UNIVERSIDAD NACIONAL DEL NORDESTE CATEDRA DE ELECTRONICA I - AÑO 2020

FACULTAD DE INGENIERIA - RESISTENCIA PROFESOR TITULAR: DARIO M. GOUSSAL

GUIA DE TRABAJOS PRACTICOS DE LABORATORIO L2

Objetivos:

1. Efectuar mediciones estáticas y dinámicas sobre etapas amplificadoras.

2. Reconocer características de transistores bipolares de señal utilizados en etapas amplificadoras.
3. Medirlas ganancias de corriente y tensión; impedancias de entrada y salida; excursión simétrica.
4. Verificar características de acoplamiento.
5. Interpretar el funcionamiento de etapas de salida y amplificadores de potencia.
6. Reconocer características funcionales de amplificadores operacionales integrados
7. Interpretar el funcionamiento de circuitos osciladores senoidales.

Componentes:

Se utilizarán hasta donde fuere posible, componentes usados provenientes de residuos y plaquetas de descarte,
previa extracción, verificación de estado y medición.

Instrumental y Equipo de Laboratorio:

Multímetro Digital de alta impedancia de 4 1/2 Dígitos (Fluke 8080A o similar)

Osciloscopio de 2 Canales, 60 Mhz. (Tektronix TDS 2024B, Tektronix 2213 ó similar)
Generador de audiofrecuencia o generador de funciones arbitrarias (Tektronix AFG 3021 ó similar).
Plaqueta de protoboard con alimentación regulada incorporada (Global SpecialitiesProto-Board 203A o similar)
Soldador tipo lápiz con punta cerámica de 40 W, cables y conectores para armado de circuitos prototipo, plaqueta
con puentes aislantes para soldar, alambre estañado de 0.3 / 0.4 mm, estaño 60%.
Hojas cuadriculadas o milimetradas para croquis de formas de onda, pendrives para guardar mediciones.

Resumen Teórico

Transistor

El transistor es un dispositivo de tres terminales, utilizado para entregar una señal de salida en respuesta a una
señal de entrada. Cumple funciones de amplificador, conmutador o rectificador.

Transistor Bipolar o BJT (Bipolar Junction Transistor)

El transistor bipolar es un dispositivo de

tres terminales (Colector, Base, Emisor)
que puede ser utilizado como interruptor o
amplificador controlado por corriente.

Posee dos junturas semiconductoras, las

cuales pueden estar configuradas como
PNP o NPN.

En el grafico se puede ver la estructura de

ambas configuraciones, su modelo
equivalente y simbología.
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Polarización y relaciones

Para que el transistor conduzca debe estar polarizado

correctamente. Como vemos en la figura, en ambas
configuraciones, la unión BE debe estar polarizada
directamente y la unión CB inversamente, esto significa
que en un transistor NPN se debe cumplir que VC> VB>
VE y en un transistor PNP VE> VB> VC.

Cuando los transistores estén conduciendo, las corrientes

circularan en las direcciones indicadas en el gráfico y
tendrán las siguientes relaciones:

𝐼𝐶 𝐼𝐶 𝛼
𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 𝛽 = 𝛼= 𝛽=
𝐼𝐵 𝐼𝐸 1−𝛼

Característica V-I y regiones de funcionamiento

En el grafico se pueden observar las curvas características de salida (VCE; Ic) para las distintas corrientes de base
(Ib), en un transistor en configuración de emisor común. A partir de estas curvas es posible determinar el punto
de trabajo del transistor, es decir,
las tensiones y corrientes del
mismo, una vez polarizado.

Región de corte: No circula

corriente por el transistor debido a
que la unión BE no esta polarizada
directamente. Idealmente el
transistor se comporta como un
interruptor abierto.

Región de saturación: La tensión

VCE es muy pequeña y no se
cumplen las relaciones de
corrientes. Idealmente el transistor
se comporta como un interruptor
cerrado. ICestá limitada
únicamente por el circuito externo.

