Unidad Profesional Interdisciplinaria en

Ingeniería y Tecnologías Avanzadas

Fundamentos de Electrónica
1MV11
Dr. Juan Manuel Peza Tapia

El Transistor BJT Introducción

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 Transistor Bipolar de Unión
El transistor bipolar de unión (BJT) fue el primer dispositivo de estado sólido de uso práctico utilizado para reemplazar a las
válvulas de vacío. Fue desarrollado en 1947 en los Laboratorios Bell por Brattain, Bardeen y Shockley.

El 23 de diciembre de 1947, el transistor de unión fue utilizado para demostrar la amplificación de señales de voz.

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 Características físicas
El transistor bipolar de unión (BJT) consiste básicamente de dos uniones PN conectadas en oposición. Por lo tanto, el
funcionamiento del dispositivo puede comprenderse del conocimiento de la operación física de la unión PN.

La figura muestra un corte de la estructura física y un esquema, que corresponde a la región entre líneas de puntos de un
transistor bipolar de unión

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Como se aprecia en las figuras anteriores, se forman dos uniones. Una es la compuesta por la región de emisor (E) y de
base (B), EB. La segunda unión se forma entre la región de base (B) y de colector (C), CB. En condiciones típicas de
operación la unión E-B se polariza en directa y la unión C-B en inversa; entre las uniones aparecen dos zonas o regiones
de agotamiento: B-E y B-C. La región de base se hace mucho más corta que la longitud de difusión de los portadores
minoritarios en ella. De este modo, el exceso de portadores
minoritarios inyectados en la base en la unión EB puede atravesarla y llegar al colector sin demasiada pérdida por
recombinación.

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Existen dos tipos posibles de transistores bipolares según como se conecten las junturas, los tipos NPN y PNP, cuyos
símbolos y polaridades de referencia se indican:

Símbolos esquemáticos de transistor NPN y PNP Polaridades de referencia de transistor NPN y PNP

La flecha indicada en el símbolo va siempre desde P a N e indica el sentido de lacorriente entre Base y Emisor,
considerando el sentido de la corriente convencional.

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 OPERACIÓN BÁSICA DE UN BJT
La siguiente figura muestra los arreglos para polarización tanto de BJT npn como pnp para que operen como amplificador.
Observe que en ambos casos la unión base-emisor (BE) está polarizada en directa y la unión base-colector (BC) polarizada
en inversa. Esta condición se llama polarización en directa-inversa.

Para entender cómo opera un transistor, veamos lo que sucede en el interior de la estructura npn.

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La región del emisor de tipo n excesivamente dopada tiene una
densidad muy alta de los electrones de banda de conducción
(libres), como muestra la figura

Estos electrones libres se difunden con facilidad a través de la

unión BE polarizada en directa hacia la región de la base de tipo
p muy delgada y levemente dopada (flecha ancha). La base tiene
una baja densidad de huecos, los cuales son los portadores
mayoritarios, representados por los puntos blancos

Un pequeño porcentaje del número total de electrones libres se

va hacia la base, donde se recombinan con huecos y se
desplazan como electrones de valencia a través de la base hacia
el emisor como corriente de huecos, como lo indican las flechas
negras.

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Cuando los electrones que se recombinaron con huecos como
electrones de valencia abandonan las estructura cristalina de la
base, se transforman en electrones libres en el conductor de la
base metálica y producen la corriente de base externa. La
mayoría de los electrones libres que entraron a la base no se
recombinan con huecos porque es muy delgada.

A medida que los electrones libres se desplazan hacia la unión

BC polarizada en inversa, son arrastrados a través del colector
por la atracción del voltaje de alimentación positivo del
colector. Los electrones libres se desplazan
a través del colector hacia el circuito externo y luego regresan al
emisor junto con la corriente de base, como se indica.

La corriente de emisor es un poco más grande que la corriente

de colector debido a la pequeña corriente de base que se
desprende de la corriente total inyectada a la base proveniente
del emisor.

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 Corrientes del transistor

Estos diagramas muestran que la corriente de emisor (IE) es la suma de la corriente de colector (IC) y la corriente de
base (IB), expresada de la siguiente manera:

I =I +I
E C B

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 CARACTERÍSTICAS Y PARÁMETROS DE UN BJT
Cuando se conecta un transistor tanto tipo npn como pnp a voltajes de polarización de cd, como lo muestra la figura, VBB
polariza en directa la unión base-emisor y VCC polariza en inversa la unión base-colector. Aunque en este capítulo se utilizan
símbolos de batería distintos para representar los voltajes de polarización, en la práctica los voltajes a menudo provienen de una
sola fuente de alimentación de cd. Por ejemplo, VCC normalmente se toma directamente de la salida de la fuente de alimentación
y VBB (más pequeño) puede ser producido por un divisor de voltaje.

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 Beta de cd (CD) y alfa de cd (CD)

La ganancia de corriente de cd de un transistor es el cociente de la corriente de cd del colector (IC) entre la corriente de cd
de la base (IB) y se expresa como beta de cd (CD).

Los valores típicos de CD van desde 20 hasta 200 o más, CD normalmente se expresa como un parámetro híbrido (h)
equivalente, hFE en hojas de datos de los transistores.

El cociente de la corriente de cd del colector (IC) entre la corriente de cd del emisor (IE) es el alfa de cd (CD). La alfa es un
parámetro menos utilizado que la beta en circuitos con transistores.

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 En general, los valores de CD van desde 0.95 hasta 0.99 o más, aunque CD siempre es menor que 1. La razón es que IC
siempre es un poco menor que IE en una cantidad de IB.

Modelo en cd de un transistor
El BJT que no está en saturación puede ser considerado un dispositivo con una corriente en el circuito de entrada y una
fuente de corriente dependiente en el circuito de salida

El circuito de entrada es un diodo polarizado en directa a través del cual pasa corriente de base. El circuito de salida es una
fuente de corriente dependiente (elemento en forma de diamante) con un valor que depende de la corriente de base, IB e igual
a CDIB. Recuerde que los símbolos de fuente de corriente independiente son de forma circular.

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 Análisis del circuito de un BJT
Considere la configuración del circuito de polarización de transistor básico

Es posible identificar tres corrientes de cd y tres voltajes de cd.

IB: corriente de cd de base

IE: corriente de cd de emisor
IC: corriente de cd de colector

VBE: voltaje de cd en la base con respecto al

emisor

VCB: voltaje de cd en el colector con respecto

a la base

VCE: voltaje de cd en el colector con respecto

al emisor

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 La fuente de voltaje, VBB, polariza en directa la unión base-emisor y la
fuente de voltaje, VCC polariza en inversa la unión base-colector.

Cuando la unión base-emisor se polariza en directa, opera como un diodo

polarizado en directa y la caída de voltaje con polarización en directa
nominal es

Como el emisor está conectado a tierra (0 V), de acuerdo con la ley del voltaje de Kirchhoff, el voltaje a través de RB es

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 El voltaje en el colector con respecto al emisor conectado a tierra es

Como la caída de tensión a través de Rc es

Donde:

𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵

El voltaje a través de la unión colector-base polarizada en inversa es

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 Curvas características del colector
Con un circuito como el mostrado en la figura se puede generar un conjunto de curvas características del colector que
muestren cómo varía la corriente en el colector, IC, con el voltaje en el colector con respecto al emisor, VCE, con valores
especificados de corriente de base, IB.

𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵

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𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵

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