JESUS OMAR MORALES ESPINOZA

MAXIMILIANO MARTINEZ SALDAÑA

PROCESOS DE FABRICACIÓN
La deposición es un cambio de fase donde un gas se convierte directamente en
sólido, sin pasar por la etapa líquida. Este proceso puede suceder con otros
fluidos además de los gases. Es importante destacar que la composición química
de la sustancia no cambia durante la deposición, ya que es un cambio físico.
Además, la deposición libera energía al ocurrir, siendo un proceso exotérmico.
Ejemplos:
 El congelamiento del aire en los polos y la cúspide de las montañas, pasando
directamente de su estado gaseoso, a hielo o escarcha.
 Los diamantes sintéticos son creados a través de procesos de deposición de
átomos gaseosos de carbono, un proceso complejo que se lleva a cabo en
laboratorios industriales.
 La deposición física en fase de vapor de diferentes materiales, que primero son
calentados hasta la evaporación o pulverizados a través del bombardeo de
iones, para luego propiciar su retorno al estado sólido sobre una superficie que
se desea cubrir con una fina capa de dichos materiales.
La deposición física de vapor (PVD) nace de la
combinación de electricidad, magnetismo y
conocimiento químico en estado gaseoso.
La técnica de deposición física en fase de vapor
(PVD) implica depositar una capa delgada sobre un
material, donde los átomos se agregan uno a uno en
la superficie del sustrato. Este proceso térmico y físico
implica convertir el material objetivo en partículas
atómicas. Estas partículas se dirigen hacia el sustrato
en forma de plasma gaseoso en un ambiente de
vacío, generando un revestimiento físico a través de
la condensación de estos átomos proyectados.
Los recubrimientos obtenidos por PVD generalmente
son muy delgados, desde capas atómicas, que
pueden medir menos de 10 angstroms (Å), hasta 0.1
nanómetros (nm).
DEPOSICIÓN CATÓDICA O SPUTTERING
En este tipo de tecnología PVD, la aceleración
de iones mediante plasma permite que el
choque de éstas con la superficie del objetivo
produzca la liberación de partículas del mismo.
Los iones transfieren su energía cinética a la
superficie del objetivo y se vaporizan. Este tipo
de PVD se caracteriza por permitir depositar
compuestos que surgen al reaccionar el
objetivo con el gas presente en el plasma. El
ejemplo más característico es la deposición de
nitruro de titanio (TiN), en el que el gas
presente es nitrógeno y el objetivo es titanio,
reaccionando ambos para dar lugar a un
recubrimiento de TiN.
EVAPORACIÓN TÉRMICA
Este tipo de metodología PVD se caracteriza porque el objetivo se evapora
mediante un proceso de calentamiento en vacío y forma un flujo de vapor, que
golpea al sustrato en la cámara de proceso, dando lugar a la adhesión del
recubrimiento. En este proceso, la atmósfera de vacío tiene un especial
protagonismo ya que impide la contaminación del recubrimiento formado.
DEPOSICIÓN POR ARCO
En esta tecnología de PVD, se aplica un arco de corriente eléctrica de alta
intensidad y baja tensión, elevando la temperatura hasta que las partículas del
objetivo subliman, evaporándose altamente ionizadas en la cámara de vacío. Las
partículas ionizadas son dirigidas al sustrato mediante la aplicación de un
potencial. Además, en la deposición por arco se puede dar que el objetivo actúe
como cátodo (arco catódico) o como ánodo (arco anódico), dependiendo de su
naturaleza y del recubrimiento que se desee obtener. Al igual que la deposición
por sputtering, se pueden conseguir recubrimientos con determinadas
composiciones haciendo reaccionar los iones del objetivo con un gas reactivo.
DEPOSICIÓN IÓNICA (E-BEAM)
En esta técnica de PVD, la evaporación del
objetivo se da con los mismos procesos que
los vistos previamente (sputtering,
evaporación térmica o arco eléctrico). La
diferencia radica en el uso de un bombardeo
de iones inertes (comúnmente de Argón) de
alta energía para controlar y modificar el
recubrimiento obtenido sobre el sustrato. Por
consiguiente, la principal característica de
esta técnica es que permite la obtención de
recubrimientos metálicos puros sin
contaminación atómica.
VENTAJAS Y DESVENTAJAS DE LA
DEPOSICIÓN FÍSICA DE VAPOR
VENTAJAS:
 No requiere el uso de reactivos químicos ni post tratamientos de limpieza, por
lo que tiene muy bajo impacto medio ambiental.
 El PVD se puede aplicar en cualquier tipo de material inorgánico.
