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Transductores

Optoelectrónicos
Los transductores Optoelectrónicos, son aquellos dispositivos capaces
de convertir energía luminosa en eléctrica o viceversa.
CARACTERÍSTICAS
 Están fabricados de material fotosensible.
 Emiten radiaciones electromagnéticas cuando una corriente eléctrica
fluye a través de ellos ó absorbe energía electromagnética.
 La fuente luminosa que emiten o detectan lleva consigo paquetes
llamados fotones. Longitud de onda, dada por:
MATERIAL FOTOSENSIBLE
 La longitud de onda determinará el material que se utilizará en la
fabricación.
 La corriente (número de electrones libres) que se generan en cada
material es proporcional a la intensidad de la luz incidente.
 Cada material tiene una repuesta espectral relativa con respecto a la
visión y la luz visible.
 El rango del espectro electromagnético abarca desde 200 nm en el
ultravioleta lejano, extremo de la longitud de onda corta hasta
aproximadamente 15 µm en el infrarrojo lejano.
Respuesta espectral relativa para el Si, Ge, y el Selenio en relación a
la visión de la luz blanca.
 LA INTENSIDAD LUMINOSA ES UNA MEDIDA DE LA CANTIDAD DE FLUJO
LUMINOSO QUE CUBRE UN ÁREA SUPERFICIAL PARTICULAR. MEDIDA EN
LM / PIE2 , PIE*CANDELA (PC), W/MT2 DONDE:

1 LM / PIE2 = 1FC = 1.609X10-9 WATT / MT2

 FLUJO LUMINOSO SE MIDE NORMALMENTE EN LUMENS O WATTS DONDE:

1 LM = 1.496X10-10 WATTS
CLASIFICACIÓN DE ELEMENTOS OPTOELECTRÓNICOS SEGÚN EL
MECANISMO MEDIANTE EL CUAL RESPONDEN A LA LUZ:

FOTODETECTORES

 FOTOEMISORES
FOTODETECTOR
Es un sensor que genera una señal eléctrica dependiente de la luz u
otra radiación electromagnética que recibe.

ALGUNOS DE ELLOS SON:


FOTORRESISTENCIAFOTODIODO
FOTOTRANSISTOR
FOTODARLINGTON
FOTOTIRISTORES (FOTOSCR Y
FOTOTRIAC)
FOTORESISTENCIA
Componente Optoelectrónica donde su resistencia disminuye con el
aumento de intensidad de luz incidente, está formado por una célula o
celda y dos patas.
Características:
 Material de fabricación :
Sulfuro de Cadmio (CdS)
Seleniuro de Cadmio (CdSe)
 No posee unión como el fotodiodo.
 Dispositivo fotosensible
 Máxima capacidad de respuesta:
(CdS) 510nm
(CdSe) 615nm
 Velocidad de conmutación lenta comparada con otro, y depende del
material de fabricación.
(CdS) 100 mseg.
(CdSe) 10 mseg.
FUNCIONAMIENTO

Su funcionamiento se basa en dos condiciones:

Oscuridad
No existe corriente (portadores de carga no están energizados
y presenta una Resistencia alta que varia desde 5 kΩ hasta 12MΩ.

Iluminación
La luz hace que la resistencia interna del componente
disminuya entre 50Ω y 1 KΩ dependiendo de la cantidad de luz aplicada
Curva característica de la Fotorresistencia
OPERACIÓN.

1.- Al incide luz a la fotorresistencia, se producen pares


Hueco - Electrón,
2.- Como la energía aplica al fotón incidente es mayor al de la banda
prohibida «Eg» del material, este produce una excitación a las
partículas a banda de conducción generando una corriente.
El aumento de partículas (e) en la BC y de huecos en la BV, produce un
aumento en la conductividad y una disminución en la resistividad del
material.
FOTODIODO

• Es un semiconductor de unión PN, sensible a la incidencia


• de la luz visible o infrarroja.
• Se polariza inversamente, y produce una corriente inversa Is
cuando es excitado por la luz.

Símbolo eléctrico:

En ausencia de luz generan un voltaje muy pequeña con (+) en


ánodo y (-) en cátodo. Esta corriente presente en ausencia de luz
recibe el nombre de corriente de oscuridad «Iosc».
Fotodiodo de juntura PN

Zona de
Incidencia

+ +
+
La unión PN es operada bajo potencial invertido, esto tiene como consecuencia que la energía
aumente, según el potencial aplicado.

+
+

N P

Ventajas.
La señal de salida medida es la corriente generada por fotones
Mayor velocidad de conmutación
Se reduce el tiempo de tránsito para que los portadores lleguen a sus
terminales respectivas.

