Introducción

Electrónica I y II
Introducción
• Átomo partícula más pequeña de un elemento que
retiene las características de ese elemento
• Núcleo: formado por protones(p+) y neutrones
• La materia está constituida por protones y electrones
• Un átomo en estado neutro tiene los mismos
protones (p+) que los electrones (e-)
Capas y Orbitas
• Los (e-) orbitan al núcleo a cierta distancia de el
• Los (e-) cercanos al núcleo poseen menos energía que los de órbitas
más distantes
• Cada distancia discreta (órbitas) al núcleo corresponde a un cierto
nivel energético
• Las órbitas se agrupan en bandas energéticas conocidas como capas
Niveles de energía
• Entre los niveles de
energía discretos
hay bandas en las
que ningún
electrón en la
estructura atómica
puede aparecer
• El número máximo de • Ionización: Cuando un
electrones (Ne) se átomo absorbe energía
calcula: de una fuente calorífica
Ne = 2n2 los niveles energéticos
• Electrones de valencia: de los (e-) se elevan , al
proceso de perder un
En la capa más externa
electrón de valencia se le
de un átomo existen
conoce ionización, el
electrones con un alto
átomo ión positivo , y el
nivel de energía, a esta
(e-) que se escapo se
capa se le denomina de
denomina (e-) libre
valencia y a los (e-)
presentes (e-) de
valencia
Semiconductores, conductores y aisladores
• Aislante: No conduce corriente eléctrica en condiciones normales
• Conductor: Conduce corriente eléctrica fácilmente
• Semiconductor: Conduce energía bajo ciertas circunstancias, los
semiconductores de un solo elemento están caracterizados por átomos de
cuatro electrones de valencia
Átomo de Silicio y Germanio
• Ambos átomos tiene
cuatro electrones de
valencia,
diferenciándose entre
ellos por el número de
protones
• El Si es el más utilizado
soporta altas
temperaturas
Enlace Covalente
• Cristal es un sólido formado por una combinación de
átomos
• Los enlaces covalente mantiene juntos a los átomos ,
cada (e-) es compartido por los átomos adyacentes
Electrones y Huecos
• Un cristal de silicio puro absorbe energía térmica del aire circulante
cuando un (e-) salta la banda de conducción deja una vacante en la
banda de valencia denominándose hueco creándose el par electrón -
hueco
• La recombinación ocurre cuando un (e-) pierde energía en la B.C. y
cae nuevamente en un hueco B.V.
Corrientes de electrones y huecos
• Al aplicar voltaje a una pieza de silicio intrínseco los (e-) son
fácilmente atraídos al extremo positivo generando una corriente
conocida como corriente de electrones
• Un (e-) de valencia puede caer en un hueco próximo con poco cambio
en su nivel energético dejando así otro hueco a este movimiento se le
conoce como corriente de huecos
Dopado

• Adición controlada de impurezas a un semiconductor

puro incrementando así el número de portadores de
corriente (e- y huecos), elevando la conductividad y
disminuyendo la resistividad
Materiales Extrínsecos

Tipo N • Impurezas pentavalentes con •Tipo P

Impurezas trivalentes con
átomos donadores As, P, Sb átomos aceptadores B, In, Ga
Materiales Extrínsecos
Tipo N
Tipo P
• El (e-) se denomina portador • El hueco portador mayoritario y el (e-)
mayoritario y el hueco portador se denomina portador minoritario
minoritario

