Instituto Tecnológico de San Luis Potosí

Alumno:
Cárdenas López Juan Pablo

Maestro:
Jasso Aranda José Cruz

Módulo:
Electrónica de Potencia Aplicada

Carrera:
Ingeniería Mecatrónica

Fecha:
14/09/21

Asunto:
Resumen de temas de la Unidad 1 “Semiconductores de potencia”.
1.1 Diodos de potencia
Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conducción, deben ser
capaces de soportar una alta intensidad con una pequeña caída de tensión. En
sentido inverso, deben ser capaces de soportar una fuerte tensión negativa de
ánodo con una pequeña intensidad de fugas.
Su curva característica se representa en la siguiente gráfica:

En polarización directa, la caída de tensión es nula, sea cual sea el valor de la

corriente directa conducida, mientras que en polarización inversa, la corriente
conducida es nula, sea cual sea el valor de la tensión inversa aplicada;

1.1.1 Características y parámetros

A continuación, vamos a ir viendo las características más importantes del diodo, las
cuales podemos agrupar de la siguiente forma:
1.- Características estáticas:
Parámetros en bloqueo (polarización inversa).
Parámetros en conducción.
Modelo estático.
2.- Características dinámicas:
Tiempo de recuperación inverso (trr).
Influencia del trr en la conmutación.
Tiempo de recuperación directo.
3.- Potencias:
Potencia máxima disipable.
Potencia media disipada.
Potencia inversa de pico repetitivo.
Potencia inversa de pico no repetitivo.
4.- Características térmicas.
Protección contra sobre intensidades
Parámetros en conducción:
1.- Intensidad media nominal (IF(AV)): es el valor medio de la máxima intensidad de
impulsos sinusoidales de 180º que el diodo puede soportar.
2.- Intensidad de pico repetitivo (IFRM): es aquélla que puede ser soportada cada
20 ms, con una duración de pico a 1 ms, a una determinada temperatura de la
cápsula (normalmente 25º).
3.- Intensidad directa de pico no repetitiva (IFSM): es el máximo pico de intensidad
aplicable, una vez cada 10 minutos, con una duración de 10 ms.
El fenómeno de recuperación inversa determina la máxima frecuencia de operación
del diodo de acuerdo con la expresión:

1.1.2 Rectificadores monofásicos y polifásicos

Los rectificadores son circuitos compuestos de diodos y son capaces de cambiar la
forma de onda de la señal que recibe en la entrada. Podemos encontrar la siguiente
clasificación:
1.- Rectificador de media onda; elimina la mitad de la señal que recibe en la entrada,
dependiendo de cómo se polarice el diodo.
2.- Rectificador de onda completa; se obtiene una corriente continua muy parecida
a la de las pilas o baterías.
3.- Rectificador de onda completa con puente de diodos; formado por cuatro diodos.
Dos de las terminales son conectadas al transformador y las otras dos a la carga.

1.1.3 Aplicaciones industriales

Es un largo campo de aplicaciones, donde casi en todos los componentes que se ven en esta imagen están
presentes en nuestra vida cotidiana.

1.1.4 Alimentación de motores de c.c.

Un motor de corriente continua se compone principalmente de dos partes. El estator
da soporte mecánico al aparato y contiene los polos de la máquina, que pueden ser
o bien devanados de hilo de cobre sobre un núcleo de hierro, o imanes
permanentes. El rotor es generalmente de forma cilíndrica, también devanado y con
núcleo, alimentado con corriente directa a través de delgas, que están en contacto
alternante con escobillas fijas.
Para que tenga función un motor de c.c. debe de contar con lo siguiente:
1.- Fuerza contra electromotriz inducida en un motor; es la tensión que se crea en
los conductores de un motor como consecuencia del corte de las líneas de fuerza.
2.- Número de escobillas; las escobillas deben poner en cortocircuito todas las
bobinas situadas en la zona neutral. Si la máquina tiene dos polos, tenemos también
dos zonas neutras. En consecuencia, el número total de delgas ha de ser igual al
número de polos de la máquina. En cuanto a su posición, será coincidente con las
líneas neutras.
3.- Sentido de giro; En máquinas de corriente directa de mediana y gran potencia,
es común la fabricación de rotores con láminas de acero eléctrico para disminuir las
pérdidas asociadas a los campos magnéticos variables, como las corrientes de
Foucault y las producidas por histéresis.
4.- Reversibilidad; por reversibilidad entre el motor y el generador se entiende que,
si se hace girar el rotor, se produce en el devanado inducido una fuerza
electromotriz capaz de transformarse en energía eléctrica.
Hay diferentes tipos de motores como:
1.- Motor serie o motor de excitación en serie: el devanado de estator y el devanado
de rotor se conectan en serie.
2.- Motor shunt o de excitación en paralelo: el devanado de estator y de rotor se
conectan en paralelo.
3.- Motor compound: se utiliza una combinación de ambas configuraciones.

