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PRÁCTICA # 1 POLARIZACIÓN DE LOS

TRANSISTORES JFET Y MOSFET
CHRISTIAN XAVIER UYAGUARI
cuyaguarip@est.ups.edu.ec
UNIVERSIDAD POLITÉCNICA SALESIANA SEDE CUENCA
LABORATORIO DE ANALÓGICA II

Abstract—In this article we are going to design and calculate the

different types of polarization that have the transistors JFET
expiring on the condition that every polarization has its work
point in BDFBZDFBtheLKJOKHÒ center of the straight line of
load, for which we will determine also values of work of the JFET
as there are the IDSS and VP.
Index Terms—JFET, MOSFET

I. MARCO TEÓRICO
El transistor de efecto de campo Jfet, se basa en el campo
eléctrico para controlar la conductividad de un canal en un
material semiconductor. En los transistores Jfet un pequeño
voltaje de entrada es el que controla la corriente de salida. En
la presente práctica vamos a controlar la polarización y el
punto de trabajo de dicho transistor (Vdsq, Idq). Un punto muy
importante es poder determinar la Idss y Vp que son unas
constantes que permiten definir la curva de transferencia del
transistor que define la ecuación de Shockley.
A. TRANSISTOR JFET
El transistor JFET es un dispositivo controlado por voltaje.
Una de las características más importantes del JFET es su alta
impedancia de entrada. Los transistores JFET son más estables
a la temperatura que los transistores BJT, y en general son más
pequeños que los BJT, lo que los hace particularmente útiles en
chips de circuitos integrados (CI).[1]
Figure 1. Transistor de Efecto de Campo
B. PRINCIPIO DE OPERACIÓN DEL TRANSISTOR JFET
1) REGIÓN DE CORTE: Aplicando una tensión vgs nega-
tiva aumentamos la anchura de la zona de deplección, con lo
que disminuye la anchura del canal n de conducción. Si el
valor de vgs se hace lo suficientemente negativo, la región de
agotamiento se extenderá completamente a través del canal, con
lo que la resistencia del mismo se hará infinita y se impedirá el
paso de ID (Figura 2). El potencial al que sucede este
fenómeno se denomina potencial de bloqueo (Pinch Voltage,
Vp). Por lo tanto, para valores más negativos que VP el
transistor JFET se encuentra polarizado en la región de corte, y
la corriente de drenaje resulta ser nula.[2]

