Crecimiento epitaxial

Tarea hecha por:

Daniel NG 8-1041-2260
Rubén González 9-761-5
Joel Dominici 8-934-2289

Es un proceso de fabricación de circuitos integrados. A partir de una cara de un cristal de

material semiconductor se hace crecer un substrato con una estructura cristalina idéntica, así
mismo este sustrato debe poseer dos condiciones esenciales. Como primera condición, debe
tener sitio de nucleación donde los átomos a depositar pierdan su energía y lleguen a formar
parte de la estructura cristalina del sólido. La segunda condición es el sustrato debe poseer
una temperatura tal que una vez alcanzada la superficie por los átomos que contribuirán al
crecimiento, estos puedan moverse fácilmente hasta situarse en un lugar de la red cristalina.
Mediante esta forma se puede controlar de forma muy precisa el nivel de impurezas en el
semiconductor, que son los que definen su carácter (N o P). Para hacer esto se calienta el
semi conductor hasta el punto de fusión y se pone en contacto con el material base para que,
al enfriarse, recristalice con la estructura adecuada. La capa crecida se extiende sobre toda la
superficie del sustrato no de forma localizada como en la difusión.
TIPOS DE EPITAXIA

Según sea el material que vamos a crecer sobre el sustrato:

• HOMOEPITAXIA

Consiste en la deposición de un material sobre el mismo material

Ej. Si sobre Si Se obtiene mayor control del dopado y mejor calidad de la red cristalina

• HETEROEPITAXIA

Aquí la deposición de un material se hace sobre otro material

Ej.: Si sobre Ge(4%); AlGaAs sobre GaAs (1%o)

La heteroepitaxia presenta algunos problemas:

- Generación de tensiones(entre las diferentes capas)

- Aparición de un espesor critico

Estos problemas requieren un mayor control de las condiciones de crecimiento

Dependiendo de la forma de transportar el material a crecer desde la fuente hasta el substrato

existen tres técnicas fundamentales de crecimiento epitaxial.

Crecimiento epitaxial en fase líquida (LPE).

Este método fue utilizado por primera vez por H. Nelson (1963) y fue empleado para
el crecimiento de uniones P-N de GaAs. Su uso principal es el crecimiento de materiales
compuestos (ternarios y cuaternarios), los cuales sean muy uniformes, delgados y de gran
calidad.

En esta tecnología el cristal crece de una solución (liquida), un ejemplo muy popular
son los cristales de sal formados en una solución de agua de sal súper saturada. Si variamos
las condiciones en las que se encuentra (disminución de temperatura) la solución se
satura y eventualmente se sobre satura.

El crecimiento de capas epitaxiales semiconductoras de los grupos III-V y las soluciones

sólidas que se obtienen ,con frecuencia se utiliza como solvente el G, In, Sb, y en algunos
casos solventes neutrales como el Sn y Pb utilizar en calidad de solvente el Ga y el In. Estos
elementos tienen temperaturas de fusión bajas, y además entran en la composición de las
películas crecidas, por lo que la necesidad de introducir dopantes se reduce al mínimo. Tanto
el Ga como el In tienen presión de vapor muy baja en el intervalo de temperatura que
generalmente es utilizado en el proceso de crecimiento por el método de fase líquida. Para
los compuestos binarios III-V es característico el hecho de que a la composición de la fase
sólida siempre le corresponde un 50% de átomos provenientes de cada grupo que forman el
compuesto. Una fase sólida de composición constante a diferentes temperaturas puede
encontrarse en estado de equilibrio con una fase líquida que represente una solución de un
elemento del grupo V disuelto en un metal fundido del grupo III. Cuando esto sucede, la
solubilidad del elemento del grupo V cambia con la temperatura; demás, a las
temperaturas relativamente bajas que se utilizan en los crecimientos por fase líquida, las
soluciones se encuentran bien homogenizadas, es decir, que la concentración el elemento
del grupo V en la fase líquida es sólo de algunas unidades porcentuales