1.2. Transistores de potencia

Los transistores de potencia tienen características controladas de activación y
desactivación. Los transistores, se utilizan como elementos conmutadores, se
operan en la región de saturación lo que da como resultado en una caída de voltaje
bajo en estado activo. La velocidad de conmutación de los transistores modernos
es mucho mayor que la de los tiristores por lo que se utilizan en forma amplia en
convertidores de C.A.-C.D. y C.D-C. A; con diodos conectados en paralelo inverso
para proporcionar un flujo de corriente bidireccional. Sin embargo, las
especificaciones de voltaje y de corriente son menores que las de los tiristores y por
lo que, los transistores de potencia se pueden clasificar de manera general en cuatro
categorías:
1. Transistor bipolar de juntura (BJT).
2. Transistores semiconductores de metal de óxido de efecto de campo (MOSFET).
3. Transistores de inducción estática (SIT).
4. Transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT).
En resumen, destacamos tres cosas fundamentales:
1. En un transistor bipolar IB controla la magnitud de IC.
2.- En un FET, la tensión VGS controla la corriente ID.
3.- En ambos casos, con una potencia pequeña puede controlarse otra bastante
mayor.

1.2.1 Tipos de transistores Bipolar (BJT)

El transistor bipolar es el más común de los transistores, y como los diodos, puede
ser de germanio o silicio. En ambos casos el dispositivo tiene 3 patillas y son: el
emisor, la base y el colector.

Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la dirección del flujo de la corriente
en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el gráfico de cada tipo de transistor.
El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B),
colector (C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene la
flecha en el gráfico de transistor.
FUNCIONAMIENTO BASICO BJT npn
• En el montaje EC de la figura, se polariza directamente la unión Base Emisor; e
inversamente la unión Base-Colector.
• Se polariza el BJT si Vbe aprox. 0,6 voltios (polarización directa), y Vce>Vbe (unión
base-colector en inversa).
• La corriente de emisor es aquella que pasa por la unión base-emisor polarizada
en directa y depende de Vbe al igual que en un diodo pn.
DEFINICION DE LOS MODOS DE TRABAJO DEL BJT
• Según la polarización de cada unión, se obtendrá un modo de trabajo diferente,
según la tabla.
• En la región Activa - directa, el BJT se comporta como una fuente controlada.
(Amplificación)
• En el modo Corte únicamente circulan las corrientes inversas de saturación de las
uniones. Es casi un interruptor abierto.
• En Saturación, la tensión a través de la unión de colector es pequeña, y se puede
asemejar a un interruptor cerrado.
• Activo – inverso, no tiene utilidad en amplificación.

1.2.2 Metal Oxido de Silicio (MOS)

Un MOSFET de potencia es controlado por coma que requiere solo de una pequeña
corriente de entrada la velocidad de conmutación es muy alta siendo los tiempos de
conmutación de orden de los nanosegundos. Los MOSFET de potencia están
controlando cada vez más aplicaciones en los convertidores de alta frecuencia y
baja potencia.
Los MOSFET son de dos tipos:
1. MOSFET de agotamiento.
2. MOSFET de enriquecimiento

1.2.3 Transistor bipolar de puerta aislada (IGBT)

Transistor IGBT. Componente electrónico diseñado para controlar principalmente
altas potencias, en su diseño está compuesto por un transistor bipolar de unión BJT
y transistor de efecto de campo de metal oxido semiconductor MOSFET.
Estructura
El IGBT es un dispositivo semiconductor de cuatro capas que se alternan (PNPN)
que son controlados por un metal-óxido-semiconductor (MOS), estructura de la
puerta sin una acción regenerativa. Un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT)
celular se construye de manera similar a un MOSFET de canal n vertical de poder
de la construcción, excepto la n se sustituye con un drenaje + p + capa de colector,
formando una línea vertical del transistor de unión bipolar de PNP.

