TRANSISTOR

El transistor de unin.
El transistor es un dispositivo electrnico de tres capas de material semiconductor, como se muestra en la figura. Al primero de ellos se le denomina PNP, y al segundo NPN.

1 capa, material tipo P A sta seccin se le llama: EMISOR

2 capa, material tipo N

3 capa, material tipo P A sta seccin se le llama: COLECTOR

1 capa, material tipo N A esta seccin se le llama: EMISOR

2 capa, material tipo P

3 capa, material tipo N A esta seccin se le llama: COLECTOR

A sta seccin se le llama: BASE

A esta seccin se le llama: BASE

Caractersticas de las capas semiconductoras del transistor:

Emisor.- Es de dimensiones mayores a la base, muchsimos portadores mayoritarios, y se encarga de inyectar stos portadores hacia el colector, los cuales sern regulados por la base. Base.- Es de dimensiones muy delgadas, contiene pocos portadores mayoritarios y minoritarios, por lo que tiende a disminuir su conductividad (Alta impedancia)

Colector.- Es de dimensiones mucho mayores que el emisor, pero tiene muchos portadores mayoritarios, menos que los del emisor, pero mucho ms que la base.

ELEMENTOS DEL TRANSISTOR EMISOR COLECTOR BASE EMISOR: Suministra portadores mayoritarios, para el flujo de la corriente en el transistor.

 COLECTOR: RECOGE LA CORRIENTE PROVENIENTE DEL EMISOR PARA LA OPERACIN DEL CIRCUITO BASE: HACE LAS VECES DE LAS UNIONES O JUNCIONES REQUERIDAS PARA LA INTERACCION ADECUADA ENTRE EL EMISOR Y EL COLECTOR.

Funcin del transistor El transistor es un componente electrnico que regula la transferencia de portadores mayoritarios del emisor a colector, mediante la polarizacin aplicada a las uniones; emisor base y base colector. Emisor-base; se polariza directamente.
R + + + + + + -

Base-colector; se polariza inversamente.

+ +

+ +

P
Concentracin de huecos

+ -

Si se unen ambas junturas. . .

R

. . . .el funcionamiento de la primera unin no afecta al de la segunda Si la zona central es muy ancha el comportamiento es igual que dos diodos en serie:

Si se hace mas angosta la capa de la BASE. . .

R

. . . . existe un movimiento de carga de emisor a colector. Ntese que el transistor requiere una polarizacin adecuada.

El flujo de carga elctrica de emisor a colector es aproximadamente del 95 al 97% del total, y hacia la base circula del 3 al 5% restante.
R

El terminal central (base) maneja una fraccin de la corriente que circula entre los otros dos terminales (emisor y colector): EFECTO TRANSISTOR

Smbolo elctrico de un transistor PNP

B R

Base

Emisor

Colector

Transistor PNP
P N P

El terminal de base acta como terminal de control manejando una fraccin de la corriente mucho menor a la de emisor y el colector. El emisor tiene una concentracin de impurezas muy superior a la del colector.

Transistor NPN funciona de una manera equivalente al PNP:

R

En este caso la corriente se debe mayoritariamente al movimiento de electrones.

En un transistor NPN en conduccin, la corriente por emisor, colector y base circula en sentido opuesto a la de un PNP.

 Aplicando la ley de corriente de Kirchhoff al transistor IE = IB + IC La corriente en el emisor es la suma de las corrientes en la base y el colector.
100 % 95 al 97 %

3a5%

E Smbolo elctrico de un transistor NPN B C

R

Base

Emisor

Colector

Transistor NPN
N P N

La mayor movilidad que presentan los electrones hace que las caractersticas del transistor NPN sean mejores que las de un PNP de forma y tamao equivalente. Los NPN se emplean en mayor nmero de aplicaciones.

El emisor se representa, por medio de una flecha que seala la direccin del flujo de huecos.

