UNIDAD 2

“Dispositivos optoelectrónicos”

Objetivo:
Dar a conocer al participante los diferentes
dispositivos optoelectrónicos que existen en el
mercado, clasificándolos como emisores, detectores y
dispositivos de visualización.
2.1 Sensores de Luz.
Transductores Optoelectrónicos
Dispositivos que convierten un tipo de energía en
otro diferente.

T T

Emisores y Receptores Optoelectrónicos

 Características
● Están fabricados de material fotosensible.
● Emiten radiaciones electromagnéticas cuando una corriente
eléctrica fluye a través de ellos ó absorbe energía
electromagnética.
● Las fuentes luminosas emiten un flujo en forma de fotones
los cuales tienen asociado un valor de frecuencia y energía.
Donde:
Wfotón = hf
f=c/λ
λ= c/f
 Material Fotosensible.
● La longitud de onda determinará el material que se
utilizará en la fabricación del dispositivo
optoelectrónico.

● El número de electrones libres que se generan en

cada material es proporcional a la intensidad de la luz
incidente.

● Cada material tendrá una repuesta espectral

relativa con una diferencia con respecto a la visión
y la luz visible. 
Respuesta espectral relativa para el Si, Ge, y el Selenio en
relación a la visión de la luz blanca.
● La intensidad luminosa es una medida de la cantidad
de flujo que cubre un área superficial particular. Medida
en lm / pie2 ,piecandela (pc), w/mt2 donde:

1 lm / pie2 = 1fc = 1.609x10-9 watt / mt2

● Flujo Luminoso se mide normalmente en lumens o

watts donde:

1 lm = 1.496x10-10 watts
 Radiación Electromagnética
Se refiere a la energía irradiada en la región visible
del espectro, así como en las regiones adyacentes
ultravioleta e infrarroja.

Tipos de Dispositivos Fotoeléctricos:

 Fotoemisivo (fotoemisor)
 Fotovoltaico
 De Juntura Fotoconductiva
 De Efecto Volumétrico
 • Tipo Fotoemisivo
Los electrones incidentes sobre la superficie cubierta con
fósforo causan que una pantalla se ilumine.
Ejemplo: Televisión, Osciloscopio

Ejemplo de radiación electromagnética de tipo

Fotoemisivo
• Tipo Fotovoltaico
Utiliza la radiación solar para generar potencia eléctrica.La
energía eléctrica se genera a partir de una unión PN
fotosensible fabricada de Selenio, Silicio.
Ejemplo: Celdas Solares.

Banco de celdas Solares

• De Juntura Fotoconductiva
Basada en las propiedades fotoconductoras de la juntura
PN, presenta sensibilidad proporcional dependiente de la
intensidad de la luz incidente. respuesta rápida, pero baja
sensibilidad.
Ejemplo: fotodiodo, fototransistor.

Al mover el ratón, se hace rodar una

bola en su interior. Esta rotación
hace girar dos ejes, cada eje mueve
un disco con ranuras. De un lado de
cada disco, un led envía luz a través
de las ranuras hacia un
fototransistor de recepción situado al
otro lado.
 • De Efecto Volumétrico
Esta basada en la utilización de las propiedades
fotoconductoras de los cristales.

Ejemplo: fotorresistencia.
a) c)
b)

a) Fotorresistencia. b) Fotogeneración de portadores.

c) Estado de conducción sin fotogeneración.
 2.2 Fotorresistencia.
Fotorresistencia

Dispositivo semiconductor de dos terminales, cuya

resistencia terminal varía linealmente con respecto a la
energía luminosa incidente.

