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UNIVERSIDAD TCNICA PARTICULAR DE LOJA

La Universidad Catlica de Loja

NOMBRE: Katherine Ivanova Remache Santamara FECHA: 11 de diciembre de 2011. COMUNICACIONES OPTICAS

FOTORRECEPTORES La funcin principal de un fotodetector, dentro de un sistema de comunicacin ptica, es la de transformar la energa radiante de la seal ptica proveniente del emisor de luz en energa elctrica, para que pueda ser recuperada la seal de informacin. [2] Principalmente los fotodetectores se pueden clasificar en dos grupos: detectores trmicos y detectores de fotones. [2] Los detectores trmicos absorben la radiacin provocando un incremento de temperatura en el material irradiado, este incremento de temperatura provoca una variacin de las propiedades elctricas del detector. [2] En el segundo tipo de fotodetectores los fotones son absorbidos por el semiconductor causando una excitacin de electrones dentro del material, con lo cual es observada una seal elctrica de salida, dicho en otras palabras, este tipo de fotodetectores convierten fotones en electrones. Los fotodetectores de este tipo son los que se usan dentro de los sistemas de comunicacin ptica y se basan en el fenmeno fsico llamado efecto fotoelctrico. Si el electrn generado es emitido fuera del material el dispositivo es llamado fotoemisivo o basado en el efecto fotoelctrico externo. Si no existe la emisin pero en su lugar un par electrnhueco est disponible para permitir la circulacin de corriente en un circuito externo entonces el dispositivo est basado en el efecto fotoelctrico interno. [2] Los requisitos requeridos por el fotodetector son: alta sensibilidad, o sea mxima capacidad de absorber la radiacin incidente elevada velocidad de respuesta para poder detectar correctamente impulsos luminosos muy estrechos dimensiones reducidas, bajo coste, fiabilidad.

Los fotodetectores normalmente utilizados en los sistemas de fibra ptica son los Fotodiodos con unin PN y PIN y los Fotodiodos de avalancha (APD). El fotodiodo PIN y el fotodiodo de avalancha funcionan bajo el principio del efecto fotoelctrico interno y son los ms usados dentro de los sistemas de comunicacin ptica. [2] y [3] Principales caractersticas de rendimiento de los fotodetectores Responsividad Es una de las caractersticas fundamentales de cualquier fotodetector ya que nos indica que tan sensible es a la energa radiante y se define como la magnitud de la seal de salida entre la unidad de seal de entrada. [2] La responsividad est dada por:

Donde R= responsividad Vs = voltaje de salida del fotodetector P = potencia recibida por el fotodetector Si el fotodetector entrega una corriente en la salida entonces la responsividad est dada por:

Donde: R = responsividad As = corriente de salida del fotodetector P = potencia recibida por el fotodetector Potencia equivalente de ruido Todos los fotodetectores generan un ruido provocado por diversos factores como la corriente de obscuridad y la temperatura. La mnima potencia detectable depende directamente del nivel de ruido generado por el fotodetector. La potencia equivalente de ruido se define como la mnima potencia radiante requerida para producir una seal de salida igual al nivel de ruido generado por el detector. [2] Tiempo de respuesta El tiempo de respuesta es el tiempo necesario para que el fotodetector responda ante un cambio en la seal de entrada irradiante. Usualmente se toman como puntos de

transicin el 10% y el 90% de la potencia mxima de la seal. Esta caracterstica est directamente relacionada con el ancho de banda en el que puede operar el fotodetector. [2] Respuesta espectral La respuesta espectral define como cambia la salida del fotodetector en base a un cambio en la longitud de onda de la seal radiante de entrada para un flujo constante de energa. Se debe poner mucha atencin a esta caracterstica al seleccionar el fotodetector a usar en un sistema optoelectrnico, lo ms recomendable es que tenga un nivel mximo de respuesta en la longitud de onda a detectar para que se tenga un rendimiento ptimo del sistema. [2]