La flecha siempre esta en el emisor

La flecha seala el semiconductor tipo N

Por convencin se dice que el emisor inyecta portadores mayoritarios a la base de modo que un emisor tipo P, se muestra con la flecha sealando la BASE

P
COLECTOR

EMISOR

BASE

 En un emisor tipo N, se representa con la flecha alejndose de la base, para indicar que se inyectan electrones
P N COLECTOR

N EMISOR

BASE

Algunas presentaciones de transistores de unin se muestran en la siguiente figura.

1. La flecha siempre esta en el emisor.

2. La flecha siempre apunta al semiconductor N. 3. Emisor-base; se polariza directamente.

4. Base-colector; se polariza inversamente.

CONEXIONES
in out

BASE COMUN: por que la base participa tanto en la entrada como en la salida EMISOR COMUN: por que el emisor participa tanto en la entrada como en la salida.

out in

out
in

COLECTOR COMUN: por que el colector participa tanto en la entrada como en la salida.

CONFIGURACIN DE BASE COMN.

La terminologa relativa a base comn se desprende del hecho de que la base es comn a los circuitos de entrada y de salida.

La base es usualmente la terminal ms cercana al potencial de tierra. La flecha en el smbolo del transistor representa la direccin de la corriente de emisor (flujo convencional o direccin de los huecos).

La unin base- emisor se polariza en sentido directo presentando una resistencia (Ri) relativamente baja (la resistencia del circuito de entrada es baja). Veamos los siguientes diagramas, en los cuales se muestra la polarizacin del transistor, as como el voltaje de entrada (Vin), la salida (Vout) y la resistencia de colector (RC) o resistencia de carga.

Transistor NPN

Transistor PNP

La unin colector- base se polariza en sentido inverso y presenta una resistencia del circuito de salida elevada. Veamos los siguientes diagramas.
Transistor NPN Transistor PNP

Recuerda que en una batera:

Recuerda que en los semiconductores:

Cuando el positivo de una batera se conecta al semiconductor P y el negativo al semiconductor N, se dice que se polariza en sentido directo, y la barrera de potencial (regin de agotamiento) se reduce hasta desaparecer. Por el contrario, cuando el positivo de la batera se conecta al semiconductor N y el negativo al semiconductor P, se dice que se polariza en sentido inverso, y la barrera de potencial (regin de agotamiento) se aumenta hasta evitar el flujo de corriente (flujo de portadores mayoritarios), y el flujo de corriente se evita por que al aumentar el ancho de la regin de agotamiento, aument enormemente la resistencia en la unin N-P polarizada en sentido inverso.

 La unin base- emisor se polariza en sentido directo presentando una resistencia relativamente baja.

 La unin colector- base se polariza en sentido inverso y presenta una resistencia elevada

ACCION AMPLIFICADORA DEL TRANSISTOR

Recordemos que en un transistor, la corriente de colector (IC) va de 95 al 97% de la corriente del emisor (IE), entonces podemos decir, que la corriente del emisor es prcticamente la misma que la del colector. Bajo este principio vamos a explicar la accin amplificadora del transistor de forma muy superficial, mediante el siguiente diagrama:

La polarizacin, por medio de las bateras, no la muestro en el diagrama, ya que lo que nos interesa en ste momento es como se produce la amplificacin del voltaje Vin que est en la entrada, por consiguiente, consideraremos que el transistor ya se encuentra correctamente polarizado y no es necesario mostrar las bateras, nicamente trabajaremos con el voltaje Vin y el voltaje VL que est a la salida del circuito.

Para la configuracin de base comn, recordemos que el circuito de entrada presenta una resistencia baja y tpicamente vara entre 10 y 100 . Por otro lado, la resistencia de salida es muy alta y tpicamente vara entre 50 k y 1 M. Recordemos que la diferencia en resistencia se debe a la unin polarizada directamente en la entrada (base a emisor en polarizacin directa que causa una resistencia muy baja) y la unin polarizada inversamente en la salida (base a colector en polarizacin inversa que causa una resistencia muy alta). Utilizando, para este ejemplo, un valor comn de 20 para la resistencia de entrada (resistencia base a emisor de Ri= 20), tenemos que:
IE Vin 200 mV 10 mA Ri 20
Entonces la corriente del emisor (IE) es de 10mA,