Fotorresistencia
 Características:
● Material de fabricación :
Sulfuro de Cadmio (CdS)
Seleniuro de Cadmio (CdSe)
● No presentan una unión como la del fotodiodo.
● Dispositivo bastante fotosensible
● Máxima capacidad de respuesta:
(CdS) 510nm
(CdSe) 615nm
● Velocidad de conmutación lenta comparada con otro,
dependiente del material de fabricación.
(CdS) 100 mseg.
(CdSe) 10 mseg.
● Condiciones de operaciones (en forma aislada)
* Oscuridad: La resistencia aumenta
* Iluminación: la resistencia disminuye por lo tanto
aumenta la energía.
 Pc

Resistencia Terminal de una Fotorresistencia.

 Factores que afectan la
sensibilidad de la fotorresistencia:
Con la intensidad de la luz a un nivel constante, el
valor de la resistencia de la fotorresistencia depende de los
siguientes factores:

● Material Fotoconductivo
● Área de Recepción de la luz incidente
● Distribuciones de Longitud de onda de la luz incidente
● Niveles de impureza.
 Material Fotoconductivo
Cada material tiene su propia influencia sobre la resistencia
y sensibilidad de la fotorresistencia.

Área de Recepción de la Luz Incidente.

El aumento del área de recepción incrementará la
sensibilidad de la fotorresistencia a la luz incidente.

Distribución de las Longitudes de Onda

Incidente.
Cada fotorresistencia tiene su propia sensibilidad máxima
para una longitud de onda específica (entre 400-700 nm.) una
desviación hacia arriba o abajo reduce la sensibilidad.
 %

1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0

Respuesta Espectral relativa típica de la fotorresistencia.

Nivel de impurezas :
El nivel de impurezas agregadas en la fabricación del
dispositivo modifica las características de sensibilidad y
velocidad de conmutación.
 Funcionamiento
El principio de funcionamiento de una fotorresistencia
esta basado en dos condiciones:

Oscuridad
Los portadores no están energizados lo que
significa alta resistencia.
desde 5 kΩ hasta varios MΩ

Iluminación
La luz energiza a los portadores, disminuyendo la
resistencia y aumentando el flujo de corriente.
desde 50Ω 1 KΩ
 Detección de la luz mediante una fotorresistencia

Cuando incide luz sobre la superficie del dispositivo, se

produce pares Hueco - Electrón, suponiendo que la energía
del fotón incidente incide es mayor que la banda prohibida del
material, el fotoelectrón ganará suficiente energía para ser
excitado hacia la banda de conducción.
 El aumento de electrones en la banda de conducción y el
aumento correspondiente de huecos en la banda de
valencia produce un aumento en la conductividad y por tanto
una disminución en la resistividad del material.

Operación de una Fotorresistencia,

Longitud de onda de corte
La banda prohibida del material establece una longitud de
onda de corte superior por arriba de la cual ningún
electrón puede ser lanzado hacia la banda de conducción

  hc
Eg
donde : Eg = energía de la banda prohibida
Ejercicio 2.1
Calcule las longitudes de onda de corte de unas
fotorresistencias de (CdS) Eg =2.4 eV y de (CdSe) Eg=1.7eV.
Ejercicio 2.2
Una fotorresistencia (ORP-12) tiene las siguientes
características; utilizando una fuente de 9 v diseñe un circuito
para monitorear la emitancia de un haz luminoso en el intervalo
de 1 a 1000 lux.

•Tipo: ORP
•Resistencia:
20,000 Ix 10 Ω
1,000 lx 150 Ω
50 lx 2.4 kΩ
1 lx 80 kΩ
Oscuridad 10 M Ω
 Vcc 9V
Tiempo de subida:Oscuridad 50 Ix = 330 mseg.
Tiempo de bajada: 50 Ix Oscuridad = 75 mseg. ORP12
Disipación de fotorresistencia: 220 mW.
Temperatura ambiente: -10 °C a 60 °C
Área activa = 0.6 cm2 R1 Vo
Ejercicio 2.3

Para el siguiente caso RA es una fotorresistencia

con las siguientes especificaciones:

•Fotorresistencia:
Resistencia de oscuridad = 500 KΩ
Resistencia de iluminación = 500 Ω

•Transistor:
 = 50
Vce sat = Vbe sat = 0.7 V

•Rele
Corriente operacional del rele (Imax) =25 mA
Determine:
a) IB Requerida para operar el rele
b) RB Requerida para la operación correcta
c) Tensión en el punto Vx
Ejercicio 2.4.

