Instituto Politécnico Nacional

Unidad Profesional Interdisciplinaria en

Ingeniería y Tecnologías Avanzadas

“Práctica número 3”

UA: Electrónica de potencia

Profesor: Salinas Reyes Víctor Alberto

Alumno: Carlos Esquivel Dávila

Grupo: 4MM2
Índice
Introducción ........................................................................................................................................ 3

1
Objetivos ............................................................................................................................................. 3
Marco teórico ...................................................................................................................................... 3
Parte teórica .................................................................................................................................... 3
Parte práctica .................................................................................................................................. 5
Señal a 1Khz .................................................................................................................................... 6
Señal a 10Khz .................................................................................................................................. 7
Señal a 100Khz ................................................................................................................................ 8
Señal a 1MHz ................................................................................................................................. 10
Conclusiones ..................................................................................................................................... 14
Fuentes de consulta .......................................................................................................................... 14
Anexos ............................................................................................................................................... 14

2
Introducción
En circuitos eléctricos existe siempre una tendencia de calentarse los circuitos debido al flujo
constante de la corriente eléctrica. Es algo inevitable en todos los circuitos, sin embargo, unos se
calientan en mayor medida que otros.

Cuando trabajamos con circuitos de potencia es necesario tener un control de este cambio de
temperatura que pueda existir en algún futuro, controlándolos por medio de disipadores de calor.

En algunos casos es necesario tener algún tipo de control en un circuito y esto lo obtendremos con
circuito integrado particularmente un LM555. De manera introductoria, lo conectaremos sin
ningún tipo de filtrado u arreglo para ver el comportamiento de este con un TIP41C.

Objetivos
 Ocupar un tránsitor NPN y usar sus valores de saturación encontradas en sus hojas de datos
 Ver el comportamiento de entrada salida de un LM55, midiendo la tensión y corriente.
 Calcular de forma teórica el cambio de valores resistivos para que cumpla el primer objetivo
y llevar el circuito a la practica para medir el cambio de temperatura de la resistencia del
colector y el encapsulado.
 Graficar y comparar los diferentes cambios de temperatura entre la resistencia de colector
y el encapsulado por lo cual variaremos la función offset en el generador de funciones así
como su valor de frecuencia.
 Con el osciloscopio medir el tiempo entre los periodos del 10% al 90% de subida en la señal
de salida (colector).

Marco teórico
Parte teórica
Nos basamos en el siguiente circuito eléctrico donde Vcc=5V.

Circuito 1

3
Como se comentó en la introducción, los valores de saturación para el TIP41C son

 IB=20mA
 β=10
 Vce=1.5V
Por lo que el calculo de IC se calcula de la siguiente manera

𝐼𝑐 = βIB = 10(20mA) = 200mA

Sabiendo esto, nos enfocaremos por el momento en el transistor para calcular los valores resistivos

Circuito 2

Podemos observar dos mallas. Analizaremos primero la malla 1 siendo la referente a Rb

𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝑏𝑒 5𝑉 − 0.7𝑉
𝑅𝑏 = = = 215Ω
𝐼𝑏 20𝑚𝐴
Usaremos una resistencia comercial próxima al valor obtenido, la cual es de 220Ω.

Ahora analizaremos la malla dos, referente a la que circula por la Rc.

𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝑐𝑒 5𝑉 − 1.5𝑉
𝑅𝑐 = = = 17.5Ω
𝐼𝑐 200𝑚𝐴
Usaremos una resistencia comercial próxima al valor obtenido, la cual es de 18 Ω o 22 Ω. En esta
ocasión optamos por la de 22 porque es la que tenían en la tienda a 2W de potencia.

Por último, determinaremos la potencia teórica que se necesitará con una resistencia de 22 ohms
en el colector.

𝑉𝑐𝑐 2 5𝐴2
𝑃𝑑 = = = 1.1363W
𝑅𝑐 22Ω
Como podemos observar, la potencia necesaria para que la resistencia se caliente con respecto a la
que compramos es menor así que haremos un pequeño arreglo en Vcc.

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 Vcc = √𝑃𝑑 ∗ 𝑅𝑐 = √2(22)=6.6332V

Parte práctica
La siguiente práctica se divide en 3 secciones

 Medición de temperatura del transistor y Rb

 Medición del tiempo en el perdido.
 Medición de la corriente y tensión en Rb.

