Comportamiento 

macroscópico de un conductor eléctrico 
Ley de Ohm
Establece que la diferencia de potencial V que se aplica entre los extremos de un
conductor es directamente proporcional a la intensidad de la corriente I que circula por
dicho conductor y el coeficiente de proporcionalidad es la denominada resistencia del
conductor.
1) V (volt) = R (Ohm). I (A)
2) La resistividad y la 
conductividad son 
recíprocas
 = 1/

R: Resistencia
: resistividad del 
material

De 1) y 2) se deduce:  (Ohm .m) = R(Ohm) . A(m2) / l (m)

 Resistividad para diferentes materiales
 (Ohm.m)

Conductor Cobre 1,7.10-8

Semiconductor Germanio 0,60

Silicio 2300

Aislante Mica 1012

El enlace metálico

1. Modelo de la nube de electrones deslocalizados.

2. Teoría de bandas aplicación de la teoría de orbitales 
moleculares.
1. Modelo de la nube de electrones deslocalizados
En este modelo, los electrones de valencia, ligados a los átomos de baja 
electronegatividad de los metales, se desplazan libremente por la red espacial 
de los cationes generados. 
Estos electrones de valencia anulan prácticamente las fuerzas repulsivas de los 
cationes e incrementan la estabilidad del sistema. 
Este intuitivo modelo predice buena parte de las propiedades de los metales:
i) Son buenos conductores del calor y la electricidad debido a la movilidad de 
los electrones en la estructura, ante una diferencia de potencial térmico o 
eléctrico.
ii) Son dúctiles y maleables ya que los enlaces pueden romperse y volverse a 
formar dado que la nube de electrones acompaña a los cationes en su 
movimiento.
Sin embargo, no explica el comportamiento de los materiales 
semiconductores y de los aislantes. 
 Teoría de Orbitales Moleculares (TOM) 
Cuando se aproximan los átomos para 
unirse, los orbitales atómicos de ambos  Vemos en la figura el caso más 
desaparecen y se forman un nuevo tipo  sencillo en la molécula de 
de orbitales denominados orbitales  hidrógeno. 
moleculares. Por cada dos orbitales 
atómicos (uno de cada átomo) surgen dos 
orbitales moleculares (que pertenecen a 
ambos átomos): 
‐ Uno de ellos tiene menos energía que 
los orbitales atómicos originales, y se 
denomina orbital enlazante. 
‐ El otro tiene más energía que los 
orbitales atómicos originales, y se llama 
orbital antienlazante. 
‐Los electrones de los átomos van 
ocupando los orbitales moleculares en 
orden creciente de energía. 
 2. Teoría de Bandas
Es un modelo de la mecánica cuántica que se basa en la aplicación de la teoría de orbitales 
moleculares al caso de los metales. 
‐Los electrones de la capa de valencia de todos los átomos son compartidos en forma conjunta . 
‐Los orbitales atómicos de todos los átomos se combinan y se convierten en orbitales moleculares, con 
energías tan próximas que, en conjunto, ocupan una franja o banda de energía. 
‐La banda o conjunto de orbitales moleculares se llena empezando por los niveles de menor energía.
‐Están tan cercanos entre sí que los electrones pueden ocupar cualquier posición dentro de la banda. 
‐La banda de energía formada por los orbitales moleculares de valencia se llama banda de valencia. 
‐La banda formada por los orbitales moleculares vacíos se llama banda de conducción. 
‐A veces ambas bandas se solapan energéticamente como en el caso del litio, ejemplo en la figura:
 Teoría de Bandas
Esquema para el metal Sodio
 Clasificación de los materiales 

• La propiedad de conducir la electricidad depende, en 
principio, de la diferencia de energía entre la banda de 
valencia y la de conducción. 
• Atendiendo a las características de conductividad los 
materiales pueden clasificarse en: 
– Conductores. Ejemplo: los metales. 
– Semiconductores. Ejemplos: Si, Ge (elementos del Grupo 
IV de la tabla periódica). 
– Aislantes. Son malos conductores tales como los no 
metales. 
Eg – Energía de la brecha (Eg: Energy gap). 
Energía necesaria para llevar un electrón de la banda de valencia a la banda de 
conducción.