Desventaja
El incremento de ruido debido a la siempre presente corriente de fuga
CARACTERÍSTICAS

AL POLARIZARLO VARÍA EN PROPORCIÓN A LA INTENSIDAD DE LA LUZ.


LA LONGITUD DE ONDA PRODUCE PARES HUECO-ELECTRÓN
EL FOTODIODO DE POLARIZACIÓN EN INVERSA SE COMPORTA COMO
UNAFUENTE DE CORRIENTE CONSTANTE HASTA OBTENERSE UNA TENSIÓN
DE AVALANCHA.
LA RESPUESTA ESPECTRAL Y EL TIEMPO DE RESPUESTA DEPENDE DE LA
GEOMETRÍA DE ÁREA DE RECOLECCIÓN Y DEL MATERIAL IMPURIFICANTE.
LA MAYORÍA DE ESTOS DISPOSITIVOS TIENE INCLUIDO UNA LENTE QUE
CONCENTRAN LA LUZ EN LA JUNTURA.
Curva típica del diodo
FUNCIONAMIENTO

 MODO FOTOCONDUCTIVO
El diodo opera sin voltaje de polarización por tanto esta en
circuito abierto.

VENTAJA
Bajo nivel de ruido debido a la ausencia de corriente de fuga.

DESVENTAJAS
La relación entre la luz incidente y la señal de salida es no
lineal.
La velocidad de respuesta, depende del grosor de la unión y
suele ser lenta.
FOTOTRANSISTOR

Es un transistor sensible a la luz, normalmente a los infrarrojos.


La luz incide sobre la región de base - Colector, generando
portadores (corriente) a través de ella.

Trabaja de 2 formas:
 Como transistor normal de 3 terminales y con corriente de

base Ib, para 2 maneras de operación.


 Como fototransistor de 2 terminales, cuando la luz que incide

en este elemento hace las veces de corriente de base Ip.


CARACTERÍSTICAS
 Menos sensible que una fotorresistencia pero mayor que

fotodiodos.
 Alta velocidad de conmutación .

 La sensibilidad del dispositivo está en función de las

dimensiones del área de recolección (unión Base-Colector).


 Presenta una área grande de recolección.
FUNCIONAMIENTO

La luz incide sobre la juntura PN (Base-Colector) de polarización inversa, esta


genera una corriente de base que es amplificada debido a la ganancia (β) del
fototransistor.

IE = (IP + IB ) (β + 1)
donde:

IP = Corriente generada por la incidencia del fotón.


IB = Corriente de base externa.
IE = Corriente de emisión.
β = Ganancia

 La base es desconectada y la corriente de colector es controlada por la


iluminación entonces IB = 0 y existe una IPhoton es la única corriente en la
base
 Puede ser descrito por un circuito equivalente de fotodiodo-transistor,
donde:
Fotodiodo : Proporciona Ip.
Las características de salida de un fototransistor están dadas
por: Ic que esta en función del voltaje, emisor-colector donde la
intensidad de la luz es el parámetro de variación para base
abierta.

Curva Característica V – I
 Del transistor
COMPUERTAS LOGICAS

 Compuerta OR

La iluminación aplicada al TX1 o


SCRI o al TX2 o SCR2 producirá el
voltaje de alimentación que
aparece en la carga.

Compuerta OR activada por Luz


Compuertas Lógicas Analógicas con Fotoresistencias

Compuerta AND

Cunando se incide luz sobre los TX1 o


SCRI y el TX2 o SCR2 se tiene a la salida
un corto circuito para cada dispositivo
y por tanto el voltaje de alimentación
aparecerá a través de la carga.

Compuerta AND activada por luz


FOTODARLINTONG

Son 2 fototransistores conectados en cascada en un solo


componente, opera idénticamente que el fototransistor,
excepto que tiene una ganancia mucho mayor debido a las dos
etapas de amplificación.
FOTOTIRISTORES
Son como los fototransistores o FET muy similares a sus correspondientes
convencionales, excepto en la adición de un lente para enfocar la luz en un área
apropiada. Tienen tres terminales. La ventaja principal es que es un excelente
conmutador. Con refrigeración apropiada, algunos fototiristores pueden trabajar
a unos cientos de voltios con un ampere.

Sección Símbolo Construcción

FOTOSCR
FotoSCR
Cundo se polariza adecuadamente el lascr los fotones entran y crean
pares electrón-hueco en la cercanía de la segunda unión y son atraídos
a través de las uniones produciendo una corriente ánodo-cátodo. Para
un cierto nivel de luz, la ganancia total de corriente excede a la unidad
y la corriente ánodo-cátodo sólo viene limitada por la resistencia
exterior. El SCR ha cambiado de ser un conmutador abierto a uno casi
en cortocircuito, como se ve en la Figura de abajo.