Fotodiodo PIN El fotodiodo PIN es el detector ms utilizada en los sistemas de comunicacin ptica. Es relativamente fcil de fabricar, altamente fiable, tiene bajo ruido y es compatible con circuitos amplificadores de tensin. Adems es sensible a un gran ancho de banda debido a que no tiene mecanismo de ganancia. [1] El fotodiodo PIN est formado por tres capas, una capa de material tipo n, una intrnseca y una de material tipo p altamente conductoras junto a una zona intrnseca poco conductora. Los fotones inciden en la capa intrnseca generando pares electrnhueco. El fotodiodo PIN se polariza inversamente para que el campo elctrico generado acelere las cargas presentes en la zona intrnseca hacia los electrodos, presentndose una corriente elctrica. Como no hay mecanismo de ganancia, la mxima eficiencia es la unidad y el producto ganancia por ancho de banda coincide con sta ltima [1] y [2]

Figura 1. Estructura del fotodiodo PIN. [3] y [5]

La luz entra al diodo por una ventana muy pequea y es absorbida por el material intrnseco, el cual agrega la energa suficiente para lograr que los electrones se muevan de la banda de valencia a la banda de conduccin y se generen portadores de carga elctrica que permiten que una corriente fluya a travs del diodo. Los elementos ms utilizados en la fabricacin de este tipo de detectores son el Germanio y ltimamente se utiliza el GaAs, GaInAs, InP, con resultados muy buenos.

Los diodos PIN requieren bajas tensiones para su funcionamiento, pero deben utilizar buenos amplificadores. Presentan tiempos de vida relativamente altos. Que podran reducir nicamente por factores externos y son los ms indicados para el uso en la segunda y tercera ventana de transmisin (1300 y 1550 nm). [5] Fotodiodo de avalancha (APD) Los APD tambin son diodos polarizados en inversa, pero en este caso las tensiones inversas son elevadas, originando un fuerte campo elctrico que acelera los portadores generados, de manera que estos colisionan con otros tomos del semiconductor y generan ms pares electrn-hueco. Esta ionizacin por impacto determina la ganancia de avalancha. La ganancia de un APD tiene influencia sobre el ancho de banda. El mximo ancho de banda se da para ganancia 1. Con ganancias ms elevadas, el ancho de banda se reduce debido al tiempo necesario para que se forme la fotoavalancha. [1] El Fotodiodo de avalancha (APD) es un dispositivo que convierte las seales pticas en seales elctricas. El APD se polariza inversamente en la zona de ruptura, denominada tambin zona de avalancha. Por el efecto de avalancha, los electrones generados por una dbil seal luminosa generan a su vez otros electrones, de esta forma una pequea seal luminosa genera una elevada corriente inversa; por lo tanto, tambin el APD genera una corriente inversa proporcional a la luz incidente, pero la corriente es mucho ms elevada respecto a la obtenible con un fotodiodo corriente. [3] El material utilizado para la fabricacin de los APDs normalmente es: Silicio (Si) para las longitudes de onda de 600 a 900nm Germanio (Ge) para longitudes de onda de 1200 a 1500nm Indio arseniuro de galio (InGaAs) para las longitudes de onda superiores. La tensin de ruptura es de algunos centenares de voltios para los APDs de Si, algunas decenas de voltios para los APDs de Ge y un centenar de voltios para los APDs de InGaAs. Considerando slo el 3 cuadrante de la curva de la fig. 2 e indicando en el eje de las X la tensin inversa VR y en el eje de las Y la fotocorriente IP (es una corriente inversa), se obtienen las curvas representativas del APD en su zona de funcionamiento corriente. La fig. 4 muestra dichas curvas al variar la luz incidente, para un APD de silicio con tensin de ruptura de aproximadamente 130 voltios. [3]

Figura 2. Curva caracterstica del fotodiodo. [3]

Figura 3. Corriente inversa proporcional a la luz incidente. [3]

Figura 4. Curva caracterstica en la zona de ruptura. [3]

Parmetros Principales Los parmetros ms importantes que definen las caractersticas de funcionamiento de un APD son los siguientes: Corriente de oscuridad ID: es la corriente inversa que circula por el APD en ausencia de luz incidente; depende de la tensin inversa de polarizacin. Fotocorriente IP: es la corriente inversa provocada por la luz incidente; depende de la tensin inversa de polarizacin y de la longitud de onda de la radiacin.

