ELECTRONICA INDUSTRIAL

CONTENIDO
1. Fuentes de energía eléctrica
2. Teoría de semiconductores
3. El diodo de juntura. Polarización
4. Curva característica V – I
SEÑALES DE PRUEBA

a.) SINUSOIDAL b.) CUADRADA

c.) TRIANGULAR
• Todas estas señales son periódicas, de periodo
T además tienen amplitud y una frecuencia.
• En el estudio de la electrónica estas señales se
usan como señales de prueba en los circuitos.
• En los laboratorios el equipo que trae estas
señales se llama GENERADOR DE FUNCIONES.
FUENTE DE TENSION CONTINUA O DC
SIMBOLO
a.) FUENTE DE TENSION DC IDEAL Vcc

b.) FUENTE DE TENSION DC REAL

Vcc

E
IDEAL
REAL
t

Ejemplo: Fuente de poder electrónica, una batería, una pila.

2. FUENTE DE VOLTAJE AC

b.) Señal senoidal de voltaje

a.) Generador de función
 CLASIFICACION DE LOS INSTRUMENTOS
1. Instrumentos Analógicos
MULTIMETRO ANALOGICO
2. INSTRUMENTOS DIGITALES
MUTIMETRO DIGITAL
 DEFINICIONES BASICAS

La materia por medios

mecánicos y químicos se
puede descomponer en partes DISTRIBUCION ELECTRONICA
mucho más pequeñas. EL ATOMO DE BHOR
DEL ATOMO DE SILICIO (Si)
Z = 14

1𝑆 2 , 2𝑆 2 , 2𝑃6 , 3𝑆 1 , 3𝑃3 = 𝑆𝑖 +4
 FISICA DE ESTADO SOLIDO
La materia e su conjunto tal y como afecta a nuestros sentidos es un agregado de
moléculas y estas a su vez de átomos y se presentan en la naturaleza en tres formas o
estados: Gases, líquidos y sólidos.
GASES: En este estado las moléculas se mueven a grandes velocidades y están
prácticamente libres sufriendo de vez en cuando choques entre ellas. La distancia
promedio entre moléculas es grande comparada con el tamaño de la molécula.
LÍQUIDOS: Las moléculas en los líquidos se encuentran a una distancia del orden de la
magnitud del tamaño de las mismas; es decir estas se tocan. Existe una fuerza de
cohesión entre las moléculas que las mantiene juntas pero que las deja moverse
rozando la una con la otra.
SOLIDOS: En los solidos la situación es como en los líquidos pero con la diferencia de
que la fuerza de cohesión entre moléculas las mantiene mas o menos fijas en sus
posiciones. Los sólidos pueden clasificarse en dos tipos:
- solidos Cristalinos y
- Solidos amorfos.
SOLIDOS CRISTALINOS
Son sólidos cuyos agregados de átomos tienen
un orden estrictamente regular y periódico. A
este orden característico de los átomos se les
llama REDES CRITALINAS
Ejemplos de solidos cristalinos en la naturaleza
son los metales (Cu, Al, Au, Ag, etc.) y los
semiconductores (Ge, Si).
PROPIEDADES
• Un sólido cristalino determinan potenciales
de energía bien definidas.
• Los electrones más cercanos al núcleo se
comportan como si estuvieran encerrados
en cajas de potenciales de energía que les
impide liberarse de su núcleo con facilidad.
• En cambio los electrones más alejados del
núcleo se sienten casi libres puesto que
fácilmente se desprenden del núcleo. Se
denomina electrón de valencia si esta unido SOLIDOS AMORFOS
al núcleo.
• Si electrón de valencia se desprende del Son los sólidos que no poseen esta característica regular y
núcleo a estos electrones se les denomina
electrones de conducción o electrones periódica de la posición de sus átomos. Ejemplo de estos sólidos
libres. en la naturaleza son: La madera, el vidrio, un hueso, etc.
ESTRUCTURA CRISTALINA DE LOS SEMICODUCTORES INTRINSICOS
Los componentes semiconductores se fabrican principalmente de germanio y de
silicio.

BANDAS DE ENERGIA
E
 EL DIODO SEMICONDUCTOR O DE JUNTURA
SEMICONDUCTOR INTRINSICO
Es un material semiconductor hecho sólo de un único tipo de átomo, por ejemplo Si o Ge y se denominan
semiconductor intrínseco.
Sin embargo, al aumentar la temperatura, los electrones
ESTRUCTURA CRISTALINA DEL SILICIO ganan energía, por lo que algunos y muy pocos
especialmente los de la ultima capa pueden separarse del
núcleo y convertirse en electrones libres . De esta manera, la
resistividad del semiconductor disminuye con la
temperatura (su conductividad aumenta). A temperatura
ambiente, algunos electrones de valencia absorben
suficiente energía calorífica y pueden librarse del enlace
covalente en realidad muy pocos y moverse a través de la
red cristalina, convirtiéndose en electrones libres
BANDA DE ENERGIA
T = 0° C T = 25° C
B. de conducción
EC
B. prohibida Eg = EC-EV = 0.72 ev
EV
B. de valencia
 CONDUCTIVIDAD ELECTRICA (σ)
La conductividad eléctrica es la medida de la
capacidad de un material o sustancia para dejar
pasar la corriente eléctrica a través de él.
La conductividad depende de la estructura
atómica y molecular del material
Los elementos que se encuentran en la
naturaleza según su conductividad son:
• METALES
• SEMICONDUCTORES
• AISLANTES
 SEMICONDUCTOR EXTRINSICO
Para mejorar las propiedades de los semiconductores, se les somete a un proceso de impurificación
(llamado dopaje), consistente en introducir átomos de otros elementos con el fin de aumentar su
conductividad. El semiconductor obtenido se denominará semiconductor extrínseco. Según la
impureza (llamada dopante) distinguimos:

