Junction Field-Effect Transistor, en espaol transistor de efecto de campo de juntura o
unin) *DIFERENCIAS ENTRE EL FET Y EL BJT BJT
Controlado por corriente de base.
Dispositivo bipolar que trabaja con las cargas libres de los huecos y electrones. IC es una funcin de IB. (beta factor de amplificacin) Altas ganancias de corriente y voltaje. Relacin lineal entre Ib e Ic. JFET
Controlado por tensin entre puerta y fuente.
Dispositivo unipolar que trabaja con las cargas libres de los huecos (canal p) electrones (canal n). ID es una funcin de Vgs. gm (factor de transconductancia). Ganancias de corriente indefinidas y ganancias de voltaje menores a las de los BJT. Relacin cuadrtica entre Vgs e Id. Ventajas del FET con respecto al BJT Impedancia de entrada muy elevada (107 a 1012) M. Generan un nivel de ruido menor que los BJT. Son ms estables con la temperatura que los BJT. Son ms fciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y permiten integrar ms dispositivos en un CI. Se comportan como resistencias controladas por tensin para valores pequeos de tensin drenaje-fuente. La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo suficiente para permitir su utilizacin como elementos de almacenamiento. Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes. Desventajas de los FET Los FETs presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad de entrada. Los FETs presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales que los BJT. Los FETs se pueden daar debido a la electricidad esttica. APLICACIN, PRINCIPAL VENTAJA Y USOS
Aislador o separador (buffer), impedancia de entrada alta y de salida baja, uso general, equipo de medida, receptores. Amplificador de RF, bajo ruido, sintonizadores de FM, equipo para comunicaciones. Mezclador, baja distorsin de intermodulacin, receptores de FM y TV, equipos para comunicaciones. Amplificador con CAG, facilidad para controlar ganancia receptores, generadores de seales. Amplificador cascodo, baja capacidad de entrada, instrumentos de medicin, equipos de prueba. Resistor variable por voltaje, se controla por voltaje, amplificadores operacionales, control de tono en rganos. Amplificador de baja frecuencia, capacidad pequea de acoplamiento, audfonos para sordera, transductores inductivos. Oscilador, mnima variacin de frecuencia, generadores de frecuencia patrn, receptores. Circuito MOS digital, pequeo tamao, integracin en gran escala, computadores, memorias. *FUNCIONAMIENTO DEL TRANSITOR JFET es un tipo de dispositivo electrnico de tres terminales que puede ser usado como interruptor electrnicamente controlado, amplificador o resistencia controlada por voltaje. Posee tres terminales, comnmente llamados drenaje (D), puerta o compuerta (G) y fuente (S).
A diferencia del transistor de unin bipolar el JFET, al ser un dispositivo controlado por un voltaje de entrada, no necesita de corriente de polarizacin. La carga elctrica fluye a travs de un canal semiconductor (de tipo N o P) que se halla entre el drenaje y la fuente. Aplicando una tensin elctrica inversa al terminal de puerta, el canal se "estrecha" de modo que ofrece resistencia al paso de la corriente elctrica. Un JFET conduce entre los terminales D y S cuando la tensin entre los terminales G y S (VGS) es igual a cero (regin de saturacin), pero cuando esta tensin aumenta en mdulo y con la polaridad adecuada, la resistencia entre los terminales D y S crece, entrando as en la regin hmica, hasta determinado lmite cuando deja de conducir y entra en corte. La grfica de la tensin entre los terminales D y S (VDS) en el eje horizontal contra la corriente del terminal D (ID o corriente de drenaje) es una curva caracterstica y propia de cada JFET.
Un JFET tiene una gran impedancia de entrada (que se halla frecuentemente en el orden de1010 ohmios), lo cual significa que tiene un efecto despreciable respecto a los componentes o circuitos externos conectados a su terminal de puerta.