Si asumimos que I C I E , entonces la corriente del colector (IC) es tambin de 10 mA, entonces tenemos que:

I C I E 10mA

VL I C RL (10mA)(5K) 50V
Si tenemos a la entrada un voltaje de Vin= 200mV, y a la salida un voltaje de VL= 50V, tenemos una amplificacin de voltaje (AV) de:

AV

VL 50V 250 Vin 200 mV

 Los valores tpicos de amplificacin de voltaje para la configuracin de base comn varan de 50 a 300 V. La amplificacin de corriente (IC/IE) siempre es menor que 1 para la configuracin de base comn. Esta ltima caracterstica debe ser evidente ya que IC = IE y siempre es menor que 1. La accin bsica de amplificacin se produjo transfiriendo una corriente de un circuito de baja resistencia a uno de alta. La combinacin de los dos trminos en color produce el nombre de transistor, es decir: transferencia + resistor > transistor

Las intensidades de emisor y colector son prcticamente iguales y precisamente su diferencia origina la pequea intensidad de base. La Ganancia de Corriente en un circuito con transistor configurado en base comn, es menor a 1, ya que la corriente de salida (IC que es la corriente del colector) es menor que la corriente de entrada (IE que es la corriente del emisor) y la ganancia de corriente es conocida como (alfa) y viene dada por:

IC 1 IE

GANANCIA DE CORRIENTE

1. IGAN 2. IGAN

ISALIDA IENTRADA

ESALIDA RENTRADA

Ic IE
Corriente de salida (corriente de colector) es siempre menor que la de entrada (corriente de emisor.

5.83 0.97 6
mayor

Como Ic < I E <1

 La amplificacin puede conseguirse , ya que existe una gran diferencia entre las resistencia de entrada y salida, que son atravesadas por intensidades prcticamente iguales. Ejemplo: Si un transistor esta polarizado de tal manera que la resistencia del circuito emisor base sea de 150 ohms y la resistencia del circuito base colector es de 15,000 ohms, cual seria la ganancia de la resistencia si tiene una alfa de: =0.97.

Resistencia de salida Gananciade resistencia Resistencia de entrada

Solucin: Ganancia de resistencia: 100 Ganancia de voltaje: 97 Ganancia de potencia: 94.09

 E = I R en trminos de ganancia a) E GAN = (I GAN ) ( R GAN) Sabemos que I GAN = , sustituyndolo en a) quedara E GAN = ( R GAN) En potencia P = EI P GAN = (E GAN) (I GAN ) P GAN = (E GAN)

 Segn la ley de Ohm, si un transistor tuviese = 0.97, y una ganancia de resistencia de 50; calcular: La ganancia de voltaje La ganancia de potencia.
Solucin: Ganancia de voltaje: 48.5 Ganancia de potencia: 47.045

INCONVENIENTES DEL AMPLIFICADOR DE BASE COMUN

A pesar de que es el mas adecuado para explicar la amplificacin con transistor de base comn, este no es el mas empleado: a) La resistencia de entrada es baja, ya que es necesario disponer de un generador de seales de entrada con resistencia baja, y estas condiciones no son muy usuales.

B)La considerable diferencia entre las resistencia de entrada y salida (50 y 500 ), dificulta la conexin en cascada de varias etapas de amplificacin. Necesitndose transformadores que sirven como adaptadores, resultando muy caro c)La conexin BC (base comn) tiene una ganancia de tensin elevada, pero la ganancia de corriente es inferior a la unidad, limitando su empleo.

VENTAJAS
1. La corriente de fuga resulta menos inconveniente. 2. El transmisor puede trabajar a mucho mayor frecuencia que con la conexin emisor comn. 3. La conexin BC no es tan sensible a las variaciones de los parmetros como la conexin EC

CONFIGURACIN DE EMISOR COMN.

La terminologa relativa a emisor comn se desprende del hecho de que el emisor es comn a los circuitos de entrada y de salida.

Para un transistor configurado en emisor comn, el emisor es usualmente la terminal ms cercana al potencial de tierra.

