Cuestionario de Física Electrónica Segunda Unidad

1.- Cuando se considera un mono cristal.

Un cristal es un sólido homogéneo que posee un ordenamiento estricto. Un cristal se considera

un mono cristal cuando presenta anisotropía que es una propiedad de la materia en la cual sus
átomos están ordenados y siguiendo una estructura básica que se repite indefinidamente en las
tres dimensiones.

2.- Semiconductor intrínseco y extrínseco.

Un semiconductor intrínseco es puro y perfectamente cristalino además este tipo de conductor

no existe ya que todo el semiconductor tiene algunos átomos de impureza.

Para que los electrones salten de la banda de la banda de valencia hasta la banda prohibida se
necesita que el cristal este a temperatura ambiente ya que con eso adquiere la energía calorífica
suficiente.

Los semiconductores extrínsecos se obtienen mediante un proceso conocido como dopaje y que
consiste en la introducción de impurezas (dopantes) de forma controlada en semiconductores
intrínsecos. En función del dopante utilizado se puede obtener semiconductores tipo P
(positivos) o semiconductores tipo N (negativos).

3.- Bandas de energía.

Elemento donde se agrupan los electrones que sirve para describir la estructura electrónica de
un material.

La banda de valencia (BV): está ocupada por los electrones de valencia de los átomos, es decir,
aquellos electrones que se encuentran en la última capa o nivel energético de los átomos. Los
electrones de valencia son los que forman los enlaces entre los átomos, pero no intervienen en
la conducción eléctrica.

La banda de conducción (BC): está ocupada por los electrones libres, es decir, aquellos que se
han desligado de sus átomos y pueden moverse fácilmente. Estos electrones son los
responsables de conducir la corriente eléctrica.

4.- Numero de portadores de un material intrínseco.

Formula en función a la f de densidad de estados y la f de distr. De Fermi

5.- Semiconductores extrínsecos tipo P y tipo N.

Semiconductor extrínseco

TIPO N:

Un semiconductor tipo N se obtiene añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor para

aumentar el número de portadores de cargas. Los átomos que se añaden son átomos
pentavalentes.

Como el número de electrones es mayor que el de huecos, los electrones reciben el nombre de
portadores mayoritarios, y los huecos portadores minoritarios.

TIPO P:

Se produce igual que en el caso anterior, pero añadiendo una impureza trivalente (átomos con
tres electrones en la capa de valencia, como el aluminio, el boro o el galio).

Ahora los huecos se denominan portadores mayoritarios, porque superan en número a los
electrones libres y éstos se denominarán portadores minoritarios.

6.- Conductividad en un semiconductor intrínseco.

Ni=n (concentración de electrones) =p (concentración de huecos) un (movilidades respect.)

e(carg. Electrón )

Existe una relación entre la conductividad y la temperatura.

7.- Conductividad en un semiconductor extrínseco.

8.- Tipos de corriente de un semiconductor.

9.- Posición del nivel de Fermi en un semiconductor intrínseco.

10.- Posición de nivel de Fermi en un semiconductor extrínseco.

11.- Efecto rectificador, polarización directa e inversa.

Consiste en la propiedad de permitir el paso de la corriente en un sentido.

Polarización directa: la disminución del escalón de energía en la región de transición permite el

paso de portadores de una región a otra, ya que precisan de menos energía cinética para ello.

Extra: “Según la ley de Fermi, la distribución energética de los electrones dentro de la banda de
conducción disminuye exponencialmente a medida que su energía se aleja de la banda de
conducción.”

Polarización inversa: el aumento de la altura del escalón de energía retiene más portadores:
haciendo que sea mucho más difícil el paso de huecos y electrones. Además, la corriente es casi
nula.

12.- Efecto avalancha.

Si la tensión inversa es elevada, los electrones se aceleran incrementando su energía cinética

de forma que si chocasen con otros electrones de valencia pueden provocar su salto a la banda
de conducción. Estos electrones liberados, a su vez, se aceleran también, chocando con más
electrones de valencia y liberándolos a su vez. El resultado es una avalancha de electrones que
provocan una corriente, la cual genera una gran cantidad de calor y destruye al diodo.