SEMICONDUCTOR TIPO N Se emplean como impurezas elementos pentavalentes (con 5

electrones de valencia) como el Fósforo (P), el Arsénico (As) o el
Antimonio (Sb). El donante aporta electrones en exceso, los cuales al
no encontrarse enlazados, se moverán fácilmente por la red cristalina
aumentando su conductividad. De ese modo, el material tipo N se
denomina también donador de electrones O SEMICONDUCTOR TIPO N
BANDA DE ENERGIA
T = 0° C T = 25° C
SEMICONDUCTOR TIPO P
Se emplean elementos trivalentes (3 electrones de valencia) como el Boro (B), Indio (In) o Galio (Ga) como
dopantes. Puesto que no aportan los 4 electrones necesarios para establecer los 4 enlaces covalentes, en la red
cristalina éstos átomos presentarán un defecto de electrones (para formar los 4 enlaces covalentes). De esa
manera se originan huecos que aceptan el paso de electrones que no pertenecen a la red cristalina. Así, al
material tipo P también se le denomina donador de huecos (o aceptador de electrones)
SEMICONDUCTOR TIPO P
T = 0°C T = 25°C

EC

EA NA
EC
EL DIODO SEMICONDUCTOR O DIODO DE JUNTURA
• El diodo semiconductor se forma uniendo simplemente material n con material p, como se ilustra en la figura.
En el momento en que los dos materiales se “unen”, los electrones y los huecos en la región de la unión o
juntura se combinarán, dando como resultado una carencia de portadores en la región cercana a la unión.
• Esta región de iones negativos y positivos descubiertos recibe el nombre de región de agotamiento o región de
carga de espacio por la ausencia de portadores en la misma.

Uɣ Ei

Uɣ : Barrera potencial vista por los huecos Ei = Campo eléctrico en la región de agotamiento
del semiconductor tipo P. debido a la diferencia de potencial electrostática.
POLARIZACION DIRECTA

• Un diodo semiconductor está polarizado directamente

cuando se ha establecido la asociación entre tipo p y
positivo de la fuente de alimentación, así como entre tipo n
y negativo.
• El voltaje VD en los terminales del diodo es mayor que el
voltaje electrostático de las juntura P-N;
• es decir: VD > Vɣ

POLARIZACION INVERSA • Si un potencial externo de V volts se aplica en la unión p-n

de manera tal que el terminal positiva esté conectada al
material tipo N y el terminal negativa al material tipo P,
como se muestra en la figura entonces el diodo esta
polarizado inversamente.
• El ensanchamiento de la región de agotamiento establecerá
una barrera demasiado grande como para que los
portadores mayoritarios puedan superarla, reduciendo
efectivamente el flujo de los mismos a cero como se
muestra en la figura.
ANALISIS DE CIRCUITOS CON DIODOS SEMICONDUCTORES
I. EL DIODO IDEAL
1. SIMBOLO

A K

A : Ánodo
K : Cátodo

2. CARACTERISTICAS ELECTRICAS
2.1 POLARIZACION DIRECTA

VD = 0
A +
+ ≡ ID
𝑉1
ID= 𝑅1
ID - -
K
1.2 POLARIZACION INVERSA

≡
VAK = - V1
ID
ID = 0

1.3 CURVA CARACTERISTICA V – I

 EL DIODO REAL
Matemáticamente la característica V – I de un diodo real
es:
𝑞.𝑉𝐷 .𝑉𝐷
ID = Io.(𝑒 𝑚.𝑘.𝑇 - 1) = Io.(𝑒 𝑉𝑇 - 1)
Donde:

m =1
Para:
k = constante de Boltzman= 1.38x 10−23 J/K
q = carga del electrón = 1.6x 10−19 Coulomb
T = Temperatura absoluta °K
Io = Corriente de saturación Inversa pA
VD = Tensión entre los terminales del diodo
ID = Corriente a través del diodo
VT = Voltaje térmico para T = 25°C

𝑉𝐷
Si VD ≫ 𝑉𝑇 ID Io. 𝑒 𝑉𝑇
 APROXIMACION LINEAL DEL DIODO SEMICONDUCTOR REAL

CARACTRISTICA V – I DE UNA RESISTENCIA

DIODO REAL CKTO LINEAL APROXIMADO CURVA V – I DIODO LINEAL CURVA V – I DIODO REAL – DIODO LINEAL
FIN