Grado en Física e

Instrumentación Espacial
ASIGNATURA: Fundamentos Electrónica FECHA: 19/10/2022

NOMBRE: DNI:
Se debe contestar en el espacio reservado. Las respuestas erróneas restan 0.3.

Bloque 2
CUESTIÓN 1. (1.5 puntos)
La tensión umbral de una estructura MOS
 depende del tipo de semiconductor y dopaje
 depende del espesor y tipo de óxido.
 depende de la temperatura
 todas las afirmaciones anteriores son correctas.
 ninguna de las afirmaciones anteriores es correcta.

CUESTIÓN 2. (3 puntos)
Explique brevemente cuál es el principio físico de funcionamiento de un transistor MOSFET con una
tensión en puerta VG=2 VT y una VDS variable entre 0 y 2 VT.  VDSat =( VG -Vth)= 2 Vth-- Vth= Vth
VG (campo eléctrico transversal) controla la conductividad del canal. VG>Vth el exceso de tensión se
invierte en generar Qinv.en la interfase del semiconductor con el óxido, dando lugar a un canal que une la
fuente con el drenador. Al aumentar la Qinv tb lo hace la conductividad del canal (σch=q·µch·Qinv).

VDS (campo eléctrico longitudinal) controla la corriente de arrastre por el canal (Ja = σch ·ξ).
• 0< VDS < VDSat = Vth  canal abierto. Se comporta como una resistencia: región óhica.
• VDS > VDSat = Vth)  canal estrangulado. Se comporta como un generador de corriente
dependiente : región de saturación.

CUESTIÓN 3. (2,5 puntos)

Justifique, desde el punto de vista de prestaciones del dispositivo, por qué un transistor BJT no puede
tener dopaje simétrico, ni la base grandes dimensiones.

• La anchura de la base (wB) debe ser estrecha para minimizar fenómenos de recombinación y que la
mayoría de los portadores inyectados desde el E alcancen el C y contribuyan así a IC.  wB < Lminoritarios
(longitud de difusión de minoritarios en la base), porque en caso contrario los minoritarios se
recombinarían en la base y el comportamiento macroscópico sería el de dos uniones en serie.

• El dopaje no conviene que sea simétrico entre emisor y colector para aumentar la ganancia del
𝐼𝐼𝐶𝐶
sistema �𝛽𝛽 = �. Al aumentar el dopaje del emisor (NE) aumenta el número de portadores
𝐼𝐼𝐵𝐵
inyectados a la base  aumenta la corriente de emisión y, por lo tanto, aumenta la IC. Por lo tanto,
aumenta la ganancia
FIS_FE Bloque 2

Nota: aumentar el dopaje del colector (NC) haría aumentar el número de portadores inyectados hacia la
base cuando estuviera trabajando en saturación, donde ambas uniones están en directa. La corriente neta
de mayoritarios es la suma neta de la corriente generada desde el emisor y la corriente generada desde
el colector. Estas tienen sentidos opuestos, por lo que conviene que la de colector sea muy bajita para
tener una corriente neta significativa. Para tener una corriente mayor necesitamos tener mayor
concentración de mayoritarios, por lo tanto, el dopaje del emisor debe ser mayor que el de colector. Así
mismo, en cualquier régimen conviene que la corriente de emisor debida a minoritarios, que son los
inyectados desde la base, sea lo más baja posible, para así reducir la corriente de base y para ello el dopaje
de la base debe ser menor que el de emisor.

CUESTIÓN 4. (3 puntos)
Represente las funciones representativas correspondientes a un BJT y un MOSFET genéricos, indicando
en cada una de ellas los parámetros más significativos.
BJT

VCEsat
Característica I-V de entrada Característica I-V de salida

MOSFET Función de transferencia Característica I-V de entrada