Transistor NPN

Transistor PNP

Estos diagramas muestran la polarizacin del transistor, as como el voltaje de entrada (Vin), la salida (Vout) y la resistencia de colector (RC) o resistencia de carga.

La conexin de emisor comn es la que ms se utiliza de las tres configuraciones del transistor, por tener las siguientes ventajas: Con la configuracin emisor comn se consigue buena ganancia de voltaje, de corriente y de potencia. Su resistencia de entrada (resistencia que existe entre la base y el emisor) y su resistencia de salida (la resistencia de salida es la que existe entre el colector y el emisor) no son muy grandes y no hay tanta dierencia entre ellas como en el caso de la configuracin de base comn. Esta configuracin permite que se puedan conectar ms transistores en cascada.

Estas ventajas son muy buenas, pero tiene unos cuantos inconvenientes, y son los siguientes:
La temperatura puede ocasionar un mal funcionamiento del transistor. Su velocidad de respuesta con alta frecuencia no estan buena como en la configuracin de base y colector comn.

 La Ganancia de Corriente en un circuito con transistor configurado en emisor comn, es mucho mayor a 1, y se representa por (beta) mediante la siguiente ecuacin:

IC IB
Donde IC es la corriente de salida (corriente de colector), y la IB es la corriente de entrada (corriente de la base).

Los valores tpicos de beta () van desde 40 a 200

GANANCIA DE CORRIENTE

1. IGAN

ISALIDA IENTRADA

Ic IB

IE IB IC

PROBLEMA
Un transistor tiene una R ent. = 500 ohms, R sal = 5000 ohms y = 35, cual es su ganancia en resistencia, voltaje y potencia
RGAN RSALIDA RENTRADA

 E = IR en trminos de ganancia a) E GAN = (I GAN ) ( R GAN) Sabemos que I GAN = , sustituyndolo en a) quedara E GAN = ( R GAN) En potencia P = EI P GAN = (E GAN) (I GAN ) P GAN = (E GAN)

CONFIGURACIN DE COLECTOR COMN. La terminologa relativa a colector comn se desprende del hecho de que el colector es comn a los circuitos de entrada y de salida.

Para un transistor configurado en colector comn, el colector es usualmente la terminal ms cercana al potencial de tierra.

 Estos diagramas muestran la polarizacin del transistor en colector comn, as como el voltaje de entrada (Vin), la salida (Vout) y la resistencia del emisor (RE) o resistencia de carga.

Ahora veremos algunas caractersticas del transistor polarizado en colector comn:

Tiene una gran ganancia de corriente.

Tiene una ganancia de voltaje menor que la unidad.

Tiene una gran ganancia de potencia.

Tiene una resistencia de entrada grande (la resistencia formada por la base y el colector).
Tiene una resistencia de salida pequea (la resistencia formada por el emisor y el colector). Su principal aplicacin es la de acoplamiento entre una fuente de impedancia grande y una de baja impedancia.

 La Ganancia de Corriente en un circuito con transistor configurado en colector comn viene dada por:

IE 1 IB
Donde es la ganancia de corriente, IE es la corriente del emisor, que para este caso es la corriente de salida, e IB es la corriente de base, que para esta configuracin del transistor es la corriente de entrada.

La ganancia de corriente en el colector comn es + 1, demostremos por que:

GANANCIA DE CORRIENTE

1. IGAN

ISALIDA IENTRADA

IGAN

IE IB

DE LA FORMULA

IE IB IC

IGAN

IB IC IB IC IC 1 IB IB IB IB

PROBLEMA
Un transistor tpico, tiene una R ent = 300 K, R sal = 300 , cual es su ganancia en resistencia, voltaje y potencia
R Gan = R salida R entrada

R GAN = 0.001 R GAN << 1

E Gan = (R Gan) ( I Gan) E Gan = (R Gan) ( + 1) Donde + 1 = 800

E Gan =

0.8

P GAN = ( + 1) (R Gan)

PROPIEDADES DE LOS CTOS BC, EC Y CC

PROPIEDAD

BC
hfb < 1 Alta Alta
Baja (30- 50)

EC
, hfe (40 200)

CC
+ 1, hfc (40 200)