Figura 2. Esquema del transistor JFET de canal n polarizado con la tensión

de bloqueo

2) REGIÓN LINEAL: Si en la estructura de la Figura 2 se

aplica una tensión vds mayor que cero, aparecerá una corriente

circulando en el sentido del drenaje a la fuente, corriente que
llamaremos Id. El valor de dicha corriente estará limitado por
la resistencia del canal N de conducción. En este caso pueden
distinguirse dos situaciones según sea vds grande o pequeña en
comparación con VGS.[2], [3]
3) REGIÓN DE SATURACIÓN: Si VDS se incrementa más,
se llegará a un punto donde el espesor del canal en el
extremo del drenaje se acerque a cero. A partir de ese momento,
la corriente se mantiene independiente de VDS, puesto que los
incrementos de tensión provocan un mayor estrechamiento del
canal, con lo que la resistencia global aumenta (Figura 3).[2],
[3]
Figura 3. Esquema del transistor JFET de canal n en la región de corriente
constante
C. CURVA CARACTERÍSTICA
En primer lugar, en la representación de Id frente a vgs, para
una vds dada, se aprecia claramente el paso de la región de corte
a la de saturación (Figura 4). En la práctica sólo se opera en el
segundo cuadrante de la gráfica, puesto que el primero la vgs
positiva hace crecer rápidamente Ig.[2], [3]
Figura 4. Curva característica VGS-ID del transistor FET
En la curva característica VDS - ID del transistor JFET se
observa la diferencia entre las regiones lineal y de saturación
(Figura 5). En la región lineal, para una determinada vgs, la
corriente crece proporcionalmente a la tensión vds. Sin
embargo, este crecimiento se atenúa hasta llegar a ser nulo: se
alcanza el valor de saturación, en donde Id sólo depende de
vgs.[3], [2]
2
Figura 5. Curva característica VDS-ID del transistor FET
D. ECUACIÓN DE SHOCKLEY
. Σ2
V
ID = I DSS GS
VP 1−
Dónde:
• Vp.- es la tensión de puerta que produce el corte en el
transistor FET.
• IDSS.- es la corriente máxima de drenador que circula por
el transistor, al aumentar VDS, cuando la polarización de
la puerta es VSG= 0 V.
E. VENTAJAS DEL JFET
• Son dispositivos controlados por tensión con una impe-
dancia de entrada muy elevada.
• Los JFET son más estables con la temperatura que los BJT.
• Los JFET son más fáciles de fabricar que los BJT pues
precisan menos pasos y permiten integrar más dispositi-
vos en un CI.
• Los JFET se comportan como resistencias controladas por
tensión para valores pequeños de tensión drenaje-fuente.
• La alta impedancia de entrada de los JFET les permite
retener carga el tiempo suficiente para permitir su utili-
zación como elementos de almacenamiento.
• Los JFET de potencia pueden disipar una potencia mayor
y conmutar corrientes grandes.
• La potencia de control es nula, es decir, no se absorbe
corriente por el terminal de control.
• Una señal muy débil puede controlar el dispositivo.
• La tensión de control se emplea para crear un campo
eléctrico.
F. DESVENTAJAS QUE LIMITAN LA UTILIZACIÓN DEL
JFET
• Los JFET presentan una respuesta en frecuencia pobre
debido a la alta capacidad de entrada.
• Los JFET presentan una linealidad muy pobre, y en
general son menos lineales que los BJT.
• Los JFET se pueden dañar debido a la electricidad
estática.
 3

G. ESQUEMAS 4) POLARIZACION POR FUENTE DOBLE: En esta po-

larización se utilizan dos fuentes de alimentación simétricas.
1) POLARIZACIÓN CON FUENTE AL GATE: En esta
configuracion tenemos una fuente negativa alimentando al
Gate.

Figura 9. Esquema de polarización por Fuente doble

5) POLARIZACIÓN CON GATE A TIERRA: En esta pola-

Figura 6. Esquema de polarización con fuente al Gate rización tiene por característica que el parámetro de Idss va a
ser igual a la Id.
2) POLARIZACIÓN CON RESISTENCIA DE SOURCE:
En esta configuración el Gate va a tierra, una resistencia
conectada a Source, se le conoce a esta configuración también
como Autopolarización.

Figura 10. Esquema de polarización con Gate a tierra

Figura 7. Esquema de polarización con resistencia de Source 6) MOSFET INCREMENTAL: En la figura 11 se presenta el
MOSFET Incremental con una polarización de retroalimen-
tación.
3) POLARIZACIÓN POR DIVISOR DE TENSIÓN: Esta
configuración es la mas estable con respecto a las demás
polarizaciones ya que regula o controla la intensidad que circula
por la resistencia de Source.

Figura 11. Esquema de polarización del MOSFET Incremental

7) MOSFET DECREMENTAL: En la figura 12 se presenta

el MOSFET Decremental con una polarización de retroalimen-
Figura 8. Esquema de Polarización por divisor de tensión tación.
 4

Figura 13. Polarización con fuente al Gate

Figura 12. Esquema de polarizacion del MOSFET Decremental

Analizando la malla de entrada tenemos:

II. MATERIALES Y HERRAMIENTAS V1 − VGS = 0

V1 = VGS

En el cuadro I se presentan los materiales y herramientas Aplicamos la Ecuación de Shockley para obtener el Vgs.
que se utilizaron en la práctica.

