UNIVERSIDAD DE MENDOZA

FACULTAD DE INGENIERÍA

CAPÍTULO 1: Generalidades

ELECTRÓNICA ANALÓGICA I

Profesores:
Ing. Roberto Klein
Ing. Juan Bertran
Ayudante Alumno:
María Rocío Giménez Aranda

2022
Contenidos

1. Transistor de unión bipolar (BJT) 3

1.1. Funcionamiento del transistor polarizado . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.1.1. Electrones del emisor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.1.2. Electrones de la base . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.1.3. Electrones del colector . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.2. Corrientes del transistor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.3. Conexiones de un transistor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.3.1. Transistor en emisor común . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.4. Curva característica de entrada . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.5. Curvas de colector . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.5.1. Potencia y tensión del colector . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.5.2. Región de operación . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

2. Rectas de carga 9
2.1. Punto de saturación . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
2.2. Punto de corte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
2.3. Punto de operación Q . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

3. Polarización 13

4. Transistores de Efecto de Campo (FET) 15

4.1. JFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
4.1.1. Principio de funcionamiento . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
4.1.2. Curvas características . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

5. Referencias 20

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Transistor de unión bipolar (BJT)

Un transistor BJT es un dispositivo semiconductor impulsado por corriente, en el que una pequeña
cantidad de corriente en el conductor base controla una mayor cantidad de corriente entre el Colector y
el Emisor. Se pueden utilizar para amplificar una señal débil, como un oscilador o un interruptor.
Un transistor tiene tres regiones dopadas, como se muestra en la Figura 1.1. La región de la derecha
es el emisor, la región intermedia es la base y la región de la izquierda es el colector. En un transistor
real, la región de la base es mucho más estrecha comparada con las regiones de colector y de emisor. El
transistor puede ser un dispositivo npn porque tiene una región p entre dos regiones n, ó pnp que tiene
una región n entre dos regiones p, según los portadores mayoritarios por región.

Figura 1.1

Podemos observar que el transistor tiene dos uniones: una entre el emisor y la base, y otra entre el
colector y la base, por lo que un transistor es como dos diodos en oposición. Un diodo emisor-base o diodo
emisor y un diodo colector-base o diodo colector. De modo que un transistor no polarizado cada diodo
tiene una barrera de potencial de aproximadamente 0,7 V. Cuando se conectan al transistor fuentes de
tensión externas, circularán corrientes a través de las distintas partes del transistor.

1.1. Funcionamiento del transistor polarizado

La Figura 1.2 muestra la forma habitual de polarizar un transistor. La fuente de la izquierda, VBB ,
polariza en directa el diodo de emisor y la fuente de la derecha, VCC , polariza en inversa el diodo de
colector. Aunque son posibles otros métodos de polarización, polarizar en directa el diodo de emisor y en

3
inversa el diodo de colector es el que proporciona resultados más útiles.

Figura 1.2

1.1.1. Electrones del emisor

Los signos menos representan los electrones libres. El trabajo que realiza el emisor fuertemente dopado
es el siguiente: emite o inyecta sus electrones libres en la base. La base ligeramente dopada también tiene
un propósito bien definido: pasar los electrones inyectados por el emisor al colector. El colector debe su
nombre precisamente a que recolecta la mayor parte de los electrones de la base.

1.1.2. Electrones de la base

En el instante en que se aplica la polarización directa al diodo de emisor de la Figura 1.2, los electrones
del emisor todavía no han entrado en la región de la base. Si VBB es mayor que la barrera de potencial
emisor-base, los electrones del emisor entrarán en la base. En teoría, estos electrones libres pueden fluir
en cualquiera de las dos direcciones: pueden desplazarse hacia la izquierda y salir de la base, pasando a
través de RB en el camino hacia el terminal positivo de la fuente, o pueden fluir hacia el colector, pero
la mayoría irán hacia el colector, porque la base está ligeramente dopada y es muy estrecha.
Sólo unos pocos electrones libres se recombinarán con los huecos en la base ligeramente dopada.
Después, como electrones de valencia, fluirán a través de la resistencia de base hasta el terminal positivo
de la fuente de alimentación VBB .

1.1.3. Electrones del colector

Casi todos los electrones libres entran en el colector, una vez que están en el colector, se ven atraídos
por la fuente de tensión VCC , por lo que fluyen a través del colector y atraviesan RC hasta alcanzar el
terminal positivo de la tensión de alimentación del colector.

