Instituto Politécnico Nacional

Escuela Superior de Ingeniería Química e

Industrias Extractivas
Departamento de Ingeniería en
Metalurgia y Materiales
Propiedades Electromagnéticas y Térmicas de los
Materiales

CRECIMIENTO EPITAXIAL

Profesor: Carlos Gómez Yañez

Alumno: Campos Cruz Edgar

Grupo: 1MV51

Semestre:2019/1
27/11/2018
Crecimiento epitaxial
El crecimiento epitaxial o epitaxia es uno de los procesos en la fabricación de circuitos
integrados.
A partir de una cara de un cristal de material semiconductor se hace crecer un substrato con
la misma estructura cristalina; el sustrato debe poseer dos condiciones esenciales. La
primera es que debe tener sitio de nucleación donde los átomos a depositar pierdan su
energía y lleguen a formar parte de la estructura cristalina del sólido. La segunda es que el
sustrato debe poseer una temperatura tal que, una vez alcanzada la superficie por los
átomos que contribuirán al crecimiento, estos puedan moverse fácilmente hasta situarse en
un lugar de la red cristalina.
Mediante esta técnica se puede controlar de forma muy precisa el nivel de impurezas en el
semiconductor, que son los que definen su carácter (N o P). Para hacer esto se calienta el
semiconductor hasta casi su punto de fusión y se pone en contacto con el material de base
para que, al enfriarse, recristalice con la estructura adecuada. La capa crecida se extiende
sobre toda la superficie del sustrato no de forma localizada como en la difusión.

Técnicas:
Crecimiento epitaxial en fase líquida (LPE).
La epitaxia en fase liquida es el crecimiento de capas epitaxiales sobre sustratos cristalinos
por precipitación de un sólido directamente desde una fase liquida. Es un proceso muy
utilizado en compuestos III-V y II-VI, pudiendo realizarse estructuras multicapa con
composiciones y dopajes homogeneos y bien controlados.
Para la obtención de estructuras que contengan varias capas con diferentes composiciones,
en la actualidad se utiliza una tecnica llamada barquilla deslizante. Esta barquilla se
compone de dos partes: el tronco y el deslizador.
El tronco generalmente no se mueve y tiene unas cavidades hechas sobre un bote de grafito
de alta pureza donde se alojan las fases líquidas de diferentes composiciones. Cada una de
estas composiciones posee los elementos necesarios y los dopantes que originan las capas
epitaxiales.
El deslizador tambien de grafito tiene una cavidad en la cual se deposita el substrato, éste se
desliza en relación con el tronco y de esta manera el substrato se pone en contacto con cada
una de las fases líquidas contenidas en las cavidades del tronco.
Un termopar es introducido en el interior de la barquilla para indicar exactamente la
temperatura existente en el sustrato, dato que debe ser perfectamente conocido y
controlado.
El conjunto está colocado en un tubo cerrado de cuarzo, por ambos lados y calentado por
un horno que permite saltos de temperatura de forma controlada.
Durante la epitaxia un flujo de H2 purificado recorre el tubo eliminando el oxígeno y el
vapor de agua que pudiera contaminar el proceso.
Si al mismo tiempo se baja la temperatura del horno, entonces sobre la superficie del
substrato se van a cristalizar capas epitaxiales; la composición de estas capas depende de la
temperatura y de las composiciones de las fases líquidas.
El espesor de algunas de las capas se puede regular variando el intervalo de la temperatura
en el que se realiza el proceso de cristalización o bien variando el volumen de la fase
líquida.
Cabe señalar que la epitaxia por fase líquida, desde el punto de vista técnico, es bastante
sencillo, económica, y no usa gases tóxicos, pero es difícil hacer una producción masiva
con ella.

Crecimiento epitaxial por haces moleculares (MBE).

El termino Molecular Beam Epitaxy (MBE), describe el crecimiento epitaxial de láminas
delgadas de semiconductores compuestos mediante la reacción de haces moleculares
térmicos de los elementos constituyentes con la superficie de un sustrato cristalino,
mantenido a temperatura adecuada y en condiciones de ultravacío.
Consiste en la evaporación de fuentes sólidas de manera que se producen haces moleculares
y se dirigen sobre un sustrato caliente sobre el cual se deposita el material.
Es una técnica habitual en el crecimiento de heteroestructuras de semiconductores por la
gran perfección cristalina que alcanza. Los haces moleculares inciden sobre un sustrato y
diversas reacciones químicas ocasionan la deposición de monocapas sucesivas. Mediante el
adecuado control de las especies químicas de los haces se puede variar la composición de
las capas epitaxiales.

Epitaxia en fase de vapor (VPE)

La VPE es un proceso en el que el material es trasportado al sustrato en forma de vapor,
generalmente formado por compuestos. Estos, una vez alcanzado el sustrato se
descomponen, y se incorporan a su superficie.
Es hoy en DIA el proceso más ampliamente utilizado.
El equipo empelado, es un tubo rodeado de unas bobinas de inducción. Los sustratos de
silicio están colocados sobre una cesta de grafito, la cual es calentada por las bobinas de
inducción hasta una temperatura próxima a los 1200 °C.
Al calentarse a esta temperatura, un flujo de gases atraviesa el tubo en el que queda
encerrado todo el conjunto, siendo la composición de estos gases muy controlada mediante
válvulas.