*TIPOS DE JFET Y SUS SIMBOLOS
Podemos clasificar los transistores de efecto campo segn el mtodo de aislamiento entre el canal y la puerta:
El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) usa un aislante
(normalmente SiO2). El JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una unin p-n El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) substituye la unin PN del JFET con una barrera Schottky. En el HEMT (High Electron Mobility Transistor), tambin denominado HFET (heterostructure FET), la banda de material dopada con "huecos" forma el aislante entre la puerta y el cuerpo del transistor. Los MODFET (Modulation-Doped Field Effect Transistor) Los IGBT (Insulated-gate bipolar transistor) es un dispositivo para control de potencia. Son comnmente usados cuando el rango de voltaje drenaje-fuente est entre los 200 a 3000V. Aun as los Power MOSFET todava son los dispositivos ms utilizados en el rango de tensiones drenaje-fuente de 1 a 200V. Los FREDFET es un FET especializado diseado para otorgar una recuperacin ultra rpida del transistor. Los DNAFET es un tipo especializado de FET que acta como biosensor, usando una puerta fabricada de molculas de ADN de una cadena para detectar cadenas de ADN iguales La caracterstica de los TFT que los distingue, es que hacen uso del silicio amorfo o del silicio policristalino.
*QUE ES EL VOLTAJE DE ESTRANGULAMIENTO VP
VP (Pinch-Off Voltage): es la tensin de estrangulamiento del canal. Al igual que IDSS, presenta fuertes dispersiones en su valor. *EN QUE CONDICIONES SE OBTIENE LA CORRIENTE DE DRENAJE MAXIMA (IDSS)
Ecuacin de Shockley:
ID=IDSS(1- VGS/Vp)2
Donde:
Vp es la tensin de puerta que produce el corte en el transistor FET.
IDSS es la corriente mxima de drenador que circula por el transistor, al aumentar VDS, cuando la polarizacin de la puerta es VSG= 0 vol *CURVAS CARACTERISTICAS DEL JFET La curva que resulta de al unir los puntos que se obtienen al realizar las medidas en la malla de entrada del circuito visto en el tema anterior, se conoce como curva de transferencia o de transconductancia, esto porque se transfiere corriente ID por el drenador del JFET en este caso uno de canal n, al variar la VGS, en otras palabras sera algo as, la corriente que se circule por el drenador va a depender de la tensin que este presente entre la compuerta y la fuente; como se ve es una curva parablica y esa curva obedece en forma aproximada a una ecuacin cuadrtica, se dice aproximada porque en los circuitos con JFET reales los valores obtenidos con la ecuacin muchas veces se alejan del valor medido, esta ecuacin es conocida como ecuacin de Shockley.
Para cualquier circuito que se realice con un JFET ser necesario tener a mano la curva de transferencia, algunas hojas de datos traen la curva de transferencia, pero es mas til si la obtiene uno mismo y esta se consigue con la ayuda de esa ecuacin. En la figura se ve la ecuacin de Schockey, con la cual se puede calcular la ID si se conoce el valor de VGS, o tambin se puede calcular VGS si se conoce el valor de ID, el valor de IDSS y el de VGScorte sern valores conocidos ya que se encuentran en la hoja de datos del JFET que se est utilizando.
Para poder trazar la curva de transferencia se necesita conocer al menos 4 puntos que estn sobre la grfica, dos de los cuales sern IDSS y el otro VGScorte, con estos valores y con la ecuacin de Shockley se pueden calcular 2 puntos mas que ayudan a trazar la curva de transferencia, uno de ellos se calcula por ejemplo cuando la VGS sea la mitad de la VGScorte, reemplazando esto en la ecuacin se obtiene que para VGS=VGScorte/2 la ID=IDSS/4; el otro punto se halla si se reemplaza ID=IDSS/2, en este caso al despejar se obtiene que el valor de la VGS=(0,3)*VGScorte.