Funcionamiento
Cuando se le es aplicado un voltaje VGE a la puerta, el IGBT enciende
inmediatamente, la corriente de colector IC es conducida y el voltaje VCE se va
desde el valor de bloqueo hasta cero. La corriente IC persiste para el tiempo de
encendido en que la señal en la puerta es aplicada. Para encender el IGBT, el
terminal C debe ser polarizado positivamente con respecto a la terminal E. La señal
de encendido es un voltaje positivo VG que es aplicado a la puerta G. Este voltaje,
si es aplicado como un pulso de magnitud aproximada de 15 volts, puede causar
que el tiempo de encendido sea menor a 1 s, después de lo cual la corriente de
colector ID es igual a la corriente de carga IL (asumida como constante). Una vez
encendido, el dispositivo se mantiene así por una señal de voltaje en el G. Sin
embargo, en virtud del control de voltaje la disipación de potencia en la puerta es
muy baja. El IGBT se apaga simplemente removiendo la señal de voltaje VG de la
terminal G. La transición del estado de conducción al estado de bloqueo puede
tomar apenas 2 microsegundos, por lo que la frecuencia de conmutación puede
estar en el rango de los 50 kHz. EL IGBT requiere un valor límite VGE (TH) para el
estado de cambio de encendido a apagado y viceversa. Este es usualmente de 4 V.
Arriba de este valor el voltaje VCE cae a un valor bajo cercano a los 2 V. Como el
voltaje de estado de encendido se mantiene bajo, el G debe tener un voltaje arriba
de 15 V, y la corriente IC se auto limita.
Aplicaciones
Este es un dispositivo para la conmutación en sistemas de alta tensión. Se usan en
los Variadores de frecuencia, así como en las aplicaciones en máquinas eléctricas
y convertidores de potencia que nos acompañan cada día y por todas partes, sin
que seamos particularmente conscientes de eso: Automóvil, Tren, Metro, Autobús,
Avión, Barco, Ascensor, Electrodoméstico, Televisión, Domótica, Sistemas de
Alimentación Ininterrumpida o SAI (en Inglés UPS).

1.3. Aplicaciones en máquinas eléctricas

Durante muchos años el sector de la electrónica de potencia ha centrado su
investigación en el desarrollo de componentes capaces de alcanzar grandes
velocidades de conmutación y grandes cargas y que fueran sustitutivos de las
tecnologías anteriores que, para ciertas aplicaciones, ya habían quedado obsoletas
como es el caso del transistor bipolar BJT bipolar junción transistor, los MOSFET y
de los VDMOS, DMOSFET vertical. para ello, los investigadores han combinado
desde hace más de dos décadas las posibilidades de los transistores bipolares y los
denominados MOSFET, un transistor de efecto de campo basado en la estructura
mosto metal oxide Semiconductor La aplicación de motores y generadores
eléctricos requiere considerar los siguientes:
a) Economía
b) Comportamiento y características de la carga
c) Fuentes disponibles
d) Selección de motores y generadores
e) Protección y seguridad
En los últimos años han tomado gran relevancia los factores económicos,
incluyendo no solo la inversión inicial sino también el costo de operación y
mantenimiento del equipo a lo largo de los años. Se están mejorando mucho los
diseños para mejorar la eficiencia y por lo tanto los costos de operación del equipo.
1.3.1 Arranque y paro de un motor de c.c. con un IGBT
Generalmente se aplica a circuitos de potencia. Este es un dispositivo para la
conmutación en sistemas de alta tensión. La tensión de control de puerta es de unos
15V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una señal
eléctrica de entrada muy débil en la puerta.
Características de funcionamiento:
Alta capacidad de manejar corriente como un bipolar
Facilidad de manejo mosfet
El IGBT se suele usar cuando se dan estas condiciones:
Bajo ciclo de trabajo
Baja frecuencia 20 kHz
Aplicaciones de alta tensión 1000 V

1.3.2 Control de velocidad de motores de c.c.

Las técnicas de control de motores dc son herramientas que se utilizan para
controlar la velocidad, el par y el suministro de potencia de los motores de corriente
continua. El control de motores puede llevarse a cabo mediante tiristores y un
conocimiento básico de electrónica de potencia. La mayoría de los motores
utilizados en la industria se conectan directamente a las líneas de distribución
eléctrica, y se alimentan con corriente alterna o corriente directa. Las terminales de
los devanados del motor se conectan directamente a las líneas de suministro
eléctrico, y sus características de operación se mantienen inalterables, al tener una
tensión de entrada constante. El motor trabaja en condiciones nominales cuando se
alimenta con la tensión indicada en la placa de operación, entregando potencia
constante a la carga conectada en el eje.