Si la iluminación en la fotorresistencia es de 10 Pc,

determinar la magnitud de Vi que establezca 6 V en la
fotorresistencia si R1 = 5kΩ sabiendo que a dicha
intensidad de fotorresistencia se presenta una impedancia
de 2 kΩ.
 2.3 Fotodiodo.
Fotodiodo
•Dispositivo semiconductor de unión PN fotosensible.

•Fabricado a base de Germanio (Ge) o Silicio (Si).

•Trabaja con polarización en inversa.

•Al exponer la unión PN a una luz de longitud de onda

adecuada se incrementa la corriente que fluye a través del
dispositivo.
•Con polarización en directa el incremento de corriente es
insignificante.

•Presenta velocidad de conmutación bastante rápida.

Zona de
Incidencia

+ +
+

Fotodiodo de juntura PN
Características

● Al aplicar polarización inversa su corriente inversa

(corriente de fuga) varía en proporción a la intensidad de la
luz.

● La longitud de onda adecuada que incide sobre un fotodiodo

produce Pares Hueco-Electrón que son desplegados a lo
largo de la juntura por el campo eléctrico.

● El fotodiodo de polarización en inversa se comporta como

una fuente de corriente constante hasta obtenerse una
tensión de avalancha.

● La respuesta espectral y el tiempo de respuesta depende

de la geometría de área de recolección y del material
impurificante.
H= intensidad de luz incidente H0<H1>H2
IP = Flujo de corriente a través del Fotodiodo
VA = caída de tensión a través del fotodiodo

Curva Típica del Diodo

•La mayoría de estos dispositivos tiene incluido una lente que
concentran la luz en la juntura.

•La corriente fotoeléctrica está dada por:

I λ = n q ΦA

Donde:
n = Rendimiento cuántico (Relación entre portadora
de corriente y fotones incidentes)
q = Carga del electrón (1.6x10-19 Coulomb)
Φ = Densidad de flujo del fotón (Fotones /seg cm2)
A = Área activa del fotodiodo (cm2)
•Bajo oscuridad completa, el flujo de corriente a través
de un fotodiodo de polarización inversa es la corriente de
fuga inversa denominándose corriente de oscuridad, por
tanto, para condiciones de iluminación, la corriente total
Ip a través del fotodiodo es:

IP = IO + Iλ

Donde:
IO = Corriente de oscuridad
Iλ = Corriente fotoeléctrica
Iλ >> IO IO Despreciable
 Circuito equivalente del fotodiodo

Donde:
IO = Corriente de oscuridad
Iλ = Corriente fotoeléctrica
C = Capacitancia de la juntura (polarización inversa) =30pf
R = Resistencia de la juntura del fotodiodo = 50 MΩ
•El fotodiodo exhibe una sensibilidad máxima a una
longitud de onda dada, dependiendo de las propiedades
del material.

Respuesta Espectral de un fotodiodo de Silicio y de un fotodiodo

de Germanio
Modos de Operación.
 Modo fotoconductiva
 Modo Fotovoltaico

Modo Fotovoltaico:
El diodo es operado sin voltaje de polarización por tanto
trabaja en circuito abierto.

Fotodiodo en modo Fotovoltaico

Ventaja.

• Bajo nivel de ruido debido a la ausencia de corriente de

fuga.

Desventajas.

● La relación entre la luz incidente y al señal de salida es

no lineal.
● La velocidad de respuesta, depende del grosor de la
unión y suele ser lenta.
Modo Fotoconductivo
La unión PN es operada bajo potencial invertido, esto
tiene como consecuencia que la energía aumente, según el
potencial aplicado.