 Los recubrimientos obtenidos por PVD tienen una gran adherencia, resistencia
y durabilidad.
 La técnica de PVD permite un gran control de la composición y espesor de los
recubrimientos.
DESVENTAJAS:
 El proceso de PVD utiliza equipamientos complejos, con un coste muy elevado
 La velocidad de producción de recubrimientos por PVD es lenta en
comparación con otros procesos de deposición de recubrimientos.
 La técnica de PVD esta limitada en sustratos con geometrías complejas
La deposición química de vapor (CVD, por sus
siglas en inglés, Chemical Vapor Deposition) es
un proceso fundamental en la fabricación de
películas delgadas y recubrimientos. Implica la
deposición controlada de materiales en forma de
vapor sobre un sustrato, donde reaccionan
químicamente para formar una capa sólida.
En el proceso de CVD, se utilizan precursores
químicos que se introducen en una cámara de
reacción junto con el sustrato a recubrir. Estos
precursores pueden ser gases, líquidos o sólidos
que se vaporizan a temperaturas específicas.
Una vez dentro de la cámara, los precursores
reaccionan entre sí o con el sustrato a ciertas
temperaturas y presiones, generando productos
que se depositan en la superficie del sustrato.
CVD TÉRMICO:
Se basa en reacciones químicas inducidas por calor. Al aumentar la temperatura,
los precursores se descomponen en especies químicas más simples, como
átomos o moléculas, que reaccionan entre sí o con el sustrato para formar un
recubrimiento sólido. La deposición ocurre cuando estos productos de reacción se
depositan en la superficie del sustrato, creando una película delgada y uniforme.
El CVD térmico se utiliza en una amplia gama de aplicaciones, desde la
fabricación de circuitos integrados en la industria de semiconductores hasta la
producción de recubrimientos protectores en herramientas y componentes
industriales. La temperatura y la composición de los precursores, así como las
condiciones de la cámara de reacción, son cuidadosamente controladas para
lograr recubrimientos con propiedades específicas, como conductividad,
resistencia química o propiedades ópticas, según las necesidades del proceso o
producto final.
CVD POR PLASMA:
Emplea plasma para activar o descomponer los precursores químicos, lo que permite depositar
recubrimientos a temperaturas más bajas y a una velocidad mayor en comparación con el CVD térmico.
En este proceso, se introduce un gas precursor en una cámara de reacción, y se aplica un campo
eléctrico de alta energía para ionizar ese gas y crear plasma. El plasma, que consiste en iones, electrones
y especies químicas activas altamente reactivas, interactúa con los precursores químicos introducidos en
la cámara.
El plasma puede:
 Activar los precursores: Rompiendo enlaces químicos para crear especies más reactivas.
 Facilitar reacciones químicas: Promoviendo interacciones entre los precursores o entre los
precursores y el sustrato a temperaturas más bajas en comparación con el CVD térmico.
 Limpiar la superficie del sustrato: Removiendo contaminantes o mejorando la adherencia del
recubrimiento.
El CVD por plasma ofrece un mayor control sobre las propiedades del recubrimiento, como la estructura,
composición, densidad y adherencia, lo que lo hace útil en aplicaciones donde se requiere precisión y
control en la fabricación de películas delgadas para diversas industrias, incluyendo la electrónica, la
industria automotriz y la producción de herramientas y dispositivos médicos.
 Control preciso: Permite un control detallado de las propiedades del
recubrimiento, como espesor, composición química y estructura cristalina.
 Uniformidad: Produce recubrimientos uniformes en sustratos con formas
complejas y superficies irregulares.
 Variedad de materiales: Se puede utilizar para depositar una amplia gama de
materiales, desde metales hasta polímeros y cerámicas.
 Adhesión mejorada: Genera recubrimientos con una excelente adherencia a
los sustratos, lo que mejora la durabilidad y la resistencia a la corrosión.
 Alta calidad y pureza: Permite la producción de recubrimientos de alta calidad y
pureza con pocas impurezas.
 Alta temperatura: En el caso del CVD térmico, puede requerir altas
temperaturas para la deposición, lo que puede limitar su aplicación en
sustratos sensibles al calor.
 Costos: Requiere equipos especializados y costosos, lo que puede aumentar
los costos de producción.
 Procesos complejos: Los procesos de CVD pueden ser complejos y requieren
un control preciso de parámetros como la temperatura, presión y flujo de
precursores.
 Contaminación: Existe el riesgo de contaminación del equipo, lo que puede
afectar la calidad de los recubrimientos.
 Tiempo de procesamiento: Algunos procesos de CVD pueden ser relativamente
lentos, especialmente en comparación con métodos de recubrimiento más
rápidos.