1.2. Corrientes del transistor

En la Figura 1.3, se ilustran las tres corrientes diferentes que hay en un transistor: corriente de emisor
IE , corriente de base IB y corriente de colector IC .

4
 Podemos comparar estas corrientes, de modo que el emisor es la co-
rriente más grande por ser la fuente de los electrones. La mayor parte
del flujo de electrones del emisor llega al colector, por lo que la corriente
de colector es prácticamente igual que la corriente de emisor. En com-
paración, la corriente de base es muy pequeña, a menudo menor que el
1 % de la corriente de colector.
Si aplicamos al transistor la ley de Kirchhoff: la suma de todas las
Figura 1.3 corrientes que entran en un punto o unión es igual a la suma de todas
las corrientes que salen del punto o unión. Encontramos la relación:

IE = IC + IB

Y debido a que dijimos que IB es muy pequeña, es decir IB ≪ IC , podemos decir que: IE ≈ IC .
También, en relación a las corrientes, podemos definir dos factores que caracterizan al transistor: alfa
de continua (αdc ) y beta de continua (βdc ).
αdc se define como la corriente continua de colector dividida entre la corriente continua de emisor:

αdc = IC
IE

Dado que la corriente de colector es prácticamente igual que la corriente de emisor, el alfa de continua
es un poco menor que 1. Por ejemplo, en un transistor de baja potencia, el alfa de continua normalmente
es mayor que 0,99. Incluso en un transistor de alta potencia, el alfa de continua normalmente es mayor
que 0,95.
Por otro lado, βdc se define como como la relación de la corriente continua de colector y la corriente
continua de base:

βdc = IC
IB

La beta de continua también se conoce como ganancia de corriente porque una corriente de base pe-
queña controla a una corriente de colector mucho más grande. La ganancia de corriente es una importante
ventaja de un transistor y ha llevado a todo tipo de aplicaciones. En los transistores de baja potencia
(menos de 1 W), la ganancia de corriente normalmente está comprendida entre 100 y 300. Los transistores
de alta potencia (por encima de 1 W) tienen usualmente ganancias de corriente comprendidas entre 20 y
100.
De modo que teniendo la ganancia del transistor y la corriente de base que aplicamos, podemos
calcular la corriente en el colector como:

IC = βdc IB

1.3. Conexiones de un transistor

Podemos conectar un transistor en tres modos distintos: emisor común (EM), colector común (CM)
o base común (BC). El modo más utilizado es el de EM, en el cual nos centraremos.

5
1.3.1. Transistor en emisor común
En la siguiente Figura se muestra una conexión en modo emisor común:

Figura 1.4

En la Figura 1.4, el lado común o tierra de cada una de las fuentes de tensión está conectada al
emisor . Por ello, el circuito se denomina conexión en emisor común (EC). El circuito tiene dos mallas:
la malla de la izquierda es la malla de la base y la de la derecha es la malla de colector. En la malla
de base, la fuente VBB polariza en directa al diodo de emisor con RB como resistencia limitadora de
corriente. Cambiando VBB o RB , podemos cambiar la corriente de base y, por tanto, cambiar la corriente
de colector. En otras palabras, la corriente de base (pequeña) controla la corriente (grande) de colector.
En la malla de colector, una tensión de fuente VCC polariza en inversa al diodo de colector a través
de RC . La tensión de alimentación VCC debe polarizar en inversa el diodo de colector como se muestra,
o de lo contrario, el transistor no funcionará apropiadamente. Dicho de otra manera, el colector debe ser
positivo para recolectar la mayor parte de los electrones libres inyectados en la base.
En la Figura 1.4, el flujo de la corriente de base en la malla izquierda genera una tensión en la
resistencia de base RB con la polaridad indicada. De forma similar, el flujo de la corriente de colector en
la malla derecha genera una tensión en la resistencia de colector RC con la polaridad indicada.

