Preinforme de laboratorio: Transistor de Efecto

Campo
1st J. Alexander Osorno
Facultad de Ingenierı́a
Universidad del Valle
Cali, Colombia
Jhon.osorno@correounivalle.edu.co
2nd Alison Sarmiento
Facultad de Ingenierı́a
Universidad del Valle
Cali, Colombia
alison.sarmiento@correounivalle.edu.co
3rd Alejandro Tobón
Facultad de Ingenierı́a
Universidad del Valle
Cali, Colombia
alejandro.tobon@correounivalle.edu.co

I. F UNDAMENTO T E ÓRICO

I-A. ¿En qué aspectos, aplicaciones y condiciones es rele-

vante el uso de los transistores de efecto de campo (JFET o
MOSFET)? Nombre al menos dos aplicaciones reales donde
se utilicen transistores de efecto de campo en la actualidad.
Los transistores de efecto de campo (JFET o MOSFET) son
dispositivos semiconductores que usan el campo eléctrico para Figura 1. Estructura básica de un transistor JFET de canal n.
controlar la conductividad de un canal que transporta un solo
tipo de portador de carga. Son relevantes para aplicaciones
que requieren alta impedancia de entrada, bajo ruido, alta
velocidad y bajo consumo de potencia. Algunas aplicaciones • Simbolo: La diferencia en el sı́mbolo entre ambos
reales donde se utilizan transistores de efecto de campo son: tipos reside en el sentido de la flecha del terminal
Interruptores analógicos: los FETs se usan como inte- de puerta (G). En el JFET de canal n el terminal
rruptores en circuitos analógicos por su alta resistencia de puerta se representa con una flecha entrante al
en estado apagado y baja resistencia en estado encendido. dispositivo, mientras que en el de canal p es saliente.
Amplificadores: los JFETs se usan en etapas de amplifi- Recordar que el sentido de la flecha indica el sentido
cación que aı́slan la etapa anterior de la siguiente etapa de circulación de la corriente.
y actúan como amplificadores de búfer.
Osciladores: los JFETs se usan en osciladores de cambio
de fase que generan señales sinusoidales a partir de una
fuente de alimentación continua.
Producción: se usan como unidades de control en la
producción automatizada.
Limitadores de corriente: los MOSFETs se usan en
circuitos que limitan la corriente máxima que puede
circular por una carga para protegerla de sobrecargas.

I-B. ¿Cuáles son las configuraciones de funcionamiento de
los transistores de efecto de campo (JFET y MOSFET), sus
principales caracterı́sticas y diferencias?
Configuracion JFET: Se pueden clasificar en JFET de
canal n y JFET de canal p.
• Estructura: D = Drenador: Es el terminal por al que
salen los portadores del dispositivo (los electrones
en el JFET de canal n y los huecos en el de canal
p). S = Fuente: Es el terminal por el que entran los
portadores. G = Puerta: Es el terminal mediante el
que se controla la corriente de portadores a través
del canal.
Figura 2. Simbolos del JFET
• Polarización: Para el funcionamiento más habitual,
los transistores de canal n se polarizan aplicando una
tensión positiva entre drenador y fuente (VDS) y una
tensión negativa entre puerta y fuente (VGS). De esta
forma, la corriente circulará en el sentido de drenador
a fuente. En el caso del JFET de canal p la tensión
VDS a aplicar debe ser negativa y la tensión VGS
positiva, de esta forma la corriente fluirá en el sentido
de la fuente hacia el drenador.
 Figura 3. Polarización JFET
Figura 6. Sı́mbolos del MOSFET de acumulación
Configuracion MOSFET: Se pueden clasificar en MOS-
FET de acumulación o de enriquecimiento y MOSFET
de deplexión o empobrecimiento.
• Estructura: Partimos de una zona de material semi-
conductor tipo p en la que aparecen dos zonas tipo n+
con contactos metálicos a los terminales de drenador
y fuente. La zona roja representada corresponde a
una capa de material aislante, en este caso óxido
de silicio. En el terminal de puerta, tenemos una
zona metálica (correspondiente al contacto óhmico)
una zona de óxido y una zona de semiconductor.
Además, este dispositivo posee un cuarto terminal, el
terminal del Sustrato (SS). La importante diferencia Figura 7. Sı́mbolos del MOSFET de deplexión.
entre las estructuras es que en el caso del MOSFET
de deplexión es que disponemos de un canal inicial • Polarización: Los transistores MOSFET de acumu-
realizado en el proceso de fabricación del dispositivo. lación de canal n se polarizan aplicando una tensión
positiva entre drenador y fuente (VDS) y una tensión
positiva entre puerta y fuente (VGS). De esta forma,
la corriente circulará en el sentido de drenador a
fuente. En el caso del MOSFET de acumulación de
canal p la tensión VDS a aplicar debe ser negativa y
la tensión VGS negativa, de esta forma la corriente
fluirá en el sentido de la fuente hacia el drenador.