. Σ2
V
ID = IDSS GS
VP 1−
Cuadro I

DESCRIPCIÓN DE MATERIALES Y HERRAMIENTAS . . Σ

IIDSS
MATERIALES CANT. COSTO VGS = VP 1 − D

Transistor MPF102 2 2.00 $

Resistencias (varios valores) 11 0.33 $ VGS . . Σ
10mA
8mA
= −3 1 − = −0.3167V
HERRAMIENTAS Calculamos la malla de salida para encontrar la resistencia
1 Multímetro
1 Fuente DC. doble
de drane:
1 Protoboard
VDS + VRD − VCC = 0

VRD = VCC − VDS

III. DESARROLLO VRD = 24 − 12 = 12

RD = VRD = 12V = 1.5KΩ

A. CÁLCULOS ID 8mA

1) POLARIZACIÓN CON FUENTE AL GATE: Para cum-

plir con los requisitos de la practica establecida la polarización
se realizara en el centro de la recta de carta tomando como
referencia esa condición comenzamos los cálculos con los
siguientes datos:

Cuadro II
DATOS OBTENIDOS PARA LA POLARIZACIÓN CON FUENTE AL GATE

DENOMINACIÓN VALOR
IDSS 10 mA
VP -3 V
ID 8 mA Figura 14. Rectas de Entrada y Salida del Transistor JFET
VCC 24
VDS 12
remos la malla de entrada como la de salida. Figura13

Con esos datos procedemos a realizar los cálculos. analiza-

 5

2) POLARIZACIÓN CON RESISTENCIA DE SOURCE:

Partiendo de los datos que tenemos procedemos de la misma
manera a calcular la resistencia de Drane y resistencia de
Source.
 6

Cuadro III
3) POLARIZACIÓN MEDIANTE DIVISOR DE TENSIÓN:
DATOS OBTENIDOS PARA LA POLARIZACIÓN CON RESISTENCIA DE Para esta polarización nos impondremos un voltaje de Gate y
SOURCE una resistencia de un mega ohmio obteniendo los valores.
DENOMINACIÓN VALOR
IDSS 10 mA Cuadro IV
VP -3 V DATOS OBTENIDOS PARA LA POLARIZACIÓN MEDIANTE
ID 8 mA DIVISOR DE TENSIÓN
VCC 24
DENOMINACIÓN VALOR
VDS 12
IDSS 10 mA
VP -3 V
ID 8 mA
VCC 24
VDS 12
R1 1M

Figure 15. Polarización con resistencia de Source

Mediante la ley de Shockley obtenemos el Vgs.

. Σ
V
1−2
ID = I DSS GS
VP
. . Σ
ID
VGS = VP 1 − IDSS
Figura 17. Polarización mediante divisor de tensión

. . Σ
VGS = −3 1 − 8mA
= −0.3167V Mediante la ley de Shockley obtenemos el Vgs.
10mA

. Σ
V2
Procedemos a obtener la ecuación de entrada y salida ID = I DSS GS
VP 1−
mediante la ley de corrientes de kirchhoff.

−VGS − VRS = 0 . . IDSSΣ

ID
VGS = VP 1 −
GS 10mA
RS = −VGS = 0.3167V
ID 8mA = 39Ω . Σ
.
8mA
Calculamos la malla de salida para encontrar la resistencia V = −3 1 − = −0.3167V
de Drane: Calculamos la resistencia R2 para el divisor de tensión.

R2
VRS + + VRD − VCC = 0 V G = · VCC
VDS
R1 +R2
R2
ID (RS + R D ) = VCC − VDS 2= 1M +R2 · 24

RD = VCC−VDS − RS
ID R2 = 91KΩ
RD = 1.5KΩ Calculamos la resistencia equivalente.
REQ = R1 ·R2 =
R1 +R2 83,409Ω
Procedemos a obtener la ecuación de entrada y salida
mediante la ley de corrientes de kirchhoff.
VG − VGS − VRS = 0
VGS = VG − VRS = 0
VG−VGS = 2+0.3167 =
RS = ID 8mA
270Ω
 7

Calculamos la malla de salida para encontrar la resistencia

de Drane:
VRS + VDS + VRD − VCC = 0
Figure 16. Rectas de Entrada y Salida del Transistor JFET
ID (RS + RD) = VCC − VDS
 8

