Está en la página 1de 4

Estudio de los Transistores de Unión Bipolar BJT

Sergio Arjona Nieto, Kenneth Chacón Altamiranda, Andrés Cristancho Molina, Eliecer Vega Acosta

sarjona@cuc.edu.co, kchacon@cuc.edu.co, acristan1@cuc.edu.co, evega12@cuc.edu.co.


Resumen- En el presente informe se encuentra la información arbitrariamente, sino que se hace de acuerdo a un convenio
referente a la experiencia de laboratorio cuyo objetivo es mostrado en la fig. 3 donde se observa la dirección de las
analizar el funcionamiento y comportamiento de los circuitos corrientes en ambos transistores (npn y pnp) y los signos de
transistorizados, al mismo tiempo que se reconoce la naturaleza
de los transistores BJT para las diferentes condiciones de las tensiones. [1]
señales de entrada. El transistor que se utiliza para la
experiencia de laboratorio es el transistor NPN 2N2222, con los
cuales se realizan los esquemáticos propuestos por la guía al
mismo tiempo que se obtienen las características de corriente y
voltaje para cada una de las terminales del transistor y se
determina la beta promedio en la región activa.

Palabras Clave- circuito transistorizado, transistor NPN,


transistores BJT, región activa.

MARCO TEÓRICO

Fig. 3. Dirección de las corrientes en los transistores bipolares npn y pnp


A. Transistor Bipolar BJT [1].

El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas


que consta de dos capas de material tipo n y una de material D. Regiones de operación del transistor BJT.
tipo p o de dos capas de material tipo p y una de material tipo Región de corte: esta zona se produce cuando las uniones
n. El primero se llama transistor npn y el segundo transistor base-emisor como la base-colector están polarizadas
pnp. [2]. En la fig. 1 se puede observar cómo están inversamente. En consecuencia no fluye corriente por lo tanto
constituidas las uniones pn de los transistores npn y pnp. basta con verificar que Vbe < 0,7V por ello las corrientes
serán Ib =0, Ie=0 e Ic=0 en esta región el transistor se
comporta como un interruptor abierto. [2].
Región activa: esta zona de funcionamiento se produce
cuando la unión base-emisor está en polarización directa y la
unión base-colector en polarización inversa, en este caso
aunque una de las uniones está directamente polarizada
debido a la estructura del transistor las cargas se mueven a
través de las dos uniones pn por tanto habrá corriente fluyendo
por ambas uniones; como la unión base-emisor está
directamente polarizada se cumple que Vbe = 0,7V. [2].
Fig. 1. Construcción transistores bipolares npn y pnp [2].
Región de saturación: esta zona sucede cuando las dos
uniones están polarizadas directamente en este caso habrá
corriente a través de ambas uniones, pero Ib será mucho
B. Simbología mayor por lo que no se cumplirá la relación constante Ic e Ib
Los transistores npn y pnp en los circuitos electrónicos además de comportarse como un cortocircuito. [2]. En la fig.
manejan una simbología específica, ya que al ser transistores 4 se puede observar las tres regiones de operación del
bipolares, su magnitud de control fundamental es la corriente transistor bipolar, pero además se aprecia la curva
y en consecuencia se representa para cada uno un símbolo característica de salida del transistor.
característico. [1]. A continuación en la fig. 2 se muestra la
simbología de los transistores bipolares npn y pnp.

Fig. 2. Símbolo de los transistores bipolares npn y pnp [1].

C. Dirección de la corriente en los transistores bipolares npn


y pnp Fig. 4. Regiones de operación del transistor bipolar. [2]

A la hora de definir los sentidos de las corrientes de las PROCEDIMIENTO


corrientes de los terminales y los signos de las tensiones entre
terminales cabe destacar que hay seis magnitudes a relacionar, Para iniciar con la experiencia lo primero que se realizara
tres corrientes y tres tensiones, es decir para obtener un es un circuito que contiene dos fuentes de voltaje un transistor
denominado punto de operación del transistor hay que obtener (2N2222) y un potenciómetro como se muestra en la fig. 5;
estos seis valores (Ib, Ic, Ie, Vb, Ve, Vc) esto no se hace luego se procederá a alimentar el circuito con las fuentes, la
fuente que va al potenciómetro tendrá un voltaje de entrada de
1,5 V, mientras que la fuente que alimenta al colector del
transistor iniciara un voltaje de 2V el cual ira aumentado hasta
llegar a 15V y en cada uno de los intervalos se aran
mediciones; para realizar estas mediciones en cada intervalo
de voltaje se regulara por medio del potenciómetro que en el Fig. 6 valor de beta tomada del Datasheet transistor 2N2222A.
colector allá una corriente que aumentara de 5µA hasta llegar
a 60µA; en cada intervalo de la corriente se realizaran las
mediciones necesarias, para posteriormente anotar los valores Reemplazando los datos de Ib de la tabla I y β tomado del
obtenidos en la tabla I. Datasheet en la Ec. (1) Se obtiene el valor de Ic y con estos
datos calculados se obtienen los datos de la tabla II.

+2v
Ic = βIb; β=100
Ic = 100 x 1,12mA
Ic= 0,112mA

+4v
Ic = βIb; β=100
Fig. 5. Circuito transistorizado propuesto y realizado para la práctica.
Ic = 100 x 1,15mA
Ic = 0,115mA

De manera general se realiza estos mismos cálculos con la Ec


(1) para +6v, +8v, +10v, +12v y +15v. Y para las corrientes
de base 5 µA, 10 µA, 20 µA, 30 µA, 40 µA, 50 µA y 60 µA.