Por ejemplo, para trazar la curva de transferencia para el 2N3819, lo primero que se necesita es su hoja de datos, que se puede ver aqu, se ve que su IDSS vara entre 2mA y 20mA pero tiene un valor tpico de 10mA que ser el que se utilizar, entonces IDSS=10mA cuando VGS=0, tambin se ve que VGScorte tpica es de -3V que ser el utilizado, entonces VGScorte=-3V cuando ID=0; en realidad se puede utilizar cualquier otro valor que est dentro de los rangos que indique la hoja de datos, lo que pasar es que en algunos casos el resultado se desviar un poco mas un poco menos del valor real, ya se tienen 2 puntos para trazar la curva de transferencia; los otros 2 puntos se hallarn con la ecuacin de Shockley y se har tal como se coment en el prrafo anterior, para VGS=VGScorte/2 esto es VGS=-1,5V le corresponde ID=ID/4 lo cual es ID=2,5mA, para ID=IDSS/2 esto es para ID=5mA le corresponde VGS=(0,3)*VGScorte lo cual es VGScorte=-0,9V; ya se tienen los 4 puntos necesarios para trazar la curva de transferencia los cuales tienen las siguientes coordenadas: (-3,0) (-1.5,2.5) (-0.9,5) y (0,10); el resultado es el que se ve en la figura adjunta.
Esta es la curva de transferencia que se utilizar para
obtener los circuitos de polarizacin del JFET 2N3819, que es con el cual se realizaran los circuitos de prueba que se irn viendo en los vdeos del JFET, los cuales se resolvern en forma geomtrica, por ejemplo si se quiere conocer cual es el valor de la ID cuando VGS=- 2V, se ubica este valor sobre el eje de VGS y a partir de all se traza una paralela al eje de ID hasta que corte a la curva, desde el punto donde la curva fue cortada se traza una paralela al eje VGS hasta que se corte el eje ID, el valor donde ID fue cortado ser el valor de la corriente de drenaje para VGS=-2V, en este caso ID=1,2mA; as es como se proceder para hallar ID o VGS cuando se conozca algunos de ellos.
Tambin se puede usar la ecuacin de Shockley para encontrar ID o VGS, pero habr circuitos en los cuales esta ecuacin se complicar como se ver mas adelante.
A continuacin se deja el vdeo que se prepar justamente para comentar sobre este tema, en el se ve la manera en que se proceder para obtener la curva de transferencia para un JFET, esta dems decir que la idea es la misma para cualquier JFET que se utilice, tanto para uno de canal n como para el de canal p. Veamos el caso de un JFET de canal p, hay que recordar que para estos las conexiones de las fuentes de alimentacin se deben invertir tal como se ve en el la figura,polarizacin de JFET de canal p por ejemplo el 2N5460 del cual su hoja de datos se encuentra aqu; se ve que la IDSS est entre -1mA y - 5mA para trazar la curva de transferencia se usar el promedio ya que en este caso no aparece el valor tpico, entonces la IDSS=-3mA cuando VGS=0; tambin se ve que VGScorte est entre 0,75V y 6V igual usaremos el promedio por lo cual VGScorte=3V cuando ID=0; los otros 2 puntos se hallarn con la ecuacin de Shockley y se har tal como se coment anteriormente, para VGS=VGScorte/2 esto es VGS=1,5V le corresponde ID=ID/4 lo cual es ID=-0,75mA, para ID=IDSS/2 esto es para ID=-1,5mA le corresponde VGS=(0,3)*VGScorte lo cual es VGScorte=0,45V; ya se tienen los 4 puntos necesarios para trazar la curva de transferencia del JFET de canal p 2N5460 los cuales tienen las siguientes coordenadas: (3,0) (1.5,-0.75) (0.45,-1,5) y (0,-3).
En la hoja de datos del 2N5460, se ve que estn representados los grfico de
transferencia (entrada) y el grfico de salida, en ellos se ha representado la ID que es negativa en el lugar que normalmente le corresponde a los valores positivos, es decir se esta representando a los valores negativos como aquellos puntos que estn sobre el eje de la VGS, lo mismo han hecho con la VDS han representado los valores negativos donde normalmente se representan las valores positivos, se procede de igual manera en la siguiente figura, esto con el fin de que se pueda ver la similitud con el caso de los JFET de canal n, de all que anteriormente se halla comentado que lo que se vea para el caso de los JFET de canal n, servir para los JFET de canal p, con la nica diferencia que las fuentes VDD y VGG habr que conectarlas en forma invertida y al medir la corriente ID en el sentido del drenaje hacia la fuente dar un valor negativo, adems IG=0.