+
+

N P

Fotodiodo en modo Fotoconductivo

Ventajas.

● La señal de salida medida es la corriente generada por

fotones, no la caída de voltaje a través del fotodiodo.

● Mayor velocidad de conmutación debido al

ensanchamiento de la región de agotamiento y tanto mayor
campo eléctrico.

● Se reduce el tiempo de tránsito para que los portadores

lleguen a sus terminales respectivas.

Desventaja.

•El incremento de ruido debido a la siempre presente

corriente de fuga
 Aplicaciones con Fotodiodo.
Sistemas de alarmas.
La corriente inversa Iλ continuara fluyendo en tanto
que el haz no sea interrumpido, si llegara a interrumpirse Iλ,
decae al nivel de corriente de oscuridad, y hace la alarma.

Empleo de un fotodiodo en un sistema de alarma

Contador de elementos sobre Banda
Magnética de Transporte
A medida que cada elemento va pasando, el haz
de luz se interrumpe ocasionando que Iλ decaiga al nivel
de la corriente de oscuridad y que el contador sea
incrementando en uno.

Uso de un fotodiodo en una operación de conteo.

Ejercicio 2.5
Determine la energía asociada con los fotones de luz verde si
la longitud de onda es de 5000 Å, dé su respuesta en Joules y
en electrón volt para un fotodiodo típico.
Ejercicio 2.6

Considerando la figura que representa la respuesta

espectral para el Si y el Ge, que define al intervalo visible de
4000 A° a 7500 A°, determine cuales serian los valores de la
frecuencia asociada con los limites superiores e inferiores del
espectro visible al cual trabajará un fotodiodo.
Ejercicio 2.7

Determine la longitud de onda en micrones

asociada con la respuesta relativa máxima para un
fotodiodo de silicio.
Ejercicio 2.8

Para el siguiente circuito los componentes tienen las

siguientes características.

Fotodiodos
ID = 10 n Amp en oscuridad
ID = 50 μ Amp en iluminación total
VD = 8 v tensión a través del fotodiodo
Transistor
VBE = 0.7 V; VCE = 0.3 v ; βmin = 80
Lámpara
IC = Orden de m Amp para 12 v

Determine:
a) IB requerida para asegurar que el transistor está
en saturación.
b) El valor de la resistencia de base RX para
asegurar la saturación del transistor.
 2.4 Fototransistor
Fototransistor
Dispositivo de unión PN fotosensible a una longitud de
onda, opera como transistor común, excepto que la
corriente de base puede ser suministrada de dos modos.

• Modo común (polarización externa)

• Modo iluminación (la unión Base-Colector provee en
función de la intensidad de la luz).
 Características

 Menor sensibilidad que una resistencia pero mayor que

fotodiodos.

 Velocidad de conmutación rápida.

 La sensibilidad del dispositivo está en función de las

dimensiones del área de recolección (unión Base-Colector).

 Presenta un área de recolección de grandes dimensiones.

 Funcionamiento
La luz incide sobre la juntura PN (Base-Colector) de
polarización inversa genera una corriente de base que es
amplificada debido a la ganancia (β) del fototransistor.

 La corriente es expresada por IE = (IP + IB ) (β + 1) donde:

IP = Corriente generada por la incidencia del fotón.

IB = Corriente de base externa.
IE = Corriente de emisión.
β = Ganancia
 El fototransistor es usado por lo general con la base
desconectada y la corriente de colector es controlada por la
iluminación entonces IB = 0 entonces IP es la única
corriente en la base (esta característica da una mayor
sensibilidad a cantidades regulares de iluminación).

 El fototransistor puede ser descrito por un circuito

equivalente de fotodiodo-transistor, donde:

Fotodiodo : Proporciona Ip.

Transistor : Ganancia o amplificación
Curvas Caracteristicas

Las características de
salida de un fototransistor
están dadas por:
Ic que esta en función de
la tensión emisor-colector
donde la intensidad de la
luz es el para metro de
variación para base
abierta.