En el día del laboratorio preparamos el generador de funciones a 1KHz en onda cuadrada con Vpp
aproximada a 6 (ya que estaba realmente muy inestable), dos fuentes de tensión a 6.6V para
alimentar el Timer y el Tip asi como un osciloscopio para ver los cambios entre la entrada y la salida
del timer. Conectándolos como se indica en el circuito 1.

Circuito Armado

5
 Señal de entrada azul. Señal de salida Amarilla.

Como podemos observar en el osciloscopio la señal de salida aumenta aproximadamente un 50% y

a la vez se invierte. Esta observación concuerda con la vista en clase con respecto al comportamiento
al LM555.

Medición de temperatura del transistor y Rb

Lo que se hizo fue cumplir las partes de la práctica así que fuimos variando el offset en una escala
de 0% al 90% para medir los cambios de temperatura en la resistencia del colector y el encapsulado.

Señal a 1Khz
Se ocupó un termómetro que nos pudiera auxiliar con las mediciones anotando los datos en una
tabla que se verá a continuación.

Offset TR TE Vcc (V) Ic (A)

0 30°C 31°C 6.63 0.001
50 31°C 31°C 6.63 0.002
75 33°C 33°C 6.63 0.026
90 49°C 33°C 6.63 0.129

Graficaremos la Temperatura de la resistencia (TR), la temperatura del encapsulado (TE) y la

potencia en el transistor.

Gráfica para la temperatura de TR y TE (Temperatura vs

Offset)
60

50

40

30

20

10

0
0 50 75 90

TR TE

Como podemos observar, la temperatura del resistor aumenta mientras variamos el offset mientras
que la del encapsulado se mantiene constante.

6
 Potencia del transistor (Temperatura vs Corriente Ic)

0.14

0.12

0.1

0.08

0.06

0.04

0.02

0
31°C 31°C 33°C 33°C

Potencia del transistor

Si hay un cambio de temperatura en el transistor pero es mínima con respecto a la de la resistencia

Señal a 10Khz
Se ocupó un termómetro que nos pudiera auxiliar con las mediciones anotando los datos en una
tabla que se verá a continuación.

Offset TR TE Vcc (V) Ic (A)

0 30°C 30°C 6.63 0.001
25 31°C 30°C 6.63 0.005
50 31°C 30°C 6.63 0.009
60 39°C 32°C 6.63 0.078
90 42°C 35°C 6.63 0.136
Graficaremos la Temperatura de la resistencia (TR), la temperatura del encapsulado (TE) y la
potencia en el transistor.

7
 Gráfica para la temperatura de TR y TE
(Temperatura vs Offset)
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0 25 50 60 90

TR TE

Como podemos observar, la temperatura del resistor aumenta mientras variamos el offset mientras
que la del encapsulado se mantiene un poco constante.

Potencia del transistor (Temperatura vs Corriente Ic

0.16

0.14

0.12

0.1

0.08

0.06

0.04

0.02

0
30°C 30°C 30°C 32°C 35°C

IC

Si hay un cambio de temperatura en el transistor, pero es mínima con respecto a la de la resistencia.

Señal a 100Khz
Se ocupó un termómetro que nos pudiera auxiliar con las mediciones anotando los datos en una
tabla que se verá a continuación.

8
 Offset TR (°C) TE (°C) Vcc (V) Ic (A)
0 32 30 6.63 0.001
40 39 31 6.63 0.107
50 72 34 6.63 0.211
60 48 33 6.63 0.126
90 76 35 6.63 0.270
Graficaremos la Temperatura de la resistencia (TR), la temperatura del encapsulado (TE) y la
potencia en el transistor.

Gráfica para la temperatura de TR y TE

(Temperatura vs Offset)
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0 40 50 60 90

TR TE

En este caso resulto algo bastante interesante ya que como se puede apreciar, la temperatura se
disparaba cuando el offset estaba en un 50% y bajaba cuando se cambiaba a un 60% tanto para la
temperatura del resistor como la del encapsulado. Igual que en las anteriores gráficas, la
temperatura del encapsulado no varía tanto.

9
 Potencia del transistor (Temperatura vs
Corriente Ic)
0.3

0.25

0.2

0.15

0.1

0.05

0
30 31 34 33 35

Ic

Si hay un cambio de temperatura en el transistor, pero es mínima con respecto a la de la resistencia.