1.4. Curva característica de entrada

Aplicando la ley de Ohm a la resistencia de la base en el circuito de
la Figura 1.4(b) obtenemos esta derivación:

IB = VBB −VBE
RB

Si tenemos en cuenta las características de un diodo, que representa

al diodo emisor, podemos decir que VBE = 0, 7V , siendo la tensión
de arranque. Obtenemos la siguiente curva de entrada, mostrada en la
Figura 1.5.
Figura 1.5

6
1.5. Curvas de colector
De la Figura 1.4(a), podemos variar VBB y VCC para generar diferentes tensiones y corrientes de
transistor. Midiendo IC y VCE , podemos obtener los datos de una gráfica de IC en función de VCE .
Por ejemplo, supongamos que cambiamos VBB para poder obtener una corriente IB = 10µA. Teniendo
este valor fijo de la corriente de base, podemos variar ahora VCC y medir IC y VCE . Dibujando estos
datos se obtiene la gráfica mostrada en la Figura 1.6.

Figura 1.6

Cuando VCE es cero, el diodo de colector no está polarizado en directa, siendo IC = 0. Cuando VCE
aumenta desde cero, IC crece de forma abrupta como se ve en la Figura 1.6. Cuando VCE es igual a unas
pocas décimas de voltio, la corriente de colector se hace casi constante e igual a 1mA.
La región de corriente constante está relacionada con el funcionamiento normal del transistor. Después
de que el diodo de colector pase a estar polarizado en inversa, se recolectan todos los electrones que llegan
a la zona de deplexión. Además, el aumento de VCE no puede aumentar la corriente de colector, porque
el colector sólo puede absorber aquellos electrones libres que el emisor inyecta en la base. El número
de electrones inyectados sólo depende del circuito de la base. Ésta es la razón por la que la Figura 1.6
muestra una corriente de colector constante entre VCE menor que 1V hasta 40V.
Si VCE es mayor que 40V, el diodo de colector entra en disrupción y se sale del funcionamiento
normal del transistor. Por esta razón, un parámetro limitador del transistor es la tensión de disrupción
colector-emisor VCE (máx). Si el transistor entra en disrupción, se destruirá.

1.5.1. Potencia y tensión del colector

Cuando se aplica al circuito de colector de la Figura 1.4, la ley de las tensiones de Kirchoff nos
proporciona esta derivación:

VCE = VCC − IC RC

Esto quiere decir que la tensión colector-emisor es igual a la tensión de alimentación del colector
menos la tensión que cae en la resistencia de colector. En la Figura 1.4, el transistor tiene una disipación
de potencia de aproximadamente:

PD = VCE IC

Lo que significa que la potencia del transistor es igual a la tensión colector-emisor por la corriente de
colector. Esta disipación de potencia hace que la temperatura de la unión del diodo de colector aumente.
Cuanto mayor es la potencia, más alta es la temperatura de la unión. Los transistores se quemarán cuando

7
la temperatura de la unión se encuentre entre 150 y 200°C. Uno de los parámetros más importantes
especificados en una hoja de características es la potencia máxima PD (máx).

1.5.2. Región de operación

La curva de la Figura 1.6 presenta diferentes regiones en las que el funcionamiento del transistor
varía. La primera de ellas es la región intermedia donde VCE toma valores entre 1V y 40V, y tiene lugar
el funcionamiento normal del transistor. En esta región, el diodo de emisor está polarizado en directa y
el diodo de colector está polarizado en inversa. Esta región es la región activa. Gráficamente, la región
activa es la parte horizontal de la curva. En otras palabras, la corriente de colector es constante en esta
región.
Otra región de operación es la región de disrupción. El transistor nunca debería funcionar en esta
región porque se destruiría. A diferencia del diodo zener, que está optimizado para trabajar en la zona
de disrupción, el transistor no está preparado para operar en esta región.
La tercera es la parte creciente de la curva, donde VCE toma valores entre 0V y unas décimas de
voltio. Esta parte de la curva define la región de saturación. En esta región, el diodo de colector no
tiene la suficiente tensión positiva como para capturar todos los electrones libres inyectados en la base.
En esta región, la corriente de base IB es mayor que la normal y la ganancia de corriente βdc es menor
que la normal.
La última región de operación es cuando consideramos la corriente de base cero, pero existe una
pequeña corriente de colector. Esto se ve en la curva de la parte inferior de la Figura 1.7 y es la región
de corte del transistor y la pequeña corriente de colector se denomina corriente de corte de colector.

