•INNOVACION TECNOLOGICA IT5

•APLICACIONES DE ELECTRÓNICA ANALÓGICA

PRIMER CUATRIMESTRE

2 EVALUACIONES
+
80% ASISTENCIA A CLASE
+
TRABAJO GRUPAL (desafíos)
 SEGUNDO
CUATRIMESTRE

2 EVALUACIONES
+
80% ASISTENCIA A CLASE
+
TRABAJO GRUPAL (desafíos)
El transistor no polarizado
Un transistor tiene tres regiones dopadas, como se muestra en la Figura. La región inferior es el emisor, la región
intermedia es la base y la región superior es el colector.
En un transistor real, la región de la base es mucho más
estrecha comparada con las regiones de colector y de emisor
El transistor de la Figura es un dispositivo npn porque tiene
una región p entre dos regiones n. Recuerde que los portadores
mayoritarios son los electrones libres en un material de tipo n y
los huecos en un material de tipo p
Niveles de dopaje En la Figura vemos que el emisor está
fuertemente dopado. Por el contrario, la base sólo está
ligeramente dopada. El nivel de dopaje del colector es
intermedio, entre el fuerte dopaje del emisor y el ligero dopaje
de la base. Físicamente, el colector es la más ancha de las tres
regiones.
Diodos de emisor y de colector El transistor de la Figura tiene
dos uniones: una entre el emisor y la base, y otra entre el
colector y la base, por lo que un transistor es como dos diodos
en oposición. El diodo inferior es el diodo emisor-base, o
simplemente diodo de emisor. El diodo superior es el diodo
colector-base, o diodo de colector
 El transistor no polarizado

•Antes y después de la difusion

• La Figura anterior muestra las regiones del
transistor antes de que tenga lugar la difusión.
•Los electrones libres en la región n se difundirán a
través de la unión y se recombinarán con los huecos
en la región p. Imagine los electrones libres de las
regiones n atravesando la unión y recombinándose
con los huecos.
•El resultado son dos zonas de deplexión, como se
muestra en la Figura 2. En cada una de las zonas de
deplexión, la barrera de potencial es de
aproximadamente 0,7 V a 25°C para un transistor de
silicio (0,3 V a 25°C para un transistor de germanio).
•Vamos a hacer hincapié en los dispositivos de silicio
ya que ahora su uso está mucho más extendido que
el de los dispositivos de germanio.
El transistor
polarizado
•Un transistor no polarizado es
como dos diodos en oposición.
Cada diodo tiene una barrera
de potencial de
aproximadamente 0,7 V.
Cuando se conectan al
transistor fuentes de tensión
externas, circularán corrientes
a través de las distintas partes
del transistor.
Electrones
del emisor
Los signos menos representan los electrones libres. El trabajo que rea-liza
el emisor fuertemente dopado es el siguiente: emite o inyecta sus
electrones libres en la base. La base ligeramente dopada también tiene
un propósito bien definido: pasar los electrones inyectados por el emisor
al colector. El colector debe su nombre precisamente a que recolecta la
mayor parte de los electrones de la base
La fuente de la izquierda, VBB, de la Figura polariza en directa el diodo
de emisor y la fuente de la derecha, VCC, polariza en inversa el diodo de
colector. Aunque son posibles otros métodos de polarización, polarizar
en directa el diodo de emisor y en inversa el diodo de colector es el que
proporciona resultados más útiles.
Corrientes del transistor.
Comparación de las corrientes

Dado que el emisor es la fuente de los electrones, es la

corriente más grande.
La mayor parte del flujo de electrones del emisor llega al
colector, por lo que la corriente de colector es prácticamente
igual que la corriente de emisor. En comparación, la
corriente de base es muy pequeña, a menudo menor que el
1 por ciento de la corriente de colector.

Relación de corrientes
Recordemos la ley de Kirchhoff: la suma de todas
las corrientes que entran en un punto o unión es
igual a la suma de todas las corrientes que salen
del punto o unión. Cuando se aplica a un transistor
la ley de las corrientes de Kirchhoff proporciona
esta importante relación: IE= IC + IB
Puesto que la corriente de base es muy pequeña,
la corriente de colector es aproximadamente igual
a la corriente de emisor: IC = IE
Beta β
La beta de continua (simbolizada por βdc) de un transistor se define como la relación de la corriente
continua de colector y la corriente continua de base:

βdc
La beta de continua también se conoce como ganancia de corriente porque una corriente de base
pequeña controla a una corriente de colector mucho más grande

La ganancia de corriente es una importante ventaja de un transistor y ha llevado a todo tipo de

aplicaciones
En los transistores de baja potencia (menos de 1 W), la ganancia de corriente normalmente está
comprendida entre 100 y 300. Los transistores de alta potencia (por encima de 1 W) tienen usualmente
ganancias de corriente comprendidas entre 20 y 100
Emisor común
La conexión en emisor común
Vamos a centrarnos en la conexión en emisor común, ya que es la más utilizada.
El circuito tiene dos mallas: la malla de la izquierda es la malla de la base y la de la derecha es la malla de
colector
La corriente de base controla la corriente de colector

Todo lo que hay que recordar para la segunda

aproximación es que VBE es 0,7 V
 Practicando………..

Simulamos circuito anterior, comparamos resultados y sacamos conclusiones en grupo.

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