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LABORATORIO BJT PARTE 2

Jean Carlo cotrina Vargas


1093789152

Luis Carlos Castañeda


1127044027

Cristian Arley Valero Leon


1004912060

Jesus Julian Quintero Rochel


1004967791

UNIVERSIDAD DE PAMPLONA
FACULTAD DE INGENIERIAS Y ARQUITECTURA
LABORATORIO DE ELECTRONICA II
DOCENTE: Ing. CARLOS FELIPE VELÀSQUEZ
2021
PRACTICA 5.

Polarización de transistores
1. Objetivo

Comprobar el funcionamiento del transistor en sus respectivas polarizaciones para


determinar las diferencias entre cada circuito de polarización, teniendo en cuenta la teoría
vista en clase y haciendo uso de Proteus y Matlab para comprobar los resultados.

2. Marco Teórico

-Transistores BJT (de unión dipolar)


Están formados por dos uniones PN y constan de 3 terminales (colector, base y emisor), que
se corresponden con las tres zonas de material semiconductor. Por el emisor entra un flujo
de portadores que a través de la base llega al colector (los sentidos de la corriente están
indicados en la figura).

Tipos de transistores

Hay dos tipos de transistores estándar, NPN y PNP, con diferentes símbolos de circuito. Las
letras hacen referencia a las capas de material semiconductor usado para construir el
transistor. La mayoría de los transistores usados hoy son NPN porque este es el tipo más fácil
de construir usando silicio. Si tú eres novato en la electrónica es mejor que te inicies
aprendiendo cómo usar un transistor NPN.
Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la región del ánodo
compartida. En una operación típica, la unión base-emisor está polarizada en directa y la
unión base-colector está polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo, cuando
una tensión positiva es aplicada en la unión base-emisor, el equilibrio entre los portadores
generados térmicamente y el campo eléctrico repelente de la región agotada se desbalancea,
permitiendo a los electrones excitados térmicamente inyectarse en la región de la base. Estos
electrones "vagan" a través de la base, desde la región de alta concentración cercana al emisor
hasta la región de baja concentración cercana al colector. Estos electrones en la base son
llamados portadores minoritarios debido a que la base está dopada con material P, los cuales
generan "huecos" como portadores mayoritarios en la base.

En una configuración normal, la unión emisor-base se polariza en directa y la unión base-


colector en inversa. Debido a la agitación térmica los portadores de carga del emisor
pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez,
prácticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo eléctrico que
existe entre la base y el colector.
Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la región del ánodo
compartida. En una operación típica, la unión base-emisor está polarizada en directa y la
unión base-colector está polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo, cuando
una tensión positiva es aplicada en la unión base-emisor, el equilibrio entre los portadores
generados térmicamente y el campo eléctrico repelente de la región agotada se desbalancea,
permitiendo a los electrones excitados térmicamente inyectarse en la región de la base.
Estos electrones "vagan" a través de la base, desde la región de alta concentración cercana
al emisor hasta la región de baja concentración cercana al colector.

Los terminales son rotulados como base (B), colector (C) y emisor (E). Estos términos se
refieren al funcionamiento interno del transistor, pero no ayuda mucho a entender cómo se
usa, así que los trataremos como rótulos
Los transistores amplifican corriente, por ejemplo, pueden ser usados para amplificar la
pequeña corriente de salida de un circuito integrado (IC) lógico de tal forma que pueda
manejar una bombilla, un relé u otro dispositivo de mucha corriente.
Un transistor puede ser usado como un interruptor (ya sea a la máxima corriente, o encendido
ON, o con ninguna corriente, o apagado OFF) y como amplificador (siempre conduciendo
corriente).
La cantidad amplificada de corriente es llamada ganancia de corriente, β o hFE

Probando un transistor
Los transistores pueden dañarse por calor cuando los estamos soldando o por uso indebido
en un circuito. Si tú sospechas que un transistor puede estar dañado hay dos maneras fáciles
de probarlo:

1. Probarlo con un multímetro


Usa un multímetro, polímetro o un simple tester (batería, resistor y LED) para verificar por
conducción cada par de terminales. Coloca un multímetro digital en la posición diodo test o
un multímetro analógico en el rango de baja resistencia.
Prueba cada par de terminales en ambos sentidos (seis en total):
* La juntura base-emisor (BE) debería comportarse como un diodo y conducir sólo en un
sentido.
* La juntura base-colector (BC) debería comportarse como un diodo y conducir sólo en un
sentido.
* Entre colector-emisor (CE) no debería conducir en ningún sentido.
Probando un transistor NPN

La figura muestra cómo se comportan las junturas en un transistor NPN. Para un transistor
PNP los diodos están invertidos, pero puede usarse el mismo procedimiento de prueba.