Figura 1.7

La Figura 1.7 representa distintas curvas de colector para distintas corrientes de base propuestas. En
este ejemplo, la región activa la IC es 100 veces IB , es decir que la ganancia del transistor es βdc = 100
Generalmente, se trabaja el transistor como amplificador en la región activa y las regiones de satura-
ción y de corte resultan útiles en los circuitos digitales y de computadoras, y se conocen como circuitos
de conmutación.

8
Rectas de carga

Vamos a tomar una conexión del transistor en emisor común como la vista anteriormente, partiendo
del circuito de la Figura 2.1(a), de modo que dados los valores de RB y βdc , podemos calcular la corriente
de colector y la tensión de colector.

Figura 2.1

El circuito de la Figura 2.1(a) es un ejemplo de polarización de base, lo que significa que se

establece un valor fijo de la corriente de base. Por ejemplo, si if RB = 1M Ω, la corriente de base es
aproximadamente 14,3 µA. Incluso si se reemplaza un transistor o hay variaciones de temperatura, la
corriente de base permanece constante, bajo todas las condiciones de operación.
Si βdc = 100, la corriente de colector es aproximadamente igual a 1,43 mA y la tensión colector-emisor
es: VCE = VCC − IC RC = 15V − (1, 43mA)(3kΩ) = 10, 7V . Por tanto, el punto de reposo (quiescent) Q
de la Figura 2.1(a) es:

IC = 1, 43mA y VCE = 10, 7V

También podemos hallar el punto Q utilizando una solución gráfica basada en la recta de carga del
transistor, una gráfica de IC en función de VCE . En la Figura 2.1(a):

VCE = VCC − IC RC =⇒ IC = Vcc −VCE

RC

Si dibujamos esta ecuación en la gráfica, obtendremos una línea recta como se ve en la Figura 2.1(b).
Esta línea se denomina recta de carga porque representa el efecto de la carga en IC y VCE .
Esta recta es útil porque contiene todos los puntos de trabajo posibles para el circuito. Dicho de otra
forma, cuando la resistencia de base varía de cero a infinito, la corriente IB varía, lo que hace que IC y

9
VCE varíen dentro de sus rangos completos. Si dibujamos los valores de IC y VCE para todos los valores
posibles de IB , obtendremos la recta de carga. Por tanto, la recta de carga es un resumen visual de todos
los posibles puntos de operación del transistor.

2.1. Punto de saturación

Cuando la resistencia de base es demasiado pequeña, la corriente de colector se hace muy grande y la
tensión colector-emisor cae a aproximadamente cero. En este caso, el transistor entra en saturación, lo
que significa que la corriente de colector es máxima.
El punto de saturación es el punto de la Figura 2.1(b) donde la recta de carga intersecta con la región
de saturación de las curvas de colector. Dado que VCE en el punto de saturación es muy pequeña, este
punto toca casi el extremo superior de la recta de carga.
El punto de saturación nos especifica la máxima corriente de colector posible del circuito. Por ejemplo,
el transistor de la Figura 2.1(a) entra en saturación cuando la corriente de colector es aproximadamente
igual a 5 mA. Con esta corriente, VCE disminuye hasta prácticamente cero.
La fórmula para calcular la corriente de saturación en los circuitos con polarización de base es:

IC(sat) = VCC
RC

2.2. Punto de corte

El punto de corte es el punto en el que la recta de carga intersecta con la región de corte de las curvas
de colector, como se muestra en la Figura 2.1(b). Puesto que la corriente de colector en el punto de corte
es muy pequeña, el punto de corte es muy próximo al extremo inferior de la recta de carga.
Dado que no hay corriente a través de la resistencia de colector para esta condición de circuito abierto,
la tensión de alimentación del colector aparecerá entre los terminales de colector y emisor:

VCE(corte) = VCC

2.3. Punto de operación Q

Tomemos el ejemplo de la Figura 2.2(a), que muestra un circuito con polarización de base con una
resistencia de base de 500kΩ. Aplicando el procedimiento visto anteriormente podemos obtener su recta
de carga como se muestra en la Figura 2.2(b).
Vamos a suponer también que es un transistor ideal con ganancia 100, para simplificar. De modo que
la corriente de base se puede calcular como: IB = 15V /500kΩ = 30µA. Y la corriente de colector equivale
a: IC = 30µA ∗ 100 = 3mA.
Podemos finalmente encontrar la tensión colector-emisor como: VCE = 15V − (3mA)(3kΩ) = 6V .
Reflejando en la gráfica los valores obtenidos, 3 mA y 6 V (la tensión y la corriente de colector),
obtenemos el punto de trabajo mostrado en la recta de carga de la Figura 2.2(b). El punto de trabajo se
ha etiquetado como Q, porque se denomina punto de reposo.
Según la ubicación del punto Q, existen dos tipos básicos de circuitos de transistores: los circuitos
de amplificación y de conmutación. En los circuitos de amplificación, el punto Q debe permanecer en