Cuando el quinto (e-) de un átomo

donador abandona el átomo al cual La unión de un material y tipo N y
pertenecía, este átomo padre adquiere una un tipo P dan origen al DIODO
carga positiva neta
Capa de empobrecimiento
• Se forma una región de empobrecimiento a partir de la unión, esta
región se forma por ionización
• La existencias de iones positivos y negativos sobre caras opuestas crea
el potencial de barrera
Polarización Directa
• Circula corriente siempre y cuando sea mayor que el potencial de barrera
• Is  no cambia de magnitud (uA)
• Existe reducción de la región de empobrecimiento  provoca un flujo de
portadores mayoritarios denso en la unión (I mayoritarios)
• Id  Corriente del diodo es la diferencia entre ( Imay – Is)
Polarización Inversa
• Impide el paso de corriente cuando el voltaje de polarización es inferior al voltaje de ruptura
• La corriente de saturación [ Is] (uA) y se produce por efecto térmico y depende
exclusivamente de la temperatura. Is Si << Is Ge
• Corriente superficial de fuga (I fg) está presente en función de la polarización
• Corriente mayoritario es cero, se aumento la barrera con el incremento de la región de
empobrecimiento
Curva Característica del Diodo
• I Cuadrante P.D., una vez que el voltaje alcanza el potencial de
barrera la IF se incrementa drásticamente se limita con un resistor en
serie
• III Cuadrante  P.I., el voltaje en inversa(VR) permanece cerca de
cero hasta que alcanza el voltaje de ruptura (VBR) que si no se limita
puede destruir al diodo
• Nota : VBR= 50V
Aproximaciones del Diodo
• Modelo Ideal.- Dispositivo no lineal de dos terminales cuyo
funcionamiento es como el de un interruptor (encendido o apagado).
• El voltaje en directa y la corriente en inversa siempre son iguales a cero
Aproximaciones del Diodo
• Modelo de Potencial de Barrera.- En P.D. interruptor
cerrado en serie con una batería igual al potencial de
barrera (VB), en P.I. es un circuito abierto
Aproximaciones del Diodo
• Modelo Completo.- En P.D en serie el potencial de barrera
y una resistencia en directa de bajo valor, en P. I. una
resistencia de alto valor en paralelo con el circuito abierto.
Introducción
• Normalmente, la carga aplicada tendrá un impacto importante en el punto
o región de operación del dispositivo.
• Si el análisis se debe llevar acabo de manera gráfica, se puede dibujar una
línea recta sobre las características del dispositivo que represente la carga
aplicada. La intersección de la recta de carga con las características
determinará el punto de operación del sistema, a esta análisis se le llama
análisis mediante la recta de carga.
• La mayor parte de las redes de diodos no estilan utilizar el sistema de la
recta de carga, la técnica se usa de manera frecuente en las
demostraciones del funcionamiento del transistor.
 
Consideraciones Generales
• Configuración en serie.
• Corriente establecida de
acuerdo a las manecillas del
reloj.
• El diodo esta “encendido”
• Polarización directa.

• La zona operación en la
gráfica es el
primer cuadrante
Análisis Eléctrico
• Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff se tiene:

• Las dos variables de la ecuación (VD e ID)son

las mismas que los ejes del primer cuadrante
de la gráfica de características de un diodo.
Análisis Eléctrico
• Las intersecciones de la recta de carga sobre las características
pueden determinarse con facilidad si se considera que:
Gráfica
• Una línea recta dibujada entre los puntos cuando VD = 0v e
ID = 0A,mdefinirá una  recta de carga.
 
Recta de Carga
• La recta de carga esta definida por el circuito (red).
• La curva característica esta definida por el dispositivo.
• El punto de intersección entre los dos es el punto de
operación (Q).
• La corriente ID es la corriente a través de la toda la
configuración en serie
• El trazo de líneas verticales y horizontales al punto Q
determinan los valores de VDQ e IDQ
• El punto Q es también llamado "punto de trabajo" o
"punto de funcionamiento". El punto Q se controla por
la variación de los valores de E y R.
Ejemplo
• Para la configuración de diodos en serie de la figura determinar los
siguientes valores:
• a) VDQ  e IDQ
•  b) VR
Introducción
Electrónica I y II
 Introducción
 Átomo partícula más pequeña de un elemento que retiene las características de ese
elemento
 Núcleo: formado por protones(p+) y neutrones
 La materia está constituida por protones y electrones
 Un átomo en estado neutro tiene los mismos protones (p+) que los electrones (e-)
Capas y Orbitas

