UNIVERSIDAD DE PAMPLONA FACULTAD DE INGENIERIAS Y ARQUITECTURA LABORATORIO DE ELECTRONICA II DOCENTE: Ing. CARLOS FELIPE VELÀSQUEZ 2021 PRACTICA 5.
Polarización de transistores 1. Objetivo
Comprobar el funcionamiento del transistor en sus respectivas polarizaciones para
determinar las diferencias entre cada circuito de polarización, teniendo en cuenta la teoría vista en clase y haciendo uso de Proteus y Matlab para comprobar los resultados.
2. Marco Teórico
-Transistores BJT (de unión dipolar)
Están formados por dos uniones PN y constan de 3 terminales (colector, base y emisor), que se corresponden con las tres zonas de material semiconductor. Por el emisor entra un flujo de portadores que a través de la base llega al colector (los sentidos de la corriente están indicados en la figura).
Tipos de transistores
Hay dos tipos de transistores estándar, NPN y PNP, con diferentes símbolos de circuito. Las letras hacen referencia a las capas de material semiconductor usado para construir el transistor. La mayoría de los transistores usados hoy son NPN porque este es el tipo más fácil de construir usando silicio. Si tú eres novato en la electrónica es mejor que te inicies aprendiendo cómo usar un transistor NPN. Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la región del ánodo compartida. En una operación típica, la unión base-emisor está polarizada en directa y la unión base-colector está polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo, cuando una tensión positiva es aplicada en la unión base-emisor, el equilibrio entre los portadores generados térmicamente y el campo eléctrico repelente de la región agotada se desbalancea, permitiendo a los electrones excitados térmicamente inyectarse en la región de la base. Estos electrones "vagan" a través de la base, desde la región de alta concentración cercana al emisor hasta la región de baja concentración cercana al colector. Estos electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a que la base está dopada con material P, los cuales generan "huecos" como portadores mayoritarios en la base.
En una configuración normal, la unión emisor-base se polariza en directa y la unión base-
colector en inversa. Debido a la agitación térmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez, prácticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo eléctrico que existe entre la base y el colector. Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la región del ánodo compartida. En una operación típica, la unión base-emisor está polarizada en directa y la unión base-colector está polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo, cuando una tensión positiva es aplicada en la unión base-emisor, el equilibrio entre los portadores generados térmicamente y el campo eléctrico repelente de la región agotada se desbalancea, permitiendo a los electrones excitados térmicamente inyectarse en la región de la base. Estos electrones "vagan" a través de la base, desde la región de alta concentración cercana al emisor hasta la región de baja concentración cercana al colector.
Los terminales son rotulados como base (B), colector (C) y emisor (E). Estos términos se refieren al funcionamiento interno del transistor, pero no ayuda mucho a entender cómo se usa, así que los trataremos como rótulos Los transistores amplifican corriente, por ejemplo, pueden ser usados para amplificar la pequeña corriente de salida de un circuito integrado (IC) lógico de tal forma que pueda manejar una bombilla, un relé u otro dispositivo de mucha corriente. Un transistor puede ser usado como un interruptor (ya sea a la máxima corriente, o encendido ON, o con ninguna corriente, o apagado OFF) y como amplificador (siempre conduciendo corriente). La cantidad amplificada de corriente es llamada ganancia de corriente, β o hFE
Probando un transistor Los transistores pueden dañarse por calor cuando los estamos soldando o por uso indebido en un circuito. Si tú sospechas que un transistor puede estar dañado hay dos maneras fáciles de probarlo:
1. Probarlo con un multímetro
Usa un multímetro, polímetro o un simple tester (batería, resistor y LED) para verificar por conducción cada par de terminales. Coloca un multímetro digital en la posición diodo test o un multímetro analógico en el rango de baja resistencia. Prueba cada par de terminales en ambos sentidos (seis en total): * La juntura base-emisor (BE) debería comportarse como un diodo y conducir sólo en un sentido. * La juntura base-colector (BC) debería comportarse como un diodo y conducir sólo en un sentido. * Entre colector-emisor (CE) no debería conducir en ningún sentido. Probando un transistor NPN
La figura muestra cómo se comportan las junturas en un transistor NPN. Para un transistor PNP los diodos están invertidos, pero puede usarse el mismo procedimiento de prueba.
Diodo npn 2n2222
Polarización del transistor
Polarización Esquema Ecuación Recta de carga
Divisor de tensión
Con resistencia de retroalimentación
3. Materiales, Equipos e Insumos
• Software de simulación ✓ Proteus ✓ Matlab
4. Reactivos N/A 5. Procedimiento
1. Diseñe un circuito de polarización por divisor de tensión el cual a su salida se obtenga
Vce = 6.5v con beta=150, dicho transistor debe estar en zona activa, luego se aumente beta primero un 50% y luego a 100%, incluya los resultados en la tabla n°1. Realice la grafica de la recta del transistor donde se muestre los diferentes puntos de trabajo del transistor. Observación: El valor de las fuentes de alimentación será seleccionado según el grupo de trabajo, no puede haber 2 valores para las fuentes iguales, por lo cual deberá haber comunicación entre los grupos para no repetir, si se llega a repetir repercutirá en la nota general del laboratorio.
2. Realizar la simulación del circuito del ítem número 1 en Proteus, ubicando los medidores necesarios para evidenciar los valores de corrientes y tensiones del circuito, incluir los resultados en la tabla n°2, realice la gráfica de la recta del transistor donde se muestre los diferentes puntos de trabajo del transistor.
Beta = 125 B = 225 Beta = 300
Tabla N2
Proteus BETA IB(mA) IE(mA) IC(mA) Vce(v) 150 0.00158 0.237 0.236 6,5 +50% 0.00106 0.238 0.237 6.47 +100% 0.00079 0.238 0.237 6.47 3. Realizar un programa en Matlab donde me pregunte sobre que polarización 4. deseo (inicialmente se realizará con dos: P.D.T y P. con Retroalimentación) una vez ingrese mi selección, me pregunte los valores de las resistencias, Beta y fuente de voltaje, para luego, me entregue el valor del punto de trabajo del transistor Ingresar los valores obtenido en la tabla n°3, realice la gráfica de la recta del transistor donde se muestre los diferentes puntos de trabajo del transistor.
