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PRÁCTICA 4.

Amplificador con transistor bipolar


(BJT)

Nombre y Apellidos

DIA HORA

GRUPO PAR/IMPAR
Práctica 4 Amplificador con transistor bipolar (BJT)

En esta práctica se realiza el estudio, simulación y medida de un amplificador


en emisor común con transistor bipolar. En ella se pretende que se comprenda
la necesidad del circuito de polarización para que el transistor BJT actúe como
amplificador y la importancia del punto de polarización para el correcto
funcionamiento del amplificador. Se calcularán y medirán algunas de las
principales características del amplificador.
El fin último es que se comprueben y comparen los resultados teóricos
calculados, los obtenidos mediante el uso del programa de simulación y las
medidas realizadas sobre el circuito montado en protoboard.
Material necesario:
• Resistencias: 2,2 KΩ, 3,3 KΩ, 10 KΩ, 15 KΩ, 100 KΩ
• Transistor bipolar 2N2222A
• 2 condensadores de 47 µF

PARTE I.1: Transistor bipolar (BJT)


Para la realización de esta práctica se utilizará el transistor 2N2222A.
Descargar sus Hojas de Especificaciones (datasheet) y completar la siguiente
información:

Dibujar su símbolo esquemático e identificar los terminales:

Dibujar su encapsulado, indicar su nombre e identificar los terminales


(Emisor, Base, Colector):

Indicar los valores máximos que proporciona el fabricante en su datasheet:


a) Tensión Colector-Emisor (VCE):
b) Intensidad de Colector (IC):
c) Potencia de disipación (PC):
d) Ganancia de corriente (hFE):

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Práctica 4 Amplificador con transistor bipolar (BJT)

PARTE II: Cálculos a realizar.


El circuito que implementar en esta práctica es el amplificador con transistor
bipolar (BJT) de la figura Fig. 1.

𝑣!

Fig. 1 Esquemático del amplificador

Por lo expuesto en las clases de teoría, sabemos que necesitamos dividir el


estudio del circuito amplificador con transistor bipolar (BJT) en dos partes:
• Análisis en continua (red de polarización)
• Análisis en alterna (circuito equivalente en alterna)
PARTE II.1: Cálculos a realizar para el análisis en continua.
Aplicando el método aproximado, deberá calcular el valor del punto de
polarización (VCEQ, ICQ) del circuito de la Fig. 1

Transistor Q=2N2222A (hfe= β= 300, VBE= 0.7 V VT= 26 mV)

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Práctica 4 Amplificador con transistor bipolar (BJT)

Dibujar el esquema del circuito en DC y dar valores a los componentes:

Plantear las ecuaciones para el cálculo y resolver por el método aproximado:

PUNTO DE POLARIZACIÓN: VCEQ = (V); ICQ= (mA)


Región de funcionamiento del transistor: ________________________

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Práctica 4 Amplificador con transistor bipolar (BJT)

PARTE II.2: Cálculos a realizar para el análisis en alterna.

Dibujar el esquema del circuito equivalente en alterna y dar valores a todos los
componentes.

!
Calcular el valor de la ganancia de tensión, 𝐴! = ! !
"#

Calcular el valor de las impedancias de entrada y de salida


• Zin

• Zout

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PARTE III: Simulación.


a) Utilizar el programa simulador CircuitMaker para comprobar el valor del
punto de polarización calculado en el apartado de análisis en continua y
completar la siguiente tabla:

PUNTO DE
CÁLCULO TEÓRICO SIMULACIÓN
POLARIZACIÓN

VCEQ [V]

ICQ [mA]

b) Utilizar el programa simulador CircuitMaker para comprobar el valor de la


ganancia de tensión para los diferentes valores de RL dados en el apartado de
análisis en alterna. Para ello, añadir al circuito de polarización los
condensadores para la configuración de Emisor Común:

GANANCIA DE 𝑣"
𝐴! =
TENSIÓN 𝑣#$

CÁLCULO TEÓRICO

SIMULACIÓN

c) Usar el simulador para determinar las impedancias de entrada y salida del


circuito.
Impedancias Zin Zout

CÁLCULO TEÓRICO

SIMULACIÓN

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Práctica 4 Amplificador con transistor bipolar (BJT)

Impedancia de entrada para determinar el valor de la Zin simularemos el valor


de la vO y a continuación introduciremos una resistencia adicional (Rin) en
serie con Cin, y variaremos dicha Rin hasta que vO sea la mitad del valor inicial,
el valor de Rin será nuestra Zin. Ver figura 2.

Fig. 2 Circuito para simulación impedancia de entrada 𝑍!"

Para averiguar mediante simulación el valor de Zout simularemos el valor de la


vO con una RL de 1MΩ y después reduciremos el valor de RL hasta que vO sea la
mitad del valor obtenido con una RL de 1MΩ, ese será el valor de nuestra Zout

Fig. 3 Circuito para simulación impedancia de salida 𝑍#$%

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Práctica 4 Amplificador con transistor bipolar (BJT)

PARTE IV: Montaje en protoboard y medidas.

Fig. 4 Esquemático del amplificador

Medidas en DC
Implementar el circuito de la figura 4 en la placa protoboard. Para simplificar
el montaje, sabiendo que para el análisis en DC los condensadores Cin y CL
desacoplan la entrada y la carga del circuito, para medir los parámetros del
punto Q del circuito amplificador se puede implementar el circuito de análisis
en continua.


Figura 3: Disposición del patillaje del transistor 2N2222A

CÁLCULO Medidas con


DC SIMULACIÓN
TEÓRICO polímetro
VCEQ [V]

ICQ [mA]

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Práctica 4 Amplificador con transistor bipolar (BJT)

Medidas en AC
Terminar de implementar el circuito
Generador de Funciones
La señal procedente del Generador de Funciones, se conecta como vin al circuito
amplificador de la protoboard y debe tener las siguientes características:
Forma de onda: sinusoidal: Amplitud: 500 mV; Frecuencia: 10 kHz
Conexiones del Osciloscopio:
Conectar el canal I del osciloscopio en los mismos puntos que se ha conectado
el Generador de Funciones El canal II del osciloscopio se conecta para medir la
tensión de salida vO en RL
a) Medir la ganancia en tensión
𝑣" Error
Vin VO 𝐴! =
𝑣#$
relativo de
(V de pico) (V de pico)
Av (%)

CÁLCULOS


MONTAJE

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