RD = VCC−VDS − RS = 24−12
− 270 = 1.2KΩ Calculamos la malla de salida para encontrar la resistencia
ID 8mA de Drane:
−VRS − VDS − VRD + 48 = 0
ID (RS + RD) = 48 − VDS
48−VDS 36V
RD = ID
− RS = 8mA
− 3.3KΩ = 1.2KΩ

Figure 18. Rectas de Entrada y Salida del Transistor JFET

4) POLARIZACIÓN CON DOBLE FUENTE: En esta pola-

rización utilizaremos una fuente simétrica cada una conectada
a una resistencia de Source y Drane respectivamente.
Figure 20. Rectas de Entrada y Salida del Transistor JFET

Cuadro V
DATOS OBTENIDOS PARA LA POLARIZACIÓN CON DOBLE 5) POLARIZACIÓN CON GATE A TIERRA: En esta con-
FUENTE figuración vamos a tener que la Id es igual al parámetro Idss.
DENOMINACIÓN VALOR
IDSS 10 mA Cuadro VI
VP -3 V DATOS OBTENIDOS PARA LA POLARIZACIÓN CON GATE A
ID 8 mA TIERRA
V1 24
V2 -24 DENOMINACIÓN VALOR
VDS 12 IDSS 10 mA
VP -3 V
ID 10 mA
V1 24
VDS 12

Figura 19. Polarización con doble fuente simétrica

Mediante la ley de Shockley obtenemos el Vgs.

. Σ2
V
ID = I DSS GS
VP 1− Figura 21. Polarización con Gate a tierra

. . I Σ
IDSS
.GS =.VP 1 −
V Σ
D
como tenemos que la intensidad de drane es igual al
V = −3 1 −
8mA
parametro Idss tenemos:
10mA

Procedemos a = −0.3167V
obtener la ecuación
GS de entrada y salida ID = IDSS = 10mA
mediante la ley de corrientes de kirchhoff.
Calculamos la malla de salida para encontrar la resistencia
24 − VGS − VRS = 0 de Drane:
VGS = 24 − ID· RS = 0 −VDS − VRD + VCC = 0
VG−VGS = 24+0.3167
RS = ID 8mA
= 3.3KΩ ID· RD = VCC − VDS
 9

RD = VCC−VDS
− RS = 12V − 1.2KΩ
ID 10mA

Figure 24. Rectas de Entrada y Salida del Transistor MOSFET tipo Incre-
mental

7) POLARIZACIÓN DEL MOSFET DECREMENTAL POR

DIVISOR DE TENSION: En esta configuración vamos a
comprobar el funcionamiento de un MOSFET Decremental.
Figure 22. Rectas de Entrada y Salida del Transistor JFET
Cuadro VIII
DATOS OBTENIDOS PARA LA POLARIZACIÓN DEL MOSFET
6) POLARIZACIÓN POR RETROALIMENTACIÓN DEL DECREMENTAL
MOSFET INCREMENTAL: En esta configuración vamos a
DENOMINACIÓN VALOR
comprobar el funcionamiento de un MOSFET Incremental. IDSS 8 mA
Vp -3.3 V
Vcc 12 V
Cuadro VII R1 110 M
DATOS OBTENIDOS PARA LA POLARIZACIÓN DEL MOSFET
R2 10 M
INCREMENTAL

DENOMINACIÓN VALOR
IDon 5 mA
VGSon 6V
VGS(th) 4V

Figura 25. Polarización del MOSFET Decremental por divisor de tensión

Figura 23. Polarizacion por retroalimentación del MOSFET
Calculamos el voltaje de Gate
vG = R2 ·VCC = 10M ·12 = 1V
Como primer punto calculamos la constante K R1 +R2 120M

Mediante la ley de Shockley obtenemos el Vgs.

K= IDon 5mA
(V gson−V gs(th))2 = (6−4)2 = 1.25· 10−3 . Σ2
1−
ID = IDSS VGS
Ahora Calculamos la Intensidad de Drane
I = k (V gson − V gs(th))2 . .VIPDSSΣ
ID
D
VGS = VP 1 − . Σ
4mA
VGS = −3.3· . 8mA
= −0.878V
ID = 1.25· 10−3 (6 − 4)2 = 5mA 1−

Procedemos a obtener la ecuación de entrada y salida

Calculamos la Resistencia de Drane. mediante la ley de corrientes de kirchhoff.

