TRANSISTOR BJT

TRANSISTOR BIPOLAR
Los transistores bipolares son de tipo NPN o PNP, ya que están formados por dos
semiconductores contaminados con impurezas de diferente polaridad. El transistor
bipolar está formado por una unión PN y por otra NP, característica que hace que un
semiconductor de determinado tipo se encuentre entre dos de tipo opuesto al primero,
como se muestra en la
figura 1. Lo que se obtiene con esta configuración es una sección que proporciona
cargas(de
huecos o de electrones) que son captadas por otra sección a través de la sección media.
El
electrodo que proporciona las cargas es el emisor y el que las recoge es el colector. La
base es la
parte de en medio y forma las dos uniones, una con el colector y otra con el emisor.
Además, la
base controla la corriente en el colector. Este tipo de transistores recibe el nombre de
transistores de unión.
Figura 1. Símbolos y diagramas de polarización para transistores de unión.

a-) PNP. b-) NPN.

- EMISOR.
La unión base-emisor se polariza en forma directa. Los valores del voltaje de
polarización más
comunes son 0.3 v para el Ge y 0.7 v para el Si.
El emisor P del transistor PNP de la figura 1a inyecta huecos a su unión con la base. La
dirección de la corriente de huecos en el emisor está señalada por la flecha que aparece
en su
símbolo. Cuando la flecha apunta hacia la base, la unión entre el emisor y ella es del
tipo PN

En el transistor de la figura 1b, el emisor inyecta electrones en la base. Por consiguiente,

para un
emisor de tipo N el símbolo es una flecha que señala en dirección contraria a la base y
opuesta
al flujo de electrones.
en los símbolos para transistores, el emisor es el único que tiene una flecha. Cuando ésta
apunta
hacia la base, el transistor es PNP; en caso contrario, el transistor es NPN. En la
práctica, todos
los transistores pequeños utilizados en amplificadores de audio y RF son de tipo NPN,
fabricados con silicio y con voltajes de polarización directa entre la base y el emisor de
0.6 v.
- COLECTOR.
La función de este electrodo es remover las cargas de su unión con la base. En la figura
1a, el
transistor PNP tiene un transistor P que recibe huecos. En el transistor NPN de la figura
1b, el
colector N recibe electrones.
La unión base-colector siempre tiene un voltaje con polarización inversa. Los valores
más
frecuentes de este voltaje varían de 4 a 100 v. La polarización inversa impide el flujo de
portadores mayoritarios del colector hacia la base. Sin embargo, en la dirección opuesta,
de la
base hacia el colector, el voltaje en este último atrae las cargas en la base que
proporciona el
emisor.
- BASE.
La base separa el colector del emisor. La unión base-emisor tiene polarización directa y,
por
tanto, la resistencia del circuito del emisor es muy baja. La unión base-colector tiene
polarización inversa y, por consiguiente, la resistencia del circuito del colector es muy
grande.
- CORRIENTE DE COLECTOR.
El requisito final para que el transistor funcione es que el circuito base-emisor controle
la
corriente del colector. El emisor tiene una contaminación considerable de impurezas con
el fin
de proporcionar portadores mayoritarios. Sin embargo, la base tiene una cantidad
pequeña de
impurezas y es muy delgada, lo cual permite que las cargas puedan moverse hacia la
unión con
el colector. El voltaje en el colector es relativamente grande. Como consecuencia de
estos
factores, prácticamente todas las cargas inyectadas a la base por el emisor circulan por
el
circuito del colector.
Es común que entre un 98% y 99% de las cargas inyectadas por el emisor formen la
corriente
del colector Ic. El restante 1% y 2% pasa a formar la corriente de base Ib.
Por ejemplo, considérense las corrientes en un transistor NPN. El emisor N inyecta
electrones
en la base P. En ella, los electrones son portadores minoritarios.
Como consecuencia de las escasas impurezas contenidas en la base, muy pocos
electrones
pueden recombinarse con los huecos de la base. Cualquier nueva combinación de cargas
en la
base genera una corriente de retorno Ib muy pequeña, que circula de la base hacia el
emisor.
En la unión base-emisor existe una concentración muy alta de electrones libres gracias a
la
polarización directa. Como resultado de lo anterior, casi todos los electrones fluyen a lo
largo de
la base hacia la unión con el colector.

El voltaje de polarización inversa del colector N es positivo. Este voltaje positivo del
colector
atrae las cargas libres, que son los electrones que se mueven de la base. Debido a lo
anterior, los
electrones que salen de la unión base-emisor avanzan hacia el colector, donde dan
origen a la
corriente Ic que circula por el circuito del colector. En un transistor PNP, la polaridad de
todos
los voltajes e invierte y la corriente Ic que circula por el electrodo colector está formada
por
huecos.
Figura 2. Corrientes Ie, Ib e Ic en los electrodos de un transistor NPN
.
Las flechas punteadas indican la dirección del flujo de electrones de
corriente I del circuito externo.
- CORRIENTE EN LOS ELECTRODOS.
El emisor de la figura 2 proporciona una corriente Ie de 10 mA. De ésta corriente, se
inyectan
9.8 mA en el circuito del colector. Esta corriente es Ic. Solo 0.2 mA, o sea 200 microA,
regresan
de la base al emisor. esta corriente es Ib. Así:
Ie = Ic + Ib
Nótese que Ie en la figura 2 está marcada como negativa con el único fin de indicar que
su
dirección es opuesta a la de Ic e Ib. Es una práctica general considerar la corriente de
huecos
que ingresa en un semiconductor como la dirección positiva de I. Dado que Ie es un
flujo de
electrones que ingresa al transistor, la dirección de esta corriente I es negativa.
Algebraicamente, los valores son:
-10 mA + 9.8 mA + 0.2 mA = 0
En términos prácticos, la fórmula establece que la suma de las corrientes de la base y el
colector
es igual a la corriente del emisor, la cual se considera como la fuente de corriente.
En transistores de potencia, los valores de Ie e Ic generalmente son del orden de
amperes. En
transistores más pequeños, estas corrientes son del orden de miliamperios, mientras que
la de la
base Ib tiene un intervalo de micro amperes. En todos los casos, Ic e Ib regresan al
emisor a
través del circuito externo, que es la fuente de las cargas.
- LA CORRIENTE DE BASE CONTROLA LA DE COLECTOR.
Cuando Ib aumenta al incrementarse el voltaje de polarización directa, las cargas
mayoritarias
que están en la base se inyectan en el colector. por consiguiente, el aumento de Ib
incrementa Ic.

El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base

(B), colector (C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla
que tiene la flecha en el gráfico de transistor.

El transistor bipolar es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si

le introducimos una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el
entregará por otra (emisor) , una cantidad mayor a ésta, en un factor que se
llama amplificación.

Este factor se llama ß (beta) y es un dato propio de cada transistor.

Entonces:
- Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a ß (factor de
amplificación) por Ib (corriente que pasa por la patilla base).
- Ic = ß * Ib
- Ie (corriente que pasa por la patilla emisor) es del mismo valor que Ic, sólo
que, la corriente en un caso entra al transistor y en el otro caso sale de él, o
viceversa.

Según la fórmula anterior las corrientes no dependen del voltaje que alimenta
el circuito (Vcc), pero en la realidad si lo hace y la corriente Ib cambia
ligeramente cuando se cambia Vcc. Ver figura.
En el segundo gráfico las corrientes de base (Ib) son ejemplos para poder
entender que a más corriente la curva es más alta.