La velocidad del motor se ajusta con el potenciómetro de 25 k. al girarlo hacia arriba,

aumenta la velocidad del motor, esto se debe a que el voltaje de compuerta en
relación con tierra se vuelve una parte mayor del voltaje respectivo de la línea de
ca, y esto permite que el voltaje de compuerta a cátodo llegue más temprano en el
ciclo al valor del voltaje de disparo del SCR. La relación entre la velocidad y el ángulo
de retardo de disparo, para este sistema, se gráfica. Se puede ver que la acción de
control de velocidad se logra en un ajuste bastante apretado de unos 70˚ a 110˚.
Cuando disminuye la fuerza electromotriz, baja el voltaje de cátodo a tierra, porque
VK depende de gran parte de la fuerza electromotriz. Si VK disminuye, el disparo
del SCR se efectúa antes porque VG no tiene que aumentar tanto para que el voltaje
cátodo ánodo sea lo suficientemente grande como para disparar el SCR. Un
aumento en el par de giro produce una reducción en el ángulo de disparo, a su vez,
esto nos da una mayor corriente y voltaje de armadura elevando la velocidad y
compensando cualquier caída de velocidad.
El capacitor se carga hasta llegar al voltaje de transición conductiva del su
interruptor unilateral de silicio. En ese instante el sus permite que se descargue
parte del capacitor en la compuerta del ser, disparándolo. El ángulo de disparo se
determina por la resistencia del potenciómetro de ajuste de velocidad, que
determina la rapidez de carga de c. el diodo d3 suprime toda polarización inversa
producto del devanado inductivo de la armadura al terminar medio ciclo. Cuando el
SCR abre al final de un semiciclo, la corriente continúa circulando en el lazo d3 y
armadura. El objeto de la combinación r1 d1 es proporcionar una trayectoria de
descarga para el capacitor c. recuerde que él sus no vuelve totalmente a los 0 v,
cuando se dispara. El capacitor no puede descargar toda su carga a lo largo del
circuito cátodo-compuerta del rectificador del silicio. Queda algo de carga en la placa
superior de c. a medida que los pulsos del suministro de dc se acercan a 0, la carga
en c se descarga a través de r1 y d1. Así el capacitor pierde toda carga residual
para comenzar la siguiente pulsación del puente de diodos.

1.4. Circuitos de control híbridos (Electrónicos-electromecánicos)

En el circuito impreso tal y como todos los conocemos, los componentes, dado su
pequeño tamaño, se fijan y conectan en una placa de material aislante por medio
de soldadura de estaño. En los últimos años el aumento de la escala de integración
de los circuitos VLSI, así como la continua reducción del tamaño de los
componentes pasivos como son las resistencias y condensadores, ha forzado la
aparición de un nuevo tipo de tecnología, conocido como SMD.

¿Cómo es un circuito híbrido?

Pasemos a explicar brevemente como está formado un circuito híbrido. El soporte
mecánico del circuito es una placa de material cerámico, pues este material tiene
unas cualidades muy buenas de aislante eléctrico y buen conductor del calor, lo cual
le hace ideal para estas aplicaciones. Las resistencias se integran en la superficie,
depositando sobre ella por un procedimiento litográfico una pasta especial resistiva,
formada por finísimas partículas de metales conducto-res, generalmente oro o plata,
unidas por un conglomerante. Dependiendo de la cantidad de partículas y de la
longitud y grosor de la pista, podemos obtener una enorme cantidad de valores de
resistencias, no estando en ab-soluto obligados a usar valores están-dar. Para
ajustar el valor de la resistencia, se hacen sobre la misma unos finos cortes con luz
láser, que vaporizan pequeñas líneas de metal. Estos ajustes permiten aumentar el
valor de la resistencia, pero no disminuirla, por este motivo durante el proceso de
diseño se suele dar a las resistencias un valor más bajo del necesario, para después
poder ajustar el valor de la misma.
Los condensadores se integran como una superficie conductora, sepa-rada de otra
por medio de una pasta aislante, que contiene dióxido de silicio. Para grandes
capacidades, este método no es válido por lo cual se recurre al uso de componentes
discretos o de montaje superficial SMD.
Bibliografía

Muhammad H. Rashid. (2004). Electrónica de potencia, circuitos, dispositivos y

aplicaciones, 3ª Edición. Pearson-Prentice Hall

Hart, Daniel W. (2001). Electrónica de potencia, 3ª Edición. Pearson Educación,

México