10
 Figura 2.2

la región activa para todas las condiciones de operación. Si no ocurre así, la señal de salida se verá
distorsionada en los picos, donde se produce la saturación y el corte. En los circuitos de conmutación, el
punto Q normalmente conmuta entre saturación y corte.
Por otro lado, en la Figura 2.2(b) podemos ver dos puntos (QH y QL ). El punto QH es un punto de
trabajo calculado para un transistor con una ganancia βdc = 150 y el punto QL es un punto de trabajo
calculado para un transistor con una ganancia βdc = 50. De esta forma, podemos decir que el circuito es
dependiente de beta.
En los amplificadores, se necesitan circuitos cuyos puntos Q sean inmunes a las variaciones de la
ganancia de corriente, de modo que se utilizan circuitos de polarización de emisor, como en la Figura 2.3.
Como puede ver, la resistencia se ha pasado del circuito de base al circuito de emisor. Este único cambio
provoca una enorme diferencia. El punto Q de este nuevo circuito es hora extremadamente estable.
Cuando la ganancia de corriente varía entre 50 y 150, el punto Q no muestra prácticamente ningún
movimiento a lo largo de la línea de carga. Es un circuito independiente de beta.

Figura 2.3

En esta nueva configuración podemos obtener la tensión de emisor como: VE = VBB − VBE , con

11
VBE = 0, 7V . Y considerando la ley de Ohm, obtenemos la corriente de colector como:

IE = VE
RE ≈ IC

Conociendo la corriente de colector, se puede llegar a la tensión de colector y luego a la tensión

colector-emisor:

VC = VCC − IC RC
VCE = VC − VE

Con estos datos, podemos conocer la posición del punto Q.

Finalmente, podemos decir que ganancia de corriente tiene un efecto secundario en la corriente de
colector. Bajo todas las condiciones de operación, la tres corrientes están relacionadas por la siguiente
expresión:

IE = IC + IB

que podemos expresar como,

IE = IC + IC
βdc

despejando la corriente de colector, obtenemos:

IC = βdc
βdc+1 IE

El cociente que multiplica a IE se denomina factor de corrección y nos dice cuanto difiere IC de
IE . Cuando la ganancia de corriente es 100, el factor de corrección es aproximadamente de 0,99, esto
quiere decir que la corriente de colector es igual al 99 % de la corriente de emisor. Por tanto, el error que
cometemos al ignorar el factor de corrección es sólo de un 1 %, por lo que decimos que la corriente de
colector es igual a la corriente de emisor.

12
Polarización

Vamos a ver el circuito más ampliamente utilizado para polarizar un transistor, donde la base contiene
un divisor de tensión. Este se muestra en la siguiente Figura:
Desde el punto de vista del colector:

VCC = RC IC + VCE + IE RE
VCC − VCE = RC IC + IE RE

Sabemos que:

 I =I +I
E C B
⇒ IE = (βdc + 1) βIdc
C
 IC = βdc

Reemplazando:
βdc + 1
  
VCC − VCE = RC + RE IC (3.1)
βdc
VCC − VCE
IC = (3.2)
RC + RE βdc
βdc
+1

Esto lo podemos aproximar a:

VCC − VCE Figura 3.1

IC = (3.3)
RC + RE

Por otro lado, desde el punto de vista del circuito de la base del transistor, abordamos el problema
aplicando Thevenin (divisor de tensión), como se muestra en la Figura 3.2.
La resistencia de Thevenin es: RT H = RB = R1 +R2 .
R1 R2
Y la tensión
de Thevenin es: VT H = VB = Vcc R1R+R
1
2
.
Además, analizando el circuito podemos decir que:

VB = IB RB + VBE + IE RE = IB RB + VBE + IB (βdc + 1)RE (3.4)