Aquí se puede apreciar mejor el fenómeno que pasa cuando el offset está en un 50%.

Señal a 1MHz
Se ocupó un termómetro que nos pudiera auxiliar con las mediciones anotando los datos en una
tabla que se verá a continuación.

Offset TR (°C) TE (°C) Vcc (V) Ic (A)

0 32 31 6.63 0.001
40 37 34 6.63 0.014
50 58 34 6.63 0.271
60 79 34 6.63 0.273
90 80 36 6.63 0.267
Graficaremos la Temperatura de la resistencia (TR), la temperatura del encapsulado (TE) y la
potencia en el transistor.

10
 Gráfica para la temperatura de TR y TE
(Temperatura vs Offset)
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0 40 50 60 90

TR TE

Como podemos observar, la temperatura del resistor aumenta mientras variamos el offset mientras
que la del encapsulado se mantiene un poco constante.

Potencia del transistor (Temperatura vs

Corriente Ic)
0.3

0.25

0.2

0.15

0.1

0.05

0
31 34 34 34 36

Si hay un cambio de temperatura en el transistor, pero es mínima con respecto a la de la resistencia.

Aquí se puede apreciar mejor el fenómeno que pasa cuando el offset está en un 50%.

11
Medición del tiempo en el perdido.
Respetando la configuración anterior, se colocó el osciloscopio en el colector del transistor y se
obtuvo la siguiente gráfica.

Como se puede apreciar, el tiempo entre la subida de aproximadamente 10% al 90% es de 180ns.

Medición de la corriente y tensión en Rb.

Para la tensión
Para este punto, usamos el osciloscopio en la salida de colector y en Vcc conectado a Rb y usamos
la función de operaciones matemáticas para restar las dos señales y ver el resultado donde el canal
1 (amarillo) es la señal Vcc conectada al resistor Rb, el canal 2 (azul) es la señal de salida en el
colector del transistor.

12
 Primera resta entre canales.

Para este caso, resté el canal 2 menos el canal 1 dando como resultado 1.5 V.

Segunda resta entre canales.

Para este caso, resté el canal 1 menos el canal dos dando como resultado 1.5V.

Para la corriente.
Debido a dificultades técnicas, no pude compararlo mediante el osciloscopio, sin embargo,
teniendo la noción de que la corriente que buscamos es entre la salida del colector y Vcc está en
serie pues será la misma en toda la malla. Esta corriente es la que calculamos al principio
(Ic=200mA. Además se puede apreciar en la corriente que demanda la fuente conectada en este
punto.

13
 Fuente de tensión conectado al sistema.

Como se puede apreciar, el canal está conectado al Vcc en el resistor Rb, teniendo una corriente de
235mA.

Conclusiones
Como podemos observar, la parte teórica con la práctica coinciden notablemente. En clase
discutimos sobre las gráficas que podríamos obtener. La mas evidente es la de la temperatura del
resistor, este variaba notablemente mientras mas aumentábamos el offset y, por otro lado, la
temperatura del transistor no variaba tanto por lo que este figuraría una línea un poco constante.

Por otro lado, cuando diseñamos un circuito eléctrico es muy relevante considerar las hojas de
especificaciones (como fue el caso) para que tenga un buen funcionamiento en este caso, para
trabajar un transistor en saturación.

Un TL555 si lo conectamos sin ningún tipo de filtrado, nos dará a la salida un amplificador inversor,
sin embargo, si es necesario conectarle algún filtro ya que entre mas aumentaba la frecuencia, este
se notaba con más ruido.

Fuentes de consulta
 Clases impartidas por el Ingeniero Víctor Alberto Salinas Reyes, impartidas en la clase de
electrónica de potencia.
 MrElberni. (2019). Transistor bipolar o bjt, conocimientos básicos. - MrElberni. [online]
Available at: http://mrelbernitutoriales.com/transistor-bjt/transistor-bipolar-
conociendolo/ [Accessed 21 Feb. 2019].

Anexos
Debido a las grandes cantidades de tomas de datos he decidido poner aquí algunas fotos tomadas
durante la práctica para colaborar la veracidad de la misma

14
Señal de entrada/Salida a una frecuencia de 1MHz Temperatura máxima registrada para Rc

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