Curvas características del colector.

 Aplicaciones
● Lectoras de tarjetas perforadoras.
● Circuitos mecánicos-electrónicos en computadoras.
● Indicadores de nivel.
● Relevadores.
● Sistema de conteos.

Nota: para aplicaciones que trabajan a bajas cantidades de

iluminación puede proveerse una IB adicional por polarización
externa.
● Aplicación trabajando con bajos
niveles de iluminación. 

● Los efectos de la corriente de

oscuridad pueden ser
minimizados para aplicaciones
de bajos niveles de
iluminación.
Fototransistor
trabajando con bajos
niveles de iluminación.
● Se evita que la unión Base‑Colector sufra polarización
inversa cuando:

● VCE < Caída de tensión polarización directa del diodo de

Si.
 
● Esto permite la detección de corrientes débiles debidas
a escasas cantidades de iluminación.

● La base de PT no esta conectada, entonces Q1 y Q2

amplifican la débil corriente procedente del colector hasta
un nivel capaz de operar la carga.
 2.5 Fototiristores.
Fototiristores
Se refiere a los dispositivos de disparo fabricados de materiales
semiconductores, presenta uniones PN fotosensibles.

● Funcionamiento similar a un tiristor común.

● Su activación es mediante la incidencia de energía luminosa sobre
la zona sensible.
● A medida que aumentan las dimensiones del área de recolección
aumenta la sensibilidad del dispositivo al cambio de intensidad del
flujo luminoso.
● El Foto tiristor mas utilizado es el FotoSCR (SCR activado por luz).
 Foto SCR
Es un rectificador controlado de silicio activado por energía
luminosa

SCR Activado por luz,

La terminal de activación es la compuerta.

● El disparo del dispositivo emplea el método típico del

SCR.

● Los valores nominales máximos de corriente (RMS) y

potencia de los fototiristores disponibles comercialmente
en la actualidad son aproximadamente 3 A y 0.1 W.
 Características de Disparo
● Un aumento en la temperatura de la unión produce una reducción
en la energía luminosa necesaria para activar el dispositivo.

● El fototiristor es mas sensible a la luz cuando la terminal de

compuerta se encuentra abierta.

● La sensibilidad a diferentes cantidades de iluminación puede

controlarse mediante la inserción de una resistencia en la
compuerta.
Irradiación
mW/cm2

Temperatura de
Unión °C

Características de disparo e identificación

de terminales.
 Aplicaciones

Dentro de las áreas de aplicación de los fototiristores se

encuentran:

● Controles ópticos luminosos. 

● Relevadores.
● Control de fase.
● Control de motores. 
● Aplicaciones de disparo.
 Compuertas Lógicas Analógicas

● Compuerta AND.
 
Con incidencia de luz sobre los
SCRI y el SCR2 se presentan la
representación de corto circuito
para cada dispositivo. Y por lo
tanto el voltaje de alimentación
aparecerá a través de la carga.

Compuerta AND activada por energía

luminosa
● Compuerta OR
 
La iluminación aplicada
al SCRI o al SCR2
producirá el voltaje de
alimentación que
aparece en la carga.

Compuerta OR activada por energía

luminosa
● Compuerta OR
 
La iluminación aplicada
al SCRI o al SCR2
producirá el voltaje de
alimentación que
aparece en la carga.

Compuerta OR activada por energía

luminosa
 Analogía Semiconductora de un
Relevador Electromecánico.

● El dispositivo ofrece un aislamiento completo entre la

entrada y el elemento de conmutación.
● La corriente de entrada enciende al LED, ocasionando
que el SCR se dispare produciendo un flujo de corriente
a través de la carga.
S1

Carga
+
Entrada
Entrada de
de CD o
CD
CA CD

Relevador de seguro.
 El dispositivo se corta empleando interruptor de
reestablecimiento S1.
De la aplicación anterior podemos concluir que el
acoplamiento óptico es atractivo debido a:

● Larga vida de servicio.