Despejando IB :
VB − VBE
IB = (3.5)
RB + (βdc + 1)RE
Considerando que IC = βdc IB :
Figura 3.2
βdc (VB − VBE ) VB − VBE VB − VBE
IC = = ≈ (3.6)
RB + (βdc + 1)RE RB
+ (βdc +1)
βdc + RE
RB
βdc βdc RE

13
Para que la corriente de colector sea estable ante variaciones de βdc o cambio de transistor se hace:

RB RB VB − VBE
< RE , porejemplo : RE = 10 ⇒ IC = (3.7)
βdc βdc 1,1RE

Hay que tener en cuenta que VCC , R1 , R2 y RC controlan la corriente de saturación y la tensión de
corte. Una variación en cualquiera de estas magnitudes hará que varíen IC(sat) y/o VCE(corte) . Una vez
que el diseñador ha determinado los valores de las variables anteriores, se varía la resistencia de emisor
para definir el punto Q en cualquier posición a lo largo de la recta de carga. Si RE es demasiado grande,
el punto Q de desplaza al punto de corte. Si RE es demasiado pequeña, el punto Q se mueve hacia la
región de saturación. Algunos diseñadores definen el punto Q en el centro de la recta de carga.

14
Transistores de Efecto de Campo (FET)

En este capítulo vamos a abordar el estudio de los transistores de efecto de campo conocidos como
FET (Field Effect Transistor). Entre ellos podemos distinguir dos grandes tipos: JFET (Junction Field
Effect Transistor) y MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).
Antes de ver el funcionamiento de estos transistores, consideremos algunas de las principales analogías
y diferencias existentes entre los transistores FET y los BJT vistos anteriormente:

La principal diferencia radica en el hecho de que el transistor BJT es un dispositivo controlado por
corriente, mientras que los transistores FET son dispositivos controlados por tensión. En ambos
casos, la corriente del circuito de salida es controlada por un parámetro del circuito de entrada. En
los FET se crea un campo eléctrico que controla la anchura del camino de conducción del circuito
de salida sin que exista contacto directo entre la magnitud controlada (corriente) y la magnitud
controladora (tensión).

De forma análoga, en los BJT existen dos tipos npn y pnp, en los FET se habla de transistores de
canal n y de canal p.

Una diferencia importante es que los transistores BJT son bipolares, es decir, en la corriente in-
tervienen los dos tipos de portadores (electrones y huecos), mientras que los transistores FET son
unipolares, en los que el nivel de conducción dependerá únicamente de los electrones en los de canal
n y de los huecos en los de canal p.

Los FET tienen una alta impedancia de entrada desde uno a varios cientos de M Ω, muy superiores
a la que presentan los BJT del orden de unos pocos KΩ. Esto proporciona una posición de ventaja
en circuitos amplificadores.

El transistor BJT presenta mayor sensibilidad a los cambios en la señal aplicada, es decir, la
variación de la corriente de salida es mayor en los BJT que en los FET para la misma variación
de la tensión aplicada. Por ello, típicamente, las ganancias de tensión en alterna que presentan los
amplificadores con BJT son mucho mayores que las correspondientes a los FET.

Los FET son más estables con la temperatura y más pequeños en construcción, lo que les hace
particularmente útiles en circuitos integrados.

Los FET se pueden comportar como si se tratasen de resistencias o condensadores.

15
4.1. JFET
Particularmente, en este capítulo, desarrollaremos los transistores de unión de efecto de campo
(JFET). Estos se pueden dividir en dos grandes grupos: de canal n y de canal p, cuyos símbolos se
observan en las Figuras 4.1.
Podemos observar que es dispositivo esta compuesto de
tres terminales:
D=Drenador(Drain): Es el terminal por al que salen los
portadores del dispositivo (los electrones en el JFET de
canal n y los huecos en el de canal p)
S = Fuente(Source): Es el terminal por el que entran
los portadores.
G = Puerta(Gate): Es el terminal mediante el que se
controla la corriente de portadores a través del canal. Figura 4.1: Símbolos JFET
Internamente, para un transistor de canal n, su estruc-
tura se puede visualizar en la Figura 4.2. Podemos observar
como la mayor parte de la estructura es de material tipo n
ligeramente dopado formando un canal con contactos óhmi-
cos en ambos extremos (Drenador y Fuente). Este canal se
encuentra inserto entre dos regiones de compuerta tipo p+
con los terminales de puerta. En ausencia de potencial apli-
cado, las dos uniones p-n que aparecen están sin polarizar,
resultando una región de vaciamiento o zona de deplexión
carente de portadores libres.
Para el funcionamiento más habitual, los transistores de
canal n se polarizan aplicando una tensión positiva entre dre- Figura 4.2: JFET de canal n
nador y fuente (VDS ) y una tensión negativa entre puerta y fuente (VGS ). De esta forma, la corriente
circulará en el sentido de drenador a fuente. En el caso del JFET de canal p la tensión VDS a aplicar
debe ser negativa y la tensión VGS positiva, de esta forma la corriente fluirá en el sentido de la fuente
hacia el drenador. Esto se observa en la Figura 4.3. A partir de ahora analizaremos el transistor única-
mente de canal n, ya que para el canal p el análisis es análogo con las consideraciones vistas anteriormente.