R = VCC −V DS = 12−6
= 1.2K VG − VGS − VRS = 0
 10

D ID 5mA Ω
 11

VGS = VG − ID · RS = 0

RS = VG−VGS
ID
= 2+0.878
4mA
= 470Ω

Calculamos la malla de salida para encontrar la resistencia

de Drane:

−VRS − VDS − VRD + VCC = 0

ID (RS + RD) = 6

RD = 6 − RS = 6V − 470 = 1KΩ
ID 4mA
Figura 28. Simulación polarización con resistencia de Source

3) POLARIZACIÓN POR DIVISOR DE TENSIÓN: Como

observamos en la figura 22 los valores simulados se asemejan
mucho a los valores calculados anteriormente.

Figure 26. Rectas de Entrada y Salida del Transistor MOSFET tipo Decre-
mental

B. SIMULACIONES
Figura 29. Simulación polarización con divisor de tensión
1) POLARIZACIÓN CON FUENTE AL GATE: Como ob-
servamos en la figura 20 los valores simulados se asemejan
mucho a los valores calculados anteriormente. 4) POLARIZACIÓN POR FUENTE DOBLE: Como ob-
servamos en la figura 23 los valores simulados se asemejan
mucho a los valores calculados anteriormente.

Figura 27. Simulación polarización con fuente al Gate

Figura 30. Simulación polarización con divisor de tensión

2) POLARIZACIÓN CON RESISTENCIA DE SOURCE: 5) POLARIZACIÓN CON GATE A TIERRA: Como ob-
Como observamos en la figura 21 los valores simulados se servamos en la figura 24 los valores simulados se asemejan
asemejan mucho a los valores calculados anteriormente. mucho a los valores calculados anteriormente.
 12

1) POLARIZACIÓN CON FUENTE AL GATE: Los valores

obtenidos en la practica presentamos en el cuadro.

Cuadro IX
VALORES MEDIDOS, CALCULADOS Y SIMULADOS

PARÁMETRO CALCULADO MEDIDO SIMULADO

ID (mA) 8 mA 7.9 mA 7.999 mA
VDS (V) 12 V 11.99 V 12.002 V
VGS (V) - 0.3167 V -0.27 V -0.317 V
VG (V) -0.3167 V -0.27 V -0.317 V

2) POLARIZACION CON RESISTENCIA DE SOURCE:

Los valores obtenidos en la practica presentamos en el cuadro.
Figura 31. Simulación polarización con divisor de tensión
Cuadro X
VALORES MEDIDOS, CALCULADOS Y SIMULADOS
6) POLARIZACIÓN POR RETROALIMENTACION DEL
MOSFET INCREMENTAL: Como observamos en la figura 25 PARÁMETRO CALCULADO MEDIDO SIMULADO
los valores simulados se asemejan mucho a los valores ID (mA) 8 mA 7.9 mA 7.74 mA
VDS (V) 12 V 11.88 V 12.089 V
calculados anteriormente. VGS (V) - 0.3167 V -0.28 V -0.302 V
VG (V) 0V 0V 0V

3) POLARIZACION POR DIVISOR DE TENSION: Los

valores obtenidos en la practica presentamos en el cuadro.

Cuadro XI
VALORES MEDIDOS, CALCULADOS Y SIMULADOS

PARÁMETRO CALCULADO MEDIDO SIMULADO

ID (mA) 8 mA 7.97 mA 8.146 mA
VDS (V) 12 V 12.02 V 12.022 V
VGS (V) - 0.3167 V -0.28 V -0.302 V
VG (V) 2V 1.89 V 1.985 V
Figura 32. Simulación polarización por retroalimentación

7) POLARIZACIÓN POR DIVISOR DE TENSIÓN DEL
MOSFET DECREMENTAL: Como observamos en la figura 26
los valores simulados se asemejan mucho a los valores
calculados anteriormente.
4) POLARIZACION CON FUENTE DOBLE: Los valores
obtenidos en la practica presentamos en el cuadro.
Cuadro XII
VALORES MEDIDOS, CALCULADOS Y SIMULADOS

PARÁMETRO CALCULADO MEDIDO SIMULADO

ID (mA) 8 mA 7.5 mA 7.985 mA
VDS (V) 12 V 12.8 V 12.062 V
VGS (V) - 0.3167 V -0.28 V -2.353 V
VG (V) 0V 0V 0V

5) POLARIZACIÓN CON GATE A TIERRA: Los valores

obtenidos en la practica presentamos en el cuadro.