● Respuesta en microsegundos.
● Dimensiones reducidas.
● Eliminación de rebotes en los contactos (Terminales).
 EJEMPLOS
Ejercicio 2.9
Utilizando la Grafica determine la irradiación mínima
que se requiere para activar al dispositivo a temperatura de
unión de (25°). Irradiación
mW/cm2

Características de disparo. Temperatura

de Unión °C
Ejercicio 2.10
Que reducción porcentual en la irradiación es permisible
si la temperatura de la unión se incrementa de 0 OC a 100
OC. Irradiación
mW/cm
2

Temperatura de
Unión °C
 Ejercicio 2.11
El siguiente circuito que emplea un Foto SCR se
encuentra en un cuarto oscuro cuando se le conecta el
voltaje de alimentación VIN, = 25 v, determine:
 
● Voltaje de salida Vsal para condición de oscuridad.
● Voltaje de salida Vsal para condición de iluminación.
Vn = 25 V

330Ω

Vsal

G
K
 2.6 Led´s.
Led
Dispositivo de unión PN, el cual basa su principio de
funcionamiento en el proceso de electroluminiscencia
(obtención de energía luminosa a partir de la aplicación de
energía eléctrica).

ánodo

cátodo

a)
a)Estructura básica de
b)
un LED, b) símbolo y
c) esquema físico
 Características
● Requiere bajo consumo de energía para producir
salida luminosa.
● Polarización en directa, trabaja similar a un diodo
normal.
● Presenta una resistencia dinámica pequeña y debe
ser excitado por una fuente de corriente (se coloca
una resistencia serie con el LED).
● Puede ser conectado en interfaz directamente con la
mayoria de los sistemas lógicos digitales.
● Vida útil extensa (mas de 100 000Hrs.)
●Alta velocidad de conmutación.

● Dimensiones reducidas y mecánicamente sólidos.

● Lacaída de voltaje (VF a través del LED es del orden
1.5 – 2.2v,
● La corriente (IF) se encuentra entre 10m – 20mA.
● Un diodo de silicio instalado en paralelo e
inversamente protegerá al mismo contra ruptura
inversa.
Funcionamiento
Al ser alimentado el dispositivo con energía eléctrica
se inyectan electrones y huecos en las regiones P y N
respectivamente.
 
Dependiendo de la magnitud de la corriente de
excitación, se presenta una recombinación de portadores,
la cual depende de la energía de banda prohibida del
material de fabricación, entonces en algunos materiales es
mayor que en otros.
Ejemplo :

GaAs
GaAsP Si
GaP

El resultado es radiación electromagnética, la cual tiene

asociada un valor de longitud de onda.
 =
hc
Eg
Donde : h = 4.1610*10-15 eV
c = 3x108 m/s
Eg = material en eV

Proceso de recombinación de la juntura PN

EJEMPLOS
Ejercicio 2.13.
Determine el valor de longitud de onda emitida
por un Led de Arseniuro de Galio (GaAs).
Material de Fabricación
Cada material tiene un valor Eg, en base a esto se
podrán obtener diferentes longitudes de onda, en el
mercado depende del material utilizado en la fabricación
de los dispositivos.
 Tabla de valores de Eg de cada material.

MATERIAL Eg(Ev) LONG. DE COLOR

ONDA
GaAs :Zn 1.35 910 INFRARRO.
GaAsP : 0.4 1.91 650 ROJO
GaAsP : 0.5 2.03 610 NARANJA
GaAsP : 2.10 560 VERDE
0.85
GaP 2.24 590 AMARILLO
 Circuito Característico y Recta de
Carga
El LED tiene baja
LINEA DE resistencia dinámica por
CORRIENTE ELECTRICA
CARGA
arriba de la tensión de
Q(VfIf)
activación del dispositivo.
UMBRAL