Eg

Eg = 1.1 eV (Si)
Eg  5‐ 10 eV Eg = 0
Eg = 0.67 eV (Ge)
Eg = 1.41 eV (ArGa)
 Diagramas de bandas
Banda de  Banda de  Banda de 
conducción conducción conducción
Eg Eg

Banda de valencia Banda de valencia Banda de valencia

Aislante Semiconductor Conductor

Eg  5‐10 eV Eg  0,5‐2 eV No hay Eg
A bajas temperaturas tanto los aislantes como los
semiconductores no conducen, ya que ningún electrón tiene
energía suficiente para pasar de la banda de valencia a la de
conducción. A 25ºC, algunos electrones de los semiconductores
alcanzan este nivel. Al aumentar la temperatura aumenta la
conducción en los semiconductores (al contrario que en los
metales).
 Diagrama de bandas del Carbono diamante

Banda de conducción
4 estados/átomo
Energía

Brecha de energía
Eg=6 eV

‐ ‐ 4 electrones/átomo
Banda de valencia
‐ ‐

Si un electrón de la banda de valencia alcanzara la energía necesaria para

saltar a la banda de conducción, podría moverse al estado vacío de la banda de
conducción de otro átomo vecino, generando corriente eléctrica. A
temperatura ambiente casi ningún electrón tiene esta energía.
Es un aislante.
 Diagrama de bandas del Carbono grafito

4 estados/átomo Banda de conducción
Energía

‐ ‐
‐ ‐ Banda de 
valencia
4 electrones/átomo

No hay brecha de energía. Los electrones de la banda de valencia

tienen similar energía que los estados vacíos de la banda de
conducción, por lo que pueden moverse generando corriente
eléctrica. A temperatura ambiente es un buen conductor.
 Diagrama de bandas del Ge

4 estados/átomo
Banda de conducción
Energía

Eg=0,67eV Brecha de energía

‐ ‐ 4 electrones/átomo
Banda de valencia
‐ ‐

Si un electrón de la banda de valencia alcanza la energía necesaria para

saltar a la banda de conducción, puede moverse al estado vacío de la
banda de conducción de otro átomo vecino, generando corriente
eléctrica. A temperatura ambiente algunos electrones tienen esta
energía. Es un semiconductor.
 Diagrama de bandas del cristal
Cristal de Ge con m átomos

4∙m estados

Banda de conducción
Energía

‐ ‐

‐ ‐ +‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ +‐ ‐ ‐ Banda de 
‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ valencia
‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐
‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐
4∙m electrones
 Estructura de un semiconductor
Los cuatro electrones de la capa exterior se 
comparten entre los átomos vecinos.
Enlaces 
covalentes

Estructura de un 
cristal de Si o Ge
 Semiconductor intrínseco

A temperatura ambiente algunos de los enlaces covalentes se rompen y producen 
electrones libres y huecos que contribuyen a la conducción. Su conductividad es muy 
dependiente de la temperatura. La agitación térmica permite que haya una presencia 
de electrones en la banda de conducción.
Banda de conducción
Electrón libre

Enlace covalente 
roto

Huecos
Banda de valencia

Electrón libre
 Corriente en un semiconductor
Cuando se aplica un campo eléctrico a un semiconductor 
intrínseco, se produce una corriente formada por dos 
componentes: corriente de electrones en contra del campo y 
una corriente de huecos (+) a favor del campo.

E
Banda de conducción

Banda de valencia
 Diferentes semiconductores intrínsecos
Semiconductores elementales: 
Germanio (Ge), Silicio (Si)
Compuestos IV: SiC, SiGe
Compuestos III‐V: GaAs, GaP, GaSb, InAs, InP, InSb
Compuestos II‐VI: ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe

Son materiales de conductividad intermedia entre la de los

metales y la de los aislantes, que se modifica en gran medida
por la temperatura, la excitación óptica o la adición de ciertas
impurezas.
 Modelo submicroscópico de la corriente
La conductividad es proporcional al número de portadores de carga, n, a la
carga de cada portador , q, y a la velocidad de desplazamiento promedio
 = k. n . q. v
Debido a los choques entre el portador de carga que es el electrón y 
los átomos en el conductor se producen cambios de dirección. Se 
define la velocidad de desplazamiento promedio de los portadores de 
carga como el siguiente cociente:
v =  x /  t
En un metal la conductividad disminuye con el 
aumento de la temperatura:
A medida que la temperatura se incrementa, los 
cationes de la red vibran con mayor amplitud, lo 
que hace más probable que un electrón choque 
con un ion. Los electrones que conducen la 
corriente eléctrica colisionan con mayor 
frecuencia con los cationes perturbándose el 
flujo de electrones (v de desplazamiento 
disminuye). 
En un semiconductor la conductividad aumenta 
con el aumento de la temperatura:
Los semiconductores no conducen  la 
electricidad a temperaturas bajas, pero un 
aumento de la temperatura alcanza para superar 
la brecha de energía a algunos electrones hacia 
la banda de conducción vacía, donde pueden 
moverse a través de todo el sólido (aumenta n).
 Características de los Semiconductores Intrínsecos
•No hay ninguna impureza en la red cristalina.
•Hay igual número de electrones que de huecos  n = p = ni

