RECEPTORES OPTICOS 1.

INTRODUCCION En un sistema de comunicaciones pticas, el receptor tiene como finalidad convertir la seal ptica en elctrica, amplificar esta y realizar un procesamiento posterior para obtener la informacin. El detector ptico consigue la transformacin de fotones a tensin de corriente y el amplificador posterior eleva el nivel de la seal para que pueda procesarse con facilidad, a la vez que se introduce el mnimo ruido posible. 2. RECEPTORES OPTICOS Los receptores pticos son dispositivos que transforman las seales pticas en seales elctricas, en concreto es el fotodetector el encargado de esta transformacin. Una configuracin bsica es el receptor de deteccin directa, el fotodetector convierte el flujo de los fotones incidentes en un flujo de electrones. Despus esta corriente es amplificada y procesada. Existen dos tipos de fotodiodos usuales para recepcin ptica, fotodiodo PIN y fotodiodo de avalancha APD.

Receptor ptico con deteccin directa

En la prctica, para los receptores de deteccin directa con fotodiodos PIN, el factor limitante de la sensibilidad del receptor es el ruido trmico, generado en la salida del fotodiodo. Existe dos alternativas para superar esta limitacin, una es el uso de fotodiodo de avalancha APD, donde el mecanismo de multiplicacin de la corriente fotogenerada en el fotodiodo amplifica la seal fotodetectado. La segunda alternativa es la utilizacin de un pre-amplificador ptico antes del fotodetector, para amplificar la seal ptica antes de la deteccin.

Receptor ptico con deteccin directa utilizando un pre-amplificador ptico

Una configuracin ms compleja de receptor ptico es el empleo de los receptores de deteccin coherente, con el nivel de potencia del oscilador local tan alto que el ruido trmico se hace mucho menor que el producto del batimento entre la seal del oscilador local y la seal recibida. La figura presenta el esquema simplificado de deteccin coherente.

Receptor ptico con deteccin coherente

En el caso del esquema coherente, la seal detectada posee una frecuencia intermediaria dada por:

Donde: fFI es la frecuencia intermediaria. fS es la frecuencia de la seal recibida. fLO es la frecuencia del oscilador local. En la siguiente figura se muestra un diagrama en bloques de un receptor ptico, para un sistema digital con deteccin directa, el componente clave es el detector de luz.

Diagrama de bloques de un receptor ptico bsico con deteccin directa

El receptor consta de: Un filtro ptico, encargado de eliminar ruido y de seleccionar el canal adecuado. Un fotodetector, elemento encargado de generar una corriente elctrica proporcional a partir de una potencia ptica. Un amplificador Front-end, que amplifica la seal elctrica.

2.1. FILTRO OPTICO Un filtro ptico es un dispositivo capaz de seleccionar una banda de longitudes de onda y eliminar el resto. Su principal aplicacin es la de eliminar el ruido, introducido por los amplificadores pticos de la etapa de transmisin ptica. 2.1.1. Filtros De Interferencia Los filtros de interferencia se construyen apilando una serie de delgadas capas de dos materiales con distinto ndice de reaccin, sobre un sustrato de cristal. Estos materiales suelen ser dielctricos, por lo que tambin son conocidos como filtros dielctricos. Este dispositivo solo permite un rango estrecho de longitudes de onda para que se transmita y refleja el resto, las cuales estn determinadas por las propiedades del material. Las longitudes de onda transmitidas vienen dadas por la siguiente expresin:

Donde: N: es un entero. n: el ndice de refraccin. D: es el grosor de la capa. 0: es el ngulo de incidencia de la luz respecto con la normal. Como se muestra en la siguiente figura, solo aquellas longitudes de onda cuyo periodo coincida con la longitud de dos capas de distinto ndice de refraccin son transmitidas a travs del filtro.

Longitudes de onda seleccionadas en un filtro de interferencia

2.2. CONVERTIDOR OPTO-ELCTRICO La luz recorre la fibra ptica al final del tramo las seales lumnicas son reconvertidas nuevamente a una seal elctrica en el transductor opto-elctrico. En el semiconductor, para pasar un electrn de la banda de valencia a la banda de conduccin, existe energa absorbida por incidencia de un fotn. Proceso inverso se realiza para liberar fotones. E=Ec - Ev Donde: Ec energa de un electrn, cuando se encuentra en la banda de conduccin. Ev energa de un electrn, cuando se encuentra en la banda de valencia. E es una caracterstica del material y se puede cambiar en funcin al contaminante empleado en el semiconductor.

