PROGRAMA DE INGENIERÍA MECATRÓNICA

UNIVERSIDAD AUTONOMA DE BUCARAMANGA - UNAB

CURVA CARACTERÍSTICA DEL TRANSISTOR BIPOLAR

Un cordial saludo. Bienvenido al laboratorio 5 de Electrónica Análoga. El objetivo de este laboratorio es

verificar el comportamiento del transistor bipolar NPN, tanto en su región activa como saturada.

Nombres de los integrantes del grupo:

CATALINA APARICIO NIÑO U00122414

Nota: El docente firmará al frente del nombre si el estudiante se presenta a la práctica.

MATERIAL NECESARIO

 Transistor NPN 2N2222A

 Resistencias de 1KΩ, 10KΩ de 1 o 1/2 Watt
 Dos pares de cables para fuente DC.
 Equipo: Multimetro digital, fuentes de alimentación

TRABAJO PREVIO

 Investigar que significa cada uno de los siguientes parámetros de la hoja técnica de un transistor
NPN: máxima corriente de colector (ICMAX), factor de amplificación o ganancia (HFE o Beta),
máximo voltaje colector emisor (VCEMAX), máximo voltaje base emisor (VBEMAX) y máxima
potencia de disipación (PD)

Máxima corriente de colector (ICMAX):es la máxima corriente admisible de colector (ICM) o de drenador
(IDM). Con este valor se determina la máxima disipación de potencia del dispositivo.

Factor de amplificación o ganancia (HFE o Beta): Se conoce como Beta o HFE y es la ganancia de
corriente que se obtiene en el Colector al aplicar una corriente determinada en la base. Es decir que si
tengo un Beta = 100 significa que en el terminar de colector voy a tener una corriente 100 veces mayor a
la corriente de base, Beta = IC / IB

Máximo voltaje colector emisor (VCEMAX): Es la máxima tensión aplicable entre los terminales colector y
emisor.

Máximo voltaje base emisor (VBEMAX): Es la máxima tensión aplicable entre los terminales base y
emisor.

Máxima potencia de disipación (PD): El fabricante proporciona como dato la potencia de disipación
máxima de un transistor. Se representa la hipérbola de potencia máxima de un transistor. Es preciso que
el punto del trabajo Q esté por debajo de esa curva ya que sino el transistor se dañaría por efecto Joule.

Firma del Docente – Trabajo Previo Realizado: _ REVISADO

TRABAJO EN CLASE.

1. Para el transistor NPN (2N2222A), identifique sus terminales (emisor, base, colector) y con la
utilización del multímetro realice la prueba del estado de este.
Figure 1.Terminales del transistor NPN 2N22222A

Firma de docente – Terminales Identificadas: REVISADO

2. Busque el datasheet del transistor NPN (2N2222A) y en la siguiente tabla anote el valor
correspondiente a cada parámetro proporcionado en la hoja de especificaciones del fabricante.

Máxima corriente de colector (ICMAX) 800 mA

Factor de amplificación o ganancia (HFE o Beta) 100-300
Máximo voltaje colector emisor (VCEMAX) 40v
Máximo voltaje base emisor (VBEMAX) 6v
Máxima potencia de disipación (PD) 500mW

Firma del Docente – Datos diligenciados en la Tabla: REVISADO

3. Implemente el circuito de la figura 1 para RB=10KΩ, RC=1KΩ

Figura 2

Fije la fuente VC en 10 voltios y ajuste la tensión de la fuente VB para obtener los valores de corriente de
base (IB microamperios) en los rangos que se indican en la siguiente tabla.
 Figure 2. Simulación punto 3

Tabla 1. Característica voltaje VBE – corriente IB

IB (μA) 10 μA 20 μA 30 μA 40 μA 50 μA 60 μA 70 μA 80 μA 90 μA 100 μA
VBE (Voltios) 0.65 0.67 0.68 0.69 0.69 0.69 0.69 0.69 0.69 0.69

Firma del Docente – Montaje correcto y tabla correctamente diligenciada: REVISADO

4. Para el circuito de la figura 1, con RB=10KΩ, RC=1KΩ haga VB=0 para que IB=0. Luego comience a
variar la fuente VC para que el voltaje colector emisor (VCE) tome cada uno de los valores indicados
en la columna 1 de la tabla 2. Para cada uno de estos valores, mida y registe en la columna 2 de la
tabla 2 la corriente de colector Ic. Una vez este diligenciada toda la columna, ajuste VB para que IB=
10 μA, y vuelva a variar la fuente VC para que el voltaje colector emisor (VCE) tome cada uno de los
valores indicados en la columna 1 de la tabla 2. Para cada uno de estos valores, mida y registe en la
columna 3 de la tabla 2 la corriente de colector Ic. Repita este procedimiento para los otros valores
de IB y llene todas las demás columnas.
Figure 3.Simulación punto 4