Diodo npn 2n2222


Polarización del transistor

Polarización Esquema Ecuación Recta de carga

Divisor de
tensión

Con resistencia
de
retroalimentación

3. Materiales, Equipos e Insumos

• Software de simulación
✓ Proteus
✓ Matlab

4. Reactivos
N/A
5. Procedimiento

1. Diseñe un circuito de polarización por divisor de tensión el cual a su salida se obtenga


Vce = 6.5v con beta=150, dicho transistor debe estar en zona activa, luego se aumente
beta primero un 50% y luego a 100%, incluya los resultados en la tabla n°1. Realice la
grafica de la recta del transistor donde se muestre los diferentes puntos de trabajo del
transistor.
Observación:
El valor de las fuentes de alimentación será seleccionado según el grupo de
trabajo, no puede haber 2 valores para las fuentes iguales, por lo cual deberá
haber comunicación entre los grupos para no repetir, si se llega a repetir
repercutirá en la nota general del laboratorio.

Teórico
BETA IB(mA) IE(mA) IC(mA) Vce(v)
150 0.00135 0.249 0.248 6,49
+50% 0.00083 0.249 0.248 6.37
+100% 0.00083 0.249 0.248 6.37
Tabla N1
Grafica

2. Realizar la simulación del circuito del ítem número 1 en Proteus, ubicando los
medidores necesarios para evidenciar los valores de corrientes y tensiones del circuito,
incluir los resultados en la tabla n°2, realice la gráfica de la recta del transistor donde
se muestre los diferentes puntos de trabajo del transistor.

Beta = 125
B = 225
Beta = 300

Tabla N2

Proteus
BETA IB(mA) IE(mA) IC(mA) Vce(v)
150 0.00158 0.237 0.236 6,5
+50% 0.00106 0.238 0.237 6.47
+100% 0.00079 0.238 0.237 6.47
3. Realizar un programa en Matlab donde me pregunte sobre que polarización
4. deseo (inicialmente se realizará con dos: P.D.T y P. con Retroalimentación) una vez
ingrese mi selección, me pregunte los valores de las resistencias, Beta y fuente de
voltaje, para luego, me entregue el valor del punto de trabajo del transistor Ingresar
los valores obtenido en la tabla n°3, realice la gráfica de la recta del transistor donde
se muestre los diferentes puntos de trabajo del transistor.

Beta 150
Beta 225

Beta 300
Proteus
BETA IB(mA) IE(mA) IC(mA) Vce(v)
150 0,00154 0,236 0,236 6,5
+50% 0,00153 0,347 0,347 6.4
+100% 0,00152 0,459 0,459 6.3
Tabla n°3

5. Repita el inciso 1,2 y 3, ahora aplicado a una P. con Retroalimentación.

6. Compare los resultados de las diferentes tablas y calcule el porcentaje de error de cada
una con respecto al teórico.
%e:((teo-prac)/teo)(100)

Ib Ie Ic Vce
2.47% 0.035% 0.78% 0.013%
0.025% 0.02% 1.62% 0.88%

Observaciones: Se debe diseñar un programa en Matlab para las cuatro


polarizaciones.

Puntos extra:

✓ Diseño de interface en Matlab Guide +2


✓ Graficas automáticas del punto Q en Matlab +2
✓ Programa en Excel con graficas +2
✓ Video de montaje físico de polarizaciones +5

Estos puntos se sumarán a los puntos tomados en clase, su valor será


1 decima para la nota del parcial.
7. Nivel de Riesgo

La práctica de laboratorio presenta un nivel de riesgo bajo, se recomienda preguntar al


docente encargado ante cualquier duda en la conexión de los componentes para evitar
descargas eléctricas debidas a malas conexiones.

8. conclusiones

• Comprobamos el funcionamiento del transistor con sus respectivas polarizaciones.

• Determinamos las diferencias que podemos encontrar entre cada circuito según su
polarización.

• Comprobamos los resultados realizando un montaje del circuito en el programa


Proteus y Matlab.

9. bibliografía

Principios de Electrónica, MALVINO Albert P. Cuarta, quinta y sexta edición, Help Matlab

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