13.- Efecto zener.

El posicionamiento de niveles provocado por la polarización inversa, además del número de

niveles susceptibles al participar en el efecto túnel aumenta muy rápidamente a partir de una
cierta tensión inversa, produce así una corriente inversa muy importante conocida como efecto
Zener.

14.- Característica tensión – corriente del diodo.

 En polarización inversa, tensiones menores de 0 Voltios, la corriente es prácticamente

nula hasta llegar a la ruptura en la avalancha, en la que la corriente aumenta en forma
abrupta.
 En el caso de los diodos de silicio, la tensión que corresponde a la barrera de potencial
se sitúa entre los 0,6V y 0,7V, en los de germanio en el orden de los 0,2V y en los de
arseniuro de galio alrededor del V.
 En polarización directa se diferencian dos zonas de funcionamientos, si la tensión
aplicada no supera la barrera de potencial, la corriente que circula es muy pequeña y
podría considerarse nula, Cuando se va alcanzando la tensión de la barrera de
potencial, la intensidad de corriente que circula por la unión aumenta rápidamente

15.- Interacción entre la radiación.

Interacción entre la radiación electromagnética:

Absorción de la luz: El proceso más importante de absorción de luz en un semiconductor es la

creación de pares electrón-hueco. Cada fotón absorbido provoca una transición desde la banda
de valencia a la de conducción. Para que un semiconductor absorba un fotón es preciso que la
energía de este sea mayor que la banda prohibida del material.

16.- Fotoconductores.

Material cuya conductividad aumenta por efecto de las concentraciones de portadores como
consecuencia de la foto generación.

Formado por dos electrodos conectados a un semiconductor.

desventaja : gran corriente de oscuridad y su ruido asociado

Su eficiencia depende del área de detección y el tiempo de respuesta es proporcional de los

portadores fotogenerados.

17.- Fotodiodos.

18.- Células fotovoltaicas.

18.- Dispositivos emisores de radiación.

19.- Diodo electroluminiscente.

Diodo de unión PN realizado con un semiconductor de gap directo.

Padre de los LED: Nick Holonyak.

Requisito fundamental: fotones generados salgan al exterior del dispositivo.

Semiconductores para LEDs: compuestos ternarios y cuaternarios.

Aplicaciones: indicadores y señalización, iluminación, comunicación óptica.

Ventajas: eficiencia como fuente de luz, color, tamaño, robustez, tiempo de vida.

Desventajas: alto precio, dependencia con la temperatura, calidad de luz.

20.- Laser.

 Amplificación de la luz por emisión estimulada de la radiación.

 Primer Laser operativo: Maiman (1960).
 Propiedades: coherencia, monocromatismo, direccionabilidad.
 Debe contener: medio amplificador, cavidad óptica resonante, bombeo de electrones.
 Tipos:
 Según la emisión: laseres de onda continua y pulsados
 Según el medio laser: laseres de gas, de estado sólido, líquidos.

21.- Diodo laser.

  Ventajas: dispositivo compacto, alta eficiencia, excitación directa, posibilidad
de modulación, haz de luz de diámetro muy estrecho, barato y fiable.
 Desventajas: muy sensible a cambios de temperatura, haz laser divergente.

22.- Fibra óptica.

 Hilo delgado de dióxido de silicio o plástico, en su interior se propaga una

señal de luz. Flexible
 Permite la transmisión de luz entre sus extremos con muy pocas perdidas.
 Principal utilización: sistemas de comunicaciones.
 Aplicaciones: iluminación, endoscopia, sensores de fibra óptica.
 Ventajas: gran ancho de banda, inmunidad a las interferencias, gran seguridad,
flexible y ligera, baja atenuación de señal.
 Desventajas: fragilidad de fibras, dificultad de realizar empalmes, transmisores
y receptores mas caros.