Cuadro XIII
VALORES MEDIDOS, CALCULADOS Y SIMULADOS

PARÁMETRO CALCULADO MEDIDO SIMULADO

ID (mA) 10 mA 9.8 mA 9.983 mA
VDS (V) 12 V 11.98 V 12.02 V
VGS (V) - 0.3167 V -0.28 V -0.302 V
Figura 33. Simulación polarización por Divisor de tensión VG (V) 0V 0V 0V

C. TABLA DE COMPARACIONES 6) POLARIZACIÓN POR RETROALIMENTACIÓN DEL

MOSFET INCREMENTAL: Los valores obtenidos en la prac-
A continuación se presentan los datos obtenidos tanto
tica presentamos en el cuadro.
calculados, medidos y simulados en las diferentes tablas.
 13

[2] F. J. Gabiola, D. I. De Telecomunicación Basil, et al. ANÁLISIS Y

Cuadro XIV DISEÑO DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS ANALÓGICOS. Teoría y
VALORES MEDIDOS, CALCULADOS Y SIMULADOS Ejercicios Resueltos. Editorial Visión Libros, 2007.
[3] http://146.83.206.1/~jhuircan/PDF_ELECTRONI CA/PolFET01H.pdf
PARÁMETRO CALCULADO SIMULADOS
ID (mA) 5 mA 4.98 mA
VDS (V) 6V 6.023 V

7) POLARIZACIÓN POR RETROALIMENTACIÓN DEL

MOSFET DECREMENTAL: Los valores obtenidos en la prac-
tica presentamos en el cuadro.

Cuadro XV
VALORES MEDIDOS, CALCULADOS Y SIMULADOS

PARÁMETRO CALCULADO SIMULADOS

ID (mA) 4 mA 3.901 mA
VDS (V) 6V 6.263 V
VGS (V) - 0.878 V -0.888 V
VG (V) 1V 0.946 V

CONCLUSIONES
In the development of the practice we notice several im-
portant points that they are necessary the sorrow to stress, to the
beginning we were saying that it was very important to
determine the IDSS and VP, for the first calculations we saw or
guided ourselves in a data sheet, but the calculations were not
coinciding with anything to the measured calculations, I
decided to assemble a simple circuit and measure the VP, in a
configuration of fixed polarization, like that imposing a value
of resistance on me and measuring the voltage in the same one
simultaneously that was raising the voltage negatively to the
Gate of the transistor, there was going to be a point where the
voltage is zero in the resistance that it was meaning that I
approached already the VP.
Applying the ohm law I could obtain the current that was
circulating along my resistance of test and this value it was the
one that takes like IDSS. Realizing the calculations we realized
that the studied resistances were of values that we could not
obtain on the market for which we resort to obtain results come
closer the resistances them connecting in series, parallel as it is
the case, which I take myself that the calculations realized
compared to the calculations were changing but they were in an
acceptable status working almost to half of the straight line of
load.
This also is a factor that influences very much the correct
achievement of the circuits, notice simultaneously that in the
configuration of double symmetrical source and Autopolariza-
tion the error status with regard to the voltage was changing
approximately one volt, what it gives me to think that in these
configurations we cannot find the values so stable while in the
polarization configuration by means of voltage divisor the
values calculated with the measured values had low error status,
that means that the values in such a configuration remain stable
and they will change too much.

REFERENCIAS
REFERENCES
[1] R. L. Boylestad and L. Nashelsky. Electrónica: Teoría de circuitos y
dispositivos electrónicos. Pearson Educación, 2003.