuado anteriormente.

Figura 5 Figura 6 Figura 7

A continuación, se interpretan esas curvas en los tres modos esenciales de operación.

A) Modo de corte.

De acuerdo con la expresión de la corriente de base del transistor:

IC
IB   I CO ; I B  0 : I C   I CO  0


Si dicha corriente es nula, la corriente de colector resulta prácticamente nula, dado que, a pesar de
que el parámetro β sea elevado, la corriente ICO, generada en la unión colector-base inversamente
polarizada, es del todo despreciable (del orden de nA en Si). Consecuentemente, el transistor se
encuentra en el estado de corte.

6 Depósito Legal Z-1748-2005, ISBN: 84-96214-54-0

 Tema 5. Transistor bipolar (BJT)

De este modo, dadas las curvas características IB(VBE) de la figura 6, la condición de conducción
del transistor, tanto en activo como en saturación, está asociada a una polarización directa de la
unión emisor-base, lo que significa que, típicamente, VBE≈0,7V.

B) Modo activo.

En este caso, la unión emisor-base está polarizada en directo (VBE>0) y la unión colector-base en
inverso (VCB>0), y, consecuentemente, la tensión colector-emisor resulta mayor que la de la unión
base-emisor directamente polarizada, VCE>VBE≈0,7V.

En este caso, tal como se indica en las curvas características de la figura 7, para cada valor de la
corriente de base, IB, la corriente de colector, IC, resulta poco dependiente de la tensión colector-
emisor y la relación entre ambas corrientes depende del parámetro β del transistor, (IC/IB)=β. Sin
embargo, al aumentar la tensión colector-emisor aumenta, de la misma manera, la tensión de la
unión colector-base inversamente polarizada y, por tanto, la anchura, L2, de la correspondiente capa
de carga espacial (figura 2). Esto supone un estrechamiento de la región de base (EFECTO DE
MODULACIÓN DE LA ANCHURA DE BASE), incrementando la eficiencia de inyección del
emisor en colector. Este efecto se traduce en un aumento del parámetro α y, por tanto, del
parámetro β, lo que explica el moderado incremento de IC con VCE en la región activa.

Por todo ello, se identifica el modo activo, tanto en tensiones como en corrientes, como asociado a
la zona cuasi plana de las curvas características de la figura 7, de forma totalmente consecuente con
el análisis cualitativo realizado con anterioridad.

C) Modo de saturación.

En este caso, las uniones emisor-base y colector-base están polarizadas en directo, VBE>0, VBC>0,
de modo que la tensión colector-emisor resulta menor que la de la unión base-emisor directamente
polarizada, VCE<VBE≈0,7V. En estas condiciones, de acuerdo con la figura 7, para cada valor de la
corriente de base, IB, la corriente de colector, IC, disminuye con respecto al modo activo, de modo
que (IC/IB)<β. Cabe observar, por otra parte, que, para un valor fijo de la corriente de colector, la
tensión colector-emisor es tanto menor cuanto mayor sea la corriente de base, lo que significa una
saturación más profunda.

Por todo ello, se explica el modo de saturación, tanto en tensiones como en corrientes, como
asociado a la zona de fuerte variación de la corriente de las curvas características de la figura 7, en
total consonancia con el análisis cualitativo llevado a cabo previamente.

De acuerdo con todos estos resultados, los modos de operación del transistor se pueden
esquematizar funcionalmente por las siguientes relaciones para un NPN:

 MODO DE CORTE: VBE<0,7V, (IB, IC, IE)≈0

 MODO ACTIVO: VBE≈0,7V, VCE>0,7V, IE≈IC, IB=IC/ β
 MODO DE SATURACIÓN: VBE≈0,7V, VCE<0,7V, IB>IC/ β

En el caso de un PNP, basta invertir la polaridad de las tensiones y el sentido de las corrientes
terminales.

Depósito Legal Z-1748-2005, ISBN: 84-96214-54-0 7

Fundamentos de Electrónica – Grado de Ingeniería Electrónica y Automática

4) Limitaciones de operación.
La propia estructura del transistor, constituida por dos uniones PN, emisor-base y colector-base, tal
como se indica en la figura 8 referida al modo activo, evidencia la existencia de limitaciones
inherentes a los valores máximos de las tensiones y corrientes en esas uniones (corriente máxima en
polarización directa y tensión máxima en inversa, coincidente esta última con la de ruptura inversa).
Los valores límite más significativos se representan en la figura 9, donde dichos valores son dados
por el fabricante para cada tipo de transistor.

Figura 8

 En el estado de conducción, la polarización directa de la unión emisor-base impone un límite a la

corriente de emisor a través de ella (figura 8), lo que determina valores máximos de la corriente
de base y, fundamentalmente, de la de colector, (IC)MÁX, tal como se indica en la figura 9.

 Asimismo, también deberá limitarse la tensión inversa de la unión colector-base en modo activo
o corte (figura 8), a fin de evitar su ruptura por avalancha o perforación (esta se comentará con
posterioridad), lo que conduce a un valor máximo de la tensión colector-emisor, (VCE)MÁX, tal
como se representa en la figura 9.

