OBJETIVOS  Por el terminal de control no se
absorbe corriente.
OBJETIVO GENERAL:
 Calcular los valores de las
resistencias y capacitores para
un amplificador de fuente
común a partir de unas
características o transistores de efecto de campo los JFET
especificaciones establecidas
OBJETIVOS ESPECÍFICOS:
 Determinar si el JFET está
operando en la zona de
saturación, con los valores de
las resistencias calculadas.
 Calcular los valores teóricos de
las resistencias Ri y Ro, y
hacer sus respectivas
mediciones.
 Establecer la ganancia del
amplificador según los valores
antes hallados y hacer su
respectiva medición.
MARCO TEÓRICO
Con los transistores bipolares
observábamos como una pequeña
corriente en la base de los mismos se
controlaba una corriente de colector
mayor. Los Transistores de Efecto de
Campo son dispositivos en los que la
corriente se controla mediante tensión.
Cuando funcionan como amplificador
suministran una corriente de salida que
es proporcional a la tensión aplicada a la
entrada. Características generales:
 Una señal muy débil puede
controlar el componente
 La tensión de control se emplea
para crear un campo eléctrico
Se empezaron a construir en la década
de los 60. Existen dos tipos de
(transistor de efecto de campo de unión)
y los MOSFET. Los transistores MOS
respecto de los bipolares ocupan menos
espacio por lo que su aplicación más
frecuente la encontramos en los circuitos
integrados.
Es un componente de tres terminales
que se denominan: Puerta (G, Gate),
Fuente (S, Source), y Drenaje (D, Drain).
Según su construcción pueden ser de
canal P o de canal N.
La curva característica del FET define
con precisión como funciona este
dispositivo. En ella distinguimos tres
regiones o zonas importantes:
 Zona lineal.- El FET se comporta
como una resistencia cuyo valor
depende de la tensión VGS.
 Zona de saturación.- A diferencia
de los transistores bipolares en
esta zona, el FET, amplifica y se
comporta como una fuente de
corriente controlada por la tensión
que existe entre Puerta (G) y
Fuente o surtidor (S) , VGS.
 Zona de corte.- La intensidad de
Drenador es nula.
Como en los transistores bipolares
existen tres configuraciones típicas:
Surtidor común (SC), Drenador común
(DC) y Puerta común (PC). La más
utilizada es la de surtidor común que es
la equivalente a la de emisor común en
los transistores bipolares.
Las principales aplicaciones de este tipo
de transistores se encuentra en la
amplificación de señales débiles.
Características De Salida:
Figura 3. Características de salida del
JFET
Al variar la tensión entre drenador y
surtidor varia la intensidad de drenador
permaneciendo constante la tensión
entre puerta y surtidor.
En la zona óhmica o lineal se observa
como al aumentar la tensión drenador
surtidor aumenta la intensidad de
drenador.
En la zona de saturación el aumento de
la tensión entre drenador y surtidor
produce una saturación de la corriente de
drenador que hace que esta sea
constante. Cuando este transistor trabaja
como amplificador lo hace en esta zona.
La zona de corte se caracteriza por tener
una intensidad de drenador nula.
La zona de ruptura indica la máxima
tensión que soportará el transistor entre
drenador y surtidor.
Es de destacar que cuando la tensión
entre puerta y surtidor es cero la
intensidad de drenador es máxima.
Características De Transferencia:
Indican la variación entre la intensidad de
drenador en función de la tensión de
puerta.
Figura 4. Características De
Transferencia del JFET
Hojas De Características De Los
JFET:
En las hojas de características de los
fabricantes de JFETs encontrarás los
siguientes parámetros (los más
importantes):
 VGS y VGD.- son las tensiones
inversas máximas soportables por
la unión PN.
 IG.- corriente máxima que puede
circular por la unión puerta -
surtidor cuando se polariza
directamente.
 PD.- potencia total disipable por el
componente.
 IDSS.- Corriente de saturación
cuando VGS=0.
 IGSS.- Corriente que circula por el
circuito de puerta cuando la unión
puerta - surtidor se encuentra
polarizado en sentido inverso.
Amplificador Surtidor Común:
El amplificador surtidor común con JFET
de la figura 5, tiene dos condensadores
de bloqueo. Uno para separar el
amplificador de la fuente de señal que lo
alimenta (CG) y otro (CO) que aísla el
amplificador de la próxima etapa (la
etapa que recibe la señal amplificada).
En esta fórmula aparece el valor de la
transconductancia (gm); gm = ID / VGS.
Este cociente está definido como la
razón de un pequeño cambio en la
corriente de drenaje entre un pequeño
cambio en la tensión compuerta -
surtidor, cuando VDS es constante.
La transconductancia da información
acerca de la capacidad del JFET de
suministrar cambios de corriente de
drenaje (ID) cuando se cambia la
tensión de compuerta surtidor (VGS).

Figura 5. Amplificador Surtidor Común

También hay un condensador de

derivación CS (en paralelo con la
resistencia RS). Estos condensadores se
escogen para que, en el rango de
frecuencias a que va a trabajar este
amplificador, se comporten como cortos
circuitos.
En el análisis de pequeña señal (señal
alterna), la fuente de tensión de
corriente continua (VDD) se cortocircuita.

Ganancia De Tensión:

La ganancia de tensión se obtiene con

la fórmula: AV = - VO/ VF
Donde:

AV = Ganancia de tensión
VO = Tensión de salida
VF = Tensión de entrada

El signo negativo significa que la salida

sale invertida con respecto a la entrada.
Otra forma de obtener la ganancia es
con la siguiente fórmula: AV = - gm x
RL.