UNIVERSIDAD EVANGELICA BOLIVIANA FACULTAD DE CIENCIAS Y

TECNOLOGIA
CARRERA DE INGENIERIA ELECTRONICA

REALIZAR UNA SINTESIS DEL: IGBT

- SCRs

DOCENTE: ING. HERMAN PATIÑO ANDIA

ASIGNATURA: ELT. DE POTENCIA
ESTUDIANTES:

• RODRIGUEZ CALZADILLA FRANZ VICTOR

SANTA CRUZ—BOLIVIA
Transistor IGBT

Transistor IGBT. Componente electrónico diseñado para controlar principalmente altas

potencias, en su diseño está compuesto por un transistor bipolar de unión BJT y
transistor de efecto de campo de metal oxido semiconductor MOSFET.

Introducción:

Durante mucho se tiempo se busco la forma de obtener un dispositivo que tuviera una
alta impedancia de entrada y que fuera capaz de manejar altas potencias a altas
velocidades, esto dio lugar a la creación de los Transistores bipolar de puerta aislada
(IGBT). Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habían sido viables

hasta entonces y se describirán más adelante.

Estructura:

El IGBT es un dispositivo semiconductor de cuatro capas que se alternan (PNPN) que

son controlados por un metal-óxido-semiconductor (MOS), estructura de la puerta sin
una acción regenerativa. Un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) celular se
construye de manera similar a un MOSFET de canal n vertical de poder de la
construcción, excepto la n se sustituye con un drenaje + p + capa de colector, formando
una línea vertical del transistor de unión bipolar de PNP.

Este dispositivo posee la características de las señales de puerta de los transistores de

efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor
bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor
bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como
el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT.
En la figura II se observa la estructura interna de un IGBT, el mismo cuenta con tres pines
Puerta (G), Emisor (E) y Colector (C).

Funcionamiento:

Cuando se le es aplicado un voltaje VGE a la puerta , el IGBT enciende inmediatamente,

la corriente de colector IC es conducida y el voltaje VCE se va desde el valor de bloqueo
hasta cero. La corriente IC persiste para el tiempo de encendido en que la señal en la
puerta es aplicada. Para encender el IGBT, el terminal C debe ser polarizado
positivamente con respecto a la terminal E. La señal de encendido es un voltaje positivo
VG que es aplicado a la puerta G.
Este voltaje, si es aplicado como un pulso de magnitud aproximada de 15 volts, puede
causar que el tiempo de encendido sea menor a 1 s, después de lo cual la corriente de
colector ID es igual a la corriente de carga IL (asumida como constante). Una vez
encendido, el dispositivo se mantiene así por una señal de voltaje en el G. Sin embargo,
en virtud del control de voltaje la disipación de potencia en la puerta es muy baja.

El IGBT se apaga simplemente removiendo la señal de voltaje VG de la terminal G. La

transición del estado de conducción al estado de bloqueo puede tomar apenas 2
microsegundos, por lo que la frecuencia de conmutación puede estar en el rango de los
50 kHz.

EL IGBT requiere un valor límite VGE (TH) para el estado de cambio de encendido a
apagado y viceversa. Este es usualmente de 4 V. Arriba de este valor el voltaje VCE cae
a un valor bajo cercano a los 2 V. Como el voltaje de estado de encendido se mantiene
bajo, el G debe tener un voltaje arriba de 15 V, y la corriente IC se autolimita.

Características técnicas:

• Limitada por efecto Latch-up.

• VGEmax Limitada por el espesor del óxido de silicio.
• Se diseña para que ICmax cuando VGE = VGEmax la corriente de cortocircuito sea
entre 4 a 10 veces la nominal (zona activa con VCE=Vmax) y pueda soportarla
durante unos 5 a 10 us. y pueda actuar una protección electrónica cortando desde
puerta.
• VCEmax es la tensión de ruptura del transistor pnp. Como α es muy baja, será
VCEmax=BVCB0 Existen en el mercado IGBTs con valores de 600, 1.200, 1.700,
2.100 y 3.300 voltios. (anunciados de 6.5 kV).
• La temperatura máxima de la unión suele ser de 150ºC (con SiC se esperan valores
mayores)
• Existen en el mercado IGBTs encapsulados que soportan hasta 400 o 600 Amp.

En la actualidad es el dispositivo mas usado para potencias entre varios kW y un par de

MW, trabajando a frecuencias desde 5 kHz a 40kHz.
Aplicaciones:

El IGBT es un dispositivo electrónico que generalmente se aplica a circuitos de potencia.

Este es un dispositivo para la conmutación en sistemas de alta tensión. Se usan en los
Variadores de frecuencia así como en las aplicaciones en maquinas eléctricas y
convertidores de potencia que nos acompañan cada día y por todas partes, sin que
seamos particularmente conscientes de eso: Automóvil, Tren, Metro, Autobús, Avión,
Barco, Ascensor, Electrodoméstico, Televisión, Domótica, Sistemas de Alimentación
Ininterrumpida o SAI (en Inglés UPS), etc.

Tiristor SCR

El rectificador controlado de silicio (en inglés SCR: Silicon Controlled Rectifier) es un tipo
de tiristor formado por cuatro capas de material semiconductor con estructura PNPN o
bien NPNP. El nombre proviene de la unión de Tiratrón (tyratro n) y Transistor. Un SCR
posee tres conexiones o pines: ánodo, cátodo y gate (puerta). La puerta es la encargada
de controlar el paso de corriente entre el ánodo y el cátodo. Funciona básicamente como
un diodo rectificador controlado, permitiendo circular la corriente en un solo sentido. Se
le considera un interruptor abierto cuando no conduce el tiristor y un interruptor cerrado
cuando este conduce. Esta clase de tiristor es uno de los más comunes debido a su
facilidad para conmutar de manera rápida.

Activación y Desactivación de un Tiristor SCR en corriente continua.

El tiristor genera un circuito abierto hasta que se activa la Gate (puerta) con un pulso de
tensión la cual causa una pequeña corriente. El tiristor conduce y se mantiene
conduciendo, no necesitando de ninguna señal adicional para mantener la conducción.
No es posible desactivar el tiristor, evitando que deje de conducir con la compuerta.
Normalmente la Gate (puerta) no tiene control sobre el tiristor una vez que este está
conduciendo.
Mientras no se aplique ninguna tensión en la puerta del SCR no se inicia la conducción
y en el instante en que se aplique dicha tensión, el tiristor comienza a conducir.
Trabajando en corriente alterna el SCR se desexcita en cada alternancia o semiciclo.
Trabajando en corriente continua, se necesita un circuito de bloqueo forzado, o bien
interrumpir el circuito.

Aplicaciones

Un tiristor SCR cuenta con múltiples aplicaciones:

Controles de relevador.

Circuitos de retardo de tiempo.

Fuentes de alimentación reguladas.

Interruptores estáticos.

Controles de motores.

Ciclo conversores.

Cargadores de baterías.

Circuitos de protección.
Controles de calefacción.

Sistema de Control de fase.

Sistema de luces de emergencias.