Región activa: Se cumplen las

relaciones de corriente. El
transistor se comporta como un
amplificador de señal.

Zona de ruptura: Cuando la diferencia de potencial VCE supera la tensión de avalancha de las junturas la corriente
crese abruptamente y el dispositivo se destruye.
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Transistor de efecto de campo (FET)

El FET controla el flujo de corriente por un canal

semiconductor, aplicando un campo eléctrico
perpendicular a la trayectoria de esta.

Sus terminales de denominan Compuerta (Gate),

Drenaje (Drain) y Fuente (Source). La diferencia
de potencial aplicada entre Compuerta y Fuente
controla la corriente que circula entre Drenaje y
Fuente. En la figura podemos ver las dos
configuraciones posibles del transistor de efecto de
campo de unión (JFET).

Modelo equivalente de JFET de canal N

Polarización

Al igual que los BJT los FET deben estar

polarizados adecuadamente para su
funcionamiento.

En el caso de los JFET de canal N VG

<VS<VD,

y en los de canal P VG> VS > VD

Curva característica: JFET de canal N

Región óhmica: Se comporta como

una resistencia variable en función
de VGS.

Región de saturación o región

activa: IDS ya no depende de VDS,
solo depende de VGS.

IDSS:: Corriente de saturación

cuandoVGS = 0.

Vp: Tensión de pellizco

(pinch-off), es la tensión a la que
se produce la saturación cuando
VGS=0.
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Amplificador operacional (AO)

Un AO es un amplificador diferencial de varias etapas integradas, de forma de obtener alta ganancia con alta
impedancia de entrada y baja impedancia de salida. Los usos típicos del amplificador operacional son
proporcionar cambios en la amplitud y polaridad del voltaje, en osciladores,en circuitos de filtrado y en muchos
tipos de circuitos de instrumentación. En los gráficos podemos ver su símbolo y circuito equivalente

Realimentación

Realimentar un amplificador consiste en llevar la señal

de salida (Vo) a través del circuito de realimentación β
hacia la entrada (Vi). Si la señal de realimentación resta
a la señal de entrada tendremos un realimentación
negativa. Si la señal de realimentación suma se suma a la
señal de entrada tenemos realimentación positiva. En los
circuitos con amplificadores operacionales, la
realimentación negativa se efectúa desde la salida a la
entrada inversora.

Configuración del amplificador

Si la señal ingresa por la entrada inversora el

amplificador se denomina inverso ya que la señal de
salida será inversa a la de entrada. Si la señal ingresa por
la entrada no inversora el amplificador será no inversor y
la señal de salida tendrá el mismo signo que la de
entrada. En el siguiente grafico podemos ver las dos
configuraciones.
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Experimento 1 – Circuitos de Emisor común

Objetivos:Analizar el comportamiento de un amplificador clase A en configuración de emisor común para

distintas señales de entrada, midiendo ganancias, desfasajes y respuesta en frecuencia.

Procedimiento

1) Armar el circuito amplificador con: C1 = 10 µF, R1 = 9 K, R2 = 10 K, RL = 2,2 K, C2 = 25 µF, RC = 50
 , RE = 50. En el caso del laboratorio real, controlar previamente el valor exacto cada componente con el
multímetro digital.

2A 239 ó eq.

Ce

Fig. 1 - Amplificador de Emisor Común

2) Antes de inyectar señal de entrada, medir las tensiones de CC con el voltímetro digital, calcular las corrientes y
ubicar los valores de reposo de colector y emisor.

3) Inyectar señal senoidal de entre 4y 5 KHZ a la entrada, graduando su amplitud a 10mV con el atenuador del
generador o bien con un potenciómetro de preajuste (preset) y conectar el osciloscopio con el canal 1 en la
entrada y el canal 2 en la salida.

4) Medir los valores pico de la señal de entrada y la de salida y calcular la ganancia Av. ¿Qué diferencia de fase
hay entre la señal de entrada y la de salida? A qué se debe esta diferencia?