Circuito típico con SCR


CARACTERÍSTICAS DE DISPARO
 Un aumento en la temperatura produce una disminución en la
energía luminosa necesaria para activar el dispositivo.
 Es mas sensible a la luz cuando la terminal de compuerta se
encuentra abierta.
 La sensibilidad a diferentes cantidades de iluminación puede
controlarse mediante la inserción de una resistencia en la
compuerta.
FOTOTRIAC

Es la combinacion de un diodo emisor de luz (LED) con un TRIAC


foto-detector (foto-TRIAC) dentro de un mismo encapsulado , como
se indica.

Símbolo eléctrico
Partes de un fototriac

Corte transversal
CURVA V – I
El punto VBD ( tensión de ruptura) es el punto por donde se
presenta la transición del valor de corriente, porque la resistencia
cambia de valor de alta a baja resistencia y a través del Triac. este
permanece en estado ON hasta que la corriente y el voltaje se
reduzca por debajo de la corriente IH y voltaje VH de sostenimiento.
FOTOEMISORES

Aquellos dispositivos que emiten la señal luminosa hasta un


receptor. como son:
 Led´s

 Ired´s

 LCD
Led´s
Dispositivo de unión PN y basa su principio de funcionamiento en el
proceso de electroluminiscencia
Características
Bajo consumo de energía
Polarización en directa
Presenta resistencia dinámica pequeña y se excita por una
fuente de corriente.
Se conecta en interfaz directamente con los sistemas lógicos
digitales.
Vida útil (mas de 100 000Hrs.)
 Alta velocidad de conmutación.
 Estado solido y pequeño.
 El VF (través del LED es del orden 1.5 – 2.2v)
 La IF varía entre 10m – 20mA.
 Un diodo de silicio conectado en paralelo y en sentido inverso protege
al led contra ruptura inversa.
IRLED´S

Es un diodo emisor de luz fabricado en base a un material que


proporciona las longitudes de onda correspondientes a la
región del infrarrojo (Arseniuro de Galio). Para lograr esto las
proporciones de los materiales de fabricación varian

Estructura general de un IRLED


VENTAJAS ENTRE LED Y EL LED
 Su rango de cobertura es mayor con respecto a los LED´S
normales
 Patrón de irradiación es mas angosto que un LED, y es mas
atractivo en aplicaciones donde está presente la dispersión de
la luz.
 Al trabajar en ambientes donde existen altas cantidades de
luz no se presentan problemas.
LCD
Son dispositivos de visualización fabricados a base de material
semiconductor (oxido de indio), que mediante excitación
eléctrica despliegan caracteres , letras, números, símbolos.
CARACTERÍSTICAS.
 Son elementos pasivos
 Modifican las características de la luz que incide sobre ellas.
 Su operación se basa en la variación de las propiedades de
absorción y reflexión de la luz.
 Presenta bajo consumo de energía.
 Flexible tanto en configuración como en tamaño y
dimensiones.
 Son compatibles con CMOS para aplicaciones portátiles.
 Los segmentos no utilizados deben ser conectados al plano
posterior para evitar excitaciones no deseadas.
FUNCIONAMIENTO
Se presentan dos condiciones:
Polarización: No hay reflexión de la luz, y el segmento aparece en
obscuro.
Sin polarización: Existe reflexión de la luz, y el segmento aparece
en color claro.
El cristal liquido es un material orgánico el cual se encuentra entre
un estado liquido isotrópico y un estado sólido cristalino.

Fase nemática de cristal liquido


Las moléculas están agrupadas de manera ordenada. Para
formar el display de cristal líquido la estructura que se utiliza es
nemática (en forma de cigarro), y sus propiedades ópticas se
ven influidas por campos eléctricos.

Visualizadores Nemáticos Trenzados


* El cristal liquido ocupa un espacio muy pequeño entre dos placas
de vidrio paralelas.
* Las superficies interiores de las placas tienen recubrimientos
conductivos transparentes que definen a los caracteres al ser
visualizados.
* La superficie de vidrio en contacto con el liquido es tratada para
introducir la alineación de los cristales en dirección paralela a la
placa.
DISPLAY DE 7 SEGMENTOS

Es un dispositivo que representa números y letras (alfanumérico). Está


compuesto de siete segmentos que se pueden encender o apagar
individualmente.

Existen dos tipos: ánodo común y cátodo común.


 Ánodo común: todos los ánodos de los leds están conectados

internamente a un punto común y debe conectarse a positivo.


 Cátodo común, todos los cátodos de los leds están conectados

internamente a un punto común y debe ser conectarse a potencial


negativo

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