 Por otra parte, dado que la base se construye muy estrecha para minimizar la recombinación en
la misma y optimizar la eficiencia de inyección de emisor en colector, aproximando así el
parámetro α a la unidad, la tensión de ruptura inversa de la unión emisor-base es de solo unos
pocos voltios (típicamente, inferior a 10V en todo tipo de transistores), lo que debe tenerse
presente en la situación de no conducción o corte (VBE≤0). Los valores máximos de las tensiones
inversas emisor-base y colector-base suelen especificarse por el fabricante con el otro terminal
en circuito abierto, designándose por VEBO y VCBO, respectivamente.

 Además de las tensiones y corrientes, también existe un límite de potencia que puede disipar el
transistor. En este sentido, la potencia disipada se expresará como la suma de las
correspondientes a ambas uniones, por lo que en los modos de conducción, activo (figura 8) y de
saturación, resulta:
P  I C VCB  I EV BE  I C VCB  V BE   I C VCE  PMÁX

De este modo, en la representación de las curvas características IC(VCE;IB) de la figura 9, la zona de

operación segura del transistor (SOA: safe operating area) está limitada por la hipérbola de
máxima disipación de potencia, PMÁX, y las rectas correspondientes a los valores máximos de la
corriente de colector, (IC)MÁX, y de la tensión colector-emisor, (VCE)MÁX.

8 Depósito Legal Z-1748-2005, ISBN: 84-96214-54-0

 Tema 5. Transistor bipolar (BJT)

Figura 9

Estas magnitudes permiten una clasificación muy esquemática de los transistores bipolares:
a) Transistores de pequeña señal. En estos, la máxima tensión colector-emisor es del
orden de unas pocas decenas de voltios y los valores máximos de la corriente de
colector y de la potencia resultan inferiores a 0,5A y 0,5W, respectivamente. Sin
embargo, el factor β es muy elevado, con valores típicos entre 300 y 400.

b) Transistores de cierta potencia. En estos, la tensión colector-emisor máxima puede

ser de decenas de voltios, mientras que la corriente de colector y la potencia pueden
alcanzar valores máximos de algunos amperios y vatios, respectivamente, aunque
deben utilizarse con adecuados disipadores térmicos.

Dada la estructura del transistor, la tensión colector-emisor es soportada por la unión colector-base
inversamente polarizada, con lo cual, cuanto más elevada sea esa tensión mayor será la anchura de
la capa de carga espacial de esa unión, L2, con la consiguiente penetración en la región de base
(figura 8). De este modo, la base puede llegar a anularse, produciendo la destrucción del transistor
(efecto conocido con el nombre de PERFORACIÓN).

Consecuentemente con lo anterior, los transistores de cierta potencia, que deben soportar tensiones
colector-emisor algo elevadas en situación de no conducción o corte, se construyen con la región de
base relativamente ancha. Esto supone una menor eficiencia de inyección del emisor en colector en
el estado de conducción, con la consiguiente disminución del parámetro α y, por tanto, de β.
Por esta razón, los transistores de alguna potencia presentan valores de β relativamente pequeños,
típicamente inferiores a 100.

Cuando se requieren valores de β superiores, se puede utilizar una estructura compuesta de dos
transistores denominada PAR DARLINGTON (figura 10), en la que el factor β resultante,
producto de los correspondientes a cada uno de los dos transistores, presenta valores típicos del
orden o superior a 1000.
C IC

B IC
β1   1  2
IB
IB β2

E
Figura 10

Depósito Legal Z-1748-2005, ISBN: 84-96214-54-0 9

Fundamentos de Electrónica – Grado de Ingeniería Electrónica y Automática

5) Fototransistor.
Análogamente a un fotodiodo, el fototransistor es un dispositivo semiconductor de excitación
luminosa aunque capaz de generar corrientes bastante mayores que aquel. El fototransistor, cuya
representación simbólica se muestra en la figura 11, se utiliza normalmente con la base en circuito
abierto por lo que, en ausencia de iluminación, su modo de operación será el de corte, pues, con
IB=0, la corriente de colector, IC=βICO, resulta despreciable.

Figura 11 Figura 12 Figura 13

Si se aplica una radiación luminosa en el colector del transistor, se genera, análogamente que en un
fotodiodo, una corriente inversa, IL, tanto mayor cuanto mayor sea la iluminación, que se adiciona a
la corriente ICO (figura 12), de modo que la corriente de colector se expresará de la siguiente forma:

I CO  I CO  I L  I C   I CO  I L    I L

Por consiguiente, la corriente primaria generada por radiación luminosa en la unión colector-base,
IL, análogamente a un fotodiodo, resulta amplificada por el factor β, siendo esta la corriente
longitudinal del transistor con la base en circuito abierto (figura 12). Este mecanismo amplificador
constituye el principio básico de operación del fototransistor y es lo que lo distingue del fotodiodo.

La dependencia de la corriente de colector con la corriente primaria generada por radiación

luminosa, IC=βIL, es semejante a la dependencia con la corriente de base en un transistor
convencional en modo activo, IC=βIB. De este modo, las curvas características IC(VCE;IL) del
fototransistor resultan totalmente análogas a las IC(VCE;IB) de un transistor convencional, sin más
que reemplazar IB por IL, pudiendo definirse las tres regiones típicas de operación (saturación,
activa, corte), tal como se muestra en la figura 13.

A fin de aumentar la sensibilidad a la radiación luminosa, resulta muy frecuente la utilización de un

FOTOPAR DARLINGTON, cuya estructura es del mismo tipo que la correspondiente a transistores
convencionales considerada anteriormente (figura 10).

10 Depósito Legal Z-1748-2005, ISBN: 84-96214-54-0