5) Colocar el capacitor de desacoplo Ce=100µF.

6) Medir nuevamente la ganancia Av ¿A qué se debe el aumento en la ganancia?

7) Aumentar el valor de la tensión de la señal de entrada hasta ubicar el punto donde la etapa empieza a recortar,
midiendo las tensiones de señal de entrada y salida pico, en ese momento. Registrar los valores.

8) Reducir luego la amplitud del generador hasta que en la salida haya menos de 3V pico a pico. Realizar
mediciones de Av en por lo menos 20 frecuencias distintas entre 20 Hz y 200Mhz, cuidando que la señal de salida
se mantenga en amplitudes por debajo del nivel de recorte (por ejemplo en 20, 200, 500, 1K, 2K, 20k , 200K,
20M, 200M, 300MHz). Graficar en una escala de dB en la computadora (diagrama de Bode).

¿Cuál es el ancho de banda del amplificador? Tener en cuenta que la frecuencia máxima y mínima se encuentran
cuando la ganancia se reduce a 0,7 del valor máximo. ¿Qué ocurre con el desfasaje entre las tenciones a medida
que aumenta la frecuencia?
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9) De acuerdo a la teoría de funcionamiento, ¿cuál debería ser el valor aproximado de la ganancia de tensión Av?
¿Cuál debería ser la máxima tensión de salida sin distorsión?

Experimento 2- Acoplamiento directo.

Objetivos:Analizar la estabilidad y dependencia del punto de reposo de un acoplamiento directo.

Procedimiento

1) Calcular los valores de punto de reposo para las etapas 1 y 2 del circuito amplificador de acoplamiento directo
de la figura 2, utilizando transistores discretos 2A 237 o similares. Armar el circuito con los siguientes valores:
R1 =220 , Rc1 =2,2 K , Rc2 =1,2 K , Re2 = 1,8 K , R2 =560  , Ci =Co =10 uF, Ce =100 uF, Vcc = 9 V.

+ Vcc

Rc 1 Rc 2 Co
+
VL
Ib2 -
2A237
+
R1 Ci ib1 Ic1 Ie2
Vbe2 -
2A237
+
Vbe1
- Re2
+
Ce
Vi
- R2
i3

2) Armar el circuito de la figura2.

3) Medir las tensiones y calcular las corrientesefectivas resultantes del punto de reposo. Tabular ambos juegos de
valores (teóricos y lecturas del instrumental) comparando los mismos en función de las tolerancias de los
componentes y de las suposiciones de ganancia de corriente adoptadas para los transistores.

4) Reemplazar uno por uno los transistores con otros del mismo tipo pero de distinto grupo de ganancia. Por
ejemplo 2A 237 A / 2A 237 B o BC 337 en el caso de usar CAD) y registrar la posible variación del punto Q de
la etapa respectiva. Es adecuada la estabilidad frente a variaciones de hfe?

5) Conectar el canal 1 del osciloscopio a la base de la etapa 1, y el canal 2 primeramente al colector de la etapa 1
y después al de la etapa 2. Determinar como en el experimento 2, los valores de ganancia de tensión total,
preservando el nivel de salida por debajo del punto de recorte.

6)Observar la fase la amplitud y la linealidad de las señales en los colectores de ambas etapas. Aumentar la señal
de entrada hasta que comience el recorte y medir la máxima excursión de la tensión en el colector de la etapa 2.

7) Calcular la ganancia del circuito equivalente para señal débil y comparar los valores medidos con los teóricos.

Experimento 3 – Amplificadores de Potencia

Objetivos:Observar el funcionamiento de un amplificador de audiode varias etapas con amplificador operacional.

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Procedimiento

1) Armar el circuito de la figura.