Tabla I
DATOS OBTENIDOS DE LAS MEDICIONES EN EL
CIRCUITO
Vce (voltios) Tabla II
Ib µA +2 +4 +6 +8 +10 +12 +15 DATOS OBTENIDOS DE LOS CALULOS EN BASE A LOS VALORES
5 µA 1,12 1,15 1,19 1,22 1,24 1,29 1,33 MEDIDOS EN EL CIRCUITO
mA mA mA mA mA mA mA Vce (voltios)
10 µA 4,33 4,40 4,45 4,51 4,57 4,68 4,76 Ib µA +2 +4 +6 +8 +10 +12 +15
mA mA mA mA mA mA mA 5 µA 0,112 0,115 0,119 0,122 0,124 0,129 0,133
20 µA 6,18 6,26 6,37 6,52 6,72 6,92 7,10 mA mA mA mA mA mA mA
mA mA mA mA mA mA mA 10 µA 0,433 0,440 0,445 0,451 0,457 0,468 0,476
30 µA 9,82 10,06 10,36 10,45 10,62 10,86 11,06 mA mA mA mA mA mA mA
mA mA mA mA mA mA mA 20 µA 0,618 0,626 0,637 0,652 0,672 0,692 0,710
40 µA 10,6 10,93 11,32 11,62 11,94 12,06 12,48 mA mA mA mA mA mA mA
2 mA mA mA mA mA mA mA 30 µA 0,982 1,006 1,036 1,045 1,062 1,086 1,106
50 µA 12,8 14,34 15,20 15,72 16,40 17,08 18,06 mA mA mA mA mA mA mA
2 mA mA mA mA mA mA mA 40 µA 1,062 1,093 1,132 1,162 1,194 1,206 1,248
60 µA 12,9 17,18 17,87 18,57 19,36 20,37 20,64 mA mA mA mA mA mA mA
1 mA mA mA mA mA mA mA 50 µA 1,282 1,434 1,520 1,572 1,640 1,708 1,806
mA mA mA mA mA mA mA
60 µA 1,291 1,718 1,787 1,857 1,936 2,037 2,064
mA mA mA mA mA mA mA
CÁLCULOS
Tomando los valores medidos de la tabla I Vce vs Ib se
procede a calcular los valores de Ic para luego comparar y
graficar el comportamiento de este por medio de la ecuación ERROR %
(1). Para calcular el error arrojado se toman los valores de
Ic = βIb (1) Ic medido de la tabla I y los valores de Ic calculado de la tabla
Cabe destacar que el valor de β fue tomado del Datasheet del II en la Ec. (1), luego tomando la Ec (2) se calcula el error.
transistor npn 2N2222A. En la fig. 6 se puede observar el
valor a tomar para beta partiendo del valor máximo de la E∆x = │Vteórico - Vexperimental│x 100 (3)
corriente arrojado en la tabla 1, se evidencia un valor de
20,64mA y se compara con el Datasheet del transistor
E∆x = │1,12mA – 0,112mA│x 100 = 0.10%
2N2222A.
E∆x = │4,33mA – 0,433mA│x 100 = 0.38%

E∆x = │6.18mA – 0,618mA│x 100 = 0.55%


E∆x = │9,82mA – 0,982mA│x 100 = 0.88% Devices, 2012.

E∆x = │10,6mA – 1,062mA│x 100 = 0.95%

E∆x = │12,8mA – 1,282mA│x 100 = 1.1%

E∆x = │17,18mA – 1,718mA│x 100 = 1.5%

De la misma manera se realiza para cada uno de los datos en


+4v, +6v, +8v, +10v, +12v y +15v.

De esta manera se puede observar errores por debajo del 5%


lo que nos indica que en la experiencia se observa un
comportamiento muy cercano en las Ic medidas e Ic
calculadas.

A continuación, se procede a resolver las preguntas


iniciales propuestas en la guía.

1. ¿En qué se diferencia un transistor BJT NPN de un


transistor PNP? Explique brevemente la composición y
funcionamiento de cada uno de ellos.
R/:

2. Describa cada uno de los modos de operación en los que


se puede encontrar un transistor BJT, especificando para cada
uno de ellos que condiciones de voltaje y corriente se
presentan en el dispositivo.
R/:

CONCLUSIONES
El desarrollo de esta experiencia permite concluir que se
logró comprender el funcionamiento de los circuitos
transistorizados gracias al análisis de los datos obtenidos en el
esquemático realizado, los cuales permitieron comprobar el
comportamiento del voltaje y la corriente en cada una de las
terminales del transistor al variar y fijar las señales de entrada
que permitían el funcionamiento correcto del transistor NPN
en su región de operación activa, al mismo tiempo que se
comprobaba el estado del transistor y de sus límites en la
práctica.
Cabe resaltar que se realizó la rectificación de los datos
medidos junto a datos calculados para la revisión del proceso
de medición y obtención de datos necesarios para conocer la
precisión de la medición por medio del error porcentual.

REFERENCIAS
[1] T. Vázquez, O. A. Gallego and A. Lasa, "Análisis básico
de circuitos eléctricos y electrónicos", 1Era Ed, Madrid,
Pearson pp. 319-318, 2004.

[2] R. L. Boylestad, "Electrónica: Teoría de circuitos y


dispositivos electrónicos", Ed. 10, México, Pearson pp. 2-
12, 2009.

[3] Edward C. Niehenke, “The evolution of transistors for


power amplifiers: 1947 to today”, 2015 IEEE MTT-S
International Microwave Symposium, 2015.

[4] Seyed Ebrahim Hosseini, Hadi Goodarzi Dehrizi, “A new


BJT-transistor with ability of controlling current gain”,
International Multi-Conference on Systems, Signals &

También podría gustarte