DISEÑO DE SISTEMAS ELECTRÓNICOS DE POTENCIA

Preguntas de repaso
4.1. ¿Qué es un transistor bipolar BJT?

R= Es un tipo de transistor de tres terminales, colector, emisor y base; entre sus

principales funciones son; un buen amplificador y como elemento de conmutación.

4.2. ¿Cuáles son los tipos de BJT?

R= NPN; que cuenta con dos regiones tipo n y una p.

PNP; que cuenta con dos regiones p y una región n.

4.3. ¿Cuáles son las diferencias entre los transistores NPN y PNP?

R= Es básicamente en su estructura interna, sea de mayor región n o p además

en el transistor NPN sale la corriente por el emisor, y en el PNP ingresa la
corriente por esta misma.

4.4. ¿Cuáles son las características de entrada de los transistores

NPN?

R= La configuración emisor común es la que generalmente se utiliza en

aplicaciones de conmutación, por ende las características de entrada en un NPN
es la relación que se tiene entre la corriente base (IB) y el comportamiento de la
tensión VBE este ultimo en función de IB.

4.5. ¿Cuáles son las características de salida de los transistores NPN?

R= Viene a ser el comportamiento de la corriente IC, en función del voltaje

colector – emisor VCE.

4.6. ¿Cuáles son las tres regiones de operación de los BJT?

R= Se tienen tres regiones y estas son:

 De corte.
 Activa.
 De saturación.

4.7. ¿Qué es el beta (B) de los BJT?

R= Es la relación de la corriente de colector (IC) y la corriente de base, se llama

ganancia de corriente en sentido directo.
 4.8. ¿Cuál es la diferencia entre B, y la beta forzada (BF) de los BJT?

R= El BF, es la relación de ICS (corriente de colector en la saturación) y la IB, lo

cual esta relación es cuando se analiza en el punto de saturación.

4.9. ¿Qué es la transconductancia de los BJT?

R= La transconductancia (gm), viene a ser la relación de IC con VBE, lo cual es

una constante para una representación o modelo de un BJT con generador de
corriente.

4.10. ¿Qué es el factor de sobreexcitación de los BJT?

R= También llamado factor de sobresaturación (ODF), es la relación entre IB e IBS

(corriente base en la región de saturación).ODF=IB/IBS

4.11. ¿Cuál es el modelo de conmutación de los BJT?

R= Estos modelos se pueden representar de dos formas:

1. Modelo con ganancia de corriente.
2. Modelo con transconductancia.

4.12. ¿Cuál es la causa del tiempo de retardo en los BJT?

R= Aumento de la corriente del colector hasta el valor de ICS de estado

permanente

4.13. ¿Cuál es la causa del tiempo de almacenamiento en los BJT?

R= Cuando el voltaje de entrada se invierte de V1 a -V2 y la corriente de base

también cambia a –Ib2, la corriente d colector no cambia durante un tiempo ts es
el tiempo de almacenamiento.

4.14. ¿Cuál es la causa del tiempo de subida en los BJT?

R= El tiempo de subida depende de la constante de tiempo determinada por la

capacitancia de la unión, que en el caso normal, la corriente de base es mayor que
la necesaria para saturar al transistor.

4.15. ¿Cuál es la causa del tiempo de caída en los BJT?

R= Durante el tiempo de caída, el perfil de carga baja desde el perfil c hasta que
se remueven todas las cargas.
 4.16. ¿Cuál es el modo de saturación de los BJT?

R= Se puede definir como el punto arriba del cual todo aumento en la corriente de
base no aumenta en forma apreciable de corriente de colector. El la saturación, la
corriente de colector permanece casi constante.

4.17. ¿Qué es el tiempo de encendido de los BJT?

R= El tiempo de encendido o tiempo de activación, tenc, es la suma del tiempo de

retardo con el tiempo de subida tr. Tenc=td+tr

4.18. ¿Qué es el tiempo de apagado de los BJT?

R= El tiempo de apagado o tiempo de desactivación, toff, es la suma de

almacenamiento ts y el tiempo de caída tf. Tapag=ts+tf

4.19. ¿Qué es una FBSOA de los BJT?

R= Durante las condiciones de activación y de estado activo, la temperatura

promedio de la unión y la segunda avalancha limitan la capacidad de manejo de
potencia de un transistor. Los fabricantes suelen proporcionar las curvas FBSOA
bajo las condiciones especificadas de prueba.