Figura 4. Estructura básica del MOSFET de acumulación canal n

Figura 8. Polarización del MOSFET de acumulación.

Los transistores MOSFET de deplexión de canal

Figura 5. Estructura básica del MOSFET de deplexión canal n.
• Simbolo: Los sı́mbolos más habituales utilizados
para la representación en circuitos de los MOSFET
de acumulación y de deplexión son los que aparecen
representados a continuación:
n se polarizan aplicando una tensión positiva entre
drenador y fuente (VDS) y una tensión entre puerta
y fuente (VGS) que puede ser negativa o positiva,
de esta forma, la corriente circulará en el sentido de
drenador a fuente. En el caso del MOSFET de acu-
mulación de canal p la tensión VDS a aplicar debe
ser negativa y la tensión VGS positiva o negativa,
de esta forma la corriente fluirá en el sentido de la
fuente hacia el drenador.
 • Zona óhmica o de no saturación: Para VDS <
VDSsat el JFET se comporta como una resistencia
variable con VGS.
• Zona de saturación o de corriente constante: Para
VDS > VDSsat el JFET se comporta como una
fuente de corriente controlable con VGS
• Zona de ruptura. VDSruptura = Vr + VGS

Figura 9. Polarización del MOSFET de deplexión.

Diferencias y Semejanzas del JFET y MOSFET:

• Diseño: Tanto el JFET como el MOSFET, comparten
un diseño común de base unipolar. Pero la compuerta
del MOSFET está aislada del material del canal
por una capa de dióxido de silicio, que le permite
funcionar tanto en el modo de agotamiento como en
el de enriquecimiento.
• Tipo de canal: El diseño del JFET limita su canal
Figura 10. Curvas caracteristicas JFET
de ser utilizado en un modo de agotamiento único.
Un canal de agotamiento aumenta la resistencia en
respuesta a la tensión detectada en la compuerta prin- Modelo de Curva MOSFET
cipal. El canal de un MOSFET puede ser fabricado • MOSFET de Acumulación:
tanto en la forma de agotamiento como en la de ◦ Zona de corte o de no conducción: ID = 0 con
enriquecimiento. El canal de un MOSFET de tipo independencia del valor VDS, esto se da para
incremental se vuelve menos resistente a medida que valores de VGS ≤ VT
se aplica tensión a la compuerta. Ambos transistores ◦ Zona óhmica o de no saturación: Para VDS <
están disponibles en las configuraciones del canal-n VDSsat el MOSFET se comporta como una resis-
y canal p. tencia variable con VGS
• Flujo de corriente: Un JFET está normalmente en- ◦ Zona de saturación o de corriente constante: Para
cendido, es decir, permite que la corriente fluya VDS > VDSsat el MOSFET se comporta como
libremente entre los terminales de fuente y drenaje una fuente de corriente controlada con la tensión
cuando no hay entrada de tensión en la compuerta. VGS
El agotamiento aumenta la resistencia en este canal ◦ Zona de ruptura: la ruptura se producirá cuando
hasta que la puerta llegue a la ”pizca”de tensión, que VDS ≥ VVr con independencia del valor de VGS,
cierra el canal. Un MOSFET de tipo de agotamiento por tanto en la zona de ruptura todas las distintas
es también un canal normalmente encendido. El curvas en función de VGS se juntan en una única.
MOSFET del tipo de enriquecimiento es normalmen-
te un canal apagado. La tensión en la compuerta de
este tipo de dispositivo reduce la resistencia a través
de este canal que permite que la corriente fluya.
• Impedancia: La impedancia de entrada JFET es alta,
lo que significa que el dispositivo drenará poca o
ninguna corriente desde el circuito al que está unido.
El diseño MOSFET tiene una impedancia aún mayor
que el JFET. El precio por esta caracterı́stica es que
el dispositivo MOSFET es más susceptible a daños
por una acumulación de electricidad estática.
I-C. Modelo matemático de los transistores de efecto
de campo (JFET y MOSFET decremental e incremental)
y su relación con la familia de curvas caracterı́sticas. Figura 11. Curvas caracteristicas MOSFET de acumulación
Modelo de Curva JFET:
• Zona de corte o de no conducción. ID = 0 con • MOSFET de Deplexión: Cuando la tensión VGS
independencia del valor VDS, esto se da para valores aplicada es cero, a la corriente por el dispositivo se
de VGS ≤ VGSoff, le denomina IDSS
 Figura 12. Caracterı́sticas ideales de un MOSFET de deplexión canal n.
II. C URVA C ARACTER ÍSTICA F UENTE C OM ÚN DEL
T RANSISTOR JFET
El circuito a utilizar será el de la Figura 13.
Figura 13. Circuito JFET en fuente común
b. Determine la referencia del JFET y los valores de
resistencias que va a usar en el laboratorio. Procure conseguir
todos los elementos previamente a la realización de la práctica.
Transistor: 2N5485 Resistencia: 100Ω
Haciendo un barrido de voltajes utilizando la herramienta
DC sweep de multisim se obtiene la familia de curvas ID-
VDS de la Figura 14.
Figura 14. Familia de Curvas de JFET en fuente común.
La familia de curvas que se muestra en el libro de Boylestad
(10m edición.Fig. 6.10), se ve en la Figura 15.
Figura 15. Familia de curvas de JFET en fuente común. Libro de Boylestad.
Al examinar y comparar las gráficas obtenidas, se pue-
de observar una diferencia significativa, especialmente en la
región conocida como región óhmica. Esta discrepancia se
atribuye principalmente a la inclusión de una resistencia en
el circuito de simulación. A pesar de este factor, las curvas
generadas muestran una tendencia general similar a la que se
esperaba inicialmente. Es importante resaltar que la presencia
de la resistencia en el circuito permite una representación más
precisa de las caracterı́sticas y comportamientos propios de un
circuito eléctrico real. Esto resulta fundamental para el análisis
y la comprensión del funcionamiento del circuito.
En consecuencia, a pesar de que se presenten diferencias
especı́ficas en la región óhmica, la forma general de
la familia de curvas obtenidas sigue siendo coherente
con las expectativas iniciales. Estas curvas proporcionan
información valiosa sobre el comportamiento del circuito,
permitiendo inferir cómo varı́a la corriente en función de la
tensión aplicada, y viceversa, en diferentes puntos del circuito.
Para llevar a cabo la práctica en el laboratorio, se puede
agregar una resistencia en la compuerta del transistor como
parte del circuito. Esta modificación tiene como objetivo
permitir la medición indirecta de la corriente IG (corriente de
la compuerta). Al introducir la resistencia, se crea una caı́da
de tensión proporcional a la corriente IG, lo que facilita su
cálculo y análisis.
II-A. Recta de carga
La recta de carga se puede obtener cuando se fijan valores
de voltaje para ambas fuentes (VGS y VDD) y hallando el
valor de ID cuando VDD es 0. Para este caso, se fijó VGS en
2 V e ID alcanzó un valor de 11.6 mA.
III. C URVA C ARACTER ÍSTICA F UENTE C OM ÚN DEL
T RANSISTOR MOSFET INCREMENTAL O DE
ENRIQUECIMIENTO (E-MOSFET)
El circuito a utlizar es el de la Figura 16.
 Figura 16. Circuito MOSFET en fuente común
Los elementos a usar en el laboratorio son:
Transistor IRF840.
Resistencias de 100 Ω y 100k Ω.
A partir del circuito se obtiene la familia de curvas que se
pueden ver en la Figura 17.
Figura 17. Familia de Curvas de MOSFET en fuente común.n
Las curvas que se pueden observar en el libro de Boylestad
son las siguientes:
Figura 18. Familia de curvas de MOSFET en fuente común. Libro de
Boylestad.
Al comparar las gráficas, se puede observar una similitud
entre las curvas obtenidas en la simulación y las curvas de
referencia que se encuentran en el datasheet del dispositivo
seleccionado. Además, es posible realizar una comparación
con los gráficos encontrados en los libros guı́a.
Al examinar las curvas obtenidas en la simulación y com-
pararlas con las curvas de la literatura, se puede apreciar
una cercanı́a y una concordancia en términos de forma y
tendencia general. Esto indica que la simulación ha sido capaz
de capturar las caracterı́sticas principales del dispositivo y
proporcionar resultados consistentes con la información de
referencia.
Es importante destacar que la comparación con los
gráficos encontrados en los libros guı́a también respalda la
validez de los resultados de la simulación. Al encontrar una
correspondencia entre las curvas obtenidas en la simulación
y los gráficos de referencia, se fortalece la confianza en la
precisión de la simulación y en la capacidad del modelo
utilizado para representar adecuadamente el comportamiento
del dispositivo.
Para obtener la familia de curvas caracterı́sticas en el labora-
torio de manera segura y proteger las fuentes de alimentación y
los equipos, es imprescindible utilizar una carga en el circuito.
Esto se debe a que, sin una carga, se generarı́an corrientes
muy altas y potencialmente peligrosas, como se observa en la
simulación.
Por lo tanto, se propone utilizar el siguiente circuito, que
incluye una carga en el drenaje del dispositivo, ası́ como una
resistencia en la compuerta:
 Figura 21. Alarma de emergencia E-MOSFET
Figura 19. Circuito MOSFET en fuente común. Montaje de laboratorio.