Gan. corriente Gan. tensin Gan. potencia

Alta Alta Moderado (500 2 k) Moderado (10 - 50k)

Inferior a 1 Moderada
Alta (10 500 k)

Resist. de entrada
Resistencia de salida

Alta (100 500 K)

Baja (20 100

Conclusiones y Conceptos importantes de los transistores BJT:

1. Los dispositivos semiconductores poseen las siguientes ventajas sobre los tubos de vaco, son ms pequeos, ms ligeros, ms resistentes y ms eficientes, adems no requieren un periodo de calentamiento, no tienen requisitos de disipacin de calor y tienen menores voltajes de operacin. 2. Los transistores son dispositivos de tres terminales, con tres capas de semiconductor, siendo la capa central mucho ms angosta que las otras dos. Las dos capas exteriores son de tipo N o tipo P con el material opuesta en la capa central. 3. Una de las dos uniones P-N del transistor se encuentra en polarizacin directa, mientras que la otra est en polarizacin inversa. 4. La corriente del emisor es siempre la mayor corriente de un transistor, mientras que la corriente de la base es siempre la ms pequea. La corriente del emisor siempre es la suma de las otras dos (colector y base). 5. La corriente del colector est compuesta de dos componentes. El componente mayoritario y la corriente minoritaria (tambin llamada corriente de fuga).

6. La flecha en el smbolo del transistor define la direccin del flujo de la corriente convencional para la corriente del emisor y por tanto define la direccin de las otras corrientes del dispositivo. 7. En la regin activa de un transistor, es decir, que est bien polarizado y trabajando correctamente, la unin base-emisor se encuentra en polarizacin directa mientras que la unin colector-base se encuentra en polarizacin inversa. 8. Cuando un transistor no tiene corriente de emisor ni de colector, es decir, ambas corrientes son de cero amperes, se dice que el transistor est en la regin de corte. 9. En la regin de corte las uniones base-emisor y colector-base de un transistor se encuentran ambas en polarizacin inversa.

10. La regin saturada o regin de saturacin es cuando en un transistor, la corriente de colector no vara proporcionalmente a la corriente del emisor, por tanto, la seal de salida del transistor no es una amplificacin de la seal de entrada, en otras palabras, si una fraccin de la seal de entrada obliga al transistor a trabajar en la regin saturada, dicha fraccin de seal no tendr respuesta en la salida. 11. En la regin de saturacin las uniones base-emisor y colector-base se encuentran en polarizacin directa. 12. En promedio, como una primera aproximacin, el voltaje baseemisor de un transistor en operacin puede suponerse de 0.7 V. 13. El parmetro alfa () relaciona a la corriente del emisor con la del colector y es aproximadamente uno. 14. La impedancia entre las terminales para una unin en polarizacin directa siempre ser relativamente pequea, mientras que la impedancia entre las terminales de una unin en polarizacin inversa es generalmente muy grande.

15. La flecha en el smbolo de un transistor NPN apunta hacia fuera del dispositivo, mientras que la flecha apunta hacia el centro del smbolo para un transistor PNP.

16. El parmetro () proporciona una importante relacin entre las corrientes de la base y el colector y generalmente se encuentra entre 20 y 400.

17. Para asegurar que un transistor se encuentre operando dentro de su valor nominal del nivel de potencia mximo, solamente calcule el producto del voltaje colector-emisor con la corriente del colector, y comprelo con el valor de la especificacin.

3.2.9. Amplificador prctico de A.F

R1

R3 C3

C1

Q1 V I R E 4
VOLTAJE DE R2 R4 C2
SALIDA

DESCRIPCIN DE SUS COMPONENTES

C1.- Acopla la seal de C.A. a amplificar y bloquea cualquier nivel de CC., que pudiera modificar las condiciones de Vcc de polarizacin de Q1. R1 Y R2.- Constituyen un divisor de tensin que polariza a Q1. Q1.- Transistor bipolar NPN. R3.- Resistencia de carga. R4 y C2.- Constituyen una trampa trmica que evita el desbordamiento por calentamiento de Q1.