Factor de Multiplicacin M: es un parmetro importante del APD. En la fig. 5 se define como el cociente entre las fotocorrientes (b) en la zona de avalancha y las fotocorrientes (a) en la zona de funcionamiento como fotodiodo. Los fabricantes normalmente proporcionan las curvas correspondientes a M y a la corriente de oscuridad en funcin de la tensin de polarizacin inversa (fig. 6). Sensibilidad (o responsividad) S: define cunta corriente es proporcionada por el dispositivo cuando se tiene una potencia ptica incidente unitaria: = = /

Cuando el APD funciona como fotodiodo, la sensibilidad se define mediante un bajo valor de la tensin de polarizacin. El fabricante normalmente proporciona tambin la curva de la responsividad en funcin de la longitud de onda de la radiacin incidente. Respuesta en frecuencia (o tiempos de respuesta): como en el caso del fotodiodo, define la capacidad del dispositivo de detectar seales pticas de frecuencias elevadas. En base a las definiciones anteriores, la fotocorriente IP proporcionada por un APD resulta: IP = SMP [A]

Si el APD se polariza en la zona de avalancha M es muy elevado y, consecuentemente, tambin la fotocorriente IP es mucho mayor que la proporcionada por un fotodiodo. El Fotodiodo de avalancha respecto al Fotodiodo presenta las siguientes principales diferencias: mayor responsividad, pero dependiente de la temperatura banda pasante normalmente ms elevada necesidad de tensiones de polarizacin elevadas costes superiores soluciones circuitales ms complejas, es necesario utilizar controles de temperatura y circuitos de polarizacin especiales para evitar variaciones de responsividad. [3]

Figura 5. Parmetros del APD. [3]

Figura 6. Corriente de oscuridad y factor M. [3]

Figura 7. a. Responsividad. b. Respuesta en frecuencia. [3]

FOTODIODO PN

Figura 8. Estructura del fotodiodo PN. [3] En la zona de carga de espacio (donde hay campo elctrico) hay portadores de ambos tipos, mientras que en el resto del diodo (por ejemplo en la zona n) hay muchos electrones y pocos huecos, un electrn en exceso en la zona n tiene pocas probabilidades de encontrarse con un hueco co8Yn quien recombinarse por lo que el tiempo de vida ser alto, sin embargo en la zona de carga de espacio ser bajo, lo mismo puede decirse para los huecos en el lado p. Supongamos un diodo pn sin polarizacin y sobre el que incida radiacin electromagntica (fig. 9), los pares electrn-hueco que incidan sobre la zona n o p desaparecern rpidamente ya que el hueco generado en la zona n encontrar un electrn con quien recombinarse e igualmente con el electrn generado en la zona p, pero los pares generados en la zona de carga de espacio aunque tienen alta probabilidad de recombinarse tambin tienen un fuerte campo elctrico que les aparta de la zona y separa al electrn y al hueco enviando a cada uno a la zona en que son mayoritarios y por tanto tienen pocas probabilidades de recombinarse y velocidad para llegar al electrodo, en ese momento si el electrn llega antes que el hueco y para mantener la neutralidad de carga un electrn se generar en el otro electrodo recombinndose rpidamente con un hueco con lo que desaparece el par (lo mismo si hubiese llegado antes el hueco). Acabamos de describir la gran ventaja del fotodiodo, hay una zona muy estrecha y de alto campo elctrico (zona de carga de espacio) en que se separan con facilidad los pares electrn-hueco y con un tiempo de vida corto pero inmediatamente llegan a una zona en la que tienen tiempo de vida largo por lo que son capaces de llegar al electrodo, este ser un dispositivo rpido en contraposicin a las fotorresistencias. La corriente (que se considera positiva en el sentido de avance de las cargas positivas) va desde la zona n a la p es decir es una corriente inversa (fig. 9). [4]

