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Capítulo 14
Transistor Bipolar
Capítulo 14 Transistor Bipolar 2
Introducción
uniones p-n como si fueran dos diodos montados espalda contra espalda
conectados entre sí, como se muestra en la Fig. 14.2
La unión p-n entre la región de emisión y la región de la base es la unión de
emisón (unión E); la unión p-n entre la región de la base y la región del colector
se denomina la unión del colector (unión C).
E C E C
B B
E E
Fig. 14.2
Regiones agotadas
Unión E Unión C
Región agotada
Base
Electrón
Fig. 14.4
Capítulo 14 Transistor Bipolar 6
Como sabemos, IB es mucho más pequeña que IE e IC. El subíndice significa que
es un “valor DC”.
La relación entre corriente del colector y corriente del emisor IE se llama dc
El valor típico de dc está entre 0.95 – 0.99, siempre menor que 1.
Circuito de entrada
Circuito de salida
Nota: VBB y VCC se pueden ajustar. Sí V BB está diseñado para generar un IB, y
VCC = 0, entonces IC = 0, VCE = 0. Ahora podemos ajustar gradualmente el valor
Capítulo 14 Transistor Bipolar 13
Ejemplo 14.5. Dibuje la curva característica del colector del circuito que se
muestra en la Fig. 14.10. Asúmase que dc = 100, IB está entre 5A y 25 A, y
que varía en incrementos de 5A.
Capítulo 14 Transistor Bipolar 14
Fig. 14.10
Fig. 14.11
14.6.1 Corte
En vista de que ICE0 es muy pequeña, por lo general se ignora para el cálculo
de la calibración del circuito. Bajo situación de corte, las uniones base – emisor
y base – colector están ambas bajo polarización inversa.
Fig. 14.12 – Corriente de fuga ICE0 del colector bajo estado de corte
14.6.2 Saturación
Región saturada
Fig. 14.13
Fig. 14.14
El resultado muestra que la corriente de base puede generar IC, la cual es más
alta que VCE(sat) y por lo tanto el transistor está bajo estado de saturación, y la
corriente del colector no será mayor que 11.5 mA. Al aumentar más IB, la
corriente del colector permanece en su valor de saturación.
En todo caso, siempre habrá una región de saturación, una región activa y una
región de disrupción, como se ve en la Fig. 14.15. Un transistor puede trabajar
con seguridad en la región de saturación o en la región activa, pero nunca en la
región de disrupción. En aplicaciones en las que el transistor se usa para
amplificar señales débiles de radio o de TV, se debe operar en la región activa.
Región de
Región de Región disrupción
saturación activa
Fig. 14.15
14.7 Aproximaciones.
La Fig. 14.18 muestra los diagramas del transistor ideal. El terminal de entrada
es el diodo ideal, y el de salida es la fuente de corriente. Esta generará
corriente ideal, que es igual al producto de la ganancia de corriente por la
corriente de la base:
Diodo
ideal
Ejemplo 14.7. ¿Cuál es la tensión del colector – emisor (VCE) para el circuito
mostrado en la Fig. 14.20? (Asuma que se trata de un transistor ideal)
Respuesta:
Capítulo 14 Transistor Bipolar 22
Fig. 14.20
El resultado de esta respuesta tiene 0.5V más que el diodo modelo, pues varía
de 3.52 a 4.06 V. Si esta mejora es importante queda a criterio de cada uno.
La segunda aproximación:
La tercera aproximación:
En este ejemplo podemos comprender la diferencia que hay entre las tres
aproximaciones en condiciones de baja tensión de suministro. A partir de los
resultados vemos que la diferencia está dentro de 1 Voltio, y por lo tanto,
cuando se corrige el circuito se puede usar el análisis ideal. Sin embargo, si se
desea diseñar el circuito, la segunda aproximación es la mejor. Si no se tiene
una idea para escoger una aproximación, es mejor usar la segunda, que es
adecuada para ambas aplicaciones.
La Fig. 14.21(b) muestra otra manera de disipar el calor. Esta pieza de metal se
puede sujetar a la cubierta de un instrumento electrónico y generalmente
constituye un medio de disipar altas temperaturas. Por lo visto, es fácil disipar
temperatura de la cubierta de un transistor.
Fig. 14.21 – (a) Disipador de tipo embebido; (b) transistor de tipo cubierta; (c)
transistor de potencia cuyo colector está conectado a la carcasa externa.
En algunos sistemas se usan los parámetros hFE en lugar de los dc, pero
ambos valores son iguales, es decir,
100 ºC – 25 ºC = 75 ºC,
lo que a menudo se puede escribir como que: T = 75 ºC
Aquí, la significa que hay una diferencia, en el caso anterior, que entre ambas
temperaturas hay una diferencia de 75 ºC.
PD = (7V)(10 mA) = 70 mW
Capítulo 14 Transistor Bipolar 29
Corte Saturación
Ejemplo 14.13 (1). La Fig. 14.23 muestra un circuito con transistor actuando
como interruptor. Cuando Vin = 0, ¿cuál será V CE ? (2) Asuma que VCE(sat) = 0V, y
que dc = 200. ¿Cuál será el valor de IB para la condición de saturación?; (3)
Cuando Vin = 5V, calcule el valor máximo de R B para hacer que el transistor
esté en condición de saturación.
Fig. 14.23
Capítulo 14 Transistor Bipolar 31
Para hacer que IB = 0.05 mA, el valor máximo de R B se obtiene mediante la Ley
de Ohm:
Hay muchos envases diferentes para transistores, según sea su aplicación. Los
transistores de mayor potencia se distinguen porque tienen disipadores de
calor o son del tipo tornillo. Para aplicaciones de potencia mediana o baja, la
cubierta generalmente es de metal o de plástico. Existen otros tipos que se
usan en dispositivos de alta frecuencia. Es necesario comprender la diferencia
entre los envases y la identificación de los terminales, lo cual veremos en esta
sección.
Fig. 14.25 – Envases de metal para transistores de uso general / de señal débil
Capítulo 14 Transistor Bipolar 33
(3) Transistores RF
14.11 Resumen
Capítulo 14 Transistor Bipolar 35
14.12 Preguntas
1. Los tres terminales de un transistor bipolar son (1) p-n-p, (2) n-p-n, (3)
salida, salida, tierra, (4) base, emisor, colector.
2. En transistores p-n-p, son (1) la base y el emisor, (2) base y colector, (3)
emisor y colector.
3. La corriente del emisor se siempre (1) más alta que la corriente de base,
(2) más baja que la corriente de colector, (3) más alta que la corriente de
colector, (4) respuestas (1) y (3) juntas.
5. Si IC es 50 veces mayor que IB, entonces dc es: (1) 0.02, (2) 100, (3) 50,
(4) 500.
6. Si dc es 100, entonces dc es: (1) 99, (2) 0.99, (3) 101, (4) 0.01
9. En situación de corte, VCE es: (1) 0V, 82) mínima, (3) Máxima, (4) igual a
VCC, (5) respuestas (1) y (2), (6) respuestas (3) y (4).
10. En condición de saturación, VCE es: (1) 0.7V, (2) igual a VCC, (3) mínima,
(4) máxima.
14.13 Problemas
Fig. 14.29
Fig. 14.30
Fig. 14.31
20. ¿Cuáles serán los tipos más posibles de transistor de acuerdo con los
envases mostrados en la Fig. 14.35?
Capítulo 14 Transistor Bipolar 39
Fig. 14.35