Tabla 2. Característica voltaje VCE – corriente IC

VCE IB1 = 0 μA IB2 = 10 μA IB3 = 20 μA IB4 = 30 μA IB5 = 40 μA IB6 = 50 μA

IC1 (mA) IC2 (mA) IC3 (mA) IC4 (mA) IC5 (mA) IC6 (mA)
0 0 0 0 0 0 0
1 0.01 μA 2.08 4.13 6.2 8.25 10.3
2 0.02 μA 2.1 4.18 6.26 8.33 10.4
3 0.03 μA 2.12 4.22 6.32 8.41 10.5
4 0.04 μA 2.14 4.26 6.38 8.49 10.6
5 0.05 μA 2.16 4.3 6.44 8.57 10.7
6 0.06 μA 2.18 4.34 6.5 8.65 10.8
7 0.07 μA 2.2 4.38 6.56 8.74 10.9
8 0.08 μA 2.22 4.42 6.62 8.82 11
9 0.09 μA 2.24 4.46 6.68 8.9 11.1
10 0.1 μA 2.26 4.5 6.74 8.98 11.2
11 0.11 μA 2.28 4.54 6.8 9.06 11.3
12 0.12 μA 2.3 4.58 6.86 9.14 11.4

Firma del docente – Montaje bien realizado y tabla diligenciada: REVISADO

5. Para el circuito de la figura 1, pero con una fuente V B=5V, calcule el valor de la resistencia de base
limite en el cual el circuito pasa de región de saturación a región activa. Luego de calcular esa
resistencia consiga una resistencia menor y otra mayor, y compruebe experimentalmente que el
transistor está en región de saturación con la resistencia menor y está en región activa con la
resistencia mayor.
Figure 4.Simulación Punto 5 Región saturada

Figure 5.Simulación punto 5 en región activa

 Cálculos realizados:

Malla colector 5 − 0.7

100 ∗ 1000 =
10
𝛽(𝑉𝑏 − 𝑉𝑏𝑒) 𝑉𝑐
= 𝑅𝑙𝑖𝑚 = 43000Ω
𝑅𝑙𝑖𝑚 𝑅𝑐
𝑉𝑐
𝑅𝑙𝑖𝑚 = 𝛽 (𝑉𝑏 − 𝑉𝑏𝑒) ∗
𝑅𝑐

Ω=100
R limite:__ 43000Ω

Prueba experimental de que el transistor está en región de saturación con la resistencia menor a la R
límite:

Resistencia de Base usada: 10k Vce medido: 0.08 V Ic medido: 9.91 mA.

Prueba experimental de que el transistor está en región activa con la resistencia mayor a la R límite:

Resistencia de Base usada: 400k Vce medido: 7.61 V Ic medido: 2.39mA.

Firma del docente – Cálculo y pruebas correctas: __________________________.

TRABAJO FUERA DE CLASE.

1. Graficar los valores obtenidos en la tabla del punto 4, en los ejes de I B vs VBE (curva característica de
entrada del transistor NPN). Puede usar Matlab o Excel. Especifique adecuadamente los valores de
los ejes X y Y. Adjunte la gráfica al informe.

Curva de entrada
120
IB vs VBE
100

80
IB(µA)

60

40

20

0
0,645 0,65 0,655 0,66 0,665 0,67 0,675 0,68 0,685 0,69 0,695
VBE (V)

Figure 6.Curva de entrada IB vs VBE

2. Con base en los datos obtenidos en el trabajo 5 en clase, graficar los valores obtenidos de las curvas
IB en los ejes de IC vs VCE (curva característica de salida del transistor NPN). Puede usar Matlab o
Excel. Especifique adecuadamente los valores de los ejes X y Y. Adjunte la gráfica al informe. En
una sola gráfica deben quedar todas las curvas para cada IB diferente.

Curva de salida
IC vs VCE
12
11
10
9
8
IC(µA)

7
6
5
4
3
2
1
0
0 2 4 6 8 10 12 14

VCE (V)

Figure 7Curva de salida IC vs VCE

IC
3. Con base en los datos obtenidos en el trabajo 5 en clase, calcule la ganancia del transistor 
IB
diligencie la siguiente tabla.