 Los (e-) orbitan al núcleo a cierta distancia de el

 Los (e-) cercanos al núcleo poseen menos energía que los de órbitas más distantes
 Cada distancia discreta (órbitas) al núcleo corresponde a un cierto nivel energético
 Las órbitas se agrupan en bandas energéticas conocidas como capas
 Niveles de energía
 Entre los niveles de energía
discretos hay bandas en las
que ningún electrón en la
estructura atómica puede
aparecer
 El número máximo de electrones (Ne)
se calcula:
Ne = 2n2
 Electrones de valencia: En la capa
más externa de un átomo existen
electrones con un alto nivel de
energía, a esta capa se le denomina de
valencia y a los (e-) presentes (e-) de
valencia
 Ionización: Cuando un átomo
absorbe energía de una fuente
calorífica los niveles energéticos de
los (e-) se elevan , al proceso de
perder un electrón de valencia se le
conoce ionización, el átomo ión
positivo , y el (e-) que se escapo se
denomina (e-) libre
Semiconductores, conductores y aisladores
 Aislante: No conduce corriente eléctrica en condiciones normales
 Conductor: Conduce corriente eléctrica fácilmente
 Semiconductor: Conduce energía bajo ciertas circunstancias, los semiconductores
de un solo elemento están caracterizados por átomos de cuatro electrones de valencia
 Átomo de Silicio y Germanio
 Ambos átomos tiene cuatro electrones
de valencia, diferenciándose entre
ellos por el número de protones
 El Si es el más utilizado soporta altas
temperaturas
 Enlace Covalente
 Cristal es un sólido formado por una combinación de átomos
 Los enlaces covalente mantiene juntos a los átomos , cada (e-) es compartido por
los átomos adyacentes
Electrones y Huecos

 Un cristal de silicio puro absorbe energía térmica del aire circulante cuando un (e-) salta la
banda de conducción deja una vacante en la banda de valencia denominándose hueco
creándose el par electrón - hueco
 La recombinación ocurre cuando un (e-) pierde energía en la B.C. y cae nuevamente en un
hueco B.V.
Corrientes de electrones y huecos

 Al aplicar voltaje a una pieza de silicio intrínseco los (e-) son fácilmente atraídos al
extremo positivo generando una corriente conocida como corriente de electrones
 Un (e-) de valencia puede caer en un hueco próximo con poco cambio en su nivel
energético dejando así otro hueco a este movimiento se le conoce como corriente de
huecos
 Dopado

 Adición controlada de impurezas a un semiconductor puro incrementando así el

número de portadores de corriente (e- y huecos), elevando la conductividad y
disminuyendo la resistividad
 Materiales Extrínsecos

 Tipo
Impurezas N
pentavalentes con átomos  Impurezas Tipo P con átomos
trivalentes
donadores As, P, Sb aceptadores B, In, Ga
 Materiales Extrínsecos
Tipo N
Tipo P
 El (e-) se denomina portador  El hueco portador mayoritario y el (e-) se
mayoritario y el hueco portador denomina portador minoritario
minoritario

Cuando el quinto (e-) de un átomo donador

abandona el átomo al cual pertenecía, este La unión de un material y tipo N y
átomo padre adquiere una carga positiva un tipo P dan origen al DIODO
neta
 Capa de empobrecimiento
 Se forma una región de empobrecimiento a partir de la unión, esta región se forma
por ionización
 La existencias de iones positivos y negativos sobre caras opuestas crea el
potencial de barrera
 Polarización Directa
 Circula corriente siempre y cuando sea mayor que el potencial de barrera
 Is  no cambia de magnitud (uA)
 Existe reducción de la región de empobrecimiento  provoca un flujo de
portadores mayoritarios denso en la unión (I mayoritarios)
 Id  Corriente del diodo es la diferencia entre ( Imay – Is)
 Polarización Inversa
 Impide el paso de corriente cuando el voltaje de polarización es inferior al voltaje de ruptura
 La corriente de saturación [ Is] (uA) y se produce por efecto térmico y depende
exclusivamente de la temperatura. Is Si << Is Ge
 Corriente superficial de fuga (I fg) está presente en función de la polarización
 Corriente mayoritario es cero, se aumento la barrera con el incremento de la región de
empobrecimiento
Curva Característica del Diodo