Cuando se libera un fotn se lo puede hacer de dos maneras: espontnea o estimulada. En la emisin espontnea no existe ningn medio externo que induzca al electrn pasar de la banda de conduccin a la banda de valencia. En la emisin estimulada un fotn induce a que el electrn pase a su estado de reposo, liberando un fotn, en cuyo caso se dice que existe amplificacin, si adems existe retroalimentacin y un elemento de selectividad, se lograr tener emisiones coherentes.

Una representacin de estos procesos se indica en la figura que se encuentra a continuacin.

2.3. DETECTORES OPTICOS Son los encargados de transformar las seales luminosas en seales elctricas. En un sistema de transmisin analgica el receptor debe amplificar la salida del fotodetector y despus demodularla para obtener la informacin. En un sistema de transmisin digital el receptor debe producir una secuencia de pulsos (unos y ceros) que contienen la informacin del mensaje transmitido. Las caractersticas principales que debe tener son: Sensibilidad alta a la longitud de onda de operacin Contribucin mnima al ruido total del receptor Ancho de banda grande (respuesta rpida)

2.3.1. Fotodetectores Son diodos semiconductores que operan polarizados inversamente. Durante la absorcin de la luz, cuando un fotodetector es iluminado, las partculas de energa luminosa, tambin llamadas fotones, son absorbidas generando pares electrn-hueco, que en presencia de un campo elctrico producen una corriente elctrica. Estos dispositivos son muy rpidos, de alta sensibilidad y pequeas dimensiones. La corriente elctrica generada por ellos es del orden de los nanoamperios y por lo tanto se requiere de una amplificacin para manipular adecuadamente la seal.

2.3.2. Tipos De Fotodetectores Los fotodetectores con mayor sensibilidad, de rpida respuesta, con poco ruido, alta fiabilidad y bajo costo, son aquellos que utilizan fotodiodos PIN y APD. 2.3.3. Fotodiodo PIN Un fotodiodo PIN es el dispositivo ms comn usado como un detector de luz, en los sistemas de comunicacin por fibra ptica. Un fotodiodo PIN est compuesto por una capa ligeramente imperfecta (intrinseca) de material semiconductor tipo N, se introduce entre la unin de las dos reas de contacto tipo N y P fuertemente imperfecto. La luz entra al dispositivo por una ventana muy pequea y cae sobre el material intrnseco vacio de la portadora. El material intrnseco est hecho lo suficientemente grueso para que la mayora de los fotones que entran en el dispositivo sean absorbidos por esta capa. De esta sencilla forma se incrementa la regin de deplexion. Al incrementar esta regin, se incrementa la responsividad (R) pues el nmero de fotones absorbidos en esta zona aumenta. Como aumenta R, tambin se incrementa la eficiencia del fotodiodo. En cambio el tiempo de respuesta aumenta ya que los electrones y huecos generados por la absorcin tardan tiempo en cruzar la regin de deplexion.

Un fotodiodo PIN de uso comn, es el llamado fotodiodo PIN de InGaAs, mostrado en la siguiente figura.

Estructura de una unin PIN de InGaAs

Con este tipo de estructuras, en el que el material intrnseco est rodeado de capas tipo P y N de distintos materiales semiconductores, se consigue que la absorcin se produzca nicamente en la capa intrnseca, eliminando por completo el efecto de la difusin. Los fotodiodos PIN se caracterizan por su fcil fabricacin, su alta fiabilidad, bajo ruido y su ancho de banda es muy elevado. En la siguiente tabla se muestra los valores de las principales caractersticas de los tres fotodiodos PIN ms comunes.