R EFERENCIAS
La carga conectada en el drenaje garantiza que la corriente
[1] “Transistor de efecto campo - Wikipedia, la enciclopedia libre”. Wi-
generada por el dispositivo se mantenga dentro de lı́mites kipedia, la enciclopedia libre. ?https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor
seguros y evita cualquier daño a las fuentes de alimentación de efecto campo.
y los equipos. Además, la resistencia en la compuerta permite [2] “Transistores de efecto de campo aplicaciones - Bing”. Bing. https://
bing.com/searchq=transistores+de+efecto+de+campo+aplicaciones.
controlar la corriente de la compuerta y proporciona una forma [3] “ELECTRÓNICA FUNCIONAL. TRANSISTORES DE EFECTO DE
indirecta de medir la corriente de la compuerta. CAMPO (fet´s) Y SUS APLICACIONES: JFET/MOSFET y su funcio-
namiento básico”. (20 de marzo de 2020). [Video en lı́nea]. Disponible:
https://www.youtube.com/watch?v=Ofp qry5fE
IV. C IRCUITOS DE A PLICACI ÓN [4] “UPV/EHUko OpenCourseWare (OCW) proiektua.” https://ocw.ehu.eus/
file.php/110/electro gen/teoria/tema-7-teoria.pdf.
a. Consulte dos (2) circuitos de aplicación con transistores
FET: uno (1) de ellos como amplificador de una señal AC (con
JFET) y uno (1) de libre elección con E-MOSFET (sugerencia:
los EMOSFET se utilizan principalmente en aplicaciones de
conmutación).
Amplificador de señal AC (JFET): Los componentes
básicos de un mezclador de audio con JFET de tres
canales se muestran acontinuación, las tres señales de
entrada pueden provenir de fuentes diferentes como un
micrófono, un instrumento musical, generadores de ruido
de fondo, etcétera. Todas las señales se pueden aplicar a
la misma terminal de compuerta, porque la impedancia
de entrada del JFET es tan alta que un circuito abierto
la puede representar de forma aproximada

Figura 20. Mezclador de audio de tres canales

E-MOSFET: Este circuito es sumamente peculiar, la os-

cilación vendrá desde el transistor, el MOSFET activara
el led intermitentemente con un efecto gradual.