 I Cuadrante P.D., una vez que el voltaje alcanza el potencial de barrera la IF se

incrementa drásticamente se limita con un resistor en serie
 III Cuadrante  P.I., el voltaje en inversa(VR) permanece cerca de cero hasta que alcanza
el voltaje de ruptura (VBR) que si no se limita puede destruir al diodo
 Nota : VBR= 50V
 Aproximaciones del Diodo
 Modelo Ideal.- Dispositivo no lineal de dos terminales cuyo funcionamiento es
como el de un interruptor (encendido o apagado).
 El voltaje en directa y la corriente en inversa siempre son iguales a cero
Aproximaciones del Diodo
 Modelo de Potencial de Barrera.- En P.D. interruptor cerrado en serie con una
batería igual al potencial de barrera (VB), en P.I. es un circuito abierto
 Aproximaciones del Diodo
 Modelo Completo.- En P.D en serie el potencial de barrera y una resistencia en
directa de bajo valor, en P. I. una resistencia de alto valor en paralelo con el
circuito abierto.
 Introducción
 Normalmente, la carga aplicada tendrá un impacto importante en el punto o
región de operación del dispositivo.
 Si el análisis se debe llevar acabo de manera gráfica, se puede dibujar una
línea recta sobre las características del dispositivo que represente la carga
aplicada. La intersección de la recta de carga con las características
determinará el punto de operación del sistema, a esta análisis se le llama
análisis mediante la recta de carga.
 La mayor parte de las redes de diodos no estilan utilizar el sistema de la
recta de carga, la técnica se usa de manera frecuente en las demostraciones
del funcionamiento del transistor.
 
 Consideraciones Generales
 Configuración en serie.
 Corriente establecida de acuerdo a las
manecillas del reloj.
 El diodo esta “encendido”
 Polarización directa.

• La zona operación en la
gráfica es el
primer cuadrante
 Análisis Eléctrico
 Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff se tiene:

• Las dos variables de la ecuación (VD e ID)son

las mismas que los ejes del primer cuadrante
de la gráfica de características de un diodo.
Análisis Eléctrico

 Las intersecciones de la recta de carga sobre las características pueden determinarse con
facilidad si se considera que:
 Gráfica
 Una línea recta dibujada entre los puntos cuando VD = 0v e ID = 0A,mdefinirá una
 recta de carga.
 
 Recta de Carga
 La recta de carga esta definida por el circuito (red).
 La curva característica esta definida por el dispositivo.
 El punto de intersección entre los dos es el punto de operación (Q).
 La corriente ID es la corriente a través de la toda la configuración en serie
 El trazo de líneas verticales y horizontales al punto Q determinan los valores de
VDQ e IDQ
 El punto Q es también llamado "punto de trabajo" o "punto de funcionamiento". El
punto Q se controla por la variación de los valores de E y R.
Ejemplo

 Para la configuración de diodos en serie de la figura determinar los siguientes valores:

 a) VDQ  e IDQ
  b) VR
Aplicaciones del diodo
Rectificador de Media Onda ( Diodo Ideal)
  Valor promedio (1/2 onda).- Es el valor que se mediría con un voltímetro de cd,
matemáticamente se calcula el área bajo la curva correspondiente a un ciclo
completo

  𝑽𝒑
𝑽𝒑𝒓𝒐𝒎=
𝝅

¿ Cuál es el valor promedio de la siguiente forma de onda?

