AÑO DEL BICENTENARIO

DEL PERU: 200 AÑOS DE

INDEPENDENCIA
instituto superior: I.E.S.T.P. Carlos
Cueto Fernandini

unidad didáctica: electrónica

potencia

tema: IGBT

profesor: LIC. JESUS AGAMA ACOSTA

alumnos:

semestre: Vi

turno: moche

año:

2021- II
IGBT

El transistor IGBT (del inglés, Insulated Gate Bipolar Transistor, Transistor Bipolar de
Puerta Aislada) Es un transistor híbrido que combina un MOSFET y un BJT y su estructura y
funcionamiento son similares a un MOSFET, lo que los hace ideales para dispositivos de
conmutación de semiconductores.

Por eso tiene terminales puerta (del MOSFET), colector y emisor (de BJT) El material de
partida es una oblea tipo P. Su estructura consiste en 4 capas (PNPN), la unión adicional
PN creada reduce la resistividad y la caída de tensión Vce(on) en conducción, esto se
conoce como "Modulación de la resistividad" y permite aumentar la intensidad. Sin
embargo, la unión adicional P introduce un transistor parásito, que en caso de ser
activado puede destruir el dispositivo

Hay dos versiones de IGBT conocidas como IGBT PT (Punch Through, "estructura de
perforacion") e IGBT NPT (Non Punch Through, "estructura de no perforación"), la
diferencia radica en que el IGBT NPT no tiene capa de separación n + y presenta una
caída de tensión en estado on, menor. Un IGBT con estructura de PT presenta
velocidades de conmutación más bajas.
Funcionamiento

Al igual que un MOSFET el IGBT se controla con tensión. Para el encendido se da una
tensión positiva en puerta respecto al emisor, los portadores n son atraídos a la región p
de la puerta; así se polariza en directa la base del transistor NPN permitiendo la
circulación de corriente colector-emisor. Para el apagado basta con quitar la tensión de la
puerta. Esto requiere de un circuito de control simple para el transistor IGBT.

Características

• Es adecuado para altas frecuencias de conmutación, por lo que ha sustituido al

BJT en muchas aplicaciones.
• Se pueden combinar IGBTs en paralelo para manejar corrientes muy grandes y
altas tensiones con señales de entrada pequeñas
• La corriente del colector puede producir enclavamiento (Latch up)
• Tiene pequeñas perdidas de conmutación debido a la corriente de cola en el
apagado.
• La tensión puerta-emisor está limitada por el espesor del óxido de silicio.
• Soporta temperaturas de 150ºC
• La tensión colector-emisor, tensión de ruptura es muy baja y apenas varía con la
temperatura.
• Está diseñado para que soporten corrientes de cortocircuito (tensión máxima
puerta-emisor) 4-10 veces la nominal durante 5-10us y se pueda actuar cortando
desde la puerta.
• Al contrario que los MOSFET, los tiempos de conmutación no dan información
sobre las pérdidas de conmutación.

Características compartidas con el MOSFET y el BJT

• Alta impedancia de entrada (MOSFET)

• Alta capacidad de manejar corriente (BJT)
• Fácil manejo controlable por voltaje (MOSFET)
• Sin problemas de segunda ruptura (BJT)
• Bajas perdidas de conducción en estado activo (BJT)

IGBT se suele usar en condiciones de:

• Bajo ciclo de trabajo

• Aplicaciones de alta tensión (>1000V)
• Alta potencia (>5kW)

Características eléctricas
Características de conmutación

Aplicaciones

• Control de motores, sistemas de alimentación ininterrumpida, sistemas de soldadura,

iluminación de baja frecuencia y alta potencia, pero también de los electrodomésticos del
hogar mediante la interconexión de diversos IGBT que controlan los motores eléctricos.

• Generalmente es utilizado en sistemas o aparatos que requieren circuitos de electrónica

realmente potentes y con velocidades de conmutación de hasta 20KHz. Los IGBTs han
estado todo momento con nosotros y han sido claves en el desarrollo de la electrónica de
potencia.

• Algunos fabricantes de tecnología de consumo ya están utilizando para mejorar sus

dispositivos o darles nuevas capacidades. Por ejemplo, estos transistores han permitidos
ser integrados en teléfonos móviles para dotar cámaras de un flash de xenón realmente
potente.

• Otro ejemplo de esta tecnología es su utilización para activar o desactivar los pixeles en
las pantallas táctiles de nueva generación, sistemas de iluminación de edificios o
centrales de conmutación telefónica. Incluso ya existen algunos desfibriladores que
incorporan IGBTs.
Circuito equivalente de un IGBT.

Sección de un IGBT.