TENSION
DIRECTA

Circuito típico del LED y solución grafica de la

corriente que atraviesa un LED.
● Debido a esto, el LED debe de ser excitado por una
fuente de corriente, la cual puede ser constituida por
una Vcc en serie con una resistencia.
● VF es la caída de tensión directa a través del LED.
● Tanto VF, como IF son obtenidos de las hojas de
datos del dispositivo.
● Los valores de IF Y VF deben de ser seleccionados de
tal manera que el LED pueda proporcionar la
intensidad luminosa deseada.
 Es importante el valor de RL para regular la
cantidad de corriente que fluirá por el dispositivo y evitar
envejecimiento prematuro por sobrecalentamiento.
El umbral de la corriente promedio de polarización
se muestra en  
● VF= 1. 5 V Aumenta en forma exponencial.
● IF=10 mAmp para LEDS rojos
● IF=20 mAmp a 40 mAmp. Para LEDS de otro color.
Protección del Led

● EL LED debe ser protegido contra

la excesiva disipación de
potencia en la región de
avalancha en inversa.
● Una pequeña cantidad de
corriente inversa no dañara al
LED, pero debe ser protegido
contra picos de sobre corriente
inesperado. Método de protección
del LED
● Un método eficaz para este fin
es, colocar un diodo de silicio en
paralelo pero en inversa.
Desventajas.
● Su poder de iluminación es bajo y es prácticamente,
no visible en luz brillante.
● El ángulo de radiación se encuentra solamente entre
30 ° y 60 °
 
Aplicaciones:
● Son útiles en aplicaciones visuales y de señalización
como son:
Indicadores montados en paneles.
Interruptores de activación, Etc.
Indicadores de Excitación.
● Indicador de polaridad de fuentes de alimentación
● Cada LED indica la tensión de entrada
● En este tipo de conexión, los LED'S se protegen, uno al
otro en polarización en inversa

Tensión de entrada indicada por el LED.

● Si se desea un umbral definido por arriba de la tensión
nominal para el LED. Puede obtenerse derivando el LED
por un resistencia (R2) en SHUNT.
● El Valor de la resistencia de derivación (R2) es
determinado por la relación entre la tensión VIN aplicada,
la resistencia R1 en serie y el umbral deseado.

VF
IR2 
R2
I F  IT  I R 2
V IN  V F
R1 
IT
Indicación de Tensión en Alterna

● Dado que el LED responde en

nanosegundos, entonces
seguirá fielmente la tensión de
alterna encendiéndose y
apagándose en cada cero de
la entrada.
● Si se desea una salida
constante , como el
acoplamiento lógico de C. A.
Es necesario rectificar y filtrar
la entrada del LED.
Entrada de CA al circuito
excitador del LED.
● El valor de C1 es seleccionado para reducir las
variaciones de IF por debajo de la corriente detectadle
por el LED.

● Esto significa que variaciones menores de IF no serán

detectadas.

● Los valores de C1 y R3 son ajustados para optimizar la

función de filtrado, mediante la constante de tiempo
R3.
Indicador de Excitación del Transistor.

• Para usar el LED como

indicador de excitación,
puede utilizarse en un
circuito excitador de
transistor.

Indicador de excitación del transistor: a)normalmente

encendido y b)normalmente apagado.
 Normalmente Apagado.

Condiciones:
Q1 en saturación:
Por lo tanto Vc es pequeño e insuficiente para polarizar a
D1 por lo tanto este está apagado.

Q1 en corte:
D1 es polarizado en directa y por lo tanto enciende
 Normalmente encendido.
Condiciones:

Q1 en saturación:
Pr lo tanto D1 enciende.

Q1 en corte:
Por lo tanto D1 esta apagado.
Interfase Lógica Del LED
Como los LEDS operan con corriente y tensiones
bajas, pueden conectarse en interfaz directamente con la
mayoría de las familias lógicas digitales.
 EJEMPLOS
Ejercicio 2.14 Considerando la figura determine el valor
apropiado de VT para un LED.