Efecto del Potencial de Barrera (1/2 Onda)

 El Voltaje de entrada debe superar el potencial de barrera para que el diodo se polarice en
directa, por lo tanto el voltaje de salida será el voltaje de entrada menos el voltaje de
barrera

  VB
Ejercicio
 Trace el voltaje de salida de las siguientes formas de onda, cada diodo es de Si
 Voltaje Pico Inverso
 Llamado también PIV es igual al valor pico del voltaje de entrada y el diodo debe
ser capaz de soportar esta cantidad en voltaje en inversa repetitivo, para la figura el
PIV ocurre cuando el diodo está polarizado en inversa, en cada alternación negativa
 Rectificador ½ onda acoplado por

Transformador
Se usa un transformador para acoplar los voltajes de entrada provenientes de la
fuente, ventajas:
 1.- permite que el voltaje de la fuente se eleva o se reduzca según se requiera
 2.- la fuente de alimentación de ca está aislada del circuito rectificador, evitando los
choques eléctricos en el circuito del secundario

  𝑁2
𝑉𝑠𝑒𝑐= 𝑉𝑝𝑟𝑖𝑚 𝑉𝑝 ( 𝑠𝑎𝑙 )=𝑉𝑝(sec)− 0.7 𝑉
𝑁1  
 Ejercicio
 Determine el voltaje pico de salida para el circuito de la figura
 Rectificadores de Onda Completa
 Permite corriente unidireccional hacia la carga durante todo el ciclo de entrada, el
resultado de la rectificación de O.C es un voltaje de salida con una frecuencia
del doble de la frecuencia de entrada, por lo tanto el valor promedio es:

  𝟐 𝑽𝒑
𝑽𝒑𝒓𝒐𝒎 =
𝝅
 Ejercicio
 Encuentre el valor promedio del voltaje rectificado de onda completa
 Rectificador Onda Completa con Derivación

Central
Observar que la corriente a través del resistor está en la misma dirección durante
todo el ciclo de entrada

SC (+) D1  P.D y D2  P.I SC (-) D2  P.D y D1  P.I

 Efecto de la razón de vueltas sobre el voltaje
de salida en onda completa
   Para tener un voltaje de salida igual a
 Cuando la relación de vueltas la entrada es necesario usar un
del transformador es = 1 transformador elevador con una
relación de vueltas n=2, el voltaje
 VB total del secundario es dos veces el
voltaje del primario

  Para cualquiera de los dos casos el voltaje de

salida es: VB
 Voltaje Pico Inverso
  El VPI a través de cada diodo con derivación central es: B

 Ejercicio: Muestre las formas de onda a través de cada mitad del devanado del
secundario y de RL, cuando al primario se le aplica una onda sinusoidal con 25V
pico, encuentre también el VPI de cada diodo, considerar diodos de Si
 Rectificador de Onda Completa tipo Puente
 Usa cuatro diodos
 El sentido de la corriente es la misma tanto en P.D. como en P.I.

SC(+)  D1 yD2  P.D SC(+)  D3 yD4  P.D

SC(-)  D3 y D4  P.I SC(-)  D1 y D2  P.I
 Voltaje de Salida del Puente

 Vp(sal)Para
= Vp Diodos
(sec) Ideales  Se incluyenPara Diodos
las caídas Prácticos
de voltaje, por
tanto:
 Vp(sal) = Vp (sec) – 1.4 V
 Voltaje Pico Inversa (PIV)
 Diodos Ideales  Diodos Prácticos

