Crecimiento Epitaxial en Fase Vapor

Se utiliza el mtodo isotrmico de epitaxial e fase vapor para obtener capas de Hg, Cd,
Mn y Te que cuenten con un gradiente de composicin, sobre sustratos de Cd, Mn y Te.
En esta tcnica, la composicin superficial y las caractersticas electrnicas, como la
movilidad de electrones y tipo de
conectividad,
pueden
ser
cambiadas
ajustando la temperatura del sustrato y la
fuente por un lado y la del Hg por otro.
Los crecimientos fueron caracterizados por
el mtodo de Laue, microscopia electrnica
de barrido y microsonda electrnica,
tcnicas de etching y efecto Halkl. Estos
presentan caractersticas adecuadas para su
posterior aplicacin en la fabricacin de
detectores de IR de tipo fotovoltaico.

Crecimiento Epitaxial en Fase Liquida

La epitaxia en fase liquida es un mtodo para hacer crecer capas de cristal

semiconductores de la masa fundida sobre sustratos slidos. Esto ocurre a
temperaturas muy por debajo del punto de fusin depositado en el semiconductor. El
semiconductor se disuelve en la masa fundida del otro material. En las condiciones que
se acercan al equilibrio entre la disolucin y la deposicin, la deposicin del cristal
semiconductor sobre el sustrato es rpida y uniforme. El sustrato ms utilizado es el
fosfuro de indio. Otros sustratos como el vidrio o cermica pueden ser aplicados para
aplicaciones especiales. Para facilitar la nucleacin, y para evitar tensiones en la capa
creciente, el coeficiente de expansin trmica del sustrato y de la capa adulta debe ser
similar.

Crecimiento Epitaxial por haces Moleculares

El crecimiento epitaxial por haces moleculares se produce en alto vaco o en ultra alto
vaco (10-10 atm). El aspecto ms importante del crecimiento epitaxial por haces
moleculares es el bajo ratio de deposicin (normalmente inferior a 3000 nm por hora),
lo cual permite un crecimiento epitaxial controlado. Hay que mencionar que cuan mejor
es el vaco con el que se trabaja, mucho mejor es el crecimiento, siendo necesario
trabajar en UHV para conseguir un crecimiento con un nivel de defectos mnimo.
La naturaleza qumica de la muestra queda
determinada por el compuesto qumico que
se utiliza para depositar. As, por ejemplo,
galio o el arsnico en estado slido ultra
puro, se calientan por separado en dos
celdas con estructura Knudsen, hasta
alcanzar su temperatura de sublimacin. Es
entonces cuando las molculas en estado
gaseoso condensado sobre la superficie del
substrato, empezando as el crecimiento de
la capa, en este caso una capa mono
cristalina de arseniuro de galio.

Qumica metalorganica por deposicin a vapor

La epitaxia metalorgnica en fase de vapor es un mtodo de deposicin qumica

vaporosa con el que se produce un crecimiento epitaxial de ciertos materiales, en
concreto de los compuestos semiconductores originados a raz de una reaccin en la
superficie de compuestos orgnicos y metalorgnicos, y tambin de hidruros de metal
que poseen una serie de elementos qumicos concretos. Por ejemplo, el fosfuro de
indio podra desarrollarse en un reactor sobre un sustrato introduciendo trimetilindio
((CH3)3In) y fosfina (PH3). A diferencia de la epitaxia de radiacin molecular (MBE), el
crecimiento de cristales se debe a una reaccin qumica y no a una deposicin fsica.
Adems, este proceso no se desarrolla en vaco, sino en una atmsfera de gas a
presiones moderadas (de 2 a 100 kPa). Se prefiere emplear esta tcnica para la
elaboracin
de
dispositivos
que
incorporen
aleaciones
metaestables
termodinmicamente. As, se ha convertido en el procedimiento elegido a la hora de
fabricar lser de diodo, clulas solares, y LEDs.