LABORATORIO DE ELECTRONICA ANALOGA1

Tema: DISEO DE POLARIZACION DE TRANSISTORES BIPOLARES

PROCEDIMIENTO
1. Polarizacin fija
Determine la polarizacin del transistor de la figura 1 para un punto de trabajo
ICQ=5,5Ma y VCEQ=6V. Datos RB=_____ K, RC=_____K, VCC=12V. Considere
hFE==hallado en el informe previo.
VCC
12V
+V
Considerando
el informe previo con el transistor

BC548B la variable es 301,8

VCC 6
1090,99 1K
5,5m
301,8
RC
RB
VCC VBE
RB
620, 06 K 620 K
IC

RC

Q1
BC548B

Construya el circuito utilizando resistencias de valores comerciales y recalcule el

punto de trabajo con estos valores. Mida experimentalmente los valores el punto
de reposo y todas las variables elctricas del circuito.
Valores experimentales:
VBE=0,672V
VCEQ=6,39V
ICQ=5,68mA
Anotar los valores tericos y luego los valores prcticos para todas las variables
elctricas del circuito.

VCC VBE
18,31 A
620 K
I C I B (301,8) 5,525mA
IB

VCE 12 (1K )(5,525m) 6, 475

Verifique los resultados anteriores, utilizando el programa Multisim.

VCC
12V
VCEQ=6,451V
VBE=0,703V
VCC
ICQ
=5,549mA
RB
620k

RC
1k
2

1
Q1

BC548B
0

Mida y anote las variaciones de IC Y VCE al variar la

temperatura de operacin del circuito.
VCEQ = 5,95V
VBE = 0,638V
ICQ = 5,90mA
Observe y anote la variacin de ICQ y VCEQ al sustituir el transistor por otro del mismo
tipo.
VCEQ = 8.03 V
VBE = 0.81 V
ICQ = 3.97 mA
2. Autopolarizacin
El circuito a implementar es el siguiente:
VCC
12V
+V

RC

Determine la polarizacin del transistor de la figura

1 para un punto de trabajo ICQ=5,5Ma y VCEQ=6V.
Datos RB=_____ K, RC=_____K, VCC=12V.
Considere hFE==hallado en el informe previo.

RC 1, 090 K 1K
RB

IB

6 0, 7
RB

Q1
RB 290
K 300 K
BC548B

Construya el circuito utilizando

resistencias de valores comerciales y
recalcule el punto de trabajo con estos valores.
Mida experimentalmente los valores el punto de
reposo y todas las variables elctricas del
circuito.

Anotar los valores tericos y luego los valores prcticos para todas las variables
elctricas del circuito.

IB

VCC 0, 7
12 0, 7

18, 746 A
(1 ) RC RB (302,8)(1K ) 300 K

I C I B 5, 66mA
VCE VCC I B (1 ) RC 6,32V
Verifique los resultados anteriores, utilizando el programa Multisim.

VCC
VCEQ = 6,305V
VBE = 0,704
ICQ = 5.676mA

12V
VCC
RC
1k
1
RB
300k

Q1

2
BC548B
0

Mida y anote las variaciones de IC Y VCE al variar la temperatura de operacin del

circuito.
VCEQ = 6,08
VBE = 0,636
ICQ = 6mA
Observe y anote la variacin de ICQ y VCEQ al sustituir el transistor por otro del mismo
tipo.
VCEQ = 7.26 v
VBE = 0.81V
ICQ = 4.7 mA

3. Polarizacin por Emisor

El circuito a implementar es el siguiente:
Determine la polarizacin del transistor de la figura 1 para un punto de trabajo
ICQ=5,5Ma y VCEQ=6V. Datos RB=_____ K, RC=_____K, VCC=12V. Considere
hFE==hallado en el informe previo.

VCC
12V
+V

I C 5,5mA
6 VCE
5,5mA
RC RE
RC RE 1090,9
RB

RC

RC 1K
RE 100

Q1
BC548B

RB

12 0, 7 5,5m(100)
589,881K 560 K 33K
5,5m

RE

Construya el circuito utilizando resistencias de valores comerciales y recalcule el

punto de trabajo con estos valores. Mida experimentalmente los valores el punto
de reposo y todas las variables elctricas del circuito.
VCEQ = 5,96V
VBE = 0,677V
ICQ = 5,53mA
Anotar los valores tericos y luego los valores prcticos para todas las variables
elctricas del circuito.

12 0, 7
1,81299 A
593K 100(302,8)
I C I B 5, 47 mA
IB

VCE 12 5, 47 m(1K ) 1,81299 (302,8)100 6, 47V

Verifique los resultados anteriores, utilizando el programa Multisim.

VCC
VCEQ = 5,957V
VBE = 0,703V
ICQ = 5,492mA

12V

VCC
RB
593k

R1
1k
3
Q1

2
BC548B
4
R2
100
0

Mida y anote las variaciones de IC Y VCE al variar la temperatura de operacin del

circuito.
VCEQ = 5,4V
VBE = 0,638V
ICQ = 6,06mA
Observe y anote la variacin de ICQ y VCEQ al sustituir el transistor por otro del mismo
tipo.
VCEQ = 7,58V
VBE = 0,673V
ICQ = 4,01mA

4. Polarizacin por Divisor de Tensin

El circuito a implementar es el siguiente:

Se debe calcular R1, R2, RC y RE para q en el punto de reposo se tenga ICQ=1Ma,

VCEQ=0.1V (Utilice RE=1K), VCC=10V
Para el caculos de R1 y R2 emplee una Idiv>=10Ibase.

1
1K
1m
4
RC
4K
1m
VTH 1, 7 I B ( RTH ) 1,8V

VCC
10V
+V

RE

RTH 0,1( )1K 30, 28 K

R1

RC

Q1
BC548B

R2

30, 28 K (10)
168, 222 K 160 K
1,8
30, 28 K
R2
36,926 K 33 K
1 1,8
10
R1

RE

Determine la polarizacin del transistor de la figura 1 para un punto de trabajo

ICQ=5,5Ma y VCEQ=6V. Datos RB=_____ K, RC=_____K, VCC=12V. Considere
hFE==hallado en el informe previo.
Construya el circuito utilizando resistencias de valores comerciales y recalcule el
punto de trabajo con estos valores. Mida experimentalmente los valores el punto
de reposo y todas las variables elctricas del circuito.
VCEQ = 4,87V
VBE = 0,634
ICQ = 1,01mA
Anotar los valores tericos y luego los valores prcticos para todas las variables
elctricas del circuito.

1, 71 0, 7
0,926mA
27,36 K
1K
302,8
VCEQ 10 5K (0,926) 5,37V
ICQ

Verifique los resultados anteriores, utilizando el programa Multisim.

VCC
12V

VCEQ = 5,224V
VBE = 0,654V
ICQ = 0,954mA

VCC
R4
160k

R1
4k
3

Q1

BC548B
4
R3
3.3k

R2
1k
0

Mida y anote las variaciones de IC Y VCE al variar la temperatura de operacin del

circuito.
VCEQ = 0,608
VBE = 5,04
ICQ = 0,6mA
Observe y anote la variacin de ICQ y VCEQ al sustituir el transistor por otro del mismo
tipo
VCEQ = 5.83 v
VBE = 0.769 v
ICQ = 0.833 mA