 PIV = Vp(sal) + 0.7V
 PIV= Vp (sal)
El PIV de los diodos de puente es menor que el requerido para la
configuración con derivación central, es decir el rectificador de puente requiere
diodos con la mitad de PIV nominal de aquellos en un rectificador con
derivación central para el mismo voltaje de salida
 Ejercicio
 Determine el VPI para cada diodo en el circuito de la figura, se especifica que el
transformador tiene un voltaje de 12 Vrms en el secundario para los 110V estándar
través del primario
TAREA
TAREA
TAREA
Filtros y Reguladores de la Fuente de
Alimentación
 Un Filtro ideal elimina los rizos del voltaje de salida de un rectificador media onda y de
onda completa produciendo un voltaje de cd constante, se implementan con capacitores
 Un regulador de voltaje impide cambios en el voltaje de cd filtrado debido a variaciones de
voltaje de entrada o en la carga, para lo cual utilizamos reguladores de voltaje integrados
 Filtro de entrada con Capacitor
 a) La carga inicial del capacitor (diodo P.D.) sucede una sola vez cuando se
conecta la potencia
 Filtro de entrada con Capacitor
 b) El capacitor se descarga a través de la RL cuando el diodo P.I., esta descarga
ocurre durante la parte del voltaje de entrada indicada por la curva en continua
 Filtro de entrada con Capacitor
 c) El capacitor se carga otra vez a su valor pico de entrada cuando el diodo P.D.
esto ocurre durante la parte del voltaje de entrada indicada por la curva continua
 Voltaje de Rizo
 El capacitor se carga con rapidez al inicio de un ciclo y lentamente se descarga a
través de RL después del pico (+) del voltaje de entrada, a esta variación de carga y
descarga del capacitor se le denomina voltaje de rizo, el rizo es indeseable

Rizo pequeño filtrado efectivo, mientras

Rizo grande menos filtración más grande el capacitor más pequeño es el
rizo con la misma entrada y carga
 Voltaje de Rizo
 La frecuencia de salida de un rectificador de onda completa es dos veces la de un
rectificador media onda, es por eso que el de una onda completa es más fácil filtrar
debido al tiempo más corto entre picos
 Factor de rizo
 Es una indicación de la efectividad del filtro, mientras más bajo el factor de rizo
mejor es el filtrado, el factor de rizo puede reducirse incrementando el valor del
capacitor del filtro o incrementando la resistencia de carga

  𝑉𝑟 ( 𝑝𝑝 )
𝑟=
𝑉 𝐶𝐷

  1   1
𝑉𝑟 ( 𝑝𝑝 ) ≅
( 𝑓𝐶 𝑅 𝐿 )
𝑉 𝑝 (𝑟𝑒𝑐𝑡) 𝑉 𝐶𝐷 ≅ 1 −
( 2 𝑓𝐶 𝑅 𝐿 )
𝑉 𝑝 ( 𝑟𝑒𝑐𝑡 )

Para un rectificador de onda completa

 Ejercicio
 Determine el factor de rizo para el rectificador puente filtrado con una carga como
se indica en la figura
 Regulador de Voltaje
 Se conecta un regulador a la salida de un rectificador filtrado y mantiene un voltaje
(o corriente) de salida constante pese a los cambios de la entrada, la corriente en la
carga o la temperatura

Para una fuente de alimentación se necesitan dos capacitores un capacitor de gran valor
entre la entrada y tierra, el otro capacitor es de 0.1 uF a 1uF para mejorar la respuesta
Transitoria.
El diodo Zener

 La aplicación de estos diodos se ve en los Reguladores de Tensión y actúa como

dispositivo de tensión constante.
Características

 El diodo Zener trabaja zona de ruptura, donde se produce el "Efecto Avalancha" ó "Efecto
Zener», es decir la corriente aumenta bruscamente; su curva característica es:
 Circuito Equivalente del Zener
  
Consiste en un modelo práctico donde se incluye la impedancia del zener (Zz); por
ley de ohm tenemos:
 Ejercicio
 Cuál es la impedancia del
Zener para el circuito de la
figura:
Zener encendido y apagado
Vi y Rl Fijas
Ejercicio
VI FIJA, RL VARIABLE

Debido al voltaje VZ, existe un rango de valores de resistencia

que asegurará que el Zener este en el estado “encendido”.
Una resistencia de carga RL demasiado pequeña ocasionará
un voltaje VL a través de la resistencia de carga menor que
VZ, y el dispositivo Zener estará en el estado “apagado”.
 Para determinar la resistencia mínima de carga que encenderá
el Zener, se calcula el valor de RL que ocasionará un voltaje
de carga VL = VZ.
VI FIJA, RL VARIABLE
Determinar el rango de la RL y de IL que ocasiona que el VRL = 10V
Vi Variable- RL Fija
Determinar el rango de Vi encendido