Proceso Czochralski

El método consiste en un crisol (generalmente de cuarzo) que contiene el semiconductor

fundido, por ejemplo, germanio. La temperatura se controla para que esté justamente por
encima del punto de fusión y no empiece a solidificarse. En el crisol se introduce una
varilla que gira lentamente y tiene en su extremo un pequeño monocristal del mismo
semiconductor que actúa como semilla. Al contacto con la superficie del semiconductor
fundido, éste se agrega a la semilla, solidificándose con su red cristalina orientada de la
misma forma que aquella, con lo que el monocristal crece. La varilla se va elevando y,
colgando de ella, se va formando un monocristal cilíndrico. Finalmente se separa el
lingote de la varilla y pasa a la fusión por zonas para purificarlo. Al controlar con precisión
los gradientes de temperatura, velocidad de tracción y de rotación, es posible extraer un
solo cristal en forma de lingote cilíndrico. Con el control de estas propiedades se puede
regular el grosor de los lingotes.

Crecimiento epitaxial por haces moleculares (MBE)

El crecimiento epitaxial por haces moleculares se produce en alto vacío o en ultra alto vacío
(10E-10 atm). El aspecto más importante del crecimiento epitaxial por haces moleculares es
la baja proporción de deposición (normalmente inferior a 3000 nm por hora), lo cual permite
un crecimiento epitaxial controlado. Hay que mencionar que cuan mejor es el vacío con el
que se trabaja, mucho mejor es el crecimiento, siendo necesario trabajar en UHV para
conseguir un crecimiento con un nivel de defectos mínimo.

La naturaleza química de la muestra queda determinada por el compuesto químico que se

utiliza para depositar. Así por ejemplo, galio o arsénico en estado sólido ultrapuro, se
calientan por separado en celdas con estructura Knudsen, hasta alcanzar su temperatura de
sublimación. Es entonces cuando las moléculas en estado gaseoso condensan sobre la
superficie del substrato, empezando así el crecimiento de la capa, en este caso una capa
monocristalina de arseniuro de galio. Diferentes parámetros como temperatura, flujo
molecular, y dinámica molecular afectan la calidad, velocidad y éxito del crecimiento.

El término «haz» se utiliza para indicar que los átomos que se han evaporado no interactúan
entre ellos ni con otros gases presentes en el interior de la cámara de vacío. Esto se debe al
elevado camino libre medio de los átomos conseguido mediante el vacío. En aquellos
sistemas en los que es necesario enfriar el sustrato, el ambiente de ultra alto vacío dentro de
la cámara de crecimiento se mantiene gracias a un sistema de cryopump y criopaneles, que
se enfría mediante nitrógeno líquido o nitrógeno frío en estado gaseoso en una temperatura
de aproximadamente 77 kelvin (-196 °C). Las temperaturas de criogenización actúan como
un filtro para las impurezas del vacío, por lo que los niveles de vacío han de ser de varios
órdenes de magnitudes para una mejor deposición de las películas de acuerdo con estas
condiciones.

Crecimiento epitaxial en fase vapor (VPE)

Es un proceso en el que una capa sólida delgada se sintetiza partiendo de una fase gaseosa
mediante una reacción química. El propósito de la epitaxia es crecer una capa de Silicio de
grosor uniforme y en la cual se puedan controlar las propiedades eléctricas y proporcionar.
El proceso ocurre en reactores que tienen disposición horizontal, vertical o barril, los cuales
tienen una cámara de reacción típicamente de cuarzo. Dentro de la cámara hay un crisol en
forma de barquilla que sirve de apoyo de los substratos (grafito recubierto de carburo de
silicio). Se calienta hasta 900-1250 ºC (no se alcance el punto de fusión del Si). Tiene
entradas y salidas de gases de modo que puedan fluir en su interior. Estos gases contienen
compuestos de silicio volátiles y algunos compuestos dopantes.
Todos los productos son gaseosos y las reacciones tienen lugar aproximadamente a 1200ºC.
Esta alta temperatura es necesaria para que los átomos de dopantes adquieran la energía
suficiente para moverse y formar los enlaces covalentes.

Un cuadro para simplificar los parámetros en los epitaxiales