2) Medir la ganancia de tensióntotal del amplificador y calcular la ganancia de corriente para una señal de entrada
de 200mVpp 1KHz y el potenciómetro al 20%.
3) Medir la ganancia de tensión de la primera etapa (punto A). Si la tensión de cc es mucho mayor a la de ca
mover el eje para poder visualizar en forma correcta la señal.
4) Aumentar el potenciómetro hasta que se produzca el recorte de la onda de salida. ¿Cuál será la máxima
potencia de salida sin distorsión
5) Observar en el osciloscopio la forma de la corriente que circula por cada transistor, midiendo la caída de
tensión en las resistencias R7 y R8.

Experimento 4 – Generación de Ondas – Circuitos osciladores

Objetivos:Analizar el funcionamiento de un oscilador puente de Wien, verificando las condiciones para el

arranque de la oscilación y variación de frecuencia para las distintas configuraciones del puente.

Componentes:

1 - Circuito Integrado tipo LM 741 (National Semiconductor) ó similar

1 - Diodo tipo 1N 914 o similar
Potenciómetros o preset: 1 de 470 K, 1 de 10 K (lineales)
Capacitores de Poliester o Poliester metalizado: 2 de 1 nF – 2 de 3,3 nF - 2 de 10 nF - 2 de 47 nF
Capacitores cerámicos: 1 de 47 pF
Resistores de 1/4 W:1 de 270, 1 de 1 K,1 de 2,2 K , 1 de 5,6K, 3 de 8,2 K , 1 de 10 K, 1 de 12 K , 1
de 15 K.
Varios: Baterías herméticas de 12 V. 10 A/h o más

Procedimiento

1) Montar el circuito de generador Puente de Wien de la figura, utilizando un amplificador operacional del tipo
LM 741 o similar. Utilizar una alimentación dual de 9 +9 V ó 10 + 10 V (baterías o fuente dual de bajo zumbido).
Inicialmente colocar en el circuito del puente los capacitores de poliester de 47 nF
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2) Ajustar el preset de 10 K para arranque de la oscilación con una ganancia levemente mayor de 3. El de 500
(470) K permite ajustar la amplitud de salida y el diodo D1 la estabiliza automáticamente. Observar la forma de
onda con el barrido demorado y usando la doble base de tiempo del osciloscopio (modo de Intensificación).
Reajustar el preset para mejor linealidad.

3) Medir la amplitud y la frecuencia de la onda senoidal de salida, sin carga conectada al oscilador. Reemplazar
uno de los resistores del puente de 8,2 K por otro de 10 K, y después por otro de 12 K. Arranca el oscilador?
Medir y registrar.

4) Reemplazar los capacitores del puente de 47 nF por otros (preferentemente de poliester metalizado) de: 1)
1 nF; 2) 3,3 nF 3) 10 nF.

5) Repetir las mediciones de amplitud y frecuencia y registrar los valores obtenidos. Especificar si fue necesario
reajustar el preset de 470 K durante los cambios de frecuencia. Volver a los valores originales de C = 47 nF y
colocar una resistencia de carga RL =5,6 K. Registrar los cambios producidos de amplitud y frecuencia.
Reajustar el preset de 470 K en caso necesario y tomar nota.

6) Reemplazar la R de 5,6 K por otra de 1 K y registrar los valores. Reemplazar luego por otra de 270 ,
ídem, observando los cambios producidos y registrar.

Bibliografía de Referencia

Beams, D: “Electronic Circuits Analysis II Laboratory- Oscillators” Dpt. of Electrical Engineering, University of
Texas, USA 1998.
Boylestad, R. &Nashelsky, L. “Lab Manual for Electronic Devices and Circuit Theory” Pearson, USA 2013
Floyd, T. & Wettterling, S “Laboratory Exercises for Electronic Devices” 11th Ed. Pearson Education, USA 2018
Hayes, T. “Learning the Art of Electronics: a Hands-on Lab Course”Cambridge University Press, USA 2016
Stanley, W. & Hackworth, J. “Computer-Aided Circuit Analysis with Multisim” CreateSpace Independent
Publishing Platform, USA 2018
Zungeru, A. &Chuma, J. “Laboratory Experiments in Electronics Engineering Vol.1” Notion Press, USA 2016