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-Fotodiodo
Para un funcionamiento correcto el diodo debe ser polarizado inversamente
permitiendo de esta manera el flujo de electrones o el flujo de la corriente
inversamente.
Estos componentes tienen un lente que les permite concentrar la luz que incide en
ellos, por eso cuando la luz es de suficiente energía puede exitar un electrón
generando movimiento permitiendo la creación de huecos con carga positiva.
Por lo tanto, mientras mayor sea la intensidad de la luz que incida en e fotodiodo
mayor será la corriente que fluya.
Simbología:
-Fotorresistor
Una fotorresistencia es un componente eléctrico, el cual posee una resistencia
capaz de variar su magnitud al estar en contacto con distintas magnitudes de
intensidad lumínica.
Esta conformado por una fotorreceptora y dos pastillas, cuando dicha célula no
percibe más cierto nivel de luz, es decir cuando bajan los mínimos de lúmenes que
se necesitan, entonces hacen contacto y se encienden las luces.
La base de su funcionamiento se basa o radica en su componente principal, el
sulfuro de cadmio (CdS). Este componente químico es un semiconductor que tiene
la capacidad de varias su resistencia según la cantidad de luz en la que incida.
Existen dos tipos de resistencias:
LDR Lineales: son aquellas que se polarizan a la inversa de la
fuente a la que se conectan.
LDR No lineales: la polaridad de este no depende de la fuente a la
que se conecte.
Simbología:
-Fototransistor
Los fototransistores son tri-terminales (emisor, base y colector) o bi-terminales
(emisor y colector) semiconductor dispositivos que tienen una región base sensible
a la luz, están especialmente diseñados y optimizados para aplicaciones
fotográficas.
El comportamiento de los fototransistores es idéntico al de los demás excepto a que
el efecto producido por el voltaje base se experimenta debido a la luz incidente.
La salida del fototransistor depende de varios factores como:
La longitud de onda de la luz incidente.
Área de la unión de la baso colectora expuesta a la luz.
Ganancia de corriente continua del transistor.
Simbología:
-Optoacoplador
Un optoacoplador o también conocido como optoaislador es un dispositivo que es
activado mediante una luz infrarroja emitida por un diodo led hacia un fototransistor
o cualquier otro dispositivo capaz de detectar los infrarrojo.
Cuando la luz es interrumpida o bloqueada este se abre y por lo tanto el circuito
también.
Su función se basa en que cuando detecte luz se comporta de manera cerrada para
el circuito y si se le bloquea pasa lo contrario ya que se abre y el circuito se apaga.
Simbología:
-Fototransistor
El fototransistor en cuanto a su arquitectura o estructura interna, se
diferencian principalmente por el tamaño de su unión base-colector esta debe
de ser mayor por la parte sensible a la luz debe tener una superficie de
exposición. Ejemplo. -
-Optoacoplador
El optoacoplador su estructura interna esta diseñada o constituido por un
diodo emisor de luz o led y una foto transistor que lo utiliza como interruptor
siempre y cuando sea NPN este transistor, por lo tanto, en su interior no
cuenta con conexiones ya que se basa en lo óptico mediante la iluminación
emitida por el led y el comportamiento del fototransistor al percibir esta luz y
activarse.
Su encapsulado cuenta con cuatro terminales en las que dos son usada para
alimentar el diodo led que al activarse y emitir luz activara el fotodiodo que a
su ves cerrara el circuito que corre por el o al que se le ha conectado.
-Fotodiodo
En su estructura esta constituida por una unión PN y es un semiconductor
que como se menciono en lo anterior debe ser sensible a la incidencia de la
luz.
Por otra parte en su encapsulado se encuentra con dos terminales que para
tener un funcionamiento correcto d este foto diodo se debe de conectar
inversamente es decir el ánodo conectar a la parte negativa de la fuente y el
cátodo a la terminal positiva de la fuente.
-Fotodiodo
Especificaciones:
Fotodiodo receptor tipo PIN
Material semiconductor: Silicio.
Longitud de onda de sensibilidad pico: 950nm típica.
Alta sensibilidad.
Sensibilidad al espectro infrarrojo con filtro para bloquear la luz visible.
Rango espectral: 770nm a 1070nm
Potencia disipada: 215mW
Aplicaciones:
Fotodetectores de alta velocidad.
Sistemas de transmisión de datos alta velocidad a través del aire.
Suitch ópticos.
Contadores y Clasificadores.
Sensores de posición.
-Fotorresistencias
Especificaciones:
Los valores típicos varian entre 1MΩ o mas en la osucuridad y 100Ω con luz
brillante.
Disipacion máxima: 50Mw a 1W
Voltaje máximo: 600v
Respuesta espectral.
El tiempo de respuesta óptico de un LDR esta en el orden de una decima de
segundo.
Aplicaciones:
Retrovisores automáticos en automóviles.
Control de alarmas.
Control de contraste en televisores y monitores.
Interruptores crepusculares.
Controles industriales.
Control automatico de iluminación en habitaciones, juguetes y juegos
electrocnicos.
Auto-flash
-Fototransistor
Especificaciones:
Polaridad: NPN
Voltaje de colector emisor VCEO: 30v
Voltaje de emisor colector VECO: 5v
Corriente colector: 20mA
Tiempo de recuperación: 5ms
Temperatura de soldadura con plomo: 260° C
Aplicaciones:
Control remoto.