2.3.4. Fotodiodo APD Los fotodiodos de avalancha (Avalanche Photodiodes, APD) es una estructura PIPN. La luz entra al diodo y es absorbida por la delgada capa N fuertemente imperfecta. Una alta intensidad de campo elctrico desarrollada a travs de la unin IPN por una polarizacin inversa causa que ocurra una ionizacin de impacto. Durante la ionizacin de impacto, una portadora puede ganar suficiente energa para ionizar otros electrones unidos. Estas portadoras ionizadas, a cambio, causan que ocurran ms ionizaciones. El proceso contina como una avalancha y es efectivamente, equivalente a una ganancia interna o multiplicacin de portadora. Los fotodiodos de avalancha al multiplicar la fotocorriente generada en la unin PN consiguen un aumento de la sensibilidad con respecto a los fotodiodos PIN y requieren menor amplificacin adicional.

Las desventajas son los tiempos de transicin relativamente largos y ruido adicional internamente generado, debido al factor de la avalancha.

Estructura de fotodiodo APD de InGaAs

En la siguiente tabla se comparan los valores de las principales caractersticas de los fotodiodos APD de Si, Ge, e InGaAs.

2.3.5. Caractersticas De Los Fotodiodos Responsividad. Una medida de la eficiencia de conversin de un fotodetector. Es la relacin de corriente de salida de un fotodiodo a la potencia ptica de entrada y su unidad de medida es amperes/watts. La respuesta generalmente se da para una longitud de onda o frecuencia especifica. Corriente oscura. La corriente de fuga que fluye por un fotodiodo sin entrada de luz. La corriente oscura ser causada por los portadores generados trmicamente en el diodo. Tiempo de transito. El tiempo que requiere un portador inducido con luz para viajar a travs de la regin de agotamiento o vaciamiento. Este parmetro determina la mxima razn de bit posible con un fotodiodo especfico. Respuesta espectral. El rango de los valores de la longitud de onda puede usarse para un fotodiodo especfico. Generalmente, una respuesta espectral relativa se grafica como una funcin de la longitud de onda o la frecuencia.

2.3.6. Ruido En Un Fotodetector Hay 3 tipos principales de ruido en un fotodetector: Ruido cuntico o de impacto de la fotocorriente generada: este ruido se debe a la llegada aleatoria de fotones al fotodetector y de esta manera a la generacin y colecta aleatoria de electrones. Ruido de impacto de la corriente de obscuridad: este es debido a los pares electrn hueco que son generados trmicamente en la unin pn del fotodiodo. En un APD estos son multiplicados por el mecanismo de avalancha. Ruido trmico o Johnson: se debe a las fluctuaciones aleatorias de la corriente, debido al movimiento aleatorio, inducido trmicamente, de los electrones dentro de un conductor.

3. AMPLIFICADOR FRONT-END En un receptor la funcin principal es la de amplificar la seal antes de ser detectada por el fotodetector para mejorar as la relacin seal-ruido.

La seal ptica es acoplada hacia el fotodiodo, la que es convertida en seal elctrica. El preamplificador aumenta la seal elctrica para facilitar el proceso posterior. El diseo de esta etapa del receptor requiere transar entre velocidad y sensibilidad.

4. CONCLUSIONES Los receptores pticos deben reunir una serie de caractersticas como sensibilidad, linealidad, eficiencia cuntica, tiempo de respuesta mnima, para que sean altamente eficientes. Los filtros pticos seleccionan longitudes de onda especficas de trabajo y ayudan a eliminar los ruidos provenientes de los amplificadores de la etapa de transmisin. Los fotodiodos PIN y APD son los ms utilizados en la etapa de recepcin, siendo estos ltimos ms sensibles al necesitar menor amplificacin debido a su efecto multiplicador de avalancha.

5. REFERENCIA BIBLIOGRAFICA Jos Capmany, F.J. Fraile Pelez, J. Mart- Fundamentos de comunicaciones pticas, 1998. Jos A. Martin Pereda Sistemas y Redes pticas de Comunicaciones, 2004 Ignacio de Miguel Apuntes de Comunicaciones pticas. 2004 Wayne Tomasi - Sistemas de Comunicaciones Electrnicas - 4ta Ed. Rey Baltazar Lpez Flores - Fotodetector basado en un dispositivo p-i-n y un Amplificador de Transimpedancia http://nemesis.tel.uva.es/images/tCO.htm http://www.dsif.fee.unicamp.br/~moschim/cursos/simulation/introduccion.htm http://es.scribd.com/doc/6539566/07-Receptor-de-Enlace-Optico