Ge:   ni = 2∙1013 portadores/cm3 

Si:    ni = 1010 portadores/cm3 
AsGa:   ni = 2∙106 portadores/cm3
(a temperatura ambiente) 
La capacidad de un semiconductor para transportar una corriente 
eléctrica puede ser amplificada por adición de electrones a la banda 
de conducción o por remoción de electrones de la capa de valencia. 
Esta modificación es llevada a cabo químicamente diseminando 
cantidades pequeñas de impurezas a través del semiconductor
produciendo los denominados Semiconductores Extrínsecos
Semiconductor intrínseco como el Ge puro a 15ºC
- - - -
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge

- - - - -
- - - -
-
Ge -
-
Ge
+ -
-
Ge -
-
Ge
-
- - - -
•Hay 1 enlace roto por cada 1,7∙109 átomos.
•Un electrón “libre” y una carga “+” por cada enlace 
roto.
 Aplicación de  un campo externo
‐

+ + + + + + + 
- - - -
‐ -
Ge -
-
Ge -
-
Ge -
-
Ge
-

‐ - - - -- -
‐
- - - -
- + - + - - -
‐ Ge Ge Ge Ge
- - -
-
‐
- - -

‐ ‐
•El electrón libre se mueve por acción del campo.
+
•La carga “+” se mueve también. Es un nuevo portador de carga, 
llamado “hueco”.
 Semiconductor Extrínseco tipo N
Se introducen pequeñas cantidades de impurezas del grupo V
- - - -
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge

- - - -
- 1 5
- - - -
2
-
- - - -
Ge - Ge Ge
Sb
- -
- 4
3
- - -

Tiene 5 electrones en la 
última capa
 Semiconductor Extrínseco tipo N
- - - -
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge

- - 5
- - -
- 1 5
- - - -
2
-
- - - -
Ge - Ge Ge
Sb+
- -
- Sb - 4
3
- -
A temperatura ambiente todos los electrones adicionales de los
átomos de Sb están desligados de su átomo, pueden desplazarse y
originar corriente eléctrica. El Sb es un donador de portadores
negativos y en el Ge hay más electrones que huecos. Es un
semiconductor tipo N.
 Semiconductor Extrínseco tipo N
Interpretación en diagrama de bandas de un semiconductor 
extrínseco Tipo N

4 est./atm.
3 est./atm.
0 electr./atm.
1 electr./atm.
‐
Energía

+‐
ESb=0,039eV Eg=0,67eV
‐ ‐
‐ ‐ 4 electr./atm.

El Sb baja el nivel inferior de energía de la banda de conducción

y por lo tanto se achica la brecha de energía para alcanzar la
banda de conducción.
 Semiconductor Extrínseco tipo P
Se introducen pequeñas cantidades de impurezas del grupo III
- - - -
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge

- - - -
- - 1 - -
2
-
- - - -
Ge - Ge Ge
Al -
- - -
3 -
Tiene 3 electrones en la  Habrá una “falta de electrón” 
última capa adicional ligado al átomo de Al 
 Semiconductor Extrínseco tipo P - -
- -
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge
+
- - - -
- - 1 - -
2
-
- - - -
Ge - Ge Ge
Al‐
Al - -
- - 4 (extra) -
3 -
Todas las “faltas” de electrón de los átomos de Al están cubiertas
con electrones procedentes de átomos de Ge, en el que se
generan huecos. El Al es un aceptador y en el Ge hay más huecos
positivos que electrones. Es un semiconductor tipo P.
 Semiconductor Extrínseco tipo P
Interpretación en diagrama de bandas de un semiconductor 
extrínseco Tipo P

4 est./atom.
Energía

EAl=0,065eV
‐ Eg=0,67eV
+‐ ‐ 4 electr./atom.
3 electr./atom.
‐ ‐ 0 huecos/atom.
1 hueco/atom.

El Al generando huecos en la banda de valencia sube el nivel

superior de la banda de valencia, achicando el ancho de la brecha de
energía.
Semiconductores intrínsecos:
•Igual número de huecos y de electrones
Semiconductores extrínsecos:
Tipo P:
•Huecos como portadores mayoritarios.
•Impurezas del grupo III (aceptador)
Tipo N:
•Los electrones como portadores mayoritarios.
•Impurezas del grupo V (donador)
Semiconductores en la Célula Solar Fotovoltaica
 Diseño para parques solares
Celda‐ Módulo‐ Panel‐ Formación
Parque solar Cauchari – Jujuy (300 MW)
Alumbrado público solar