4.20. ¿Qué es una RBSOA de los BJT?

R= Durante el tiempo de apagado, el transistor debe sostener una gran corriente y

un alto voltaje, en la parte de los casos con polarización inversa de base a emisor.
El voltaje de colector a emisor debe mantenerse en un nivel seguro, a un valor
especificado de corriente de colector, o menos.

4.21. ¿Por qué es necesario invertir la polarización de los BJT durante

su apagado?

R= Es necesaria la polarización para saturar al transistor, y asi no dañar al

dispositivo durante el apagado porque se invierten las corrientes del colector y el
emisor.

4.22. ¿Qué es la segunda avalancha de los BJT?

R= Es un fenómeno destructivo, se debe al flujo de corriente por una pequeña

porción de la base, que produce puntos calientes localizados. Si la energía de
esos puntos calientes es suficiente, el calentamiento localizado excesivo puede
dañar al transistor. Asi, la segunda avalancha se deba a la avalancha térmica
localizado debido a altas concentraciones de corrientes.

4.23. ¿Cuáles son las ventajas y las desventajas de los BJT?

R= Desventajas:
 Segunda Avalancha.
 Perdida de disipación de potencia.
 Controlado por Corriente.
Ventajas:
 Área de Operación segura en polarización directa e indirecta.

4.24 ¿Qué es un MOSFET?

R= Los mosfet, son semiconductores de silicio, creados por capas dopados,

consta básicamente de tres terminales en su aspecto físico, denominados,
drenador (drain), suministrador (source), y gate (compuerta), estos elementos,
soportan mayor corriente que los antecesores BJT, incluso, tienen una respuesta
muy rápida ante el corte y saturación, por lo que es muy empleado para
electrónica de potencia. Dispositivo controlado por voltaje que solo requiere una
pequeña corriente de entrada.

4.25 ¿Cuáles son los tipos de MOSFET?

R= 1. MOSFET decrementales.
2. MOSFET incrementales.

4.26 ¿Cuáles son las diferencias entre los MOSFET tipo de incremental
y los de tipo decremental?

R= El decremental cuenta con canal, y el incremental no cuenta con canal físico.

Un Decremental permanece activo con cero voltaje de compuerta mientras que un
MOSFET de tipo incremental permanece apagado con voltaje cero.

4.27 ¿Qué es el voltaje de estrechamiento de los MOSFET?

R= El valor de Vgs cuando es suficientemente negativo, el canal se decrementa

hasta desaparecer.

4.28 ¿Qué es el voltaje umbral de los MOSFET?

R= Es el voltaje de entrada Vt para que se acumule una cantidad suficiente de

electrones para formar un canal virtual.
 4.29 ¿Qué es la transconductancia de los MOSFET?

R= Es la relación de la corriente de drenaje al voltaje de compuerta, define a las

características de transferencia, y es un parámetro muy importante.

4.30 ¿Cuál es el modelo de conmutación de los MOSFET de canal n?

4.31 ¿Cuáles son las características de transferencia de los MOSFET?

4.32 ¿Cuáles son las características de salida de los MOSFET?

R= El tiempo de retardo de apagado y el Tiempo de caída.

4.33 ¿Cuáles son las ventajas y las desventajas de los MOSFET?

R= Ventajas:
 Controlados por voltaje.
 Velocidad de conmutación muy alta.
  Tiempos de conmutación en el orden de nanosegundos.
Desventajas:
 Perdidas en la zona activa.
 Problemas de descarga electrostática.

4.34. ¿Por qué los MOSFET no requieren voltaje negativo de

compuerta durante su apagado?

R= Porque para activar el MOSFET solo requiere que el voltaje de compuerta VGS
sea mayor o igual a un valor llamado voltaje umbral o voltaje de entrada, VT, así
se acumula una cantidad suficiente de electrones parar formar un canal virtual. Y
para apagar el MOSFET solo se requerirá que VGS sea menor que el voltaje
umbral VT.

4.35. ¿Por qué es distinto el concepto de saturación en los BJT y en

los MOSFET?

R= Porque para un BJT en la región de saturación, la corriente de base es

suficientemente alta como para que el voltaje colector-emisor sea bajo.
En tanto que para un MOSFET la región de estrechamiento o saturación es donde
VDS=VGS – VT.

4.36. ¿Cuál es el tiempo de encendido de los MOSFET?

R= Es el retardo de encendido td(enc) es el tiempo necesario para cargar la

capacitancia de entrada hasta el valor del voltaje umbral.