Lapices ópticos.
Mouse.
Lectores de cinta.
Controles de iluminación.
-Optoacopladores
Especificaciones:
Tipo de salida: Phototriac
Numero de canales: 1
Voltaje de aislamiento: 7.5Kv
Corriente continua: 50mA
Modo de funcionamiento paso por cero.
Aplicaciones:
Interfaces en circuitos lógicos.
Interfaces en circuitos de corriente alterna y circuitos lógicos.
En sistema de recepción como telefonía.
A modo rele.
Control de potencia.
Arquitectura
En su estructura interna el SCR es un tipo tristor formado por cuatro capaz de
material semiconductor con estructura PNPN o bien NPNP y su nombre proviene
de la unión del tiratrón y transistor.
Encapsulado
El SCR posee tres conexiones que son el ánodo, cátodo y gate(puerta). La puerta
es la encargada de controlar el paso de corriente entre el cátodo y ánodo.
Aplicaciones
Electrónica de potencia
Controladores
Control de motores
Como interruptor tipo electrónico
Especificaciones técnicas
Dispositivo semiconductor biestable.
Formado por tres uniones PN con disposición PNPN
Es un elemento unidireccional.
Conmutador casi ideal.
Amplificador y rectificador a la vez.
Arquitectura
Como se muestra en la figura anterior en su estructura interior consta de dos SCR
conectados de forma paralela y hacia una mista terminal su puerta o gate.
Encapsulado
Su encapsulado consta de tres terminales en las que se considera ánodo 1 (A1) ,
ánodo 2 (A2) y puerta (G) ya que por su funcionamiento bidireccional y puede
conducir en ambas direcciones no se considera un cátodo.
Aplicaciones
Reguladores de luz.
Para controles de velocidad de un ventilador.
Para el control de motor pequeños.
Control de electrodomésticos.
Especificaciones técnicas
Voltaje umbral de puerta: 0.7 – 1.5 Vgt
Corriente umbral de puerta: 5 – 50 Igt
Voltaje pico directo: 600 – 800 Vdrm
Voltaje pico inverso: 600 – 800 Vrrm
Arquitectura
El DIAC puede fabricarse como una estructura de dos o 5 capas, en la estructura
de 3 capaz la conmutación se produce cuando la unión con polarización inversa
experimenta una ruptura inversa. La versión de tres capas es la más común en los
DIAC como se observa en la imagen anterior, ya que puede tener una tensión de
ruptura hasta de 30v.
Encapsulado
Su encapsulado es el mismo que el del TRIAC ya que solo cambian las capas que
se ubican en el DIAC y decir que cuentan con tres terminales el ánodo (A1) , ánodo
(A2) y la puerta (G) y que a diferencia del TRIAC hace un disparo o conducción mas
uniforme en ambos sentidos y repetitivos.
Aplicaciones
Se emplean normalmente en circuitos que realizan un control de fase de la
corriente del TRIAC de forma que solo se aplica tensión a la carga durante
una fracción de ciclo de la alterna.
Especificaciones técnicas
Tensión mínima de ruptura: 28v
Tensión máxima de ruptura: 36v
Corriente de estado pico repetitiva: 2ª
Capacidad de ruptura: 5µA
Temperatura de operación mínima: -40°C
Temperatura de operación máxima: 125°C
Encapsulado
Su encapsulado va de 3 terminales en las que lleva la respectiva puerta o entrada
de señal ya que como se dijo antes se construye de manera similar al MOSFET,
pero su funcionamiento es mas similar al de un BJT.
Aplicaciones
Generalmente se aplica en circuitos de potencia
Dispositivo para la conmutación en altas tensiones.
Variadores de frecuencia.
Maquinas y convertidores de potencia.
Especificaciones Técnicas
ICmax limitada por efecto latch-up.
VGEmax limitada por el espesor del oxido de silicio.
Se diseña para que cuando VGE = VGEmax la corriente de cortocircuito sea
entre 4 a 10 veces la nominal y pueda soportarla durante unos 5 a 10 us. y
pueda actuar una protección electrónica cortando desde puerta.
La temperatura máxima de la unión puede ser de 150°C
Exsisten en el mercado IGBT encapsulados que resisten hasta 400 o 600
amp.
Arquitectura y Encapsulado
Se trata de un dispositivo semiconductor compuesto por tres terminales en dos
terminales, denominados base 1 (B1) y base 2 (B2), se sitúa una resistencia
semiconductora tipo n denominada resistencia inter-base RBB, cuyo valor varia
desde 4,7 a 10 KΩ. En un punto determinado de esta resistencia, se difunde una
zona p que forma una union PN que se conecta al tercer terminal, denominado
emisor (E).
La polarización se realiza aplicando una tensión positiva a la base B2. La máxima
tensión aplicada, esta limitada por la disipación del UJT, el UJT se dispara cuando
la unión PN se polariza directamente.
Aplicaciones
Osciladores de relajación para disparo
Les permite trabajar con elevados valores de resistencia.
Trabaja muy bien con circuitos alimentados por baterías.
Especificaciones Técnicas
Permite programar las características de unijuntura con solo dos resistencias.
Voltaje en directo: 0.8v tímico a 1.5v max
Voltaje pico de salida: 11v
Cuestionario