C3.- Acopla la seal de C.A. y bloquea el nivel de CC. que pudiera modificar la polarizacin en VCC.

REGINES BASICAS DE TRABAJO DEL TRANSISTOR

De acuerdo a la polarizacin del transistor ste puede trabajar bajo diferentes condiciones (regiones e operacin) 1.- Regin activa. 2.- Regin de corte. 3.- Regin de saturacin. La siguiente grfica muestra las diferentes condiciones de operacin par un transistor conectado en base comn.

Fig. 01.- Caractersticas de salida de un TRANSISTOR en BASE COMUN

REGION DE SATURACIN

REGION ACTIVA

REGION DE CORTE

La regin activa.- Es donde trabajan los amplificadores de audiofrecuencia (etapa de preamplificacin). Corresponde a las caractersticas de salida (Voltaje y corriente) del amplificador, que se encuentran entre la curva de corriente de entrada igual a cero y la mxima corriente de entrada, sta zona est limitada por la curva de mxima disipacin de potencia. (grafica). La condicin del transistor para que trabaje en sta regin es una polarizacin directa en la unin emisor - base, y una polarizacin inversa en la unin colector base.

La regin de corte.- Corresponde a las caractersticas de salida (Voltaje y corriente) del amplificador, que se encuentran entre el eje horizontal y la curva de I de entrada igual a cero. (grafica). La condicin del transistor para que trabaje en sta regin es una polarizacin inversa en las dos uniones; emisor base, y la unin colector base. La regin de saturacin..- Corresponde a las caractersticas de salida (voltaje y corriente), del amplificador, que se encuentran entre el eje vertical y las curvas de la corriente de entrada (grfica). En sta regin las uniones colector-base y base-emisor estn polarizadas directamente.

UBICACIN DE LOS AMPLIFICADORES SOBRE LA RECTA DE TRABAJO

Recta de saturacin

Recta de trabajo

A B C
Recta de corte

Los amplificadores con transistores, se clasifican de acuerdo a la ubicacin del punto de reposo o de trabajo :

AMPLIFICADOR CLASE A, su punto de reposo o bajo condiciones de CC, est en el punto medio de la recta de trabajo (regin activa), permite aumento o disminucin de corriente. Generalmente se utilizan en la etapa de preamplificacin para audiofrecuencia. AMPLIFICADOR CLASE B, su punto de reposo o de trabajo est ubicado ms debajo de la regin activa muy prximo a la recta de corte o sobre la recta de corte, nicamente admite aumento de corriente, es decir; slo amplifica medio ciclo positivo de la seal de entrada. Se utilizan en amplificadores de potencia (Push -Pull o de contrafase).

AMPLIFICADOR CLASE C, en estos amplificadores, el transistor est con el punto de reposo en la regin de corte, nicamente admite aumento de corriente, pero menos de 180 del ciclo de la seal de entrada. Slo amplifica un pulso de entrada. Su aplicacin est en circuitos sintonizadores y osciladores.

CLASE A
La seal de salida varia para los 360 completos del ciclo. La seal puede variar para arriba y abajo sin tener que alcanzar un valor suficientemente alto para ser limitado por el nivel del voltaje de la fuente.

AMPLIFICADOR CLASE B
Proporciona una seal de salida que varia sobre la mitad
del ciclo de la seal.

OPERACIN DEL AMPLIFICADOR CLASE B

La salida del amplificador clase B no va a ser igual a la entrada, ya que slo puede amplificar medio ciclo, para esto es necesario dos operaciones de clase B.

Para obtenerse la salida deseada, que es el ciclo completo de la seal, es necesario utilizar: - Dos transistores - Que estos conduzcan en medios ciclos opuestos

Como ocurren los medios ciclos opuestos? Como una parte del circuito empuja la seal a alto durante medio ciclo y la otra parte jala la seal hacia abajo durante el otro medio ciclo. Los ctos que operan la clase B tambin se les llama CTOS DE CONTRAFASE. Por que? Ya que estos transistores proporcionan una mayor eficiencia
Representacin en bloques de la operacin en contrafase

AMPLIFICADOR PRACTICO DE AUDIOFRECUENCIA DE CUATRO ETAPAS.