4.37. ¿Cuál es el tiempo de apagado de los MOSFET?

R= Es el tiempo de retardo de apagado td (apag) es el tiempo necesario para que

la capacitancia de entrada descargue desde el voltaje de sobresaturación V1
hasta la región de estrechamiento.
 4.38. ¿Qué es un SIT?

R= Es un dispositivo para alta potencia y alta frecuencia. Desde la invención de

los dispositivos estáticos de inducción. En esencia, es la versión del tubo tríodo al
vacio, pero en estado sólido .es un dispositivo de estructura vertical con
multicanales cortos. Así no está sujeto a limitaciones de área, y es adecuado para
funcionamiento de alta velocidad con alta potencia.

4.39. ¿Cuáles son las ventajas de los SIT?

R= Presentan una alta capacidad de voltaje, tienen bajo ruido, baja distorsión y
capacidad de alta potencia en audio frecuencia. Los tiempos de encendido y
apagado son muy pequeños, en forma típica de 0.25 μs.

4.40. ¿Cuáles son las desventajas de los SIT?

R= Posee una menor capacidad de corriente, tiene una alta caída en estado
activo, encendido, es alta, en el caso normal de 90 V para un dispositivo de 180 A,
y de 18 V para uno de 18 A

4.41. ¿Qué es un IGBT?

R= Es un dispositivo en el cual se combinan las ventajas de los BJT y de los

MOSFET. Un IGBT tiene alta impedancia de entrada, como los
MOSFET, y pocas perdidas por conducción en estado activo, como los BJT. Sin
embargo, no tiene problema de segunda avalancha, como los BJT. Por el diseño y
la estructura del microcircuito, se controla la resistencia equivalente de drenaje a
fuente, RDS, para que se comporte como la de un BJT.
 4.42. ¿Cuáles son las características de transferencia de los IGBT?

4.43. ¿Cuáles son las características de salida de los IGBT?

4.44. ¿Cuáles son las ventajas y desventajas de los IGBT?

R= Ventajas: bajo voltaje en estado de encendido, poca potencia en la

compuerta, presenta alta impedancia de entrada, no tiene problemas de segunda
avalancha.
Desventajas: menor capacidad de voltaje en estado apagado, dispositivo de
voltaje unipolar, mayor caída de voltaje en estado encendido, menor velocidad de
conmutación comparado a los MOSFET.

4.45 ¿Cuáles son las diferencias principales entre los MOSFET y los
BJT?
 4.46 ¿Qué problemas de operación en paralelo tienen los BJT?

R= Los transistores se conectan en paralelo si un dispositivo no puede manejar

la demanda de corriente de la carga. Para compartir corrientes iguales, los
transistores deben estar pareados en ganancia, transconductancia, voltaje de
saturación, tiempo de encendido y tiempo de apagado. En la práctica no siempre
es posible cumplir con estos requisitos. Se puede obtener una partición razonable
de corriente (45 a 55% con dos transistores) conectando resistores en serie
con las terminales de emisor (o de fuente).

4.47 ¿Qué problemas de operación en paralelo tienen los MOSFET?

4.48 ¿Qué problemas de operación en paralelo tienen los IGBT?

R= Los IGBT requieren cuidados especiales para parear sus características,

debido a las variaciones de los coeficientes de temperatura con la corriente de
colector.

4.49 ¿Qué problemas de operación en serie tienen los BJT?

4.50 ¿Qué problemas de operación en serie tienen los MOSFET?

R= Los transistores pueden funcionar en serie, para aumentar su capacidad

de manejo de voltaje. Es muy importante que los transistores conectados en serie
se enciendan y apaguen en forma simultánea. De no ser así, el dispositivo más
lento en el encendido, y el más rápido en el apagado, pueden quedar sujetos al
voltaje total del circuito de colector a emisor (o de drenaje a fuente), y ese
dispositivo en particular se puede destruir por el alto voltaje.

4.51 ¿Qué problemas de operación en serie tienen los IGBT?

4.52 ¿Qué objeto tiene el amortiguador en paralelo con los

transistores?

R= En el caso normal se requieren circuitos de protección para mantener a las

tasas dv/dt de operación dentro de los límites admisibles del transistor. La red RC
a través del transistor se llama circuito amortiguador, o amortiguador en paralelo.

4.53 ¿Qué objeto tiene el amortiguador en serie con los transistores?