Figura 4.3: Polarización JFET

16
4.1.1. Principio de funcionamiento

Primero, vamos a suponer la tensión VGS = 0 y a ir aumentando el valor de VDS desde 0.

Al establecer una tensión VGS = 0 los termi-
nales de fuente y puerta están al mismo potencial,
por tanto la zona de deplexión del lado de la fuente
será semejante a la que teníamos en condiciones de
no polarización. En el instante en que apliquemos
una tensión VDS , los electrones se verán atraídos
hacia el lado del drenador, estableciéndose una co-
rriente ID en el sentido mostrado en la Figura 4.4. Figura 4.4: Característica ID − VDS con VGS = 0
Bajo estas condiciones, las corrientes ID e IS se- para VDS pequeñas
rán iguales y se verán únicamente limitadas por
la resistencia eléctrica que presenta el canal entre
el drenador y la fuente. Es importante notar que
ambas uniones p-n se encuentran polarizadas en
inversa, con lo cual la corriente a su través será
prácticamente nula.
Cuando aplicamos una tensión VDS , esta se dis-
tribuirá a lo largo del canal, que en un principio y Figura 4.5: Característica ID − VDS con VGS = 0
para tensiones pequeñas, podemos suponer unifor- para VDS <≈ VDSsat
me. De esta forma, si nos fijamos en la polarización
inversa de las uniones p-n, podemos observar co-
mo éstas están más inversamente polarizadas de la
zona del drenador que de la zona de la fuente. Por
lo que, la anchura efectiva del canal será menor en
la parte del drenador que en la parte de la fuente.
Para valores pequeños de VDS , el estrechamien-
to del canal no será importante, por lo que el dis-
Figura 4.6: Característica ID − VDS con VGS = 0
positivo se comporta, en esencia, como una resis-
para VDS > VDSsat
tencia, de forma que la relación entre la tensión
aplicada y la corriente que circula por el dispositivo será según la Ley de Ohm, como se muestra en la
Figura 4.4. Sin embargo, a medida que aumentamos la tensión aplicada, el estrechamiento del canal se va
haciendo más importante, lo que lleva a un aumento de la resistencia y un menor incremento de corriente
ante un mismo incremento de VDS , generando la curva observada en la Figura 4.5.
Si continuamos aumentando VDS , el canal se estrecha cada vez más, especialmente cerca de la zona
del drenador, hasta que ambas zonas de deplexión de tocan. La tensión VDS para la cual se produce el
estrangulamiento del canal se denomina VDSsat . Para tensiones VDS superiores a este valor, la pendiente
de la curva (ID − VDS ) se satura, haciéndose aproximadamente cero, manteniéndose la corriente ID
prácticamente constante a un valor denominado IDSS (Corriente drenador - fuente de saturación) que
es la máxima corriente que podemos tener para un determinado JFET (característico para cada JFET),
mostrado en la Figura 4.6.

17
 Una vez establecida la variación de ID en función de VDS cuando VGS = 0, tenemos que estudiar
el comportamiento del JFET para tensiones VGS < 0 (por ser JFET de canal n), este es muy similar
al visto anteriormente con alguna pequeña modificación. Si suponemos, en primer lugar VDS = 0, para
valores de VGS < 0, las uniones p-n están polarizadas inversamente. Una polarización inversa de dichas
uniones incrementa el ancho de la zona de deplexión disminuyendo la anchura efectiva del canal n. Por
tanto la resistencia del canal aumenta, es decir, para valores pequeños de VDS donde la relación ID − VDS
es lineal, la pendiente será menor cuanto mas negativa sea VGS , como se muestra en la Figura 4.7.