C3 R1 R3

R5 R7

R10

C1

Q2 Q1
R6 R2 R4 C2 R8 C6

TONO C5

Q4 L1 Q3 T1
R12

RA SALIDA RB

Q5

T2

C4

R9

R11

Descripcin de las etapas del amplificador

Las dos primeras etapas tienen acoplamiento directo en conexin de simetra complementaria. Ambos transistores trabajan en clase A. Una seal positiva de entrada en la base de Q1(NPN), hace aumentar su corriente de colector, como la base de Q2(PNP) esta directamente al colector de Q1NPN, este potencial negativo polariza directamente la base Q2(PNP), por lo que aumenta su corriente de colector. El aumento de corriente produce, al pasar por R6, una seal de sentido positivo y muy amplificada en la parte superior de dicha resistencia.

En la tercera etapa el transistor Q3(NPN), es de emisor comn y trabaja en clase A, ste debe ser capaz de proporcionar un potencia aislada de 0.5 W para excitar de un modo adecuado al paso siguiente en contrafase. En la cuarta etapa se utilizan dos transistores Q4 y Q5 en contrafase, polarizados en clase B, para conseguir la mxima potencia de salida.

FUNCIN DE LOS COMPONENTES:

C1.- Acopla la seal de entrada (CA) a la primera etapa de amplificacin y bloquea cualquier nivel de CC., que pudiera modificar las condiciones de polarizacin de Q1. R1 Y R2.- Constituyen un divisor de tensin para polarizar adecuadamente a Q1. Q1 y Q2.- Dispositivos activos (Transistores) conectados en simetra complementaria para la etapa de preamplificacin. R3.- Resistencia de carga de la primera etapa. R4 y C2.- Constituyen una trampa trmica que evita el desbordamiento por calentamiento de Q1. R5 y C3.- Constituyen una trampa trmica que evita el desbordamiento por calentamiento de Q2

R6.- Resistencia variable de carga que realiza el CONTROL DE VOLUMEN. C6.- Acopla la seal de C.A. y bloquea el nivel de C.C. que pudiera modificar la polarizacin en VCC, de Q3. Q3.- Transistor bipolar NPN conectado en emisor comn. R9 y C4.- Constituyen una trampa trmica que evita el desbordamiento por calentamiento de Q3. R7 C5 L1.- Constituyen un filtro RLC que mediante R7 realiza el control de TONO. (con R7 modifica la frecuencia y a consecuencia el TONO).

T1.- Transformador con derivacin central que desfasa la seal a amplificar (oposicin de fase). R10, R11, R12.- Constituyen un divisor de tensin

R11.- Es un termistor , o sea una resistencia variable que va a variar su resistencia de a cuerdo a la variacin del calor. RA Y RB.- Resistencias limitadoras de corriente de emisor. T2.- Transformador con derivacin central que pone en fase la seal amplificada y acopla la salida.

Los transistores al calentarse, se vuelven mejores conductores y su corriente de colector aumenta. El TERMISTOR (R11), Que es una resistencia con coeficiente de temperatura negativo. Cuando aumenta la temperatura del cto. La resistencia del termistor disminuye, por lo que disminuye la polarizacin directa y la corriente del colector disminuye, evitando una fuga trmica.

Los transistores empleados en el circuito de contrafase son capaces de entregar la potencia deseada a la carga. La operacin clase B de estos transistores proporciona una mayor eficiencia. Tienen un mayor rendimiento de potencia

Entre la primera etapa y la segunda etapa, que tipo de acoplamiento existe? R= Directo Entre la segunda etapa y la tercera etapa, cmo es el acoplamiento? R= Capacitivo C6 Entre la tercera etapa y la cuarta etapa, cmo es el acoplamiento? R= Magntico por T1 Entre la cuarta etapa y la salida etapa, qu tipo de acoplamiento? R= Magntico por T2

Las principales caractersticas de un amplificador de gran seal son: Eficiencia de potencia del cto. Cantidad mxima de potencia que el circuito, es capaz de manejar. Correspondencia de impedancias con el dispositivo de salida