Tabla 3. Característica voltaje VCE – β

VCE IB2 = 10 μA IB3 = 20 μA IB4 = 30 μA IB5 = 40 μA IB6 = 50 μA

β β β β β
0 x x x x x
1 208 206,5 206,666667 206,25 206
2 210 209 208,666667 208,25 208
3 212 211 210,666667 210,25 210
4 214 213 212,666667 212,25 212
5 216 215 214,666667 214,25 214
6 218 217 216,666667 216,25 216
7 220 219 218,666667 218,5 218
8 222 221 220,666667 220,5 220
9 224 223 222,666667 222,5 222
10 226 225 224,666667 224,5 224
11 228 227 226,666667 226,5 226
12 230 229 228,666667 228,5 228
β Promedio 219 217,958333 217,666667 217,375 217
ANÁLISIS DE ERRORES.

Calcule la Ic Teórica con el transistor operando en región activa, para cada valor de IB de cada columna
de la tabla 3, pero usando el valor de Beta que aparece en la hoja de datos para esta corriente. Registre
este valor teórico en la tabla 4 junto con el valor de Beta correspondiente. Compare estos datos con los
valores experimentales hallados en la tabla 2 (valores experimentales de corriente Ic) y en la tabla 3
(Valores experimentales de Beta).

Tabla 4. Cálculo de errores

β de la Hoja IC (mA) Error Experimental de Error Experimental de

de Datos Teórico β IC
IB2 = 10 μA 200 2 9.5% 9.5%
IB3 = 20 μA 200 4 8.97% 8.97%
IB4 = 30 μA 200 6 8.83% 8.83%
IB5 = 40 μA 220 8.79 1.21% 1.21%
IB6 = 50 μA 220 11 1.36% 1.36%

PREGUNTAS

 ¿En qué condiciones se activa un transistor NPN?

En el NPN la intensidad o corriente debe pasar del colector en sentido del emisor, y la corriente a la
base tiene que llegar (entrar) en su dirección.

 ¿Cómo podríamos determinar cuáles son los terminales de un transistor NPN utilizando un
multímetro digital?

El multímetro digital trae dos secciones que nos permitirán medir

transistores NPN Para identificar los terminales de un transistor,
primero se coloca el multímetro en la opción para medir diodos.
Entonces todos los terminales con ambas puntas. El terminal que
tenga continuidad con las otras dos, pero no a la inversa, será la
base del transistor. A su vez, el color de terminal que esté
conectado a la base, indicara que tipo de transistor es. Por
ejemplo, si la punta roja está en la Base, será un Transistor NPN,
pero si es la negra, será un PNP.

 Determine la ganancia promedio del transistor NPN en la zona

activa, a partir de la tabla 3, y compare este valor con el dato que
se encuentra en el datasheet.

Ic 10µA 20µA 30µA 40µA 50µA

𝛽𝑝𝑟𝑜𝑚 219 217,958333 217,666667 217,375 217

𝛽𝑝𝑟𝑜𝑚 = 217.8 𝛽𝐷𝑎𝑡𝑎𝑆ℎ𝑒𝑒𝑡 = 100 𝑎 300

La ganancia experimental promedio corresponde entre el rango entregado por el datasheet del
transistor 2N2222A.
 ¿En qué condiciones opera un transistor BJT en zona de saturación?

El transistor se encontrará en zona de saturación cuando la Ib sea muy alta o La resistencia

correspondiente a la base sea muy baja, entonces la corriente Ice podrá circular y el transistor
trabajara como un interruptor cerrado, donde el voltaje del colector y emisor se verá afectado botando
valores cercanos a 0.

 ¿En qué condiciones opera un transistor BJT en zona activa?

El transistor se encontrará en zona activa cuando la Ib sea muy baja contrario al valor que tiene
cuando se presenta en saturación, igual con el valor de la resistencia, el cual debe ser más alta.

Conclusiones

 Los valores entregados en los errores experimentales en la tabla 4 pueden llegar a variar y
generar márgenes altos de error, ya que al ser tomados de una hoja de datos en donde la
exactitud al seleccionar el valor de β no se presenta.
 El multímetro digital permite identificar las terminales del transistor NPN, ya sea con las pinzas,
donde la pinza positiva se encuentre en contacto con la base del transistor. O la otra manera
seria con el añadido que tiene el multímetro para los transistores.
 Como con todos lo elementos que se utilizan en la electrónica el DataSheet correspondiente de
este transistor permite el previo conocimiento, donde se encontraran los datos de corriente
máxima al usarse en el colector, y valores importantes como los voltajes en cada terminal.
 El rango que nos brinda el DataSheet del rango de la B nos permite saber si en el laboratorio los
datos adquiridos fueron exactos o cercanos a los valores reales.

Bibliografia

Electrónica. Teoría de circuitos. Boylestad - Nashelsky. ISBN 968-880-347-2

Malvino, A. P. (1999). Principio de eléctronica . Mc grall Hill.