Figura 9. Posibles zonas de generacin de un par electrn-hueco y su efecto en la deteccin. [4]

Donde If es la corriente debida a los fotones o fotocorriente, as pues cuando tengamos luz incidiendo sobre sobre nuestro fotodiodo la relacin I-V (fig. 10)

Figura 10. Modificacin de la relacin I-V en un fotodiodo cuando hay luz incidente. [4]

Fotodiodos PIN-FET Para la determinacin de la relacin seal-ruido de un receptor, la capacidad del detector es decisiva para que aquella sea mxima, y una solucin alternativa a los APD en altas longitudes de onda (desde 1500 hasta 1700 nm) la constituye un diodo PIN seguido de un preamplificador de bajo nivel de ruido, aunque se puede utilizar desde los 800 nm con un rendimiento cuntico ms bajo, del orden del 40%. En cualquier caso, se utiliza una capa muy empobrecida de GaAsIn de unas 3 m de espesor; la estrechez de esta capa y el bajo tiempo de trnsito de los portadores implica que el componente sea especialmente rpido, con un ancho de banda terico de 15 GHz, que, por consideraciones relativas al encapsulado del detector, debe limitarse a un mximo de 2 GHz. Estas configuraciones constituyen detectores optoelectrnicos integrados de gran inters, debido a su mayor ancho de banda y bajo costo y consisten en un fotodiodo PIN de GaAlAs y un circuito amplificador del tipo FET de GaAs integrados monolticamente, en lugar de utilizar un diodo discreto cableado al transistor de entrada del amplificador, lo que redunda en beneficio de la baja capacidad del conjunto. [5] Caractersticas tpicas de diodos PIN-FET

Longitud de Onda Materiales Capacidad de entrada (pF) Corriente de oscuridad Sensibilidad a 140 Mb/s (dBm) Rendimientos (%) Tensin de alimentacin (V.)

850-900 Si 0,1 40 pA -45 40970

1300-1550 InGaAs 0.2 1 A -44 7095

En torno a 5 en ambos casos

REFERENCIAS
[1]. La Fibra ptica [en lnea]. Consultado el 10 de diciembre de 2011. Disponible en: http://platea.pntic.mec.es/~lmarti2/fibra.htm [2]. M. C. Felipe de Jess, RIVERA LPEZ. DISEO Y CONSTRUCCIN DE UN MODELO EXPERIMENTAL PARA LA COMPROBACIN DE UN ENLACE DE TELECOMUNICACIN INALMBRICO PTICO PUNTO A MULTIPUNTO USANDO EL PLANO DE FRESNELUNIVERSIDAD TECNOLOGICA DE LA MIXTECA [en lnea]. Consultado el 10 de diciembre de 2011. Disponible en: http://jupiter.utm.mx/~tesis_dig/9821.pdf [3]. Fibras pticas: mdulo MCM40/EV [en lnea]. Consultado el 10 de diciembre de 2011. Disponible en: http://es.scribd.com/doc/72098138/36/Fotodiodo-de-avalancha [4]. Jos Ramn Sendra Sendra. 2011. Dispositivos Optoelectrnicas [en lnea]. Consultado el 10 de diciembre de 2011. Disponible en: http://es.scribd.com/doc/55322526/22/Fotodiodos-PN [5]. Emisores y detectores pticos [en lnea]. Consultado el 10 de diciembre de 2011. Disponible en: http://www.google.com.ec/url?sa=t&rct=j&q=fotodiodo%20pin&source=web&cd=5&sqi=2&ve d=0CEIQFjAE&url=http%3A%2F%2Fsipan.inictel.gob.pe%2Frefiop0%2Fuploads%2FEMISDETECT.doc&ei=FRDlTpzGKIzrggehqaiOBg&usg=AFQjCNFlxcJSSKuPxTqmkjXSdjxZ9BUcSA