Figura 4.7: Comportamiento del JFET en función de la variación de VGS

Por último, para tensiones VGS suficientemente negativas, podría llegar a cerrarse por completo el
canal, aun cuando VDS = 0. Esto sucede cuando VGS alcanza o disminuye por debajo del valor VGSof f
(Tercer caso de la Figura 4.7). Este es un parámetro característico de cada JFET que indica el valor de
tensión por debajo del cual el canal está completamente vaciado no habiendo posibilidad de circulación
de corriente por mucho que se aumente VDS (Salvo que se produzca la ruptura de las uniones p-n).

4.1.2. Curvas características

Si juntamos ahora en una misma gráfica el efecto de ambas tensiones (VDS y VGS ), representando la
corriente de drenador en función de ellas, aparecen las denominadas curvas características del transistor
JFET, como observamos en la Figura 4.8.
En la misma podemos ver como el valor de la tensión VDS para el que se produce la saturación de ID
cuando VGS = 0, aparece representado como VP haciendo referencia al “estrangulamiento” o “pinch-off”
que se ha producido en el canal. Esta se puede considerar como VP = −VGS .
Por otro lado, para otros valores de VGS el valor de VDS para el que se producirá la saturación de
la corriente de drenador vendrá dado por la expresión VDSsat = VGS − VGSof f . Es decir, cuanto más
negativa sea la tensión VGS antes se alcanzará la condición de saturación.
En las curvas características de la Figura 4.8. podemos distinguir 4 zonas bien diferenciadas:

Zona de corte o de no conducción: Se corresponde con el eje horizontal de la gráfica. En esta

zona la corriente ID = 0 con independencia del valor VDS . Esto se da para valores de VGS ≤ VGSof f ,
donde el canal está completamente cerrado.

Zona óhmica o de no saturación: Se da para valores de VDS < VDSsat . Para estos valores
de tensión el canal se va estrechando de la parte del drenador, principalmente, hasta llegar al
estrangulamiento completo para VDSsat . En esta zona el transistor se comporta aproximadamente

18
como una resistencia variable controlada por VGS , sobre todo para valores pequeños de VDS , ya
que para valores cercanos a VDSsat se va perdiendo la linealidad.

Zona de saturación o de corriente constante: Esta zona se da para valores VDS > VDSsat .
Ahora ID permanece invariante frente a los cambios de VDS y sólo depende de la tensión VGS
aplicada. En esta zona el transistor se comporta como una fuente de corriente constante controlada
por VGS . La relación entre ambas viene dada por la siguiente ecuación:
 2
VGS
ID = IDSS 1 − (4.1)
VGSof f

Zona de ruptura: En un transistor JFET tenemos dos uniones p-n polarizadas en inversa. Sin
embargo, esta tensión inversa no se puede aumentar indefinidamente, ya que si se supera un de-
terminado valor (tensión de ruptura, característico de cada unión y que suele ser proporcionado
por el fabricante) la unión se perfora, produciéndose la ruptura del dispositivo. En nuestro caso
las uniones p-n están sometidas a una mayor polarización inversa del lado del drenador. Por tanto,
el JFET entrará en ruptura cuando en la zona del drenador se supere la tensión de ruptura de la
unión, es decir, cuando VDG ≥ Vr . Teniendo en cuenta que VDS = VGS + VDG la ruptura se dará
para VDSruptura ≥ VGS + Vr .

Figura 4.8: Curvas características ideales del JFET de canal n

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Referencias

Malvino, A. ; Bates, D. (2007), "Principios de Electrónica", 7ma Edición. España, The McGraw-Hill.

Funes, R., Cátedra de "Electrónica Analógica I". Facultad de Ingeniería, Universidad de Mendoza,
Visitado en 2021.

Briongos, F.H.; Rodríguez Cuesta, M.V.; Gutiérrez Serrano, J. R.; Sáenz Novales, M.J. "Transistores
de Efecto de Campo" Cátedra de Electrónica General,Dpto. de Electrónica y Telecomunicaciones,
Universidad del País Vasco, Visitado en julio 2022.

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